JP3375555B2 - Circuit component built-in module and a manufacturing method thereof - Google Patents

Circuit component built-in module and a manufacturing method thereof

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JP3375555B2
JP3375555B2 JP32821598A JP32821598A JP3375555B2 JP 3375555 B2 JP3375555 B2 JP 3375555B2 JP 32821598 A JP32821598 A JP 32821598A JP 32821598 A JP32821598 A JP 32821598A JP 3375555 B2 JP3375555 B2 JP 3375555B2
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誠一 中谷
浩一 平野
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/19041Component type being a capacitor

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、回路部品内蔵モジュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールに関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a circuit component built-in module, in particular for example, a circuit component built-in module circuit components are disposed within the electrically insulating substrate. 【0002】 【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれている。 [0002] In recent years, performance of electronic devices, with a demand for miniaturization, high-density circuit components, high performance is further advocated. そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応した回路基板が要求されている。 Therefore, a high-density circuit components, the circuit board corresponding to the advanced functions are required. 【0003】回路部品を高密度化する方法として、回路を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポキシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難である。 As a method of densifying circuitry, it is considered a method of multi-layered circuit, conventional glass - The epoxy substrate, it is necessary to use a through hole structure with a drill, the high-density packaging correspondence of it is difficult. このため、最も回路の高密度化が図れる方法として、LSI間や部品間の配線パターンを最短距離で接続できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進められている。 Therefore, as a method of most high density of the circuit can be reduced, the wiring pattern between the LSI and between parts development of the inner-via-hole connection method that can connect at the shortest distance has been promoted in various fields. 【0004】インナービアホール接続法では、必要な各層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優れている(特開昭63−47991、特開平6−268 [0004] In the inner-via-hole connection method, allow connections only between required layers, it is excellent in mounting of the circuit component (JP-63-47991, JP-A-6-268
345)。 345). 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、 [0005] The present invention is, however, conventional,
インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いという問題があった。 Substrate which has been used in the inner via hole connection method, because it was formed of a material of the resin system, the thermal conductivity is low. 回路部品内蔵モジュールでは、回路部品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生する熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュールの信頼性が低下するという問題があった。 In the circuit component built-in module, the mounting density of circuit components increases the need to dissipate the heat generated from the more components if the high density, can not be sufficiently radiated in the conventional substrate, the circuit component built-in module the reliability is lowered. 【0006】本発明は、上記従来の問題を解決するため、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の高い回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention, the order to solve the conventional problems, and an object thereof is to provide an implementation are possible and higher circuit component built-in module reliability and its manufacturing method of a high-density circuit components. 【0007】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パターン(一つの配線パターンは、同一平面内に形成される一群の電気配線からなる) [0007] To achieve SUMMARY OF THE INVENTION The above object, the circuit component built-in module of the present invention, and one electrically insulating substrate consisting of a mixture comprising an inorganic filler and a thermosetting resin, a plurality of wiring patterns formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate (one wiring pattern consists of a group of electric lines formed on the same plane)
と、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路部品と When, viewed contains an electrically connected circuit component on the wiring pattern embedded in the electrically insulating substrate, and the circuit component
前記配線パターンとが導電性接着剤を介して電気的に接 Electrically into contact with the wiring pattern via the conductive adhesive
続されている。 It has been continued. また、本発明の別の回路部品内蔵モジュ Another circuit component built module of the present invention
ールは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物か Lumpur, or a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin
らなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の And Ranaru one electrically insulating substrate, said electrically insulating substrate
少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パターン A plurality of wiring patterns formed on at least one major surface
と、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに If, on the wiring pattern embedded in the electrically insulating substrate
電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路部品と And a electrically connected to the circuit component, and the circuit component
前記配線パターンとがバンプを介して電気的に接続され Wherein the wiring pattern is electrically connected through a bump
ている。 ing. また、本発明の別の回路部品内蔵モジュール Another circuit component built-in module of the present invention
は、無機フィラー70重量%〜95重量%と熱硬化性樹 Is 70 wt% inorganic filler to 95 wt% and thermosetting tree
脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前 And one electrically insulating substrate consisting of a mixture comprising a fat, before
記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に形成された It is formed on at least one main surface of serial electrically insulating substrate
複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され A plurality of wiring patterns, are embedded in the electrically insulating substrate
前記配線パターンに実装された回路部品とを含む。 And a mounted circuit component on the wiring pattern. Or
た、本発明の別の回路部品内蔵モジュールは、無機フィ And another circuit component built-in module of the present invention, inorganic Fi
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された Laminated composed of a mixture comprising a color and a thermosetting resin
複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶 A plurality of electrically insulating substrate, a plurality of electrical insulation that the stacked
縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された It formed on at least one major surface and internal edges of the substrate
複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁 A plurality of wiring patterns, a plurality of electrically insulating said stacked
性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続され It is electrically connected to the wiring pattern is embedded in the sexual substrate
た回路部品とを含み、前記回路部品と前記配線パターン And a circuit component was, the wiring pattern and the circuit component
