JPH07130661A - 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 - Google Patents
非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法Info
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- JPH07130661A JPH07130661A JP5274708A JP27470893A JPH07130661A JP H07130661 A JPH07130661 A JP H07130661A JP 5274708 A JP5274708 A JP 5274708A JP 27470893 A JP27470893 A JP 27470893A JP H07130661 A JPH07130661 A JP H07130661A
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【目的】太陽電池などの窓層に用いられるｐ形の非晶質
酸化シリコン薄膜を、高い導電率と光透過率をもつよう
に成膜する。 【構成】モノシランなどのシリコン化合物、ＣＯ2 など
の酸化炭素を成分とする原料ガスにドーピングガスとし
て弗化硼素を添加してプラズマＣＶＤ法により成膜する
と、光学ギャップが大きくして光透過率が高く、かつ導
電率の高いｐ形の非晶質酸化シリコン膜が得られる。
酸化シリコン薄膜を、高い導電率と光透過率をもつよう
に成膜する。 【構成】モノシランなどのシリコン化合物、ＣＯ2 など
の酸化炭素を成分とする原料ガスにドーピングガスとし
て弗化硼素を添加してプラズマＣＶＤ法により成膜する
と、光学ギャップが大きくして光透過率が高く、かつ導
電率の高いｐ形の非晶質酸化シリコン膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質シリコン太陽電
池に窓層などに用いられる、硼素添加した主としてｐ形
の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法に関する。
池に窓層などに用いられる、硼素添加した主としてｐ形
の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原料ガスをプラズマ化学気相成長法 (プ
ラズマＣＶＤ法) 、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等により分
解させることにより作製される水素化非晶質シリコン薄
膜を用いた太陽電池において、従来は非晶質シリコン太
陽電池の窓層 (光入力側) として光学ギャップの広い材
料を用いて、発電に寄与するｉ層に到達する光を多くす
ることがなされてきた。これらの材料として、特開昭56
−64476 号公報で公知の非晶質炭素化シリコン (以下ａ
−SiＣ：Ｈ) 、特開昭57−181176号公報で公知の非晶質
窒化シリコン (以下ａ−SiＮ：Ｈ) 、特開昭56−142680
号公報で公知の非晶質酸化シリコン (以下ａ−SiＯ：
Ｈ) もしくは特開昭58−196064号公報あるいは特開昭61
−242085号公報で公知の酸素と炭素原子を添加した水素
化非晶質シリコン (以下ａ−SiＯ：Ｃ：Ｈ) が用いられ
非晶質シリコンの太陽電池の変換効率向上に大きく寄与
してきた。これらの非晶質シリコン膜は、水素化硼素化
合物をドーピングすることによりｐ形にされている。
ラズマＣＶＤ法) 、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等により分
解させることにより作製される水素化非晶質シリコン薄
膜を用いた太陽電池において、従来は非晶質シリコン太
陽電池の窓層 (光入力側) として光学ギャップの広い材
料を用いて、発電に寄与するｉ層に到達する光を多くす
ることがなされてきた。これらの材料として、特開昭56
−64476 号公報で公知の非晶質炭素化シリコン (以下ａ
−SiＣ：Ｈ) 、特開昭57−181176号公報で公知の非晶質
窒化シリコン (以下ａ−SiＮ：Ｈ) 、特開昭56−142680
