JP2000346829A

JP2000346829A - 昇温脱離ガス分析装置

Info

Publication number: JP2000346829A
Application number: JP11162746A
Authority: JP
Inventors: Taizo Uchiyama; 泰三内山
Original assignee: DENSHI KAGAKU KK
Current assignee: DENSHI KAGAKU KK
Priority date: 1999-06-09
Filing date: 1999-06-09
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【効果】質量分析計の検出信号強度は原理的に質量に依
存するが、これを質量が異なる物質間で比較することが
できるように、補正係数を乗算して表示する。併せて質
量分析計の個体によるばらつきを補正して表示する。【解決手段】昇温脱離ガス分析装置の完成試験のときに
基準試料により補正情報を作成し、これをこの装置に接
続されるコンピュータ装置に設定しておく。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路用半導体
チップその他小型かつ精密な部品の試験に利用する。本
発明は、被試験物となる試料を高真空中に配置し、その
試料を加熱することにより放出されるきわめて微量の脱
離ガスを捕捉してその質量および量を分析することによ
り、その試料の製造工程を評価し、その製造工程を改良
するために利用する。本発明はとくに、脱離ガスの感度
が脱離ガスの質量に対して均一にならない現象を補正す
るための発明に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップの製造工程では薬品による
処理、洗浄、蒸着などの工程が組み合わされて実行され
るが、製造歩留りを向上するには、その製造工程のどの
部分をどのように改良すればよいかを発見しなければな
らない。このために、半導体チップの製品または半製品
の脱離ガスを検出する技術が知られている。これは、製
造工程の終点または途中で摘出された製品または半製品
を試料として、これをきわめて高い真空中に配置し、こ
の試料を加熱する。そうすると、その試料に残留してい
る薬品などの微量成分がガス状になって放出される。こ
のガスをその真空雰囲気の中で捕捉し、その質量分析を
行うとそのガスの組成を特定することができる。そのガ
スの種類から、たとえばどの工程の洗浄が不十分であっ
たかなど、製造工程を改善するために適正な評価をする
ものである。

【０００３】本願出願人は、このための装置を飛躍的に
改良した発明について特許権を保有する（特許第２６１
９７３１号）。また、試料に残留する物質を脱離ガスと
して真空中で捕捉するとき、その脱離ガスの質量を分析
して脱離ガスの種類を特定するだけでなく、その脱離ガ
スを定量する発明について特許出願した（特開平６−２
７５６９７号公報、以下この発明を先願発明という）。
この定量する技術は、離脱ガスの量に応じて質量分析計
に観測される検出信号強度が変化することを利用し、高
度の真空中に配置した試料を加熱の開始から観測をはじ
め、さらに加熱してもガスがほとんど放出されなくなる
まで観測し、その信号強度を時間軸上で積分し、その試
料から放出された当該ガスの全量に比例する値を検出す
るものである。そして、水素イオンをインプラントした
特定の試料を利用して、その信号強度を量的なリファレ
ンスとし、当該ガスの全量を推定するものである。

【０００４】この先願発明により、試料に付着する物質
の質量を知りその物質が何であるかを判別するととも
に、その付着する物質の量を知ることができるようにな
り、製造工程の評価精度がいちじるしく向上した。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】質量分析計の感度は質
量数に対して一様ではないから、これを利用する顧客は
質量分析計の検出電気信号の大きさから検出される分子
の量を単純に比例計算により推定することができない。
それには二つの理由がある。

【０００６】その第一は、質量分析計の感度（電気信号
の大きさ）は、原理的に検出する脱離ガスの質量に依存
することである。磁場型質量分析計では、真空雰囲気中
の開口に到来する脱離ガスの分子をイオン化し、電極間
を通過させて加速し、さらに磁界中を通過させると、そ
の分子の質量に応じて異なる経路をたどることから、そ
の経路を識別することによりその分子の質量を分析する
ものである。すなわちその飛翔した分子の着下点に発生
する電気信号の電極位置からその分子の質量を知ること
ができる。実際には分子の着下点となる目標電極の位置
を固定しておき、加速電極の電圧を変更することによ
り、特定の質量の分子だけがその目標電極に到達するよ
うに構成することにより、目標電極に電気信号が発生し
たときの加速電極の電圧からその分子の質量を特定する
ことができる。そしてその電気信号の大きさからその分
子の量を推定することができる。