とが導電性接着剤を介して電気的に接続されている。 Are electrically connected via a are conductively adhesive. Or
た、本発明の別の回路部品内蔵モジュールは、無機フィ And another circuit component built-in module of the present invention, inorganic Fi
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された Laminated composed of a mixture comprising a color and a thermosetting resin
複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶 A plurality of electrically insulating substrate, a plurality of electrical insulation that the stacked
縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された It formed on at least one major surface and internal edges of the substrate
複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁 A plurality of wiring patterns, a plurality of electrically insulating said stacked
性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続され It is electrically connected to the wiring pattern is embedded in the sexual substrate
た回路部品とを含み、前記回路部品と前記配線パターン And a circuit component was, the wiring pattern and the circuit component
とがバ ンプを介して電気的に接続されている。 It is electrically connected via the Togaba amplifier. また、本 In addition, the present
発明の別の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラー7 Another circuit component built-in module of the invention, the inorganic filler 7
0重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物か 0 or mixture comprising 95% by weight and a thermosetting resin
らなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記積層さ A plurality of electrically insulating substrates which are Ranaru laminated, the laminated of
れた複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面及び At least one major surface and a plurality of electrically insulating substrates
内部に形成された複数の配線パターンと、前記積層され A plurality of wiring patterns formed therein, the said laminated
た複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに It said wiring pattern is embedded into a plurality of electrically insulating substrate
実装された回路部品と、を含む。 Including a mounted circuit components, a. 【0008】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板内に形成されるインナービアによってインナービアホール接続が行われるため、高密度に回路部品を実装することができる。 [0008] In the circuit component built-in module, because the inner via formed in the electrically insulating substrate is an inner via hole connection is performed, it is possible to mount circuit components with high density. また、回路部品から発生する熱が、無機フィラーによって速やかに放熱されるため、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。 Also, heat generated from the circuit component, to be rapidly radiated by an inorganic filler, a high circuit component built-in module reliability. さらに、無機フィラーを選択することによって、内蔵する回路部品にあわせて電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率、絶縁耐圧等を変化させることができる。 Further, by selecting the inorganic filler, the thermal conductivity of the electrically insulating substrate in accordance with the circuit component built, linear expansion coefficient, dielectric constant, it is possible to change the breakdown voltage or the like. また、半導体素子およびチップコンデンサを含む回路部品内蔵モジュールでは、半導体素子とチップコンデンサとの距離を短くすることによって、電気信号のノイズを低減することができる。 Further, in the circuit component built-in module that includes a semiconductor device and a chip capacitor, by shortening the distance between the semiconductor element and the chip capacitor, it is possible to reduce the noise of the electric signal. 【0009】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンは、電気絶縁性基板の主面および内部に形成されていることが好ましい。 [0009] In the circuit component built-in module, the wiring pattern is preferably formed on the main surface and inside of the electrically insulating substrate. 配線パターンを多層構造とすることによって、さらに高密度に回路部品を実装することができる。 By a multi-layer structure of the wiring pattern, it is possible to implement a higher density circuit components. 【0010】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部品は能動部品を含み、インナービアは導電性樹脂組成物からなることが好ましい。 [0010] In the circuit component built-in module, the circuit component includes an active component, the inner via is preferably formed of a conductive resin composition. 回路部品が能動部品を含むことによって所望の機能をもった回路部品を形成することができる。 It is possible to form a circuit component having a desired function by circuit components including active components. また、インナービアが導電性樹脂組成物からなる場合は、製造が容易になる。 Further, if the inner via is formed of a conductive resin composition, manufacturing is facilitated. 【0011】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部品が、電気絶縁性基板によって外気から遮断されていることが好ましい。 [0011] In the circuit component built-in module, the circuit component, which is preferably isolated from the atmosphere by an electrically insulating substrate. 回路部品が外気から遮断されることによって、湿度による回路部品の信頼性低下を防止できる。 By the circuit component is cut off from the outside air can be prevented and the reliability decrease in circuit components due to humidity. 【0012】上記回路部品内蔵モジュールでは、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。 [0012] In the circuit component built-in module, the thermosetting resin is an epoxy resin preferably contains at least one thermosetting resin selected from phenolic resins and cyanate resins. これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。 These resins are because excellent heat resistance and electrical insulating properties. 【0013】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーが、Al 23 、MgO、BN、AlNおよびSi [0013] In the circuit component built-in module, the inorganic filler, Al 2 O 3, MgO, BN, AlN and Si
2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含むことが好ましい。 Preferably contains at least one inorganic filler selected from the O 2. これらの無機フィラーを用いることによって、放熱性に優れた電気絶縁性基板が得られる。 By using these inorganic fillers, excellent electrical insulating substrate to heat radiation is obtained. また、無機フィラーとしてMgOを用いた場合は、電気絶縁性基板の線膨張係数を大きくすることができる。 Further, in the case of using MgO as the inorganic filler, it is possible to increase the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate. また、無機フィラーとしてSiO 2 (特に非晶質SiO 2 Further, SiO 2 as the inorganic filler (in particular amorphous SiO 2)