号公報で公知の非晶質酸化シリコン (以下ａ−SiＯ：
Ｈ) もしくは特開昭58−196064号公報あるいは特開昭61
−242085号公報で公知の酸素と炭素原子を添加した水素
化非晶質シリコン (以下ａ−SiＯ：Ｃ：Ｈ) が用いられ
非晶質シリコンの太陽電池の変換効率向上に大きく寄与
してきた。これらの非晶質シリコン膜は、水素化硼素化
合物をドーピングすることによりｐ形にされている。
【０００３】さらに、光透過性を高く保ったまま光伝導
度を向上させる目的でシリコン化合物、炭化水素および
弗化硼素化合物を成分とするガスを通常の100 倍以上の
水素ガスで希釈して生成されるｐ形SiＣ：Ｈ膜が特開平
２−191322号公報が公知である。
度を向上させる目的でシリコン化合物、炭化水素および
弗化硼素化合物を成分とするガスを通常の100 倍以上の
水素ガスで希釈して生成されるｐ形SiＣ：Ｈ膜が特開平
２−191322号公報が公知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】非晶質太陽電池では、
光入射側の窓層に光透過率を高くし、光電変換層である
ｉ層により多くの光を入射させることが、出力を増加さ
せる上で重要である。このような窓層としては、光学ギ
ャップが2.０〜2.１eVのものが適している。しかし、一
般に水素化非晶質シリコン膜では、光透過性が大きくな
るにしたがって光照射下での電気伝導度、すなわち光伝
導度が低くなるため、太陽電池に適用する際その直列抵
抗成分が増加するという問題があった。上記のドーピン
グガスとして弗化硼素化合物を使用したａ−SiＣ：Ｈは
この問題を解決するためのものであるが、炭化水素系ラ
ジカルＣm Ｈn (m、n は自然数) の反応性の高さから、
導電率向上のために有効な水素希釈法に限界があった。
また、不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響で、
欠陥が増え、ドーピングの効率を落とすという問題点も
あった。
光入射側の窓層に光透過率を高くし、光電変換層である
ｉ層により多くの光を入射させることが、出力を増加さ
せる上で重要である。このような窓層としては、光学ギ
ャップが2.０〜2.１eVのものが適している。しかし、一
般に水素化非晶質シリコン膜では、光透過性が大きくな
るにしたがって光照射下での電気伝導度、すなわち光伝
導度が低くなるため、太陽電池に適用する際その直列抵
抗成分が増加するという問題があった。上記のドーピン
グガスとして弗化硼素化合物を使用したａ−SiＣ：Ｈは
この問題を解決するためのものであるが、炭化水素系ラ
ジカルＣm Ｈn (m、n は自然数) の反応性の高さから、
導電率向上のために有効な水素希釈法に限界があった。
また、不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響で、
欠陥が増え、ドーピングの効率を落とすという問題点も
あった。
【０００５】本発明の目的は、上記の情勢に立脚し、膜
中の欠陥を抑え、導電率が高く、光透過率がより大き
な、非晶質シリコン太陽電池の窓層として用いることの
出来るｐ形非晶質シリコン膜の生成方法を提供すること
にある。
中の欠陥を抑え、導電率が高く、光透過率がより大き
な、非晶質シリコン太陽電池の窓層として用いることの
出来るｐ形非晶質シリコン膜の生成方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、シリコン化合物、酸化炭素および硼素化合物を成
分とする原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によ
る非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法において、硼素化
合物に弗化硼素を用いるものとする。原料ガスを水素に
より希釈するのが良い方法である。生成された薄膜中の
硼素濃度が５×1019〜１×1021の範囲にあること、生成
された薄膜がｐ形であることが有効である。そして、シ
リコン化合物がSin Ｈ2n+2の分子式を有すること、酸化
炭素をＣＯおよびＣＯ2 のうちから選ぶこと、が良い。
めに、シリコン化合物、酸化炭素および硼素化合物を成