【０００７】したがって同一の質量の分子、つまり同一
種類の脱離ガスについては、その電気信号の大きさは捕
捉した脱離ガスの量に比例する。しかし、質量の異なる
分子については、観測されたときの加速電極の印加電圧
が異なることから、目標電極に到達する時間当たりの分
子の数は質量に依存することになる。したがって、発生
する電気信号の大きさを種類の異なる脱離ガスの間で単
純に比較することができなくなる。また、質量数に対し
て感度が一様でないことは四重極質量分析計においても
同様である。これは昇温脱離ガス分析装置をその測定原
理にまで思い致すことなく、単純な工業用の測定器とし
て使用する利用者にとっては不便なことであるととも
に、測定操作や測定結果の評価を誤る原因となることが
ある。

【０００８】その第二は、質量分析計の感度が個体によ
り異なることである。質量分析計は量産する製品ではな
く、注文に応じて個別に製造するものであるから、設計
仕様は同一であっても、製造時期により購入部品の特性
にばらつきがあり、製造担当者も異なることになる。し
たがって、その特性の個体差をなくするように製造を管
理することは現実にきわめて困難である。このため昇温
脱離ガス分析装置を複数台購入した顧客から、同一の条
件下で採取した試料について、装置によりその測定結果
に相違が生じるとの苦情がでることになる。

【０００９】本願発明者は上記の二つの問題あるいは顧
客からの苦情に対応して、脱離ガスの質量に対して質量
分析装置の感度をみかけ上一様にし、しかも質量分析装
置の感度について個体のばらつきをみかけ上なくするに
は、製造完了後の試験の段階で安定な試料により計測を
行い、計測したデータを基に正当な補正係数を設定し、
その補正係数により観測結果を補正して表示することが
合理的であるとともに、この装置の利用目的にかなうと
の考えに達した。

【００１０】本発明はこのような背景に行われたもので
あって、本発明は、昇温脱離ガス分析装置の定量測定に
際して、観測する脱離ガスの分子質量に対して、みかけ
上均一な感度を示す装置を提供することを目的とする。
本発明は、装置の利用状態が単純化され誤って使用され
ることのない昇温脱離ガス分析装置を提供することを目
的とする。さらに本発明は、質量分析計の個体のばらつ
きを較正して表示する装置を提供することを目的とす
る。本発明は、昇温脱離ガス分析装置を用いて半導体製
造工程の評価を行うために、さらに便利な装置を提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、真空チャンバ
（１）と、この真空チャンバ内に配置された試料（３）
を加熱する加熱器（４）と、この試料から前記チャンバ
（１）内に脱離するガスを検出する質量分析計（５）
と、この質量分析計の出力電気信号を入力信号とする演
算回路（７）とを備え、この演算回路（７）は脱離ガス
の質量毎に前記電気信号の強度を記録する手段を含む昇
温脱離ガス分析装置において、前記演算回路（７）は、
前記質量分析計（５）について検出物質の質量に対応す
る検出感度の補正情報を記録したメモリ手段（１０）
と、前記電気信号の強度をこのメモリ手段（１０）から
読出した補正情報により補正する演算手段（７ａ）とを
含むことを特徴とする。上記括弧内の数字は実施例図面
に用いる符号の参照数字であり、構成を理解しやすくす
るために便宜的に付すものである（以下同じ）。

【００１２】すなわち本発明の装置は、真空ポンプ（１
ａ）によりきわめて高い真空状態に維持されている真空
チャンバ（１）を備え、その真空チャンバ（１）内に試
料（３）を配置し、この試料（３）を加熱器（４）によ
り加熱する。この試料（３）は例えば、半導体製造工程
の終点または途中点からピックアップされた半導体チッ
プまたはその半製品である。この試料（３）を真空雰囲
気中で加熱することにより、試料に付着残留している洗
浄薬品などの微量の物質が真空雰囲気の中に脱離ガスと
して浮遊する。これは、開口がこの真空雰囲気の中に設
けられた質量分析計（５）により捕捉され、その分子の
質量および強度が測定される。質量分析計（５）の原理
は上の「発明が解決しようとする課題」の欄で簡単に説
明したが、公知技術であるのでここでは詳しい説明を省
略する。質量分析計（５）により脱離ガスの分子の質量
対応に電気信号が得られ、これは質量分析計（５）の制
御回路（６）および入出力回路などを介して、演算回路
（７）に取込まれる。演算回路（７）は、実用的な一例
としては、いわゆるパーソナルコンピュータに必要なソ
フトウエアをインストールした装置である。この演算回
路（７）の演算結果は、表示装置（８）およびプリンタ
（９）に出力表示される。

