JP3389384B2 - 窒化アルミニウム質基板 - Google Patents
窒化アルミニウム質基板Info
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板などに好
適に使用されるメタライズ層が形成された窒化アルミニ
ウム質基板に関するものである。
適に使用されるメタライズ層が形成された窒化アルミニ
ウム質基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、窒化アルミニウム質焼結体は、
アルミナ、ジルコニアなどのセラミック材料に比較して
格段に熱伝導性に優れたセラミック材料として注目さ
れ、半導体素子からの発熱を効率的に除去するために、
配線基板や半導体素子収納用パッケージにおける基板材
料として用いられつつある。
アルミナ、ジルコニアなどのセラミック材料に比較して
格段に熱伝導性に優れたセラミック材料として注目さ
れ、半導体素子からの発熱を効率的に除去するために、
配線基板や半導体素子収納用パッケージにおける基板材
料として用いられつつある。
【０００３】このような窒化アルミニウム質焼結体とし
ては、窒化アルミニウムがそれ自体では焼結しにくいた
めに、Ｙ2 Ｏ3 などの周期律表第３ａ族元素化合物、Ｃ
ａＯなどのアルカリ土類金属元素化合物などを添加し焼
成することが、特開昭６０−７１５７５号、特公昭５８
−４９５１０号、特開昭６１−１１７１６０号等にて提
案されている。
ては、窒化アルミニウムがそれ自体では焼結しにくいた
めに、Ｙ2 Ｏ3 などの周期律表第３ａ族元素化合物、Ｃ
ａＯなどのアルカリ土類金属元素化合物などを添加し焼
成することが、特開昭６０−７１５７５号、特公昭５８
−４９５１０号、特開昭６１−１１７１６０号等にて提
案されている。
【０００４】また、窒化アルミニウム質焼結体に添加さ
れる上記焼結助剤成分は、最終焼結体中に残存すると熱
伝導性を低下させる要因となるため、高熱伝導化を達成
するために、これら助剤成分を揮散除去させた高純度窒
化アルミニウム焼結体も特開昭６２−４１７６７号、特
開昭６３−２７７５６９号等にて提案されている。
れる上記焼結助剤成分は、最終焼結体中に残存すると熱
伝導性を低下させる要因となるため、高熱伝導化を達成
するために、これら助剤成分を揮散除去させた高純度窒
化アルミニウム焼結体も特開昭６２−４１７６７号、特
開昭６３−２７７５６９号等にて提案されている。
【０００５】さらに、窒化アルミニウム質焼結体を用い
て配線基板等を作製するには、例えば、窒化アルミニウ
ム質グリーンシートの表面にＷ，Ｍｏなどの高融点金属
を含有するペーストを配線パターンに塗布した後、これ
を１６００〜１９００℃の温度でメタライズ層と絶縁基
板とを同時焼成することにより作製することが知られて
いる。また、基板の表面に形成されたメタライズ層の表
面には、リードピンなどの金具をロウ付けするために、
ＮｉやＡｕなどのメッキが被覆されている。
て配線基板等を作製するには、例えば、窒化アルミニウ
ム質グリーンシートの表面にＷ，Ｍｏなどの高融点金属
を含有するペーストを配線パターンに塗布した後、これ
を１６００〜１９００℃の温度でメタライズ層と絶縁基
板とを同時焼成することにより作製することが知られて
いる。また、基板の表面に形成されたメタライズ層の表
面には、リードピンなどの金具をロウ付けするために、
ＮｉやＡｕなどのメッキが被覆されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】配線基板は、その高密
度化および小型化に伴い、メタライズ層も薄膜化する傾
向にある。そこで、高密度の配線基板等を作製するに、
窒化アルミニウム質グリーンシートにメタライズペース
トを塗布し、これを同時焼成したところ、メタライズ層
にピンホールが形成されるといった問題があった。
度化および小型化に伴い、メタライズ層も薄膜化する傾
向にある。そこで、高密度の配線基板等を作製するに、
窒化アルミニウム質グリーンシートにメタライズペース
トを塗布し、これを同時焼成したところ、メタライズ層
にピンホールが形成されるといった問題があった。
【０００７】このようなピンホールの形成は、配線の薄
膜化および高密度化に対しては回路としての信頼性を損
なうため、致命的な問題であった。しかも、メタライズ
層の表面にさらにメッキ層を形成した場合、ピンホール
の箇所でメッキ層が形成されないという問題があった。
膜化および高密度化に対しては回路としての信頼性を損
なうため、致命的な問題であった。しかも、メタライズ
層の表面にさらにメッキ層を形成した場合、ピンホール
の箇所でメッキ層が形成されないという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる現象
