JP3389278B2 - 昇温脱離ガス分析装置 - Google Patents
昇温脱離ガス分析装置Info
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- JP3389278B2 JP3389278B2 JP05732493A JP5732493A JP3389278B2 JP 3389278 B2 JP3389278 B2 JP 3389278B2 JP 05732493 A JP05732493 A JP 05732493A JP 5732493 A JP5732493 A JP 5732493A JP 3389278 B2 JP3389278 B2 JP 3389278B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路用半導体チッ
プその他小形かつ精密な部品の試験に利用する。本発明
は、被試験物となる試料を高真空中に配置し、その試料
を加熱するときに、この試料から放出されるきわめて微
量の脱離ガスを捕捉してその質量分析をすることによ
り、その試料の製造工程の経歴を評価して、その製造工
程を改良するために利用する。
プその他小形かつ精密な部品の試験に利用する。本発明
は、被試験物となる試料を高真空中に配置し、その試料
を加熱するときに、この試料から放出されるきわめて微
量の脱離ガスを捕捉してその質量分析をすることによ
り、その試料の製造工程の経歴を評価して、その製造工
程を改良するために利用する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造工程では、薬品によ
る処理、洗浄、蒸着などが繰り返し実行される多数の工
程を経ることになるが、製造歩留りを向上するためには
その製造工程のどの部分をどのように改良すればよいか
を発見しなければならない。このために、半導体チップ
の半製品あるいは製品の脱離ガスを検出する技術が知ら
れている。これは、製造工程の途中あるいは終点で摘出
された半製品あるいは製品を試料として、これを極めて
高い真空中に置きこの試料を加熱する。そうすると、そ
の試料に残留している薬品などの微量成分がガス状で放
出される。このガスをその真空雰囲気中で捕捉し、その
質量分析をするとその組成を特定することができるか
ら、製造工程中のどの部分の処理がどのように影響して
いるかを評価することができる。
る処理、洗浄、蒸着などが繰り返し実行される多数の工
程を経ることになるが、製造歩留りを向上するためには
その製造工程のどの部分をどのように改良すればよいか
を発見しなければならない。このために、半導体チップ
の半製品あるいは製品の脱離ガスを検出する技術が知ら
れている。これは、製造工程の途中あるいは終点で摘出
された半製品あるいは製品を試料として、これを極めて
高い真空中に置きこの試料を加熱する。そうすると、そ
の試料に残留している薬品などの微量成分がガス状で放
出される。このガスをその真空雰囲気中で捕捉し、その
質量分析をするとその組成を特定することができるか
ら、製造工程中のどの部分の処理がどのように影響して
いるかを評価することができる。
【０００３】本願出願人のひとりは、このための装置を
飛躍的に改良する発明について先に特許出願した（特開
平４−４８２５４号公報参照）。この改良は、きわめて
高い真空を作るために金属円筒を外殻とする真空チャン
バを鉛直に用い、その中心付近に試料ステージを配置
し、その試料ステージを下方から赤外線により照射する
構造である。そして、試験期間を通じて高い真空度を維
持するために高性能の真空ポンプを用い、これを試験期
間を通じて連続的に運転するとともに、真空チャンバ内
の雰囲気を真空ポンプに導入する排気通路に脱離ガスを
検出するための質量分析計を配置したものである。
飛躍的に改良する発明について先に特許出願した（特開
平４−４８２５４号公報参照）。この改良は、きわめて
高い真空を作るために金属円筒を外殻とする真空チャン
バを鉛直に用い、その中心付近に試料ステージを配置
し、その試料ステージを下方から赤外線により照射する
構造である。そして、試験期間を通じて高い真空度を維
持するために高性能の真空ポンプを用い、これを試験期
間を通じて連続的に運転するとともに、真空チャンバ内
の雰囲気を真空ポンプに導入する排気通路に脱離ガスを