【００１３】ここで本発明の特徴は、演算回路（７）に
接続されたあるいは内蔵されたメモリ手段（１０）に、
補正情報を記憶しておき、演算回路（７）はその補正情
報にしたがって、質量分析計（５）の測定結果を補正し
て出力するところにある。

【００１４】この演算回路（７）は、検出物質の質量毎
に試料の加熱開始から脱離ガスがきわめて小さくなるま
での電気信号の強度の積分値を演算する手段を含み（こ
れは上述のように先願発明の特許出願によりすでに開示
した技術である）、上記メモリ手段（１０）の補正情報
を利用してこの演算回路（７）により実行する補正は、
この積分値を補正するものとすることが望ましい構成で
ある。

【００１５】その補正情報は補正係数を含み、その補正
係数Ｋは脱離ガスの質量をＸとするとき、Ｋ＝１／（ａ＋ｂＸ＋ｃＸ²) 1) なる二次関数で表示され、この二次関数およびその係数
（ａ，ｂ，ｃ）を上記メモリ手段（１０）に記憶してお
くことができる。

【００１６】本発明のもう一つの観点は、この補正演算
を行うための補正情報を記録する方法である。すなわち
本発明は、質量が既知である物質をインプラントした試
料（較正用試料）を異なる複数の質量の物質につき複数
個用意し、その複数の試料についてそれぞれ前記物質が
脱離ガスとして検出される検出出力を昇温脱離ガス分析
装置により観測し、その観測結果から当該装置に固有の
質量に対する感度の補正情報を記録することを特徴とす
る。この方法により、それぞれの昇温脱離ガス分析装置
は、その工場出荷の際に、あるいは修理保守を行う際
に、較正用試料を用いて測定を行い、メモリ手段（１
０）にその較正用試料を用いた測定結果に基づく感度の
補正情報（補正係数を含む）を記録する。

【００１７】このとき、この感度の補正情報をその昇温
脱離ガス分析装置に接続されるコンピュータ装置（演算
回路７）により読取可能な記録媒体に記録することが望
ましい。

【００１８】さらに本発明のもうひとつの観点は、この
記録媒体である。すなわち本発明は、昇温脱離ガス分析
装置の質量に対する感度の補正情報がその昇温脱離ガス
分析装置に接続されたコンピュータ装置により読取可能
に記録された記録媒体である。この記録媒体は、コンピ
ュータ装置に内蔵されるハードディスクなどの記録媒体
でもよいし、コンピュータ装置に読取られるコンパクト
・ディスクあるいはフロッピ・ディスクなどでもよい。
前記補正情報は、補正係数そのもの、補正係数を演算す
る演算式、その補正係数を用いて測定結果を補正する処
理手順、その他を含むことができる。

【００１９】このような構成により、本発明の装置は、
ひとつの工業用測定装置として便利に使用することがで
きるとともに、質量分析計などの測定原理を理解してい
ない者でも誤りなく利用することができることになる。
また、異なる質量の脱離ガスについての量的な比較をし
やすくなるとともに、個体により生じる測定値の違いを
見かけ上なくすることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施例装置を図面を用い
て説明する。図１は本発明実施例昇温脱離ガス分析装置
の要部ブロック構成図である。図２は本発明実施例装置
全体の概観形状を示す正面図である。図３は本発明実施
例装置要部の概観形状を示す斜視図である。

【００２１】この昇温脱離ガス分析装置は、真空ポンプ
１ａによりきわめて高い真空状態に維持されている真空
チャンバ１を備え、その真空チャンバ１に設けた試料ス
テージ２に試料３を配置し、この試料３を加熱器４によ
り加熱する。この加熱器４は赤外線ランプを備え、試料
３の背面から輻射熱により照射して試料温度を約１００
０℃まで加熱することができる。この試料３は、半導体
製造工程の終点または途中点からピックアップされた半
導体チップまたはその半製品である。