について研究を進めた結果、ピンホールの形成箇所に
は、窒化アルミニウム質焼結体の表面に黒色状の析出物
が存在すること、しかもその析出物がカルシウムとイオ
ウとを主体とする化合物からなること、その析出物がメ
タライズとの濡れ性が極端に悪いためにピンホールが形
成され、その結果、その箇所にメッキが形成されないこ
とを突き止めた。
について研究を進めた結果、ピンホールの形成箇所に
は、窒化アルミニウム質焼結体の表面に黒色状の析出物
が存在すること、しかもその析出物がカルシウムとイオ
ウとを主体とする化合物からなること、その析出物がメ
タライズとの濡れ性が極端に悪いためにピンホールが形
成され、その結果、その箇所にメッキが形成されないこ
とを突き止めた。
【０００９】そこで、本発明者は、メタライズ層を形成
する窒化アルミニウム質焼結体中において、イオウ
（Ｓ）およびカルシウム（Ｃａ）の量の含有量の少ない
窒化アルミニウム原料粉末を用いて焼結し、最終焼結体
中におけるイオウ量およびカルシウム量を特定範囲に低
減した焼結体を用いた結果、黒点状の析出物がなくな
り、メタライズ層およびメッキ層においてピンホールの
形成を抑制できることを見いだし、本発明に至ったので
ある。
する窒化アルミニウム質焼結体中において、イオウ
（Ｓ）およびカルシウム（Ｃａ）の量の含有量の少ない
窒化アルミニウム原料粉末を用いて焼結し、最終焼結体
中におけるイオウ量およびカルシウム量を特定範囲に低
減した焼結体を用いた結果、黒点状の析出物がなくな
り、メタライズ層およびメッキ層においてピンホールの
形成を抑制できることを見いだし、本発明に至ったので
ある。
【００１０】即ち、本発明は、窒化アルミニウムを主体
とする窒化アルミニウム質焼結体からなる基板の少なく
とも表面にメタライズ層を具備してなる窒化アルミニウ
ム質基板において、前記窒化アルミニウム質焼結体中に
おけるイオウおよびカルシウムの含有量が合量で２５０
ｐｐｍ以下であることを特徴とするものである。
とする窒化アルミニウム質焼結体からなる基板の少なく
とも表面にメタライズ層を具備してなる窒化アルミニウ
ム質基板において、前記窒化アルミニウム質焼結体中に
おけるイオウおよびカルシウムの含有量が合量で２５０
ｐｐｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、メタライズ層を具備する窒化
アルミニウム質基板において、絶縁基体を形成する窒化
アルミニウム質焼結体中におけるイオウ量およびカルシ
ウム量を合量で２５０ｐｐｍ以下とすることにより、イ
オウおよびカルシウムの化合物の析出を抑制することが
できる。
アルミニウム質基板において、絶縁基体を形成する窒化
アルミニウム質焼結体中におけるイオウ量およびカルシ
ウム量を合量で２５０ｐｐｍ以下とすることにより、イ
オウおよびカルシウムの化合物の析出を抑制することが
できる。
【００１２】イオウおよびカルシウムは、窒化アルミニ
ウム質焼結体においては、不可避的な元素であり、これ
らの元素の存在を皆無にすることはできない。イオウと
カルシウムとの化合物の析出は、カルシウムまたはイオ
ウのいずれか一方を低減しても解消することができず、
カルシウムとイオウの双方を低減することが重要であ
る。特に、イオウ量とカルシウム量が２５０ｐｐｍ以下
で、特にイオウ量を６０ｐｐｍ以下、カルシウム量を１
８０ｐｐｍ以下に低減することが望ましい。
ウム質焼結体においては、不可避的な元素であり、これ
らの元素の存在を皆無にすることはできない。イオウと
カルシウムとの化合物の析出は、カルシウムまたはイオ
ウのいずれか一方を低減しても解消することができず、
カルシウムとイオウの双方を低減することが重要であ
る。特に、イオウ量とカルシウム量が２５０ｐｐｍ以下
で、特にイオウ量を６０ｐｐｍ以下、カルシウム量を１
８０ｐｐｍ以下に低減することが望ましい。
【００１３】また、イオウおよびカルシウムは、そのほ
とんどが窒化アルミニウム原料粉末の不可避的な成分と
して混入するものであり、これらの量を低減するには、
窒化アルミニウム原料粉末として、イオウおよびカルシ
ウム量が低減された高純度の窒化アルミニウム原料粉末
を用いることにより、焼結体中のイオウ量およびカルシ
ウム量を制御することができる。
とんどが窒化アルミニウム原料粉末の不可避的な成分と
して混入するものであり、これらの量を低減するには、
窒化アルミニウム原料粉末として、イオウおよびカルシ
ウム量が低減された高純度の窒化アルミニウム原料粉末
を用いることにより、焼結体中のイオウ量およびカルシ
ウム量を制御することができる。
【００１４】これにより、メタライズ層およびメッキ層
のピンホールの形成が抑制される結果、メタライズ層の
厚みが薄い場合においても信頼性の高い配線層を形成す
ることができる。
のピンホールの形成が抑制される結果、メタライズ層の