分とする原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によ
る非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法において、硼素化
合物に弗化硼素を用いるものとする。原料ガスを水素に
より希釈するのが良い方法である。生成された薄膜中の
硼素濃度が５×1019〜１×1021の範囲にあること、生成
された薄膜がｐ形であることが有効である。そして、シ
リコン化合物がSin Ｈ2n+2の分子式を有すること、酸化
炭素をＣＯおよびＣＯ2 のうちから選ぶこと、が良い。
【０００７】
【作用】ａ−SiＯ：Ｈ膜は、炭化水素系ラジカルＣm Ｈ
n と、膜表面を被覆している水素との反応性の高さの影
響を抑えることが可能である。そして、ドーピングガス
として弗化硼素を用いることで、ジボラン (Ｂ2 Ｈ6 )
より生成する水素化硼素ラジカルＢＨ3 またはＢ2 Ｈ5
と比べた場合、膜表面の水素を剥離する効果が抑えら
れ、欠陥を減らすことが可能である。この結果、水素希
釈法を充分活用でき、導電率を向上させることが可能で
ある。また、ａ−SiＣ：Ｈを用いる場合とは違い、堆積
させる際に不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響
を考えずに済む。
n と、膜表面を被覆している水素との反応性の高さの影
響を抑えることが可能である。そして、ドーピングガス
として弗化硼素を用いることで、ジボラン (Ｂ2 Ｈ6 )
より生成する水素化硼素ラジカルＢＨ3 またはＢ2 Ｈ5
と比べた場合、膜表面の水素を剥離する効果が抑えら
れ、欠陥を減らすことが可能である。この結果、水素希
釈法を充分活用でき、導電率を向上させることが可能で
ある。また、ａ−SiＣ：Ｈを用いる場合とは違い、堆積
させる際に不純物として膜中に取り込まれる酸素の影響
を考えずに済む。
【０００８】以上の結果、ｐ形ａ−SiＯ：Ｈ膜成長時に
生成される欠陥が減少するため、導電率は向上する。
生成される欠陥が減少するため、導電率は向上する。
【０００９】
【実施例】図２は、本発明の一実施例に用いたプラズマ
ＣＶＤ装置を示す。真空槽１の中には被成膜基板２を支
持する円形電極31とその直上のシャワー電極32とが対向
配置されている。円形電極31は電源42に接続されたヒー
タ41も備え、基板２を室温から350 ℃まで加熱すること
が出来る。また、シャワー電極32は、内部に絶縁性のガ
ス導入管５に連通する空洞を有し、ガス導入管から供給
させる原料ガスを送り込むことが出来る。そして、電力
を供給する高周波電源６に接続されている。成膜の際の
圧力は、真空ポンプ８に接続された排気管７に設けられ
たコンダクタンスバルブ71によって調整され、一定に保
たれる。
ＣＶＤ装置を示す。真空槽１の中には被成膜基板２を支
持する円形電極31とその直上のシャワー電極32とが対向
配置されている。円形電極31は電源42に接続されたヒー
タ41も備え、基板２を室温から350 ℃まで加熱すること
が出来る。また、シャワー電極32は、内部に絶縁性のガ
ス導入管５に連通する空洞を有し、ガス導入管から供給
させる原料ガスを送り込むことが出来る。そして、電力
を供給する高周波電源６に接続されている。成膜の際の
圧力は、真空ポンプ８に接続された排気管７に設けられ
たコンダクタンスバルブ71によって調整され、一定に保
たれる。
【００１０】本発明の実施例のａ−SiＯ：Ｈ成膜条件お
よび得られた薄膜の特性を以下に述べる。ａ−SiＯ：Ｈ
薄膜の原料ガスとしてSiＨ4 およびＣＯ2 を用い、希釈
ガスとしてＨ2 を用いた。また、ドーピングガスとして
ＢＦ3 を用いた。成膜条件は以下に示すとおりである。
よび得られた薄膜の特性を以下に述べる。ａ−SiＯ：Ｈ
薄膜の原料ガスとしてSiＨ4 およびＣＯ2 を用い、希釈
ガスとしてＨ2 を用いた。また、ドーピングガスとして
ＢＦ3 を用いた。成膜条件は以下に示すとおりである。
【００１１】
【数１】 基板温度 １５０〜２５０℃ 成膜圧力 ０. ６Torr ガス流量比 ＣＯ2 ／SiＨ4 ＝１〜５ Ｈ2 ／SiＨ4 ＝１０〜１００ ＢＦ3 ／SiＨ4 ＝０. ０１〜１０ 以上のような条件で成膜されたａ−SiＯ：Ｈ膜のSiＯを