【００２２】この試料３を真空雰囲気中で加熱すること
により、試料に付着残留している洗浄薬品などの微量の
物質が真空雰囲気の中に脱離ガスとして浮遊する。これ
は、開口がこの真空雰囲気の中に設けられた質量分析計
５により捕捉され、その分子の質量が測定される。質量
分析計５により脱離ガスの分子の質量対応に電気信号が
得られ、これは質量分析計５の制御回路６および入出力
回路などを介して、演算回路７に取込まれる。演算回路
７は、市販のパーソナルコンピュータに必要なソフトウ
エアをインストールした装置である。この演算回路７の
演算結果は、表示装置８およびプリンタ９に出力表示さ
れる。

【００２３】真空チャンバ１の外殻には、中心軸がほぼ
鉛直に配置された一つの金属円筒１１と、この金属円筒
１１の上端に被せられた蓋１２とを含み、この蓋１２に
はほぼその中心に試料３を照射した余分の赤外線をこの
真空チャンバ１の外に放散させるための赤外線透過窓１
２ａが設けられ、この赤外線透過窓１２ａに並んで質量
分析計５がこの蓋１２に取付けられる。ポート１２ｃは
外部からこの真空チャンバ１の中にアクセスするための
ものであるが、真空チャンバ１が真空状態に維持されて
いるときには、このポート１２ｃは閉塞されている。こ
のポート１２ｃの蓋にはガラス窓が設けられ、真空状態
で試料の様子を観察できるように構成される。のぞき窓
１１ａも試料を観察するための窓である。試料３は試料
出入ポート１７から、ロードロックチャンバ１５を介し
て試料ステージ２に載置される。この作業はマニピュレ
ータ１６を用いて行われる。試料の温度は測温装置２０
により測定される。

【００２４】この装置の測定についてその概要を説明す
ると、図４は較正用の測定結果の一例を示す図である。
横軸に試料温度をとり、縦軸に質量分析計５の出力信号
強度を示す。はじめに既知量のイオンをプラントしたシ
リコン基板を基準試料として測定する。基準試料を配置
して必要な高真空が達成されてから、加熱器４を起動し
て試料を加熱する。質量分析計５の観測質量を「２」す
なわち質量が２である分子Ｈ₂ を観測する状態に設定し
て、その出力信号強度を温度の上昇にしたがって記録す
ると、図４に示す曲線が得られる。温度４９０．０℃か
ら８５５．４℃まで、質量「２」の脱離ガスが観測され
たことになる。そしてこの範囲で斜線を施した部分の面
積Ｓ_H2 を積分計算する。この面積Ｓ_H2 が試料から放出
された水素ガスの総量に比例することになる。基準試料
はあらかじめインプラントされたイオンの数がわかって
いるから、この面積Ｓ_H2 が基準面積とする。

【００２５】つぎに被測定試料を配置し、同様に加熱し
ながら水分子（質量１８）の脱離状態を観測する。その
結果は図５のようになる。水分子の脱離は１０１℃から
６５７℃まで観測され、その基底雑音曲線（Ｎ）を差し
引いた図５の斜線部分の面積Ｓ_H2Oを積分演算する。こ
れを水素分子と対応させることにより脱離した水分子の
数を知ることができる。これを積分演算した面積で単純
に対応すると上で説明した誤りがでることになる。

【００２６】ここで本発明の特徴は、演算回路７におよ
びこれに内蔵されたメモリ手段１０に、装置毎に固有の
補正情報を記憶しておき、演算回路７はその補正情報に
したがって、質量分析計５の測定結果を補正して出力す
るところにある。

【００２７】図６は本発明実施例装置の感度比曲線の一
例を示す図である。横軸に質量数をとり縦軸に水素に対
する感度比を示す。水素分子（質量２）について感度係
数を１とすると、分子の質量にしたがって計測された図
５に例示するような面積について、この感度係数の逆数
を乗じた値が分子数に比例する値となる。例えば、図５
で計測した面積Ｓ_H2Oは、図６に示す感度比曲線を参照
して、水分子の質量「１８」に対応する感度係数２．５
の逆数を乗じた値が図４で計測した水素分子の数に対応
する値となる。