厚みが薄い場合においても信頼性の高い配線層を形成す
ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の窒化アルミニウム質基板
１は、図１に示すように、窒化アルミニウム質焼結体か
らなる絶縁基体２と、基板１の表面および内部に形成さ
れたメタライズ層３を具備する。また、メタライズ層３
の表面には、さらにメッキ層が形成される場合もある。
１は、図１に示すように、窒化アルミニウム質焼結体か
らなる絶縁基体２と、基板１の表面および内部に形成さ
れたメタライズ層３を具備する。また、メタライズ層３
の表面には、さらにメッキ層が形成される場合もある。
【００１６】本発明において絶縁基体として用いられる
窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウム原料粉
末に、焼結助剤として周知の材料、例えば、Ｙ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｈｏ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｄｙなど周期律表第３ａ族元
素の酸化物、フッ化物、炭化物、硼化物、窒化物や、ア
ルカリ土類元素の酸化物、フッ化物、炭化物、硼化物、
窒化物等を０．１〜２０重量％の割合で添加したものを
所望の成形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧プレ
ス，押出し成形等により任意の形状に成形後、１６００
〜２０００℃の窒素含有雰囲気中で焼成することにより
得られた相対密度９８％以上の高密度焼結体である。な
お、かかる焼結体には、焼結助剤以外の添加成分とし
て、例えば、着色成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの周期律表第４ａ、５
ａ、６ａ、８族元素の酸化物炭化物、窒化物などを１０
重量％以下の割合で添加含有することもできる。
窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウム原料粉
末に、焼結助剤として周知の材料、例えば、Ｙ、Ｅｒ、
Ｙｂ、Ｈｏ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｄｙなど周期律表第３ａ族元
素の酸化物、フッ化物、炭化物、硼化物、窒化物や、ア
ルカリ土類元素の酸化物、フッ化物、炭化物、硼化物、
窒化物等を０．１〜２０重量％の割合で添加したものを
所望の成形手段、例えば、金型プレス，冷間静水圧プレ
ス，押出し成形等により任意の形状に成形後、１６００
〜２０００℃の窒素含有雰囲気中で焼成することにより
得られた相対密度９８％以上の高密度焼結体である。な
お、かかる焼結体には、焼結助剤以外の添加成分とし
て、例えば、着色成分として、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの周期律表第４ａ、５
ａ、６ａ、８族元素の酸化物炭化物、窒化物などを１０
重量％以下の割合で添加含有することもできる。
【００１７】このような添加成分を添加する場合におい
ても、これらの添加成分からのイオウおよびカルシウム
の混入が焼結体全体として前述した範囲を満足するよう
に制御する必要があることは当然である。
ても、これらの添加成分からのイオウおよびカルシウム
の混入が焼結体全体として前述した範囲を満足するよう
に制御する必要があることは当然である。
【００１８】本発明によれば、この窒化アルミニウム質
焼結体中におけるイオウおよびカルシウムの含有量が合
量で２５０ｐｐｍ以下、特に２００ｐｐｍ以下、さらに
は１５０ｐｐｍ以下であることが重要である。これは、
イオウおよびカルシウム量が合量で２５０ｐｐｍを越え
ると、焼結過程で、焼結体の表面にカルシウムとイオウ
を主体とする黒点状の化合物が析出しメタライズ層の形
成時にピンホールが形成されてしまうという問題が生じ
る。
焼結体中におけるイオウおよびカルシウムの含有量が合
量で２５０ｐｐｍ以下、特に２００ｐｐｍ以下、さらに
は１５０ｐｐｍ以下であることが重要である。これは、
イオウおよびカルシウム量が合量で２５０ｐｐｍを越え
ると、焼結過程で、焼結体の表面にカルシウムとイオウ
を主体とする黒点状の化合物が析出しメタライズ層の形
成時にピンホールが形成されてしまうという問題が生じ
る。
【００１９】望ましくは、イオウは、６０ｐｐｍ以下、
カルシウムは１８０ｐｐｍ以下であるのがよい。
カルシウムは１８０ｐｐｍ以下であるのがよい。
【００２０】イオウは、主として窒化アルミニウム原料
粉末から混入する。このイオウは、例えば、アルミナ還
元窒化法によって窒化アルミニウム粉末を作製する際の
還元剤として添加されたカーボン中のイオウ成分が原料