Si1-x Ｏx で表わすと0.03≦ｘ≦0.20であり、これによ
り光学ギャップは2.０〜2.１eVの範囲に入る。図１は、
成膜されたｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導
電率を示す。光導電率は、以下すべて強度100 ｍＷ／cm
2 の擬似太陽光下で測定した。横軸は膜中に取り込まれ
たＢの量を単位体積当たりで示したものである。この
時、二次イオン質量分析装置 (ＳＩＭＳ) を用いて計測
した弗素原子密度は、硼素原子密度に対して１〜2.５倍
であった。
Si1-x Ｏx で表わすと0.03≦ｘ≦0.20であり、これによ
り光学ギャップは2.０〜2.１eVの範囲に入る。図１は、
成膜されたｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導
電率を示す。光導電率は、以下すべて強度100 ｍＷ／cm
2 の擬似太陽光下で測定した。横軸は膜中に取り込まれ
たＢの量を単位体積当たりで示したものである。この
時、二次イオン質量分析装置 (ＳＩＭＳ) を用いて計測
した弗素原子密度は、硼素原子密度に対して１〜2.５倍
であった。
【００１２】図３は、比較のためＢ2 Ｈ6 を用いて成膜
したｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導電率を
示す。これらの膜は以下のような実験条件で作製され
た。
したｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜の光導電率および暗導電率を
示す。これらの膜は以下のような実験条件で作製され
た。
【００１３】
【数２】 基板温度 １５０〜２５０℃ 成膜圧力 ０. ６Torr ガス流量比 ＣＯ2 ／SiＨ4 ＝１〜５ Ｈ2 ／SiＨ4 ＝１０〜１００ Ｂ2 Ｈ6 ／SiＨ4 ＝１０-5〜１０-1 図１と図３を比べて分かる通り、ＢＦ3 をドーピングガ
スとして用いた場合、Ｂ 2 Ｈ6 を使用したものに比べて
暗導電率が向上している。これは、ＢＦ3 を用いたこと
により膜成長表面の水素剥離が起きにくくなり、膜の欠
陥が減少し、硼素のドーピング効率が向上したためと解
釈できる。以上の実施例から、ａ−SiＯ：Ｈ薄膜中の硼
素濃度が５×1019〜１×1021の範囲において、ＢＦ3 を
使用した場合、Ｂ2 Ｈ6 を用いた場合と比較して３〜５
倍の暗導電率向上が得られることがわかった。硼素濃度
が５×1019より低いときは、光学ギャップは大きくなる
が導電率が低すぎ、１×1021を超えると光学ギャップが
小さすぎるため、窓層として用いることができない。
スとして用いた場合、Ｂ 2 Ｈ6 を使用したものに比べて
暗導電率が向上している。これは、ＢＦ3 を用いたこと
により膜成長表面の水素剥離が起きにくくなり、膜の欠
陥が減少し、硼素のドーピング効率が向上したためと解
釈できる。以上の実施例から、ａ−SiＯ：Ｈ薄膜中の硼
素濃度が５×1019〜１×1021の範囲において、ＢＦ3 を
使用した場合、Ｂ2 Ｈ6 を用いた場合と比較して３〜５
倍の暗導電率向上が得られることがわかった。硼素濃度
が５×1019より低いときは、光学ギャップは大きくなる
が導電率が低すぎ、１×1021を超えると光学ギャップが
小さすぎるため、窓層として用いることができない。
【００１４】
【表１】 ドーピングガスとしてＢ2 Ｆ4 を用いたときも、ＣＯ2
の代わりにＣＯを用いたときも同様の結果が得られた。
また、ａ−SiＣ：Ｈに対して、同じくＢＦ3 をドーピン
グガスとして使用した時の光導電率および暗導電率を図
４に示す。特に硼素量が多いところでは、ａ−SiＯ薄膜
に比べて光導電率および暗導電率共に大きく落込むこと
がこの比較図から読み取れる。ａ−SiＣ中では、膜中に
含まれる不純物酸素の影響により、膜中の欠陥が増加し
ていることが考えられる。この酸素の悪影響がないため
に、ａ−SiＯ薄膜では、硼素量が増しても、高い導電率
を維持することが可能であることが分かった。また、ａ
−SiＯ薄膜の堆積速度は、２nm／分と非晶質シリコンカ
ーバイドの約４倍程度の値であった。この値は、実際に
