JP3386328B2 - 電源回路 - Google Patents

電源回路

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JP3386328B2
JP3386328B2 JP02382597A JP2382597A JP3386328B2 JP 3386328 B2 JP3386328 B2 JP 3386328B2 JP 02382597 A JP02382597 A JP 02382597A JP 2382597 A JP2382597 A JP 2382597A JP 3386328 B2 JP3386328 B2 JP 3386328B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
回路を用いた電源回路における電源スイッチ回路に関
し、特に半導体などの電子的なスイッチを低損失に動作
させるようにした電源スイッチ回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】スイッチング電源を用いた従来の電源回
路の一例を図3に示す。スイッチ回路1を介して乾電池
等の直流電源がスイッチング電源回路3に印加されてい
る。スイッチング電源回路3はスイッチング・レギュレ
ータにより直流電源を直流・直流変換して出力する。ス
イッチ回路1はスイッチ制御回路2によりオン・オフ制
御され、スイッチング電源回路3への電源供給をオン・
オフする。
【0003】スイッチ回路1としては、機械的なスイッ
チと半導体スイッチを用いる場合がある。機械的なスイ
ッチは、スイッチ接点の接触抵抗をr、流れる電流をI
とすると、I2×rが熱となり損失となる。接触抵抗r
は通常極めて小さいのでスイッチとしては低損失である
が、反面、形状が大きく制御も容易でなく、チャタリン
グや寿命に問題があり信頼性に欠けるという短所があ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これを避けるためにス
イッチとしてトランジスタやFETを用いる方式がある
が、この場合には次のような問題がある。スイッチ部の
損失は、トランジスタの場合には、コレクタ・エミッタ
間電圧VCEの飽和電圧をVsat、エミッタ電流をIとす
ると、Vsat×Iが損失となる。FETの場合、ドレイ
ン・オン抵抗をRDS(on)、流れる電流をIとすると、I
2×RDS(on)が損失となる。
【0005】通常、Vsatは1V程度、RDS(on)は1Ω
程度であり、トランジスタあるいはFETのいずれの場
合においても大きい電流Iを流すときには大きな損失と
なる。
【0006】本発明の目的は、このような点に鑑み、損
失の少ないスイッチ回路を持つ電源回路を提供すること
にある。本発明の他の目的は、更に小型で半永久的な寿
命を持つスイッチ回路を用いた電源回路を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明では、スイッチング・レギュレータを
いて直流電源を直流・直流変換する電源回路に対して、
低電流の電源で動作し前記直流電源からの電源電圧をレ
ギュレートする三端子レギュレータを備え、この三端子
レギュレータの出力を前記スイッチング・レギュレータ
内にあって低電流の電源で動作する構成素子に供給する
スイッチング・レギュレータ用電源部と、前記直流電源
を前記三端子レギュレータへ供給する電源供給経路を
ETにより開閉するように構成されたスイッチ回路と、
CMOSロジックで構成され前記スイッチ回路の開閉動
を制御するスイッチ制御回路を設けたことを特徴とす
る。
【0008】
【作用】スイッチング・レギュレータの構成素子に電源
を供給するスイッチング・レギュレータ用電源部の電源
供給径路をスイッチ回路により開閉する。このスイッチ
回路はスイッチ制御回路により制御する。スイッチング
・レギュレータ用電源部に必要な電流は十分小さいた
め、電源供給径路を開閉するスイッチ部分での電力損失
は極めて少ない。なお、スイッチ制御回路での消費電力
もまた極めて少ない。これにより低損失のスイッチ回路
を持つ電源回路を実現することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図1は本発明に係る電源回路の原理構成図で
ある。図において、10はスイッチ回路、20はスイッ
チ制御回路、30はスイッチング電源回路である。スイ
ッチング電源回路30はスイッチング・レギュレータ用
電源部40とスイッチング・レギュレータ50より構成
される。
【0010】図2は図1の各部の具体的な構成を示す構
成図である。スイッチ制御回路20は、乾電池がある限
り電源は通電されているが、この回路はCMOSロジッ
クで構成されており、消費電力はごくわずかである。こ
の回路20は、電源スイッチ21の接触信号を検出し、
スイッチ回路10のトランジスタ13にバイアスをかけ
FET11をオンにする。
【0011】スイッチ回路10は、FET11、抵抗1
2およびトランジスタ13より構成されている。FET
11のドレインは乾電池等の直流電源(例えば、単三形
乾電池8本を直列接続し、7.2〜12.8Vの出力電
圧を有する電池)に接続され、またそのゲートは抵抗1
2を介してドレインに接続されると共にトランジスタ1
3のコレクタに接続されている。トランジスタ13はそ
のエミッタがコモンラインに接続され、またそのベース
にはスイッチ制御回路20の出力信号が加えられる。
【0012】スイッチング・レギュレータ用電源部40
は、スイッチング・レギュレータ50の比較器56,5
8と三角波発生器60用の電源を供給する電源部であ
り、スイッチ回路10の出力電圧(FET11を介して
与えられる乾電池からの電源電圧)をレギュレートする
三端子レギュレータ41を備えている。なお、スイッチ
ング・レギュレータ用電源部40枠内に示したU1,U
2は比較器56,58に対応するもので、図はこれら比
較器への電源供給を表したものである。
【0013】スイッチング・レギュレータ50におい
て、51はFET、52はFET51のドレイン・ゲー
ト間に挿入された抵抗、53はダイオード、54はイン
