JP3379796B2 - 強誘電体薄膜製造方法 - Google Patents
強誘電体薄膜製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線検出器や不揮発
性メモリー等に適用される強誘電体材料薄膜の製造方法
に関する。
性メモリー等に適用される強誘電体材料薄膜の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線検出器あるいは不揮発性メモリに
は自発分極性を有する強誘電体が用いられている。これ
らのうち赤外線検出器は強誘電体の自発分極によって誘
起された表面電荷の温度依存性による焦電効果を利用し
たものであり、不揮発性メモリは強誘電体に印加された
電界により発生した自発分極により記憶動作を行うもの
である。
は自発分極性を有する強誘電体が用いられている。これ
らのうち赤外線検出器は強誘電体の自発分極によって誘
起された表面電荷の温度依存性による焦電効果を利用し
たものであり、不揮発性メモリは強誘電体に印加された
電界により発生した自発分極により記憶動作を行うもの
である。
【０００３】従来、電子デバイス等に応用される強誘電
体薄膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ
1ーx)Ｏ3＝ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）などが
用いられているが、その製造方法として、刊行物 "Ferr
oelectrics"，１９９１，ｖｏｌ．１１６の第１−１７
頁に記載されているように、基板上に目的とする組成物
の非結晶あるいは多結晶薄膜を形成し、その薄膜を熱処
理することによりペロブスカイト相に結晶化させ、強誘
電体薄膜化する方法が知られている。
体薄膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ
1ーx)Ｏ3＝ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）などが
用いられているが、その製造方法として、刊行物 "Ferr
oelectrics"，１９９１，ｖｏｌ．１１６の第１−１７
頁に記載されているように、基板上に目的とする組成物
の非結晶あるいは多結晶薄膜を形成し、その薄膜を熱処
理することによりペロブスカイト相に結晶化させ、強誘
電体薄膜化する方法が知られている。
【０００４】この方法によって形成されたＰＺＴ強誘電
体薄膜組織を走査型電子顕微鏡によって観察した写真を
図３に示す。この電子顕微鏡写真において白い部分はＰ
ＺＴ強誘電体であるペロブスカイト相結晶体であり、黒
い部分は強誘電体ではない非ぺロブスカイト相である。
この電子顕微鏡写真から明らかなように従来の製造方法
によってはペロブスカイト相以外の非強誘電性異相部が
形成されてしまうことが多く、また、形成されたぺロブ
スカイト相の強誘電体薄膜自体も結晶粒径にバラつきが
多く均一性に欠けている。なお、この電子顕微鏡写真に
おいて上部に示されるマーカの間隔は１０μｍである。
体薄膜組織を走査型電子顕微鏡によって観察した写真を
図３に示す。この電子顕微鏡写真において白い部分はＰ
ＺＴ強誘電体であるペロブスカイト相結晶体であり、黒
い部分は強誘電体ではない非ぺロブスカイト相である。
この電子顕微鏡写真から明らかなように従来の製造方法
によってはペロブスカイト相以外の非強誘電性異相部が
形成されてしまうことが多く、また、形成されたぺロブ
スカイト相の強誘電体薄膜自体も結晶粒径にバラつきが
多く均一性に欠けている。なお、この電子顕微鏡写真に
おいて上部に示されるマーカの間隔は１０μｍである。
【０００５】このような不均一性を持つ薄膜は、実際に
強誘電体として用いた場合に劣化を引き起こし易く、ま
た、半導体不揮発性メモリー中のコンデンサの強誘電体
として用いた場合には各記憶セルの特性がバラつき、実
用性に欠ける。
強誘電体として用いた場合に劣化を引き起こし易く、ま
た、半導体不揮発性メモリー中のコンデンサの強誘電体
として用いた場合には各記憶セルの特性がバラつき、実
用性に欠ける。
【０００６】
【発明の概要】本願においては、強誘電体薄膜中にペロ
ブスカイト相以外の異相部が形成されず、強誘電体薄膜
層の結晶粒径を均一にすることができる強誘電体薄膜の
製造方法を提供する。