検出するための質量分析計を配置したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この装置は、これまで
測定不能であった低レベルのガスを計測することができ
る装置として内外からきわめて高い評価を得た。ところ
が、この装置を利用して試験をおこなっていたところ、
水素ガス（Ｈ2 ）や水（Ｈ2 Ｏ）などの分子については
大きい問題がないものの、ＳｉＯのような化合物につい
ては、その分子が真空チャンバの壁面に衝突すると、ガ
ス状ではなくなり、その壁面に付着してしまうことに気
付いた。すなわち、このような分子は加熱された試料か
らひとたびガス状で放出されても、真空ポンプの排気通
路に入る前にその大部分が雰囲気中から消滅してしま
う。このことは測定の結果にそのような分子については
検出感度が低下し、さらに、検出できる脱離ガスの種類
を限定しかねないことにもなる。
測定不能であった低レベルのガスを計測することができ
る装置として内外からきわめて高い評価を得た。ところ
が、この装置を利用して試験をおこなっていたところ、
水素ガス（Ｈ2 ）や水（Ｈ2 Ｏ）などの分子については
大きい問題がないものの、ＳｉＯのような化合物につい
ては、その分子が真空チャンバの壁面に衝突すると、ガ
ス状ではなくなり、その壁面に付着してしまうことに気
付いた。すなわち、このような分子は加熱された試料か
らひとたびガス状で放出されても、真空ポンプの排気通
路に入る前にその大部分が雰囲気中から消滅してしま
う。このことは測定の結果にそのような分子については
検出感度が低下し、さらに、検出できる脱離ガスの種類
を限定しかねないことにもなる。
【０００５】本発明はこの点を改良するもので、検出感
度を向上するとともに、脱離ガスの種類によって検出感
度が低下することを防止し、さらに検出できる脱離ガス
の種類を多様にすることができる昇温脱離ガス分析装置
を提供することを目的とする。
度を向上するとともに、脱離ガスの種類によって検出感
度が低下することを防止し、さらに検出できる脱離ガス
の種類を多様にすることができる昇温脱離ガス分析装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空チャンバ
と、この真空チャンバを真空に維持する真空ポンプと、
この真空チャンバ内に配置された試料ステージと、この
試料ステージ上に置かれた試料をこの試料ステージの下
から赤外線を照射することにより加熱する加熱器と、前
記真空チャンバ内に配置されその試料からの加熱による
脱離ガスを検出する質量分析計とを備えた昇温脱離ガス
分析装置において、前記質量分析計は、その取入口が前
記試料から放射される脱離ガスを直接受けうる位置でか
つ前記赤外線の放射路外になるように配置されたことを
特徴とする。
と、この真空チャンバを真空に維持する真空ポンプと、
この真空チャンバ内に配置された試料ステージと、この
試料ステージ上に置かれた試料をこの試料ステージの下
から赤外線を照射することにより加熱する加熱器と、前
記真空チャンバ内に配置されその試料からの加熱による
脱離ガスを検出する質量分析計とを備えた昇温脱離ガス
分析装置において、前記質量分析計は、その取入口が前
記試料から放射される脱離ガスを直接受けうる位置でか
つ前記赤外線の放射路外になるように配置されたことを
特徴とする。
【０００７】前記真空チャンバの外殻には、中心軸が鉛
直に配置された一つの金属円筒と、この金属円筒の上端
に被せられた蓋とを含み、前記試料ステージの試料載置
面が前記中心軸上にその中心軸に垂直な平面になるよう
に形成され、かつ、前記質量分析計を取付ける複数のポ
ートがあらかじめ形成され、前記蓋には、ほぼその中心
にその試料ステージを透過する赤外線をこの真空チャン
バ外部に放散させるための赤外線透過窓が形成される。
前記取入口の位置は、前記試料の中心を通る鉛直線に対
して角度が５〜８０度が望ましく、特に１０〜６０度が
望ましく、前記試料からの距離は１０〜１５０ｍｍが望
ましく、特に５０〜１５０ｍｍであることが望ましい。
前記質量分析計は前記金属円筒の壁面に配置されたポー
ト、前記蓋に前記赤外線透過窓に並んで配置されたポー
ト、またはその他の位置に配置されたポートに取付ける
ことができる。
直に配置された一つの金属円筒と、この金属円筒の上端
に被せられた蓋とを含み、前記試料ステージの試料載置
面が前記中心軸上にその中心軸に垂直な平面になるよう
に形成され、かつ、前記質量分析計を取付ける複数のポ