を用いた場合は、電気絶縁性基板の誘電率を小さくすることができる。 In the case of using, it is possible to reduce the dielectric constant of the electrically insulating substrate. また、無機フィラーとしてBNを用いた場合は、線膨張係数を低くすることができる。 In the case of using the BN as the inorganic filler, it is possible to lower the coefficient of linear expansion. 【0014】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーの平均粒子径が0.1μm〜100μmであることが好ましい。 [0014] In the circuit component built-in module, it is preferable that the average particle diameter of the inorganic filler is approximately 0.1-100 [mu] m. 上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンが銅を含むことが好ましい。 In the circuit component built-in module, it is preferable that the wiring pattern comprises copper. 銅は電気抵抗が小さいため、微細な配線パターンを形成することができる。 Copper electric resistance is small, it is possible to form a fine wiring pattern. 【0015】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンが導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。 [0015] In the circuit component built-in module, it is preferable that the wiring pattern comprises a conductive resin composition. 導電性樹脂組成物を用いることによって、配線パターンを容易に形成することができる。 By using a conductive resin composition, a wiring pattern can be easily formed. 【0016】上記回路部品内蔵モジュールでは、能動部品は半導体ベアーチップを含み、半導体ベアーチップは配線パターンにフリップチップボンディングされていることが好ましい。 [0016] In the circuit component built-in module, the active component comprises a semiconductor bare chip, a semiconductor bare chip which is preferably flip-chip bonded to the wiring pattern. 【0017】上記回路部品内蔵モジュールでは、導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含むことが好ましい。 [0017] In the circuit component built-in module, the conductive resin composition, gold, silver, metal particles including one metal selected from copper and nickel include as a conductive component, may contain an epoxy resin as a resin component preferable. 上記金属は電気抵抗が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。 The metal has a low electric resistance, also, the epoxy resin is from is excellent in heat resistance and electrical insulating properties. 【0018】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなることが好ましい。 [0018] In the circuit component built-in module, the wiring pattern is preferably formed of a lead frame of metal plate formed by etching or stamping. 金属板のリードフレームは、電気抵抗が低いからである。 Lead frame of the metal plate is that the electrical resistance is low. エッチング法を用いることによって、微細なパターンの配線パターンを形成することができる。 By using the etching method, it is possible to form a wiring pattern of a fine pattern. 打ち抜き法を用いることによって、簡易な設備で配線パターンを形成することができる。 By using the punching method, it is possible to form the wiring patterns with simple equipment. 【0019】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。 [0019] In the circuit component built-in module, the circuit component, the chip-shaped resistance preferably contains at least one component selected from the chip-shaped capacitor and a chip-shaped inductor. チップ状の部品を用いることによって、電気絶縁性基板に容易に埋設することができる。 By using a chip-like component, it can be easily embedded in the insulating substrate. 【0020】上記回路部品内蔵モジュールでは、混合物は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含むことが望ましい。 [0020] In the circuit component built-in module, mixture, dispersing agents, coloring agents, it is desirable to further comprise at least one additive selected from the coupling agents and release agents. 分散剤によって、熱硬化性樹脂中の無機フィラーを均一性よく分散させることができる。 By a dispersant can be an inorganic filler in the thermosetting resin uniformly with good dispersing. 着色剤によって、電気絶縁性基板を着色することができるため、回路部品内蔵モジュールの放熱性をよくすることができる。 The colorant, since the electrical insulating substrate can be colored, it is possible to improve the heat dissipation of the circuit component built-in module.
カップリング剤によって、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの接着強度を高くすることができるため、電気絶縁性基板の絶縁性を向上できる。 The coupling agent, it is possible to increase the adhesive strength between the thermosetting resin and an inorganic filler, can improve the insulating property of the insulating substrate. 離型剤によって、金型と混合物との離型性を向上できるため、生産性を向上できる。 The release agent, because it can improve the releasability of the mold with the mixture, the productivity can be improved. 【0021】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板の線膨張係数が8×10 -6 /℃〜20×10 -6 [0021] The circuit components in the built-in module, the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate is 8 × 10 -6 / ℃ ~20 × 10 -6
/℃であり、かつ電気絶縁性基板の熱伝導度が1w/m A / ° C., and the thermal conductivity of the electrically insulating substrate 1 w / m
K〜10w/mKであることが好ましい。 It is preferable that the K~10w / mK. セラミック基板に近い熱伝導度が得られ、放熱性に富む基板が得られるからである。 Thermal conductivity is obtained close to the ceramic substrate, because the substrate rich in heat dissipation is obtained. 【0022】本発明の第1の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%(混合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、第1の銅箔の一主面に回路部品を実装する工程と、第1の銅箔の一主面上に、第2の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に第2の銅箔を重ねて加圧することによって、回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、第3の板状体を加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させる工程と、第1および第2の銅箔を加工して配線パターンを形成する The manufacturing method of the first circuit component built-in module of the present invention, a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight thermosetting resin in an uncured state and (relative to the mixture), the through-hole a step of processing the first plate-shaped member having a second plate member which thermosetting conductive substance is filled in the through holes by filling the thermosetting conductive substance in the through-hole forming, a step of mounting the circuit component on one major surface of a first copper foil, on one principal surface of a first copper foil, overlaid in alignment with the second plate member, further the by pressurizing overlapping the second copper foil above, a step of forming a third plate member which circuit components are embedded, by heating the third plate member, a thermosetting resin and curing the conductive material, by processing the first and second copper foil to form a wiring pattern 程とを含む。 And a degree. 上記第1の製造方法によれば、本発明の回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 According to the first manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module of the present invention. 【0023】本発明の第2の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%(混合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第2の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、第1の離型フィルムと第2の板状体と第2の離型フィルムとを配線パターンが第2の板状体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と The manufacturing method of the second circuit component built-in module of the present invention, a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight thermosetting resin in an uncured state and (relative to the mixture), the through-hole a step of processing the first plate-shaped member having a second plate member which thermosetting conductive substance is filled in the through holes by filling the thermosetting conductive substance in the through-hole forming first forming a wiring pattern on one main surface of the release film to form a step of mounting the circuit component on the wiring pattern, the wiring pattern on one main surface of the second release film process and, the first release film and a second plate member and the second release film and a wiring pattern is pressed superimposed in registration with the order to face the second plate side forming a third plate member which is embedded circuit components by 第3の板状体を加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させる工程と、第1および第2の離型フィルムを硬化した第3の板状体から剥離する工程とを含む。 By heating the third plate member, and curing the thermosetting resin and the conductive material, and a step of peeling the third plate-like body formed by curing a first and second release film including. 【0024】上記第2の製造方法によれば、本発明の回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 According to the second manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module of the present invention.