ブスカイト相以外の異相部が形成されず、強誘電体薄膜
層の結晶粒径を均一にすることができる強誘電体薄膜の
製造方法を提供する。
【０００７】そのために本発明においては、基板上に第
１層となるペロブスカイト型強誘電体を形成しうる組成
であって、ペロブスカイト型結晶構造ではない薄膜を形
成し、次にその上に第２層となる薄膜を形成する。この
薄膜は、前記ペロブスカイト型強誘電体と固溶可能な組
成からなるペロブスカイト型酸化物、即ちチタン酸スト
ロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）の単
体もしくはこれらの混合物を形成しうる組成である。
１層となるペロブスカイト型強誘電体を形成しうる組成
であって、ペロブスカイト型結晶構造ではない薄膜を形
成し、次にその上に第２層となる薄膜を形成する。この
薄膜は、前記ペロブスカイト型強誘電体と固溶可能な組
成からなるペロブスカイト型酸化物、即ちチタン酸スト
ロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）の単
体もしくはこれらの混合物を形成しうる組成である。
【０００８】第２層を成膜した後この２層構造からなる
薄膜を熱処理して結晶化することによりペロブスカイト
構造の強誘電体薄膜を形成する。２層構造からなる薄膜
を熱処理して得られた強誘電体膜の厚さが不十分な場合
には多層構造からなる積層膜を形成し、熱処理して結晶
化する。
薄膜を熱処理して結晶化することによりペロブスカイト
構造の強誘電体薄膜を形成する。２層構造からなる薄膜
を熱処理して得られた強誘電体膜の厚さが不十分な場合
には多層構造からなる積層膜を形成し、熱処理して結晶
化する。
【０００９】このようにして得られた強誘電体薄膜の結
晶にはペロブスカイト強誘電体相以外の異相は全く生ぜ
ず、また形成された結晶もその粒径が小さく揃ってい
る。
晶にはペロブスカイト強誘電体相以外の異相は全く生ぜ
ず、また形成された結晶もその粒径が小さく揃ってい
る。
【００１０】
【実施例】図１に本願発明において強誘電体薄膜を形成
するために用いるマグネトロンスパッタリング装置を、
図２に本願発明によって形成される薄膜の構造を模式的
に示す。このマグネトロンスパッタリング装置は、減圧
されたチャンバ１内に２個のマグネトロンスパッタリン
グカソード２及び３を具えており、これら２個のマグネ
トロンスパッタリングカソード２，３に対向する位置に
基板ホルダ４が配置され、マグネトロンスパッタリング
カソード２，３と基板ホルダ４の間にはシャッタ５が配
置されている。２個のマグネトロンスパッタリングカソ
ード２，３には各々高周波電源６及び７が接続されてお
り、チャンバ１内にスパッタリング用のガスを供給する
ガス供給口が設けられている。
するために用いるマグネトロンスパッタリング装置を、
図２に本願発明によって形成される薄膜の構造を模式的
に示す。このマグネトロンスパッタリング装置は、減圧
されたチャンバ１内に２個のマグネトロンスパッタリン
グカソード２及び３を具えており、これら２個のマグネ
トロンスパッタリングカソード２，３に対向する位置に
基板ホルダ４が配置され、マグネトロンスパッタリング
カソード２，３と基板ホルダ４の間にはシャッタ５が配
置されている。２個のマグネトロンスパッタリングカソ
ード２，３には各々高周波電源６及び７が接続されてお
り、チャンバ１内にスパッタリング用のガスを供給する
ガス供給口が設けられている。
【００１１】第１のマグネトロンスパッタリングカソー
ド２にはチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ1ーx)Ｏ
3）ターゲット８が、第２のマグネトロンスパッタリン
グカソード３にはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ
3）ターゲット９が装着されており、基板ホルダ４に
は、約２,０００Åの厚さの白金膜が下部電極として形
成されたシリコン基板１０が装着されている。下部電極
としては、この他にもパラジウムやニッケル等の高融点
金属膜あるいは窒化チタン膜、酸化物導電膜等が使用可
能である。チャンバ１内は１０-4Ｐａ程度に減圧された
後、高純度アルゴンガスからなるスパッタリングガスが
０.５Ｐａの圧力となるように導入されている。また、
高周波電源６，７としては周波数１３.５６ＭHzの高周