ートがあらかじめ形成され、前記蓋には、ほぼその中心
にその試料ステージを透過する赤外線をこの真空チャン
バ外部に放散させるための赤外線透過窓が形成される。
前記取入口の位置は、前記試料の中心を通る鉛直線に対
して角度が５〜８０度が望ましく、特に１０〜６０度が
望ましく、前記試料からの距離は１０〜１５０ｍｍが望
ましく、特に５０〜１５０ｍｍであることが望ましい。
前記質量分析計は前記金属円筒の壁面に配置されたポー
ト、前記蓋に前記赤外線透過窓に並んで配置されたポー
ト、またはその他の位置に配置されたポートに取付ける
ことができる。
【０００８】
【作用】一般に、検出装置をガスを放射する試料に接近
させれば、その感度が向上することは考えられることで
あるが、昇温による脱離ガスを精度よく分析する装置で
は、その真空チャンバは大き過ぎても小さ過ぎてもまず
く、さまざまな実験から５リットル程度が適当と考えら
れている。すなわち、真空チャンバが大きいと脱離ガス
はチャンバ内に広く拡散してしまうし、小さ過ぎるとチ
ャンバの壁面が加熱されて壁面からのガスが放出され背
景雑音が増大する。
させれば、その感度が向上することは考えられることで
あるが、昇温による脱離ガスを精度よく分析する装置で
は、その真空チャンバは大き過ぎても小さ過ぎてもまず
く、さまざまな実験から５リットル程度が適当と考えら
れている。すなわち、真空チャンバが大きいと脱離ガス
はチャンバ内に広く拡散してしまうし、小さ過ぎるとチ
ャンバの壁面が加熱されて壁面からのガスが放出され背
景雑音が増大する。
【０００９】一方、質量分析計は、取入口を通過した分
子をイオン化し、加速し、その分子を電界およびまたは
磁界を通過させることにより、その質量数を測定するも
のであるから、どうしても一定の大きさが必要である。
このために従来は真空チャンバの排気通路に質量分析計
を配置する構造となっていた。
子をイオン化し、加速し、その分子を電界およびまたは
磁界を通過させることにより、その質量数を測定するも
のであるから、どうしても一定の大きさが必要である。
このために従来は真空チャンバの排気通路に質量分析計
を配置する構造となっていた。
【００１０】質量分析計を試料と同一の真空チャンバ内
に配置するにはいろいろと工夫を要する。本発明では、
質量分析計を筒状に形成し、これを真空チャンバの蓋あ
るいは円筒壁に設けたポートから突っ込み、質量分析計
の一部はそのポートから外にはみ出すような形状にし
た。質量分析計の本体は真空中にあり、ポートからはみ
出した部分は堅固な金属筒で覆い、その金属筒の端部か
ら測定信号を取り出す構造をとった。
に配置するにはいろいろと工夫を要する。本発明では、
質量分析計を筒状に形成し、これを真空チャンバの蓋あ
るいは円筒壁に設けたポートから突っ込み、質量分析計
の一部はそのポートから外にはみ出すような形状にし
た。質量分析計の本体は真空中にあり、ポートからはみ
出した部分は堅固な金属筒で覆い、その金属筒の端部か
ら測定信号を取り出す構造をとった。
【００１１】また、試験を繰り返し行ったところ、質量
分析計の取入口が試料を加熱する赤外線により照射され
ると、質量分析計それ自体の背景雑音が大きくなって相
対感度が低下してしまうことが観察された。さらに詳し
く観察すると、試料から脱離ガスが放出される放出角度
は、その試料ステージを透過する赤外線の放射角度より
大きく拡がっていることが分かったので、質量分析計の
取入口を赤外線の放射角度の外で、しかも脱離ガス放出
角度の範囲内に設定することができた。
分析計の取入口が試料を加熱する赤外線により照射され
ると、質量分析計それ自体の背景雑音が大きくなって相
対感度が低下してしまうことが観察された。さらに詳し
く観察すると、試料から脱離ガスが放出される放出角度
は、その試料ステージを透過する赤外線の放射角度より
大きく拡がっていることが分かったので、質量分析計の
取入口を赤外線の放射角度の外で、しかも脱離ガス放出
角度の範囲内に設定することができた。
【００１２】
【実施例】次に、本発明実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明実施例装置の構成を示す正面図、図２
は本発明実施例装置の構成を示す斜視図。図３は本発明
実施例装置における真空チャンバ内の試料ステージと質
量分析計の取入口との位置関係を示す図である。
る。図１は本発明実施例装置の構成を示す正面図、図２