本発明の第3の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、 Manufacturing method of the third circuit component built-in module of the present invention,
多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、無機フィラー70重量%〜95重量%(混合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第1の離型フィルムの一主面側に、第2の板状体を位置合わせして重ね、加圧することによって回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、第1 A method of manufacturing a circuit component built-in module having a multilayered structure, a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight thermosetting resin in an uncured state and (relative to the mixture), a has a through hole forming a step of processing the first plate member, a second plate member which thermosetting conductive substance is filled in the through holes by filling the thermosetting conductive substance in the through-hole When, a wiring pattern formed on one surface of the first release film, a step of mounting the circuit component on the wiring pattern, on one main surface side of the first release film, the second plate-like member forming a third plate member which is embedded circuit component by applying combined with Again, pressurized position, first
の離型フィルムを第3の板状体から剥離することによって第4の板状体を形成する工程と、複数の第4の板状体を位置合わせして重ね、さらに一主面に配線パターンが形成された第2の離型フィルムを配線パターンが第4の板状体側を向くように位置合わせして重ねて加圧し加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させて多層構造を有する第5の板状体を形成する工程と、第2の離型フィルムを第5の板状体から剥離する工程とを含むことを特徴とする。 Forming a fourth plate member by peeling the release film from the third plate-shaped member, superimposed by aligning a plurality of fourth plate-like body, further wiring on a main surface pattern multiple layers but by second release film wiring pattern is aligned to overlap with pressurized heated to face fourth plate side formed to cure the thermosetting resin and the conductive material It characterized in that it comprises a step of forming a fifth plate member having a structure, and a step of peeling the second release film from the fifth plate-like body. 【0025】上記第3の製造方法によれば、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 According to the third manufacturing method, it is possible to easily manufacture the circuit component built-in module having a multilayered structure of the present invention. 本発明の第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、無機フィラー70重量%〜9 Manufacturing method of the fourth circuit component built-in module of the present invention is a method for producing a circuit component built-in module having a multilayered structure, an inorganic filler 70% by weight to 9
5重量%(混合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成して配線パターン上に回路部品を実装する工程と、第1の離型フィルムの一主面側に、第2の板状体を位置合わせして重ねて加圧することによって、回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、第1の離型フィルムを第3の板状体から剥離することによって第4の板状体を形成する工程と、 5 wt% of the mixture comprising (mixture relative) and a thermosetting resin in an uncured state, step a, thermosetting conductive substance into a through hole is processed into the first plate-like member having a through hole a step of thermosetting conductive material forms a second plate member which is filled in the through holes by filling the wiring to form a wiring pattern on one surface of the first release film pattern a step of mounting the circuit component on, on one main surface side of the first release film, by pressing superimposed by aligning the second plate member, a third of the circuit component is buried forming a plate-like body, and forming a fourth plate member by peeling the first release film from the third plate-shaped body,
複数の第4の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させて多層構造を有する第5の板状体を形成する工程と、第5の板状体の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。 Again aligning the plurality of fourth plate-like body, further by pressurizing heating superimposed copper foil thereon, the fifth having a multilayer structure by curing the thermosetting resin and the conductive material characterized in that it comprises a step of forming a plate-like body, and forming a processed wiring pattern of copper foil of the fifth plate-like body. 【0026】上記第4の製造方法によれば、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 [0026] According to the fourth manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module having a multilayered structure of the present invention. 上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品は能動部品を含み、 In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the circuit component includes an active component,
導電性物質は導電性樹脂組成物からなることが好ましい。 Conductive material is preferably made of a conductive resin composition. 回路部品が能動部品を含むことによって所望の機能をもった回路部品を形成することができる。 It is possible to form a circuit component having a desired function by circuit components including active components. また、導電性物質が導電性樹脂組成物からなる場合は、貫通孔への充填および硬化が容易であるため、製造が容易になる。 Further, when the conductive material is formed of a conductive resin composition, it is easy filling and curing of the through-holes, production is facilitated. 【0027】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、銅箔または配線パターンに回路部品を実装した後、銅箔または配線パターンと回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ましい。 [0027] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, after mounting the circuit component on the foil or the wiring pattern, injecting a sealing resin between the copper foil or the wiring pattern and the circuit components preferably further comprising the step. この工程によって、回路部品と配線パターンとの間に空間が形成されることを防止することができ、また、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすることができる。 This step can be prevented that the space is formed between the circuit component and the wiring pattern, also, it is possible to strengthen the connection between the circuit component and the wiring pattern. 【0028】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を加熱して硬化させる際の温度が150℃以上260℃以下であることが好ましい。 [0028] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, it is preferable that the temperature at which heating and curing the thermosetting resin and the conductive material is 260 ° C. or less 0.99 ° C. or higher. この温度範囲で加熱することによって、回路部品に大きなダメージを与えることなく熱硬化性樹脂を硬化することができる。 By heating in this temperature range, it is possible to cure the thermosetting resin without greatly damaging the circuit components. 【0029】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を加熱して硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm [0029] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, when heating and curing the thermosetting resin and the conductive material, while heating 10 kg / cm
2 〜200kg/cm 2の圧力で加圧することが好ましい。 It is preferred to pressurize a pressure of 2 ~200kg / cm 2. 加熱しながら加圧することで、機械的強度に優れた回路部品内蔵モジュールが得られる。 By pressurizing with heating, the circuit component built-in module having excellent mechanical strength is obtained. 【0030】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、第1の板状体を形成する工程が、 [0030] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the step of forming the first plate-like body,