波が供給される。
ド２にはチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(ＺｒxＴｉ1ーx)Ｏ
3）ターゲット８が、第２のマグネトロンスパッタリン
グカソード３にはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ
3）ターゲット９が装着されており、基板ホルダ４に
は、約２,０００Åの厚さの白金膜が下部電極として形
成されたシリコン基板１０が装着されている。下部電極
としては、この他にもパラジウムやニッケル等の高融点
金属膜あるいは窒化チタン膜、酸化物導電膜等が使用可
能である。チャンバ１内は１０-4Ｐａ程度に減圧された
後、高純度アルゴンガスからなるスパッタリングガスが
０.５Ｐａの圧力となるように導入されている。また、
高周波電源６，７としては周波数１３.５６ＭHzの高周
波が供給される。
【００１２】基板１０は室温状態に保たれており、第１
のマグネトロンスパッタリングカソード２に２００Ｗの
高周波電力を供給すると、高周波電磁界により生成さ
れ、磁界によって拘束されたＡｒイオンがＰｂ（Ｚｒx
Ｔｉ1 ー x）Ｏ3ターゲット８を衝撃し、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1
ー x）Ｏ3がはじきだされて蒸発する。シャッタ５を閉じ
て所定時間のプリスパッタリングを行った後にシャッタ
５を開いて膜厚が２,０００Åになるまで基板１０上に
Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜（以下ＰｂＺｒＴ
ｉ１−ｘ）Ｏ３薄膜という）からなる第１層を形成す
る。
のマグネトロンスパッタリングカソード２に２００Ｗの
高周波電力を供給すると、高周波電磁界により生成さ
れ、磁界によって拘束されたＡｒイオンがＰｂ（Ｚｒx
Ｔｉ1 ー x）Ｏ3ターゲット８を衝撃し、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1
ー x）Ｏ3がはじきだされて蒸発する。シャッタ５を閉じ
て所定時間のプリスパッタリングを行った後にシャッタ
５を開いて膜厚が２,０００Åになるまで基板１０上に
Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜（以下ＰｂＺｒＴ
ｉ１−ｘ）Ｏ３薄膜という）からなる第１層を形成す
る。
【００１３】次に、第２のマグネトロンスパッタリング
カソード３に２００Ｗの高周波電力を供給すると同様に
ＳｒＴｉＯ3はＡｒイオンによって衝撃され、はじきだ
されて蒸発する。シャッタ５を閉じて所定時間のプリス
パッタリングを行った後にシャッタ５を開いて基板１０
上のＰｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜第１層上に膜
厚が５０−２００ÅのＳｒＴｉＯ3組成の薄膜を形成す
る。このようにして得られる薄膜は図２（ａ）に示され
たように基板１０上に２,０００Å厚の第１層Ｐｂ（Ｚ
ｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜上に５０−２００Å厚の第
２層ＳｒＴｉＯ3組成の薄膜が形成されている。
カソード３に２００Ｗの高周波電力を供給すると同様に
ＳｒＴｉＯ3はＡｒイオンによって衝撃され、はじきだ
されて蒸発する。シャッタ５を閉じて所定時間のプリス
パッタリングを行った後にシャッタ５を開いて基板１０
上のＰｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜第１層上に膜
厚が５０−２００ÅのＳｒＴｉＯ3組成の薄膜を形成す
る。このようにして得られる薄膜は図２（ａ）に示され
たように基板１０上に２,０００Å厚の第１層Ｐｂ（Ｚ
ｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜上に５０−２００Å厚の第
２層ＳｒＴｉＯ3組成の薄膜が形成されている。
【００１４】このようにして形成されたＰｂ（ＺｒxＴ
ｉ1 ー x）Ｏ3組成の第１層とＳｒＴｉＯ3組成の第２層か
らなる熱処理前の積層膜をＸ線回折装置で観察した回折
パターンを図５に示す。この回折パターンには、特に目
につくピークはなく、形成された積層膜はアモルファス
もしくは同定不明相の微結晶体で構成されていると考え