は本発明実施例装置の構成を示す斜視図。図３は本発明
実施例装置における真空チャンバ内の試料ステージと質
量分析計の取入口との位置関係を示す図である。
【００１３】本発明実施例は、真空チャンバ１と、この
真空チャンバ１を真空に維持する真空ポンプ１ａと、真
空チャンバ１内に配置された試料ステージ２と、この試
料ステージ２の上に置かれた試料３をこの試料ステージ
２の下から赤外線を照射することにより加熱する加熱器
４と、真空チャンバ１内に配置されその真空チャンバ１
内のガス分子を検出する質量分析計５とを備え、質量分
析計５は、図３に示すようにその取入口が試料３から放
射される脱離ガスを直接受けうる位置でかつ赤外線放射
路６の外になるように配置される。
真空チャンバ１を真空に維持する真空ポンプ１ａと、真
空チャンバ１内に配置された試料ステージ２と、この試
料ステージ２の上に置かれた試料３をこの試料ステージ
２の下から赤外線を照射することにより加熱する加熱器
４と、真空チャンバ１内に配置されその真空チャンバ１
内のガス分子を検出する質量分析計５とを備え、質量分
析計５は、図３に示すようにその取入口が試料３から放
射される脱離ガスを直接受けうる位置でかつ赤外線放射
路６の外になるように配置される。
【００１４】真空チャンバ１の外殻には、中心軸が鉛直
に配置された一つの金属円筒１１と、この金属円筒１１
の上端に被せられた蓋１２とを含み、試料ステージ２の
試料載置面が前記中心軸上にその中心軸に垂直な平面に
なるように形成され、蓋１２には、ほぼその中心にその
試料ステージ２を透過する赤外線をこの真空チャンバ１
の外部に放散させる赤外線透過窓１２ａが形成され、質
量分析計５が蓋１２に赤外線透過窓１２ａに並んで配置
されたポート１２ｂに取付けられる。
に配置された一つの金属円筒１１と、この金属円筒１１
の上端に被せられた蓋１２とを含み、試料ステージ２の
試料載置面が前記中心軸上にその中心軸に垂直な平面に
なるように形成され、蓋１２には、ほぼその中心にその
試料ステージ２を透過する赤外線をこの真空チャンバ１
の外部に放散させる赤外線透過窓１２ａが形成され、質
量分析計５が蓋１２に赤外線透過窓１２ａに並んで配置
されたポート１２ｂに取付けられる。
【００１５】さらに、金属円筒１１には、質量分析計５
を試料３に対し他の方向から取付けるためのポート１２
ｃが取付けられる。この質量分析計５を取付けるポート
は必要に応じて複数設けることができる。また、質量分
析計５の取入口５ａの位置は試料３の中心を通る鉛直線
に対して図３に示す角度θが１０〜６０度の範囲、さら
に望ましくは１２〜２０度の範囲に設定され、試料３か
らの距離Ｌが５０〜１５０ｍｍの範囲に設定される。
を試料３に対し他の方向から取付けるためのポート１２
ｃが取付けられる。この質量分析計５を取付けるポート
は必要に応じて複数設けることができる。また、質量分
析計５の取入口５ａの位置は試料３の中心を通る鉛直線
に対して図３に示す角度θが１０〜６０度の範囲、さら
に望ましくは１２〜２０度の範囲に設定され、試料３か
らの距離Ｌが５０〜１５０ｍｍの範囲に設定される。
【００１６】なお、図１および図２の中で、１５はロー
ドロックチャンバ、１６は試料移載用マニュプレータ、
１７は試料出入ポート、１８は質量分析計出力画面、２
０は測温装置である。
ドロックチャンバ、１６は試料移載用マニュプレータ、
１７は試料出入ポート、１８は質量分析計出力画面、２
０は測温装置である。
【００１７】試料分析の操作は、真空状態に保った真空
チャンバ１内の試料ステージ２の上に、ゲート弁を持つ
ロードロックチャンバ１５から試料３を搬送載置し、十
分高い真空度が得られてから、加熱器４から赤外線を照
射し試料ステージ２上の試料３を加熱する。加熱された
試料３からは脱離ガスが放出される。このガス分子を直
接質量分析計５の取入口５ａに導入して、この分子をイ
オン化し、加速して電界および磁界、あるいはそのいず
れかを通過させることによりその質量数を測定する。こ
の質量分析計の動作については公知であるのでここでは
詳しい説明を省略する。
チャンバ１内の試料ステージ２の上に、ゲート弁を持つ
ロードロックチャンバ１５から試料３を搬送載置し、十
分高い真空度が得られてから、加熱器４から赤外線を照
射し試料ステージ２上の試料３を加熱する。加熱された
試料３からは脱離ガスが放出される。このガス分子を直
接質量分析計５の取入口５ａに導入して、この分子をイ