太陽電池を作製する際のｐ層の成膜時間が１／４で済む
ということであり、デバイス作製上重要である。
の代わりにＣＯを用いたときも同様の結果が得られた。
また、ａ−SiＣ：Ｈに対して、同じくＢＦ3 をドーピン
グガスとして使用した時の光導電率および暗導電率を図
４に示す。特に硼素量が多いところでは、ａ−SiＯ薄膜
に比べて光導電率および暗導電率共に大きく落込むこと
がこの比較図から読み取れる。ａ−SiＣ中では、膜中に
含まれる不純物酸素の影響により、膜中の欠陥が増加し
ていることが考えられる。この酸素の悪影響がないため
に、ａ−SiＯ薄膜では、硼素量が増しても、高い導電率
を維持することが可能であることが分かった。また、ａ
−SiＯ薄膜の堆積速度は、２nm／分と非晶質シリコンカ
ーバイドの約４倍程度の値であった。この値は、実際に
太陽電池を作製する際のｐ層の成膜時間が１／４で済む
ということであり、デバイス作製上重要である。
【００１５】図５は、本発明の別の実施例によるａ−Si
Ｏ薄膜を用いた太陽電池の断面構造を示す。この太陽電
池は抵抗率２Ω・cm、大きさ10cm×10cm、厚さ0.35mmの
ｎ形多結晶シリコン基板11の上に厚さ100nm のｐ形のａ
−SiＯ：Ｈの薄膜12を成膜して形成したヘテロ接合を有
する。このａ−SiＯ：Ｈ膜12の成膜には、大きさ約30cm
×40cmの方形の平行平板電極を備えた容量結合型プラズ
マＣＶＤ装置内で、原料ガスとして、SiＨ4 、ＣＯ2 、
ＢＦ3 およびＨ2 の混合ガスを用い、12枚の基板11上に
同時成膜した。この時の条件は、以下に示す通りであ
る。
Ｏ薄膜を用いた太陽電池の断面構造を示す。この太陽電
池は抵抗率２Ω・cm、大きさ10cm×10cm、厚さ0.35mmの
ｎ形多結晶シリコン基板11の上に厚さ100nm のｐ形のａ
−SiＯ：Ｈの薄膜12を成膜して形成したヘテロ接合を有
する。このａ−SiＯ：Ｈ膜12の成膜には、大きさ約30cm
×40cmの方形の平行平板電極を備えた容量結合型プラズ
マＣＶＤ装置内で、原料ガスとして、SiＨ4 、ＣＯ2 、
ＢＦ3 およびＨ2 の混合ガスを用い、12枚の基板11上に
同時成膜した。この時の条件は、以下に示す通りであ
る。
【００１６】
【数３】 基板温度 ２２０℃ ガス流量 SiＨ4 ＝１０ccm ＣＯ2 ＝１８ccm ＢＦ3 ＝１０ccm Ｈ2 ＝２００ccm グロー放電電力 ８０Ｗ (周波数13.56 ＭＨｚ) さらに、多結晶シリコン基板11の裏面全面に真空蒸着に
よりAl裏面電極21を、またａ−SiＯ：Ｈ薄膜12の表面上
に、ZnＯの真空中でのマスク蒸着により１cm間隔で透光
性電極22を形成した。
よりAl裏面電極21を、またａ−SiＯ：Ｈ薄膜12の表面上
に、ZnＯの真空中でのマスク蒸着により１cm間隔で透光
性電極22を形成した。
【００１７】このようにして作製した12個の大きさ10cm
×10cmの太陽電池をそれぞれ９×９の81個のセルに分割
し、各セルの出力特性を、ｐ層12側を光入射側として強
度100 ｍＷ／cm2 の擬似太陽光下で測定したところ、平
均開放電圧0.65Ｖ、平均短絡電力密度33ｍＡ／cm2 、平
均曲線因子0.73、平均変換効率16.1％であった。そし
て、変換効率のばらつき、すなわち標準偏差は変換効率
の絶対値にして0.５％であり、大きさ30cm×40cmの広が
りにわたって均一な特性の太陽電池が作製できることが
分かった。
×10cmの太陽電池をそれぞれ９×９の81個のセルに分割
し、各セルの出力特性を、ｐ層12側を光入射側として強
度100 ｍＷ／cm2 の擬似太陽光下で測定したところ、平
均開放電圧0.65Ｖ、平均短絡電力密度33ｍＡ／cm2 、平
均曲線因子0.73、平均変換効率16.1％であった。そし
て、変換効率のばらつき、すなわち標準偏差は変換効率
の絶対値にして0.５％であり、大きさ30cm×40cmの広が
りにわたって均一な特性の太陽電池が作製できることが
分かった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ｐ形ａ−SiＯ：Ｈ膜の
ＣＶＤ法による成膜時に、ドーピング不純物源として硼
素と弗素の結合を有する弗化硼素系化合物を用いること
で、硼素不純物量５×1019〜１×1021、光学ギャップ2.