粉末中に残存したものと考えられる。また、カルシウム
も不可避的不純物として混入する成分であり、窒化アル
ミニウム原料粉末の合成時にイオウ量の少ないカーボン
を用いるか、あるいは原料粉末の精製処理により高純度
化処理を行うことによりイオウおよびカルシウム量の低
減を図ることができる。
粉末から混入する。このイオウは、例えば、アルミナ還
元窒化法によって窒化アルミニウム粉末を作製する際の
還元剤として添加されたカーボン中のイオウ成分が原料
粉末中に残存したものと考えられる。また、カルシウム
も不可避的不純物として混入する成分であり、窒化アル
ミニウム原料粉末の合成時にイオウ量の少ないカーボン
を用いるか、あるいは原料粉末の精製処理により高純度
化処理を行うことによりイオウおよびカルシウム量の低
減を図ることができる。
【００２１】また、窒化アルミニウム原料粉末に対して
添加される上述した焼結助剤およびその他の添加成分に
おいても焼結体全体のイオウおよびカルシウム量が上記
の範囲を満足できるように高純度の粉末を用いることが
必要である。
添加される上述した焼結助剤およびその他の添加成分に
おいても焼結体全体のイオウおよびカルシウム量が上記
の範囲を満足できるように高純度の粉末を用いることが
必要である。
【００２２】本発明において、メタライズ層を有する基
板を作製するには、窒化アルミニウム原料粉末に、上述
したような焼結助剤やその他の添加成分を配合した混合
物を用いて、シート状成形体を作製する。シート状成形
体は、上記混合物からなるスラリーを調製してドクター
ブレード法により作製するか、またはプレス成形、押し
出し成形等によっても作製することができる。
板を作製するには、窒化アルミニウム原料粉末に、上述
したような焼結助剤やその他の添加成分を配合した混合
物を用いて、シート状成形体を作製する。シート状成形
体は、上記混合物からなるスラリーを調製してドクター
ブレード法により作製するか、またはプレス成形、押し
出し成形等によっても作製することができる。
【００２３】次に、得られたシート状成形体（グリーン
シート）に対して、メタライズペーストを塗布する。メ
タライズペーストは、Ｗ、ＭｏおよびＴａから選ばれる
少なくとも１種の高融点金属を主とし、場合によって
は、希土類元素、アクチノイド元素などの周期律表第３
ａ族元素や、Ｔｉ、Ｚｒなどの周期律表第４ａ族元素を
含有するものであり、さらに、絶縁基体を形成する成分
である窒化アルミニウムや、焼結助剤成分を添加含有さ
せることもできる。
シート）に対して、メタライズペーストを塗布する。メ
タライズペーストは、Ｗ、ＭｏおよびＴａから選ばれる
少なくとも１種の高融点金属を主とし、場合によって
は、希土類元素、アクチノイド元素などの周期律表第３
ａ族元素や、Ｔｉ、Ｚｒなどの周期律表第４ａ族元素を
含有するものであり、さらに、絶縁基体を形成する成分
である窒化アルミニウムや、焼結助剤成分を添加含有さ
せることもできる。
【００２４】このメタライズペーストは、スクリーン印
刷法等により、グリーンシートの表面に印刷され、ある
いはグリーンシートに形成されたスルーホールに充填さ
れた後に、グリーンシートとともに同時焼成される。同
時焼成は、１６００〜２０００℃の窒素雰囲気中、特に
窒素水素混合雰囲気中で焼成される。
刷法等により、グリーンシートの表面に印刷され、ある
いはグリーンシートに形成されたスルーホールに充填さ
れた後に、グリーンシートとともに同時焼成される。同
時焼成は、１６００〜２０００℃の窒素雰囲気中、特に
窒素水素混合雰囲気中で焼成される。
【００２５】本発明によれば、上記のようにして形成さ
れるメタライズ層の厚みは一般には１５〜２５μｍ程度
であるが、本発明のようにピンホールの形成を抑制した
効果によって、厚みが５〜１５μｍの薄いメタライズ層
であっても配線層として高信頼性のメタイズ層を形成す
ることができる。
れるメタライズ層の厚みは一般には１５〜２５μｍ程度
であるが、本発明のようにピンホールの形成を抑制した
効果によって、厚みが５〜１５μｍの薄いメタライズ層
であっても配線層として高信頼性のメタイズ層を形成す
ることができる。
【００２６】このようにして、得られた基板には、さら
に、リードピン等の金具をロウ付けすることを目的とし
て、電解メッキ、または無電解メッキ法によりＮｉ、Ａ
ｕなどのメッキ層を３〜８μｍの厚みで被覆形成するこ
とができる。
に、リードピン等の金具をロウ付けすることを目的とし
て、電解メッキ、または無電解メッキ法によりＮｉ、Ａ
ｕなどのメッキ層を３〜８μｍの厚みで被覆形成するこ
とができる。
【００２７】以下、本発明を次の例で説明する。
【００２８】
【実施例】窒化アルミニウム原料粉末として、アルミナ
還元窒化法により得られた表１に示す５種類の原料を用
意した。