オン化し、加速して電界および磁界、あるいはそのいず
れかを通過させることによりその質量数を測定する。こ
の質量分析計の動作については公知であるのでここでは
詳しい説明を省略する。
【００１８】このような質量分析計５による検出は、原
則的には質量分析計をガスを放射している試料３に接近
させるほどその感度は向上する。
則的には質量分析計をガスを放射している試料３に接近
させるほどその感度は向上する。
【００１９】本発明は、質量分析計５を筒状に形成して
小型化し、真空チャンバ１の蓋１２および金属円筒１１
の壁面に設けられたポート１２ｂまたはポート１２ｃの
いずれかに挿入できるように構成されているので、図３
に示すように質量分析計５の取入口５ａの設置角度を試
料３の中心を通る鉛直線に対しθ＝１０〜６０度の範囲
内で選択し設定することができ、また、ポート１２ｂお
よび１２ｃに接続するパイプの長さを変えることによ
り、試料３から取入口５ａまでの距離Ｌを５０〜１５０
ｍｍの範囲内で選択し設定することができる。
小型化し、真空チャンバ１の蓋１２および金属円筒１１
の壁面に設けられたポート１２ｂまたはポート１２ｃの
いずれかに挿入できるように構成されているので、図３
に示すように質量分析計５の取入口５ａの設置角度を試
料３の中心を通る鉛直線に対しθ＝１０〜６０度の範囲
内で選択し設定することができ、また、ポート１２ｂお
よび１２ｃに接続するパイプの長さを変えることによ
り、試料３から取入口５ａまでの距離Ｌを５０〜１５０
ｍｍの範囲内で選択し設定することができる。
【００２０】これにより、質量分析計５の取入口５ａを
赤外線放射路６外にありながら角度θの値ができるだけ
小さく、かつ、最も試料３に接近させた位置に設定す
る。取入口５ａが赤外線に照射されないので、赤外線に
よる背景雑音の影響を少なくすことができる。
赤外線放射路６外にありながら角度θの値ができるだけ
小さく、かつ、最も試料３に接近させた位置に設定す
る。取入口５ａが赤外線に照射されないので、赤外線に
よる背景雑音の影響を少なくすことができる。
【００２１】図４は本発明実施例装置を用いたＳｉＯ
（一酸化珪素）の検出結果を示す図である。
（一酸化珪素）の検出結果を示す図である。
【００２２】この検出例では、図３に示す試料３の中心
を通る鉛直線に対する質量分析計５の取入口５ａの角度
θを１９度および５７度に設定した場合のＳｉＯの検出
強度を求めたもので、θ＝１９度の場合には、試料と質
量分析計の取入口５ａとの距離Ｌを１６５ｍｍから１０
０ｍｍにすることにより、検出強度Ｓは４から３６程度
まで上昇し、θ＝５７度の場合には距離Ｌを１１５ｍｍ
から５０ｍｍにすることにより、検出強度Ｓは１４から
５０程度まで上昇していることがわかる。これによりい
ずれの角度でも取入口を試料に接近させたことにより検
出強度が高められたことが実証される。
を通る鉛直線に対する質量分析計５の取入口５ａの角度
θを１９度および５７度に設定した場合のＳｉＯの検出
強度を求めたもので、θ＝１９度の場合には、試料と質
量分析計の取入口５ａとの距離Ｌを１６５ｍｍから１０
０ｍｍにすることにより、検出強度Ｓは４から３６程度
まで上昇し、θ＝５７度の場合には距離Ｌを１１５ｍｍ
から５０ｍｍにすることにより、検出強度Ｓは１４から
５０程度まで上昇していることがわかる。これによりい
ずれの角度でも取入口を試料に接近させたことにより検
出強度が高められたことが実証される。
【００２３】質量分析計５の取入口５ａをさらに試料３
に接近させると、あるいは直上のポートから垂直に挿入
すると、赤外線放射路６の中に取入口５ａが入り測定が
困難になる。
に接近させると、あるいは直上のポートから垂直に挿入
すると、赤外線放射路６の中に取入口５ａが入り測定が
困難になる。
【００２４】図５は本発明実施例装置を用いたＨ2 （水
素）の検出結果を示す図である。
素）の検出結果を示す図である。
【００２５】この検出例は、図３に示す角度θを１９度
および５７度に設定し、室温より１０００°Ｃまで加熱
した場合の試料３に対する３３０°Ｃおよび５００°Ｃ
付近のＨ2 ピークの検出強度を求めたものである。θ＝
１９度で３３０°Ｃ付近のピークの場合には、距離Ｌを
１６５ｍｍから１００ｍｍにすることにより、検出強度
Ｓはわずかであるが１２０から２００程度まで上昇し、
５００°Ｃ付近のピークの場合には、距離Ｌを１６５ｍ