ダクタンス、55はコンデンサ、56と58は比較器、
57は基準電圧、59はトランジスタ、60は三角波発
生器である。
【0014】FET51は、そのドレインに乾電池等の
直流電源が接続されており、トランジスタ59のオン・
オフに応じてオン・オフする。FET51の出力端(ソ
ース)はインダクタンス54とコンデンサ55からなる
平滑回路に接続されている。平滑回路の出力端は、負荷
に接続される電源ライン70に接続されている。ダイオ
ード53は逆電圧防止用であってFET51のソースと
コモンライン間に接続されている。
【0015】比較器56は平滑回路の出力と基準電圧V
ref(ここでは、スイッチング・レギュレータ30の出
力電圧を5Vとするため、Vrefとしては5V)を比較
する。比較結果(2値信号)は次段の比較器58に加え
られている。
【0016】比較器58は、三角波発生器60の出力
(三角波)と前記比較結果を比較する。比較結果はトラ
ンジスタ59のベースに入力される。トランジスタ59
のコレクタはFET51のゲートに接続され、またエミ
ッタはコモンラインに接続されている。
【0017】このような構成における動作を次に説明す
る。 (1)電源オン時 電源スイッチ21をオンにしてスイッチ制御回路20に
電源オンの信号を与えると、スイッチ制御回路20から
の出力信号によりスイッチ回路10のトランジスタ13
がオン状態となる。トランジスタ13がオンになること
によりFET11がバイアスされてオン状態になり、ス
イッチング・レギュレータ用電源部40の三端子レギュ
レータ41に乾電池からの電力が供給される。
【0018】これにより、スイッチング・レギュレータ
50が動作を開始し、電源ライン70へ電力を供給す
る。なお、スイッチング・レギュレータ50自体は周知
の構成であるのでその動作については説明を省略する。
【0019】(2)電源オフ時 電源スイッチ21をオフにしてスイッチ制御回路20に
電源オフの信号(Lowレベル信号)を与えると、スイ
ッチ制御回路20からの出力信号によりスイッチ回路1
0のトランジスタ13がオフ状態となる。トランジスタ
13がオフとなることによりFET11もオフ状態とな
り、スイッチング・レギュレータ用電源部40の三端子
レギュレータ41への電力供給が遮断される。
【0020】これにより、スイッチング・レギュレータ
50の比較器56,58および三角波発生器60が動作
しなくなり、トランジスタ59はオフ状態となる。この
ためFET51がオフ状態となり、電源ライン70への
電力供給は遮断される。
【0021】以上のようにして電源の供給と遮断を行う
ことができる。ここで、従来方式と本発明の電源回路と
でスイッチ部の電力損失を対比してみると次の通りであ
る。
【0022】例えば、一般的な仕様のシリコンPチャネ
ルMOSFETを使う場合を例にとる。図3に示す従来
方式のスイッチ回路を構成した場合は、次の通りであ
る。このMOSFETのドレイン・オン抵抗RDS(on)
0.7Ωであり、そこに1Aのスイッチ電流Iがながれ
ると、スイッチ部では0.7×1=700(mW)の損
失が生じる。
【0023】本発明では、スイッチ回路10のFET1
1に流れる電流は、三端子レギュレータ41と比較器5
6,58と三角波発生器60の低電流の動作電流のみで
あるので、12mA程度である。したがってFET11
での電力損失は0.7×0.012=8.4(mW)程
度となる。
【0024】なお、以上の説明は、本発明の説明および
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明は、上記実施例に限定されること
なく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、
変形をも含むものである。
【0025】例えば、スイッチ制御回路20への信号
は、機械的なスイッチによるオン・オフ信号に代えてロ
ジック信号としてもよい。また、スイッチ回路10のF
ET11はPNPトランジスタに代えてもよい。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば次の
ような効果がある。本発明では、主な電源径路に電源ス
イッチを配置するのではなく、スイッチング・レギュレ
ータを制御するスイッチング・レギュレータ用電源部4
0への電源供給径路にスイッチを配置した。これによ
り、電力損失の低減、信頼性の向上および小型化を図り
得るスイッチ回路を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電源回路の原理構成図
【図2】本発明に係る電源回路の具体例を示す構成図
【図3】従来の電源回路の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
10 スイッチ回路 11,51 FET 12,52 抵抗 13,59 トランジスタ 20 スイッチ制御回路 21 電源スイッチ 30 スイッチング電源回路 40 スイッチング・レギュレータ用電源部 50 スイッチング・レギュレータ 60 三角波発生器 70 電源ライン

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スイッチング・レギュレータを用いて直流
    電源を直流・直流変換する電源回路に対して、 低電流の電源で動作し前記直流電源からの電源電圧をレ
    ギュレートする三端子レギュレータを備え、この三端子
    レギュレータの出力を前記スイッチング・レギュレータ
    内にあって低電流の電源で動作する構成素子に供給する
    スイッチング・レギュレータ用電源部と、前記直流電源を前記三端子レギュレータへ供給する 電源
    供給経路をFETにより開閉するように構成されたスイ
    ッチ回路と、CMOSロジックで構成され前記 スイッチ回路の開閉動
    を制御するスイッチ制御回路を設けた電源回路。
  2. 【請求項2】前記スイッチ回路のFETにはMOSFE
    Tを用いたことを特徴とする請求項1記載の電源回路。
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