【００２８】図６の補正曲線は、昇温脱離ガス分析装置
が完成したときに、１台づつ基準試料を計測することに
より作成する。これにより原理的な補正値と、質量分析
計の個体ばらつきによる補正値とを共に含む補正係数を
得ることができる。

【００２９】基準試料は、水素イオン（Ｈ₂ 、質量２）
をインプラントしたシリコン基板、ネオンイオン（Ｎ
ｅ、質量２０）をインプラントしたシリコン基板、およ
びアルゴン（Ａｒ、質量４０）をインプラントしたシリ
コン基板を用いる。それぞれ図４または図５に相当する
計測を実行し、その積分面積を演算し、試料の面積から
単位面積当たりの分子数を考慮して図６に示す感度比曲
線を作成する。

【００３０】そして、多数の装置についてこのような感
度比曲線を作成した結果、この感度比曲線から求められ
る補正係数Ｋは、脱離ガスの質量をＸとするとき、Ｋ＝１／（ａ＋ｂＸ＋ｃＸ²) 1) なる二次関数でよく近似されることが分かった。したが
って、昇温脱離ガス分析装置の完成試験のときに、上で
説明した３種類の基準試料を用いて試験を行うことによ
り、上記二次関数の係数を特定することができる。この
二次関数およびその係数（ａ，ｂ，ｃ）を上記メモリ手
段１０に記憶しておくことにより、脱離ガスの質量によ
る補正および質量分析計の個体ばらつきによる補正を同
時に行うことができる。

【００３１】この実施例による補正情報の作成および利
用の手順を詳しく説明する。１．測定１）水素イオン１Ｅ＋１６／ｃｍ² （１平方センチメー
トル当たり１０の１６乗、以下同様）をインプラントし
た試料の水素の信号強度（面積）を求める。この試料の
重量を測定する。２）ネオンのイオン１Ｅ＋１６／ｃｍ² をインプラント
した試料でネオン（質量２０）の信号強度（面積）を求
める。この試料の重量を測定する。３）アルゴンのイオン５Ｅ＋１５／ｃｍ² をインプラン
トした試料でアルゴン（質量４０）の信号強度（面積）
を求める。この試料の重量を測定する。２．補正係数計算プログラムへのデータ入力水素（質量２）の信号強度（面積）をＰａ-2 、ネオン
（質量２０）の信号強度（面積）をＰａ-20、アルゴン
（質量４０）の信号強度（面積）をＰａ-40とし、水素
試料の重量をSw-h（ミリグラム）、ネオン試料の重量を
Sw-ne （ミリグラム）、アルゴン試料の重量をSw-ar
（ミリグラム）として、これらを補正計算プログラムへ
入力する。３．理論的なネオンの信号強度（面積）、アルゴンの信
号強度の計算１）測定した信号強度（面積）を試料面積１ｃｍ² で正
規化する。

【００３２】水素試料のサイズ Ss-h=Sw-h×1E-3/2.33 ×0.06 ネオン試料のサイズ Ss-ne=Sw-ne×1E-3/2.33 ×0.05 アルゴン試料のサイズ Ss-ar=Sw-ar×1E-3/2.33 ×0.06 ここでシリコンの比重は2.33、水素試料およびアルゴン
試料の厚みは0.06cm、ネオン試料の厚みは0.05cmであ
る。

【００３３】水素の正規化信号強度（面積）は Pa(1)=Pa-2
/Ss-h ネオンの正規化信号強度（面積）は Pa(2)=Pa-2
0/Ss-ne アルゴンの正規化信号強度（面積）は Pa(3)=Pa-4
0/Ss-ar である。２）質量分析計のイオン・マルチプライヤに印加する電
圧に依存する比例定数Kkを水素のデータから求めると、 Paf(1)=Kk × (5E＋15×Xf2 ×Ff2 ×Tf2) したがって Kk=Pa(1)/(5E＋15×Xf2 ×Ff2 ×Tf2) となる。