混合物を板状に成型した後、板状の混合物を熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度(たとえば、硬化開始温度より低い温度)で熱処理することによって、板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。 The mixture was molded into a plate shape by heat-treating the plate-like mixture at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin (e.g., a temperature lower than the curing initiation temperature), the loss of tackiness of the plate-like mixture preferably includes the step. 板状の混合物の粘着性を失わせることによって、その後の工程が容易になるからである。 By losing the adhesion of the plate-like mixture, because the subsequent step is facilitated. 【0031】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品を第2の板状体に埋設することによって第3の板状体を形成する工程を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行うことが好ましい。 [0031] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the step of forming the third plate member by embedding the circuit components on the second plate-like member, a thermosetting resin it is preferably carried out under less than the curing temperature. 熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で工程を行うことによって、熱硬化性樹脂を硬化させることなく軟化させることができるため、回路部品を第2の板状体に埋設することが容易となり、また、回路部品内蔵モジュールの表面を平滑にすることができる。 By performing the process at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, it is possible to soften without curing the thermosetting resin, it is easy to embed the circuit component to the second plate body in addition, it is possible to smooth the surface of the circuit component built-in module. 【0032】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品を銅箔または配線パターンに実装する工程は、回路部品と銅箔または配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなることが好ましい。 [0032] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the step of mounting the circuit component on a copper foil or the wiring pattern, electrical and mechanical and circuit component and a copper foil or the wiring pattern by soldering it is preferably made of a step of connecting to. 上記工程によれば、熱硬化性樹脂を硬化させるために加熱を行う際に、加熱によって回路部品と配線パターンとの接続不良が発生することを防止できる。 According to the above process, when performing the heating for curing the thermosetting resin, it is possible to prevent the connection failure occurs between the circuit component and the wiring pattern by heating. 【0033】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、 回路部品を銅箔または配線パターンに実装する際に、 回路部品の金バンプと銅箔または配<br>線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続することが好ましい。 [0033] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, when implementing the circuit component in the copper foil or the wiring pattern, and a gold bump and the copper foil or distribution <br> line pattern of the circuit components it is preferable to electrically connect the conductive adhesive. 導電性接着剤を用いることによって、 By using a conductive adhesive,
後の工程で加熱する際に、接続不良や部品の位置ずれが起こることを防止できる。 Upon heating in a later step, it is possible to prevent the positional deviation of the connection failure and parts occurs. 【0034】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、 [0034] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the thermosetting resin is an epoxy resin,
フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。 Preferably contains at least one thermosetting resin selected from phenolic resins and cyanate resins. これらの樹脂は、耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。 These resins is because excellent heat resistance and electrical insulating properties. 【0035】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、無機フィラーがAl 23 、Mg [0035] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the inorganic filler is Al 2 O 3, Mg
O、BN、AlNおよびSiO 2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含むことが好ましい。 O, BN, preferably contains at least one inorganic filler selected from AlN and SiO 2. これらの無機フィラーを用いることによって、放熱性に優れた電気絶縁性基板が得られる。 By using these inorganic fillers, excellent electrical insulating substrate to heat radiation is obtained. また、無機フィラーとしてM Further, M as an inorganic filler
gOを用いた場合は、電気絶縁性基板の線膨張係数を大きくすることができる。 When using gO, it is possible to increase the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate. また、無機フィラーとしてSi Further, Si as an inorganic filler
2 (特に非晶質SiO 2 )を用いた場合は、電気絶縁性基板の誘電率を小さくすることができる。 O 2 (especially amorphous SiO 2) When using, it is possible to reduce the dielectric constant of the electrically insulating substrate. また、無機フィラーとしてBNを用いた場合は、線膨張係数を低くすることができる。 In the case of using the BN as the inorganic filler, it is possible to lower the coefficient of linear expansion. 【0036】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンが、銅を含むことが好ましい。 [0036] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the wiring patterns preferably contains copper. 銅は電気抵抗が小さいため、微細な配線パターンを形成することができるからである。 Copper electric resistance is small, it is possible to form a fine wiring pattern. 【0037】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンが、導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。 [0037] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the wiring pattern preferably contains a conductive resin composition. 導電性樹脂組成物を用いることによって、配線パターンを容易に形成することができる。 By using a conductive resin composition, a wiring pattern can be easily formed. 【0038】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品が半導体ベアーチップを含み、半導体ベアーチップは配線パターンにフリップチップボンディングされていることが好ましい。 [0038] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module includes a circuit component semiconductor bare chip, a semiconductor bare chip which is preferably flip-chip bonded to the wiring pattern. 半導体ベアーチップをフリップチップボンディングすることによって、高密度に半導体素子を実装することができる。 By flip-chip bonding the semiconductor bare chip, it is possible to mount the semiconductor device at high density. 【0039】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含むことが好ましい。 [0039] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the conductive resin composition comprises, gold, silver, as the conductive component metal particles containing at least one metal selected from copper and nickel preferably contains an epoxy resin as a resin component. 上記金属は電気抵抗が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れているからである。 The metal has a low electric resistance, also, the epoxy resin is from is excellent in heat resistance and electrical insulating properties. 【0040】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなることが好ましい。 [0040] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the wiring pattern is preferably formed of a lead frame of metal plate formed by etching or stamping. 金属板のリードフレームは、電気抵抗が低いからである。 Lead frame of the metal plate is that the electrical resistance is low. エッチング法を用いることによって、微細なパターンの配線パターンを形成することができる。 By using the etching method, it is possible to form a wiring pattern of a fine pattern. 打ち抜き法を用いることによって、簡易な設備で配線パターンを形成することができる。 By using the punching method, it is possible to form the wiring patterns with simple equipment. 【0041】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。 [0041] In the first to fourth method for fabricating the circuit component built-in module, the circuit component, the chip-shaped resistance preferably contains at least one component selected from the chip-shaped capacitor and a chip-shaped inductor. チップ状の部品を用いることによって、電気絶縁性基板に部品を容易に埋設することができる。 By using a chip-like component, it can be an electrically insulating substrate easily embedded component. 【0042】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の実施の形態の一例について説明する。 [0042] PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the drawings to describe an example embodiment of the present invention. (実施形態1)この実施形態1は、本発明の回路部品内蔵モジュールの一例であり、図1は、この実施形態の回路部品内蔵モジュール100の斜視断面図である。 (Embodiment 1) Embodiment 1 is an example of a circuit component built-in module of the present invention, FIG. 1 is a perspective cross-sectional view of a circuit component built-in module 100 of this embodiment. 【0043】図1を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール100は、電気絶縁性基板101と、電気絶縁性基板101の一主面および他主面に形成された配線パターン102aおよび102bと、配線パターン102bに接続され電気絶縁性基板101の内部に配置された回路部品103と、配線パターン102aおよび102bを電気的に接続するインナービア104とを含む。 [0043] Referring to FIG. 1, the circuit component built-in module 100 of this embodiment includes an electrically insulating substrate 101, electrically insulating the one main surface and another main surface which is formed on the wiring patterns 102a and 102b of the substrate 101 If, it includes a circuit component 103 arranged in the interior of the electrically insulating substrate 101 is connected to the wiring pattern 102b, and an inner via 104 for electrically connecting the wiring patterns 102a and 102b. 【0044】電気絶縁性基板101は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。 The electrically insulating substrate 101 is made of a mixture comprising an inorganic filler and a thermosetting resin. 無機フィラーには、たとえば、Al 23 、MgO、BN、AlNまたはSiO 2などを用いることができる。 The inorganic filler, for example, Al 2 O 3, MgO, BN, AlN or the like, or SiO 2 can be used. 無機フィラーは、 Inorganic filler,
混合物に対して70重量%から95重量%であることが好ましい。 It is preferred from 70 wt% 95 wt% relative to the mixture. 無機フィラーの平均粒子径は、0.1μm〜 The average particle diameter of the inorganic filler, 0.1 m to
100μm以下であることが好ましい。 It is preferably 100μm or less. 熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。 Thermosetting resins, for example, high heat resistance epoxy resin, phenol resin or a cyanate resin. エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。 Epoxy resins are particularly preferred for particularly high heat resistance. なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。 Incidentally, mixture further dispersing agents, coloring agents, may also contain a coupling agent or a releasing agent. 【0045】配線パターン102aおよび102bは、 The wiring patterns 102a and 102b,
電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導電性樹脂組成物からなる。 Made of a material having electrical conductivity, for example, a copper foil or a conductive resin composition. 配線パターンとして銅箔を用いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ18μm〜35μm程度の銅箔が使用できる。 When using a copper foil as the wiring pattern, for example, copper foil having a thickness of about 18μm~35μm formed by electrolytic plating may be used. 銅箔は、 Copper foil,
電気絶縁性基板101との接着性を向上させるため、電気絶縁性基板101と接触する面を粗化することが望ましい。 To improve the adhesion between the insulating substrate 101, it is desirable to roughen the surface in contact with the insulating substrate 101. また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のため、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用してもよい。 Further, the copper foil for adhesion and oxidation resistance improvement, that the copper foil surface coupling treatment or may be used which tin, zinc or nickel is plated on the copper foil surface. また、配線パターン102aおよび102bには、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。 Further, the wiring patterns 102a and 102b may be used a lead frame of etching or metal plate formed by stamping. 【0046】回路部品103は、たとえば、能動部品1 The circuit component 103 is, for example, the active component 1
03aおよび受動部品103bを含む。 Including 03a and passive component 103b. 能動部品103 Active component 103
aとしては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIなどの半導体素子が用いられる。 The a, for example, transistors, IC, a semiconductor element such as LSI used. 半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。 The semiconductor device may be a semiconductor bare chip. 受動部品103bとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。 The passive component 103b, chip-like resistor, a chip-shaped capacitor or a chip-shaped inductor is used. なお、回路部品10 In addition, the circuit component 10
3は、受動部品103bを含まない場合であってもよい。 3 may be a case which does not include the passive component 103b. 【0047】配線パターン102bと能動部品103a The wiring pattern 102b and the active component 103a
との接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。 The connection between, for example, flip chip bonding is used. インナービア104は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。 Inner via 104, for example, a thermosetting conductive substance. 熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。 The thermosetting conductive substance, for example, can be a conductive resin composition obtained by mixing the metal particles and a thermosetting resin. 金属粒子としては、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。 As the metal particles, gold, silver, copper or nickel can be used. 金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。 Gold, silver, copper or nickel, preferably has high electrical conductivity, copper is particularly preferred because even a small increase migration conductive. 熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。 As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin or a cyanate resin. エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。 Epoxy resins are particularly preferred because of its high heat resistance. 【0048】この実施形態1に示した回路部品内蔵モジュール100では、配線パターン102aと配線パターン102bとが、電気絶縁性基板101の貫通孔に充填されたインナービア104によって接続される。 [0048] In the circuit component built-in module 100 shown in this embodiment 1, the wiring pattern 102a and the wiring pattern 102b are connected by been inner via 104 filled in the through hole of the insulating substrate 101. したがって、回路部品内蔵モジュール100では、高密度に回路部品103を実装することができる。 Thus, in the circuit component built-in module 100 can implement the circuit component 103 at a high density. 【0049】また、回路部品内蔵モジュール100では、電気絶縁性基板101に含まれる無機フィラーによって回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。 [0049] Further, in the circuit component built-in module 100, the heat generated in the circuit component with the inorganic filler contained in the electrically insulating substrate 101 is rapidly conducted. したがって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。 Therefore, a highly reliable circuit component built-in module is obtained. 【0050】また、回路部品内蔵モジュール100では、電気絶縁性基板101に用いる無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板101の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。 [0050] Further, in the circuit component built-in module 100, by selecting the inorganic filler used in the electrical insulating substrate 101, the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate 101, thermal conductivity, be easily controlling the dielectric constant can. 電気絶縁性基板101の線膨張係数を半導体素子と略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。 When substantially equal coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate 101 and the semiconductor element, it is possible to prevent the generation of cracks, etc. due to a temperature change, high circuit component built-in module reliability. 電気絶縁性基板101の熱伝導性を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合にも、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。 When improving the thermal conductivity of the insulating substrate 101, even when implementing the high density circuit components, a highly reliable circuit component built-in module is obtained.