られる。なお、回折角４０゜に現れたピークはシリコン
の基板上に電極として形成された白金膜によるピークで
あり、実際のピークはここに示したものよりも高いが、
図面記載の都合上その部分は省略してある。
ｉ1 ー x）Ｏ3組成の第１層とＳｒＴｉＯ3組成の第２層か
らなる熱処理前の積層膜をＸ線回折装置で観察した回折
パターンを図５に示す。この回折パターンには、特に目
につくピークはなく、形成された積層膜はアモルファス
もしくは同定不明相の微結晶体で構成されていると考え
られる。なお、回折角４０゜に現れたピークはシリコン
の基板上に電極として形成された白金膜によるピークで
あり、実際のピークはここに示したものよりも高いが、
図面記載の都合上その部分は省略してある。
【００１５】このようにして得られた積層膜を、赤外線
加熱装置を用いて７００℃の温度で１０分間熱処理を行
った。その結果図２（ｂ）に示されたように、熱処理前
には組成的にＰｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3とＳｒＴｉＯ3と
から構成されていたもののペロブスカイト型構造ではな
かった積層膜が｛（Ｐｂ1 ー xＳｒx）Ｚｒ1-yＴｉy｝Ｏ3
で表されるペロブスカイト構造の固溶体薄膜となる。
加熱装置を用いて７００℃の温度で１０分間熱処理を行
った。その結果図２（ｂ）に示されたように、熱処理前
には組成的にＰｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3とＳｒＴｉＯ3と
から構成されていたもののペロブスカイト型構造ではな
かった積層膜が｛（Ｐｂ1 ー xＳｒx）Ｚｒ1-yＴｉy｝Ｏ3
で表されるペロブスカイト構造の固溶体薄膜となる。
【００１６】このように熱処理を行った積層膜のＸ線回
折装置による回折パターンを図５に示す。この回折パタ
ーンにおいて、回折角２２゜，３１゜，４４゜に現れた
ピークは｛（Ｐｂ1 ー xＳｒx）Ｚｒ1-yＴｉy｝Ｏ3で表さ
れる、第１層のＰｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜と
第２層のＳｒＴｉＯ3組成の薄膜がペロブスカイト結晶
化して固溶体となったペロブスカイト相によるピークで
ある。また、この他に異相によるピークはなく、またア
モルファスもしくは同定不明相の存在も確認されない。
なお、４０゜に現れたピークは電極である白金膜による
ものであり、３３゜に現れたピークは基板のシリコンに
よるものである。
折装置による回折パターンを図５に示す。この回折パタ
ーンにおいて、回折角２２゜，３１゜，４４゜に現れた
ピークは｛（Ｐｂ1 ー xＳｒx）Ｚｒ1-yＴｉy｝Ｏ3で表さ
れる、第１層のＰｂ（ＺｒxＴｉ1 ー x）Ｏ3組成の薄膜と
第２層のＳｒＴｉＯ3組成の薄膜がペロブスカイト結晶
化して固溶体となったペロブスカイト相によるピークで
ある。また、この他に異相によるピークはなく、またア
モルファスもしくは同定不明相の存在も確認されない。
なお、４０゜に現れたピークは電極である白金膜による
ものであり、３３゜に現れたピークは基板のシリコンに
よるものである。
【００１７】この熱処理後の結晶化積層膜を走査型電子
顕微鏡を用いて観察した組織写真を図４に示すが、図３
に示した従来のものと比較してペロブスカイト相以外の
異相は全く認められず、形成されたペロブスカイト結晶
の結晶粒径は小さく揃っており、きわめて均一性が良好
である。なお、この電子顕微鏡写真において上部に示さ
れるマーカの間隔は１０μｍである。また、写真中央部
の物体は顕微鏡写真撮影の際にピント合わせに利用した
膜上のゴミである。
顕微鏡を用いて観察した組織写真を図４に示すが、図３
に示した従来のものと比較してペロブスカイト相以外の
異相は全く認められず、形成されたペロブスカイト結晶
の結晶粒径は小さく揃っており、きわめて均一性が良好
である。なお、この電子顕微鏡写真において上部に示さ
れるマーカの間隔は１０μｍである。また、写真中央部
の物体は顕微鏡写真撮影の際にピント合わせに利用した
膜上のゴミである。
【００１８】本発明の方法においては積層膜を熱処理す
ることにより固溶体薄膜を形成しているため、得られる
薄膜の厚さに限界がある。薄膜の厚さが不十分な場合に
は図２（ｃ）に示されたように積層膜を多層構造にする
ことにより所定の膜厚にした後熱処理を行うかあるい