ｍから１００ｍｍにすることにより、その検出強度Ｓは
２９０から６３０程度まで上昇している。
および５７度に設定し、室温より１０００°Ｃまで加熱
した場合の試料３に対する３３０°Ｃおよび５００°Ｃ
付近のＨ2 ピークの検出強度を求めたものである。θ＝
１９度で３３０°Ｃ付近のピークの場合には、距離Ｌを
１６５ｍｍから１００ｍｍにすることにより、検出強度
Ｓはわずかであるが１２０から２００程度まで上昇し、
５００°Ｃ付近のピークの場合には、距離Ｌを１６５ｍ
ｍから１００ｍｍにすることにより、その検出強度Ｓは
２９０から６３０程度まで上昇している。
【００２６】また、θ＝５７度で３３０°付近のピーク
の場合には、距離Ｌを１１５ｍｍから５０ｍｍにすると
その検出強度Ｓはほぼ２倍になり、５００℃付近のピー
クの場合には距離Ｌを同様に１１５ｍｍから５０ｍｍに
することによりその検出強度Ｓはほぼ倍に上昇してい
る。
の場合には、距離Ｌを１１５ｍｍから５０ｍｍにすると
その検出強度Ｓはほぼ２倍になり、５００℃付近のピー
クの場合には距離Ｌを同様に１１５ｍｍから５０ｍｍに
することによりその検出強度Ｓはほぼ倍に上昇してい
る。
【００２７】前述した二つの例からわかるように、被測
定試料によって取入口５ａの角度θおよび距離Ｌを選択
し質量分析計５を取付けることにより、ＳｉＯのような
化合物の場合は著しく検出感度を高めることができる。
またＨ2 のような無機ガスの場合もわずかに検出感度を
高めることができる。
定試料によって取入口５ａの角度θおよび距離Ｌを選択
し質量分析計５を取付けることにより、ＳｉＯのような
化合物の場合は著しく検出感度を高めることができる。
またＨ2 のような無機ガスの場合もわずかに検出感度を
高めることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、質
量分析計の取入口が試料から放射される脱離ガスを直接
受け、かつ赤外線の放射角度の外になるように配置され
ているので質量分析の感度をさらに向上させることがで
きる。また、真空チャンバの外殻に複数のポートを設け
ることができるために、チャンバの形状、寸法、他のポ
ートとの関連などを考慮したうえで、上記複数のポート
のうちの最適なポートに質量分析計を取付けることによ
り、多種類のガス分析を行うことができ、ガスの種類に
よる検出感度の低下を防止できる効果がある。
量分析計の取入口が試料から放射される脱離ガスを直接
受け、かつ赤外線の放射角度の外になるように配置され
ているので質量分析の感度をさらに向上させることがで
きる。また、真空チャンバの外殻に複数のポートを設け
ることができるために、チャンバの形状、寸法、他のポ
ートとの関連などを考慮したうえで、上記複数のポート
のうちの最適なポートに質量分析計を取付けることによ
り、多種類のガス分析を行うことができ、ガスの種類に
よる検出感度の低下を防止できる効果がある。
【図１】本発明実施例装置の構成を示す正面図。
【図２】本発明実施例装置の構成を示す斜視図。
【図３】本発明実施例装置における真空チャンバ内の試
料ステージと質量分析計の取入口との位置関係を示す
図。
料ステージと質量分析計の取入口との位置関係を示す
図。
【図４】本発明実施例装置を用いたＳｉＯの検出結果を
示す図。
示す図。
【図５】本発明実施例装置を用いたＨ2 の検出結果を示
す図。
す図。
１ 真空チャンバ
１ａ 真空ポンプ
２ 試料ステージ
３ 試料
４ 加熱器
５ 質量分析計
５ａ 取込口
６ 赤外線放射路
１１ 金属円筒
１２ 蓋
１２ａ 赤外線透過窓
１２ｂ、１２ｃ ポート
１５ ロードロックチャンバ
１６ マニュプレータ
１７ 試料出入ポート
１８ 質量分析計出力画面
２０ 測温装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−48254（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 27/62 - 27/70
H01J 40/00 - 49/48
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 真空チャンバと、この真空チャンバを真
空に維持する真空ポンプと、この真空チャンバ内に配置
された試料ステージと、この試料ステージ上に置かれた
試料をこの試料ステージの下から赤外線を照射すること
により加熱する加熱器と、前記真空チャンバ内に配置さ