還元窒化法により得られた表１に示す５種類の原料を用
意した。
【００２９】
【表１】
【００３０】上記表１の原料に対して、Ｅｒ2 Ｏ3 ある
いはＹ2 Ｏ3 を表２に示す割合で添加混合したものに、
さらにバインダーとしてアクリル系バインダーを添加し
て窒化ケイ素ボ−ルを用いたボールミルで４０時間混合
してスラリーを調製した。このスラリーを用いてドクタ
ーブレード法により厚み０．５ｍｍのグリーンシートを
作製した。その後、このグリーンシートの表面に、固形
成分として、Ｗ９４．５重量％、ＡｌＮ５重量％、Ｅｒ
2 Ｏ3 ０．５重量％含有し、これをジブチルフタレート
からなる溶媒中に分散したメタライズペーストを回路パ
ターンの代わりに、ピンホールを検出するために１０ｍ
ｍ角に印刷した。
いはＹ2 Ｏ3 を表２に示す割合で添加混合したものに、
さらにバインダーとしてアクリル系バインダーを添加し
て窒化ケイ素ボ−ルを用いたボールミルで４０時間混合
してスラリーを調製した。このスラリーを用いてドクタ
ーブレード法により厚み０．５ｍｍのグリーンシートを
作製した。その後、このグリーンシートの表面に、固形
成分として、Ｗ９４．５重量％、ＡｌＮ５重量％、Ｅｒ
2 Ｏ3 ０．５重量％含有し、これをジブチルフタレート
からなる溶媒中に分散したメタライズペーストを回路パ
ターンの代わりに、ピンホールを検出するために１０ｍ
ｍ角に印刷した。
【００３１】そして、これを１０００℃で脱バインダー
処理し、Ｎ2 ／Ｈ2 ＝８２：１８の窒素水素混合雰囲気
中で１０時間同時焼成し、メタライズ層の厚みが１０μ
ｍの窒化アルミニウム質基板を作製した。
処理し、Ｎ2 ／Ｈ2 ＝８２：１８の窒素水素混合雰囲気
中で１０時間同時焼成し、メタライズ層の厚みが１０μ
ｍの窒化アルミニウム質基板を作製した。
【００３２】得られた基板の窒化アルミニウム質焼結体
に対して、ＩＣＰ発光分光分析によって、焼結体中のイ
オウおよびカルシウム量を定量し表２に示した。また、
窒化アルミニウム質焼結体のレーザーフラッシュ法によ
り測定した熱伝導率も合わせて表２に示した。
に対して、ＩＣＰ発光分光分析によって、焼結体中のイ
オウおよびカルシウム量を定量し表２に示した。また、
窒化アルミニウム質焼結体のレーザーフラッシュ法によ
り測定した熱伝導率も合わせて表２に示した。
【００３３】また、得られた基板のメタライズ層に対し
て、双眼顕微鏡によって、１０ｍｍ角のメタライズ層中
のピンホールの数をカウントしてその数を表２に示し
た。
て、双眼顕微鏡によって、１０ｍｍ角のメタライズ層中
のピンホールの数をカウントしてその数を表２に示し
た。
【００３４】さらに、メタライズ層の基板への密着性を
調査するために、メタライズ層に対して、無電解メッキ
法によってＮｉメッキを４μｍ形成した後、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金からなるピンをＢＡｇ−８によってロウ付け
した後、リードピンを垂直に引っ張ることによりメタラ
イズ層の接合強度を測定した。その結果を表２に示す。
調査するために、メタライズ層に対して、無電解メッキ
法によってＮｉメッキを４μｍ形成した後、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金からなるピンをＢＡｇ−８によってロウ付け
した後、リードピンを垂直に引っ張ることによりメタラ
イズ層の接合強度を測定した。その結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】表２の結果から明らかなように、焼結体中
のイオウおよびカルシウムの含有量が合計で２５０ｐｐ
ｍを越える試料Ｎo.６，７，９はいずれも、焼結体の表
面に黒点状の析出物が認められ、メタライズ層にピンホ
ールが数多く認められた。この析出物をＥＰＭＡ（マイ
クロアナライザー）で分析した結果、イオウとカルシウ
ムが検出された。
のイオウおよびカルシウムの含有量が合計で２５０ｐｐ
ｍを越える試料Ｎo.６，７，９はいずれも、焼結体の表
面に黒点状の析出物が認められ、メタライズ層にピンホ
ールが数多く認められた。この析出物をＥＰＭＡ（マイ
クロアナライザー）で分析した結果、イオウとカルシウ
ムが検出された。
【００３７】これに対して、イオウとカルシウムの合計
量が２５０ｐｐｍ以下の本発明品はいずれもピンホール
の数が格段に減少し、特にＳとＣａの合計が２００ｐｐ
ｍ以下で２０個以下、１５０ｐｐｍ以下でほとんど皆無
となった。また、メタライズ層の接合強度も高く、熱伝
導度も高いものであった。
量が２５０ｐｐｍ以下の本発明品はいずれもピンホール
の数が格段に減少し、特にＳとＣａの合計が２００ｐｐ
ｍ以下で２０個以下、１５０ｐｐｍ以下でほとんど皆無
となった。また、メタライズ層の接合強度も高く、熱伝