は、図２（ｄ）に示されたように固溶体薄膜の上に積層
膜を形成しこの積層膜を熱処理することにより、所定厚
の固溶体薄膜を形成する。
ることにより固溶体薄膜を形成しているため、得られる
薄膜の厚さに限界がある。薄膜の厚さが不十分な場合に
は図２（ｃ）に示されたように積層膜を多層構造にする
ことにより所定の膜厚にした後熱処理を行うかあるい
は、図２（ｄ）に示されたように固溶体薄膜の上に積層
膜を形成しこの積層膜を熱処理することにより、所定厚
の固溶体薄膜を形成する。
【００１９】以上説明した実施例においては、第２層と
して、ＳｒＴｉＯ3組成を用いた例を示したが、この他
にＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3組成もしくはこれら組成の
混合組成を用いた場合も同様に良好な結果を得ることが
できる。
して、ＳｒＴｉＯ3組成を用いた例を示したが、この他
にＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3組成もしくはこれら組成の
混合組成を用いた場合も同様に良好な結果を得ることが
できる。
【００２０】また、成膜法としてはマグネトロンスパッ
タリング法以外にＣＶＤ法、ゾルゲル法あるいは蒸着法
によっても同様な効果を得ることができる。
タリング法以外にＣＶＤ法、ゾルゲル法あるいは蒸着法
によっても同様な効果を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明はマグネトロンスパッタリング
法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、蒸着法等の成膜法によって
２層構造の強誘電体薄膜組成物を形成し、その後熱処理
結晶化することによりペロブスカイト層のみで構成さ
れ、結晶粒の均一な強誘電体薄膜を得ることができる。
この強誘電体薄膜を強誘電体不揮発性メモリーやセンサ
ーに利用した場合には、極めて信頼性が高くかつ微細化
工性が良く、特に不揮発性メモリーの強誘電体メモリー
セルとして素子間のバラツキが少なく理想的な特性を持
つことができる。
法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、蒸着法等の成膜法によって
２層構造の強誘電体薄膜組成物を形成し、その後熱処理
結晶化することによりペロブスカイト層のみで構成さ
れ、結晶粒の均一な強誘電体薄膜を得ることができる。
この強誘電体薄膜を強誘電体不揮発性メモリーやセンサ
ーに利用した場合には、極めて信頼性が高くかつ微細化
工性が良く、特に不揮発性メモリーの強誘電体メモリー
セルとして素子間のバラツキが少なく理想的な特性を持
つことができる。
【図１】本願発明実施例で用いるマグネトロンスパッタ
リング装置の説明図。
リング装置の説明図。
【図２】本願発明によって形成される薄膜構造の模式
図。
図。
【図３】従来の強誘電体セラミック材料の組織写真。
【図４】熱処理をした後の本発明強誘電体セラミック材
料の組織写真。
料の組織写真。
【図５】熱処理をする前及び熱処理をした後の本発明強
誘電体薄膜のＸ線回折パターン図。
誘電体薄膜のＸ線回折パターン図。
１ チャンバ
２，３ マグネトロンスパッタリングカソード
４ 基板ホルダ
５ シャッタ
６，７ 高周波電源
８ チタン酸ジルコン酸鉛ターゲット
９ チタン酸ストロンチウムターゲット
１０ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、 鉛を含みぺロブスカイト型強誘電体を形成しうる組成で
あってペロブスカイト型結晶構造ではない第１の薄膜を
形成し、 前記第１の薄膜の上に前記ぺロブスカイト型強誘電体と
固溶可能なぺロブスカイト型酸化物を形成しうる鉛を含
まない組成の第２の薄膜を積層することにより積層膜を
形成し、 前記積層膜を熱処理して固溶体結晶化することによりぺ
ロブスカイト構造の強誘電体薄膜を得る強誘電体薄膜製
造方法。 - 【請求項２】 基板上に、 鉛を含みぺロブスカイト型強誘電体を形成しうる組成で
あってペロブスカイト型結晶構造ではない第１の薄膜
と、 前記ぺロブスカイト型強誘電体と固溶可能なぺロブスカ
イト型酸化物を形成しうる鉛を含まない組成の第２の薄
膜を交互に複数積層することにより多層積層膜を形成
し、前記多層積層膜を熱処理して固溶体結晶化すること