れ前記試料から脱離するガスを検出する質量分析計とを
備えた昇温脱離ガス分析装置において、 前記質量分析計は、その取入口が前記試料ステージの載
置面より高い位置で前記試料から放射される脱離ガスを
直接受けうる位置であって、前記試料ステージを透過し
た赤外線の放射路外に設けられ、前記質量分析計の中心
軸が前記試料の中心を通る鉛直線に対して５から８０度
の角度をなすように配置されたことを特徴とする昇温脱
離ガス分析装置。 - 【請求項２】 前記真空チャンバの外殻には、中心軸が
鉛直に配置された一つの金属円筒と、この金属円筒の上
端に被せられた蓋とを含み、 前記試料ステージの試料載置面が前記金属円筒の中心軸
上にその中心軸に垂直な平面になるように形成され、前記蓋の中心部分には、前記 試料ステージを透過した赤
外線を前記真空チャンバ外部に放散させる赤外線透過窓
が形成され、 前記質量分析計が前記蓋に前記赤外線透過窓に並んで配
置されたポートに取り付けられた請求項１記載の昇温脱
離ガス分析装置。 - 【請求項３】 前記真空チャンバの外殻には、中心軸が
鉛直に配置された一つの金属円筒と、この金属円筒の上
端に被せられた蓋とを含み、 前記試料ステージの試料載置面が前記金属円筒の中心軸
上に垂直な平面になるように形成され、 前記金属円筒には、取付けられる質量分析計の中心軸が
前記金属円筒の中心軸と交差する点の高さが前記試料ス
テージの試料載置面の高さ以上となるようなポートが形
成された 請求項１記載の昇温脱離ガス分析装置。 - 【請求項４】 前記真空チャンバの外殻には、前記質量
分析計を取付ける複数のポートがあらかじめ形成された
請求項２または３記載の昇温脱離ガス分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05732493A JP3389278B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 昇温脱離ガス分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05732493A JP3389278B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 昇温脱離ガス分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273383A JPH06273383A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3389278B2 true JP3389278B2 (ja) | 2003-03-24 |
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ID=13052400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05732493A Expired - Fee Related JP3389278B2 (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 昇温脱離ガス分析装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3389278B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008002862A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Ntp:Kk | 光脱離分析装置 |
| CN114113285B (zh) * | 2021-12-08 | 2023-07-18 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种金属材料放气率测定机构及其测定方法 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP05732493A patent/JP3389278B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06273383A (ja) | 1994-09-30 |
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