【００３４】ここで水素イオンは 1E ＋16/cm²をインプ
ラントしたので、測定される水素分子はこの半分とな
る。

【００３５】理論的なネオンの正規化信号強度（面積）
は Paf(2)=Kk ×1E＋16×Xf20×Ff20×Tf20 理論的なアルゴンの正規化信号強度（面積）は Paf(3)=kK ×3E＋15×Xf40×Ff40×Tf40 である。ここで Xf はイオン化効率 Ff はフラグメンテーション・ファクタ Tf は質量２８に対する透過効率である。

【００３６】なお、アルゴンのイオンをインプラした試
料からは２本のピークが観測されるが、測定の簡便さか
ら９００℃付近に出現するピークだけを測定する。この
信号強度（面積）が全体の６０％であることはあらかじ
め測定してある。

【００３７】ネオンとアルゴンの測定した正規化した信
号強度（面積）と理論的な正規化信号強度（面積）との
比を求めると、ネオンについて F-20=Pa(2)/Paf(2) アルゴンについて F-40=Pa(3)/Paf(3) となる。４．この値を二次の近似式（上記式1)）にあてはめた感
度比曲線から補正係数を求める。その感度比曲線の一例
を図６に示す。これをハードディスクにストアする。

【００３８】本発明装置の演算回路は、測定数値を表示
するときには、ハードディスクからこの補正情報を読出
して、式1)に示す係数を演算し、信号強度および面積の
数値にこの係数を乗算する。

【００３９】なお、本発明は大気雰囲気中の加熱でも実
施することができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明の装置では、観測する脱離ガスの
分子質量に対して、みかけ上均一な感度を表示する。こ
れにより装置の利用状態が単純化され誤って使用される
ことが少なくなる。さらに本発明は、質量分析計の個体
のばらつきを較正して表示するから、複数の装置により
その計測結果が異なるようなことはなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例昇温脱離ガス分析装置の要部ブロ
ック構成図。

【図２】本発明実施例装置全体の概観形状を示す正面
図。

【図３】本発明実施例装置要部の概観形状を示す斜視
図。

【図４】水素分子（質量２）についての測定結果の一例
を示す図。

【図５】水分子（質量１８）についての測定結果の一例
を示す図。

【図６】感度係数Ｙを質量Ｘの二次関数で近似した関数
グラフの一例。

【符号の説明】

１真空チャンバ１ａ真空ポンプ２試料ステージ３試料４加熱器５質量分析計６制御回路７演算回路（７ａ演算手段）８表示装置９プリンタ１０メモリ手段１１金属円筒１１ａのぞき窓１２蓋１２ａ赤外線透過窓１２ｂ、１２ｃポート１５ロードロックチャンバ１６マニピュレータ１７試料出入ポート２０測温装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加熱チャンバと、この加熱チャンバ内に
配置された試料を加熱する加熱器と、この試料から脱離
するガスを検出する質量分析計と、この質量分析計の出
力電気信号を入力信号とする演算回路とを備え、この演
算回路は検出された脱離ガスの質量毎に前記電気信号の
強度を記録する手段を含む昇温脱離ガス分析装置におい
て、前記演算回路は、前記質量分析計が検出する脱離ガスの
質量に対応する検出感度の補正情報を記録した記憶媒体
と、前記電気信号の強度をこの記憶媒体から読出した補
正情報により補正する手段とを含むことを特徴とする昇
温脱離ガス分析装置。
【請求項２】前記演算回路は、脱離ガスの質量毎に前
記試料の加熱開始から脱離ガスがきわめて小さくなるま
での電気信号の強度の積分値を演算する手段を含み、前
記補正する手段はこの積分値を補正する手段を含む請求
項１記載の昇温脱離ガス分析装置。
【請求項３】前記補正情報は補正係数を含み、その補
正係数Ｋは脱離ガスの質量をＸとするとき、Ｋ＝１／（ａ＋ｂＸ＋ｃＸ²) なる二次関数である請求項１または２記載の昇温脱離ガ
ス分析装置。
【請求項４】質量が既知である物質をインプラントし
た試料を異なる複数の質量の物質につき複数個用意し、
その複数の試料についてそれぞれ前記物質が脱離ガスと
して検出される検出出力を昇温脱離ガス分析装置により
観測し、その観測結果から当該装置に固有の検出対象脱
離ガスの質量に対する感度の補正情報を記録する補正情
報の記録方法。