導度も高いものであった。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の窒化アルミ
ニウム質基板によれば、黒点状の析出物によるメタライ
ズ層およびメッキ層へのピンホールの形成を抑制するこ
とができるためにメタライズ層からなる配線層の信頼性
を高めるとともに、メタライズ層の薄層化および高密度
化を可能とすることができる。
ニウム質基板によれば、黒点状の析出物によるメタライ
ズ層およびメッキ層へのピンホールの形成を抑制するこ
とができるためにメタライズ層からなる配線層の信頼性
を高めるとともに、メタライズ層の薄層化および高密度
化を可能とすることができる。
【図１】本発明の窒化アルミニウム質基板の構造を示す
図である。
図である。
１ 窒化アルミニウム質基板
２ 窒化アルミニウム質焼結体
３ メタライズ層
Claims (2)
- 【請求項１】窒化アルミニウムを主成分とする窒化アル
ミニウム質焼結体からなる絶縁基体の少なくとも表面に
メタライズ層を配設してなる窒化アルミニウム質基板に
おいて、前記窒化アルミニウム質焼結体中におけるイオ
ウおよびカルシウムの含有量が合量で２５０ｐｐｍ以下
であることを特徴とする窒化アルミニウム質基板。 - 【請求項２】前記窒化アルミニウム質焼結体中における
イオウ含有量が６０ｐｐｍ以下、カルシウム含有量が１
８０ｐｐｍ以下である請求項１記載の窒化アルミニウム
質基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28383195A JP3389384B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 窒化アルミニウム質基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28383195A JP3389384B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 窒化アルミニウム質基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09124383A JPH09124383A (ja) | 1997-05-13 |
| JP3389384B2 true JP3389384B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=17670730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28383195A Expired - Lifetime JP3389384B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 窒化アルミニウム質基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3389384B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001062686A1 (fr) * | 2000-02-24 | 2001-08-30 | Ibiden Co., Ltd. | Piece frittee en nitrure d'aluminium, substrat en ceramique, corps chauffant en ceramique et mandrin electrostatique |
| WO2001066488A1 (fr) | 2000-03-07 | 2001-09-13 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat ceramique pour fabrication/inspection de semi-conducteur |
| JP4649026B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | メタライズＡｌＮ基板 |
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| JP4831953B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-12-07 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28383195A patent/JP3389384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09124383A (ja) | 1997-05-13 |
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