０〜2.１eVの範囲において、σph＝６×10-5〜４×1
0-5、σｄ＝２×10-5〜２×10-3を達成できる。この効
果は、シリコン化合物がSiＨ4 の場合に限らず、ジシラ
ンなど他のSin Ｈ2n+2の分子式を有する化合物を用いた
ときにも得られる。
ＣＶＤ法による成膜時に、ドーピング不純物源として硼
素と弗素の結合を有する弗化硼素系化合物を用いること
で、硼素不純物量５×1019〜１×1021、光学ギャップ2.
０〜2.１eVの範囲において、σph＝６×10-5〜４×1
0-5、σｄ＝２×10-5〜２×10-3を達成できる。この効
果は、シリコン化合物がSiＨ4 の場合に限らず、ジシラ
ンなど他のSin Ｈ2n+2の分子式を有する化合物を用いた
ときにも得られる。
【００１９】以上のような高いドーピング効率で、しか
も従来以上の膜が得られることで、直列抵抗成分が低く
抑えることが可能となり、光入射側の窓層に用いれば、
高い光透過性を有するデバイスの作製が可能となる。こ
の結果、太陽電池の光電変換効率が向上する。
も従来以上の膜が得られることで、直列抵抗成分が低く
抑えることが可能となり、光入射側の窓層に用いれば、
高い光透過性を有するデバイスの作製が可能となる。こ
の結果、太陽電池の光電変換効率が向上する。
【図１】本発明の実施例により得られたａ−SiＯ：Ｈ薄
膜の導電率と硼素濃度の関係線図
膜の導電率と硼素濃度の関係線図
【図２】本発明の一実施例に用いたプラズマＣＶＤ装置
の断面図
の断面図
【図３】ドーピングガスとしてＢ2 Ｈ6 を用いて成膜し
たａ−SiＯ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃度の関係線図
たａ−SiＯ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃度の関係線図
【図４】ドーピングガスとしてＢＦ3 を用いて成膜した
ａ−SiＯ：Ｈ薄膜とａ−SiＣ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃
度の関係線図
ａ−SiＯ：Ｈ薄膜とａ−SiＣ：Ｈ薄膜の導電率と硼素濃
度の関係線図
【図５】本発明の実施例により得られたａ−SiＯ：Ｈ薄
膜を用いた太陽電池の断面図
膜を用いた太陽電池の断面図
１ 真空槽 ２ 被成膜基板 ３ 円形電極 32 シャワー電極 41 ヒータ ５ ガス導入管 ６ 高周波電源 ７ 排気管 ８ 真空ポンプ 11 ｎ形多結晶シリコン基板 12 ｐ形ａ−SiＯ：Ｈ薄膜 21 裏面電極 22 透光性電極
Claims (6)
- 【請求項１】シリコン化合物、酸化炭素および硼素化合
物を成分とする原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長
法による非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法において、
硼素化合物に弗化硼素を用いることを特徴とする非晶質
酸化シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項２】原料ガスを水素により希釈する請求項１記
載の非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項３】生成された薄膜の硼素濃度が５×1019〜１
×1021の範囲にある請求項１あるいは２記載の非晶質酸
化シリコン薄膜の生成方法。 - 【請求項４】生成された薄膜がｐ形である請求項１ない
し３のいずれかに記載の非晶質酸化シリコン薄膜の生成
方法。 - 【請求項５】シリコン化合物がSin Ｈ2n+2の分子式を有
する請求項１ないし４のいずれかに記載の非晶質酸化シ
リコン薄膜の生成方法。 - 【請求項６】酸化炭素を一酸化炭素および二酸化炭素の
うちから選ぶ請求項１ないし５のいずれかに記載の非晶
質酸化シリコン薄膜の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05274708A JP3106810B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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