によりぺロブスカイト構造の強誘電体薄膜を得る強誘電
体薄膜製造方法。 - 【請求項３】 基板上に、 鉛を含みぺロブスカイト型強誘電体を形成しうる組成で
あってペロブスカイト型結晶構造ではない第１の薄膜と
前記ぺロブスカイト型強誘電体と固溶可能なぺロブスカ
イト型酸化物を形成しうる鉛を含まない組成の第２の薄
膜を積層することにより積層膜を形成し、 前記積層膜を熱処理して固溶体結晶化し、 固溶体結晶化された前記積層膜の上に前記第１の薄膜と
同じ組成の第３の薄膜を形成し、 前記第３の薄膜の上に前記第２の薄膜と同じ組成の第４
の薄膜を積層することにより積層膜を形成し、該積層膜
を熱処理して固溶体結晶化し、 この工程を繰り返すことによりぺロブスカイト構造の強
誘電体薄膜を得る強誘電体薄膜製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の薄膜が、チタン酸ジルコン酸
鉛を形成しうる組成である請求項１、請求項２または請
求項３記載の強誘電体薄膜製造方法。 - 【請求項５】 前記第２の薄膜が、チタン酸ストロンチ
ウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウムあるいは
これらの混合物を形成しうる組成である請求項１、請求
項２又は請求項３記載の強誘電体薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21508893A JP3379796B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 強誘電体薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21508893A JP3379796B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 強誘電体薄膜製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757535A JPH0757535A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3379796B2 true JP3379796B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=16666557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21508893A Expired - Fee Related JP3379796B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 強誘電体薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3379796B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1054166C (zh) * | 1997-11-14 | 2000-07-05 | 中国科学院固体物理研究所 | 尺寸可控的纳米级银颗粒镶嵌在钛酸钡薄膜中的制备方法 |
| US7205056B2 (en) | 2001-06-13 | 2007-04-17 | Seiko Epson Corporation | Ceramic film and method of manufacturing the same, ferroelectric capacitor, semiconductor device, and other element |
| JP4172040B2 (ja) | 2004-03-23 | 2008-10-29 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 固相フラックスエピタキシー成長法 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP21508893A patent/JP3379796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0757535A (ja) | 1995-03-03 |
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