電気絶縁性基板101の誘電率を低くすることによって、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られる。 By lowering the dielectric constant of the electrically insulating substrate 101, it is less high-frequency circuit module dielectric loss obtained. 【0051】また、回路部品内蔵モジュール100では、電気絶縁性基板101によって回路部品103を外気から遮断することができるため、湿度による信頼性低下を防止することができる。 [0051] Further, in the circuit component built-in module 100, it is possible to break the circuit components 103 from the outside air by the insulating substrate 101, it is possible to prevent the reduction in reliability due to humidity. 【0052】また、本発明の回路部品内蔵モジュール1 [0052] In addition, the circuit of the present invention component built-in module 1
00は、電気絶縁性基板101の材料として、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が容易である。 00, as the material of the electrically insulating substrate 101, the use of a mixture of inorganic filler and a thermosetting resin, unlike the ceramic substrate, it is easy to manufacture need of baking at high temperatures. 【0053】なお、図1に示した回路部品内蔵モジュール100では、配線パターン102aが電気絶縁性基板101に埋設されていない場合を示したが、配線パターン102aが電気絶縁性基板101に埋設されていてもよい(図3(h)参照)。 [0053] In the circuit component built-in module 100 shown in FIG. 1, there is shown the case where the wiring patterns 102a is not buried in the electrically insulating substrate 101, wiring patterns 102a is not buried in the electrically insulating substrate 101 which may be (see FIG. 3 (h)). 【0054】また、図1に示した回路部品内蔵モジュール100では、配線パターン102a上に回路部品が実装されていない場合を示したが、配線パターン102a [0054] Further, in the circuit component built-in module 100 shown in FIG. 1, although the circuit component on the wiring pattern 102a is shown a case that is not implemented, the wiring patterns 102a
上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モジュールを樹脂モールドしてもよい(以下の実施形態において同様である)。 May be mounted circuit components above (the same in the following embodiments) further circuit component built-in module may be molded with resin. 配線パターン102a上に回路部品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を実装できる。 By mounting the circuit component on the wiring pattern 102a, it can be more densely packed circuit components. 【0055】(実施形態2)この実施形態2では、図1 [0055] (Embodiment 2) In Embodiment 2, FIG. 1
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。 An embodiment of a method for producing a circuit component built-in module shown in explaining. 実施形態2で用いられる材料および回路部品は、実施形態1で説明したものである。 Materials and the circuit components used in Embodiment 2 are those described in Embodiment 1. 【0056】図2(a)〜(h)は回路部品内蔵モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。 [0056] FIG. 2 (a) ~ (h) is a cross-sectional view showing an embodiment of a manufacturing process of the circuit component built-in module. まず、図2(a)に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物200を形成する。 First, as shown in FIG. 2 (a), to form a mixture 200 of the plate by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. 板状の混合物200は、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型することによって形成することができる。 Mixture 200 of the plate is a mixture of a thermosetting resin of the inorganic filler and unhardened a paste kneaded mixture may be formed by molding the pasty kneaded mixture at a constant thickness. 【0057】なお、板状の混合物200を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。 [0057] Incidentally, a mixture 200 of the plate, at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin may be heat-treated. 熱処理をすることによって、混合物200の可撓性を維持しながら粘着性を除去することができるため、その後の処理が容易になる。 By the heat treatment, it is possible to remove a flexible adhesive while maintaining the mixture 200, the subsequent process becomes easy. また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤の一部を除去することができる。 Further, the mixture was dissolved a thermosetting resin by a solvent, by the heat treatment, it is possible to remove some of the solvent. 【0058】その後、図2(b)に示すように、混合物200の所望の位置に貫通孔201を形成することによって、貫通孔201が形成された板状体を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 2 (b), by forming a through hole 201 in a desired position of the mixture 200 to form a through-hole 201 is formed plate-like body. 貫通孔201は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加工または金型による加工で形成することができる。 Through holes 201, for example, it can be formed by processing by the laser processing, drilling, or die processing. レーザ加工は、微細なピッチで貫通孔201を形成することができ、削り屑が発生しないため好ましい。 Laser processing can form a through hole 201 at a fine pitch it is preferable because shavings do not occur. レーザ加工では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工が容易である。 In the laser processing, it is easy using the processing carbon dioxide laser or excimer laser. なお、貫通孔201は、ペースト状混練物を成型して板状の混合物200を形成する際に、同時に形成してもよい。 The through-hole 201, in forming a mixture 200 plate-shaped by molding a paste kneaded mixture may be formed at the same time. 【0059】その後、図2(c)に示すように、貫通孔201に導電性樹脂組成物202を充填することによって、貫通孔201に導電性樹脂組成物202が充填された板状体を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 2 (c), by filling a conductive resin composition 202 into the through-hole 201, forming a plate-like body conductive resin composition 202 is filled in the through-hole 201 to. 【0060】図2(a)〜(c)の工程と平行して、図2(d)に示すように、銅箔203に回路部品204をフリップチップボンディングする。 [0060] In parallel with the process of FIG. 2 (a) ~ (c), as shown in FIG. 2 (d), flip-chip bonding the circuit component 204 to the copper foil 203. 回路部品204は、 Circuit parts 204,
導電性接着剤205を介して銅箔203と電気的に接続されている。 Through a conductive adhesive 205 is electrically connected to the copper foil 203. 導電性接着剤205には、たとえば、金、 The conductive adhesive 205, for example, gold,
銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものが使用できる。 Silver, copper, silver - and palladium alloy which was kneaded with a thermosetting resin. また、導電性接着剤205の代わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまたは半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、 Further, instead of the conductive adhesive 205, previously formed on the circuit component side bump by bump or solder produced a gold wire bonding method,
熱処理によって金または半田の溶解して回路部品204 Circuit component 204 are dissolved gold or solder by a heat treatment
を実装することも可能である。 It is also possible to implement. さらに、半田バンプと導電性接着剤とを併用することも可能である。 Furthermore, it is also possible to use a solder bump and a conductive adhesive. 【0061】なお、銅箔203に実装した回路部品20 [0061] It should be noted that the circuit parts 20 mounted on the copper foil 203
4と銅箔203との間に封止樹脂を注入してもよい(以下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入してもよいことは同様である)。 4 and in the embodiment of which may be injected sealing resin (hereinafter between the copper foil 203, by injecting a sealing resin between or between circuit components between the circuit component and the copper foil and the wiring pattern also it may of the same). 封止樹脂の注入によって、後の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止することができる。 By injection of the sealing resin, when burying the semiconductor element in a later step in the plate-like body, it is possible to prevent the gap is formed between the semiconductor element and the wiring pattern. 封止樹脂には通常のフリップチップボンディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いることができる。 The sealing resin may be used underfill resin used for ordinary flip chip bonding. 【0062】図2(a)〜(c)の工程と平行して、銅箔206を形成する。 [0062] In parallel with the process of FIG. 2 (a) ~ (c), to form a copper foil 206. その後、図2(f)に示すように、回路部品204を実装した銅箔203、図2(c) Thereafter, as shown in FIG. 2 (f), the copper foil 203 was mounted circuit components 204, and FIG. 2 (c)
の板状体および銅箔206を位置合わせして重ねる。 Plate-like body of and superimposed by aligning the copper foil 206. 【0063】その後、図2(g)に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧することによって回路部品2 [0063] Thereafter, as shown in FIG. 2 (g), circuit by pressurizing an overlay by aligning components 2
04が埋設された板状体を形成した後、これを加熱することによって、混合物200および導電性樹脂組成物2 After 04 to form a buried plate body, by heating the mixture 200 and the conductive resin composition 2
02中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品204が埋設された板状体を形成する。 The thermosetting resin in 02 cured to form a circuit component 204 is buried plate body. 加熱は、混合物200および導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば150℃〜260℃)で行い、混合物200は電気絶縁性基板207となり、導電性樹脂組成物はインナービア208となる。 Heating is carried out with a mixture 200 and the conductive resin composition 202 temperature above the temperature at which the thermosetting resin is cured in (eg 0.99 ° C. to 260 ° C.), the mixture 200 becomes electrically insulating substrate 207, the conductive resin composition thing is the inner via 208. この工程によって、銅箔203および206と回路部品204と電気絶縁性基板207とが機械的に強固に接着する。 This step and the copper foil 203 and 206 and the circuit components 204 and the insulating substrate 207 is mechanically firmly bonded. また、インナービア208によって、銅箔203および2 Further, the inner via 208, the copper foil 203 and 2
06が電気的に接続される。 06 are electrically connected. なお、加熱によって混合物200および導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂を硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm 2 〜2 At the time of curing the thermosetting resin in the mixture 200 and the conductive resin composition 202 by heating, while heating 10 kg / cm 2 to 2
00kg/cm 2の圧力で加圧することによって、回路部品モジュールの機械的強度を向上させることができる(以下の実施形態において同様である)。 By pressing at a pressure of 00kg / cm 2, (the same in the following embodiments) the mechanical strength can be improved in the circuit component module. 【0064】その後、図2(h)に示すように、銅箔2 [0064] Thereafter, as shown in FIG. 2 (h), the copper foil 2
03および206を加工することによって配線パターン209および210を形成する。 03 and 206 to form a wiring pattern 209 and 210 by processing. このようにして、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。 In this manner, the circuit component built-in module as described in Embodiment 1 is formed. 上記製造方法によれば、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 According to the above manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module as described in Embodiment 1. 【0065】なお、実施形態2では、貫通孔201に充填する導電性物質として導電性樹脂組成物202を用いたが、熱硬化性の導電性物質であればよい(以下の実施形態において同様である)。 [0065] In the embodiment 2, similar in but using the conductive resin composition 202 as the conductive material, if thermosetting conductive substance may (following embodiments to be filled in the through hole 201 is there). 【0066】(実施形態3)この実施形態3では、図1 [0066] (Embodiment 3) In Embodiment 3, FIG. 1
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。 Of another embodiment of a method for producing a circuit component built-in module shown in explaining. 実施形態3で用いられる材料および回路部品は、実施形態1で説明したものである。 Materials and the circuit components used in Embodiment 3 are those described in Embodiment 1. 【0067】図3(a)〜(h)は、実施形態3における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。 [0067] FIG. 3 (a) ~ (h) are cross-sectional views showing a manufacturing process of the circuit component built-in module in Embodiment 3. まず、図3(a)に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物300を形成する。 First, as shown in FIG. 3 (a), to form a mixture 300 of the plate by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. この工程は図2(a)と同様であるため、重複する説明は省略する。 This step is the same as FIG. 2 (a), the description thereof is omitted. 【0068】その後、図3(b)に示すように、混合物300の所望の位置に、貫通孔301を形成する。 [0068] Thereafter, as shown in FIG. 3 (b), the desired position of the mixture 300 to form the through hole 301. この工程は図2(b)と同様であるため、重複する説明は省略する。 This step is the same as FIG. 2 (b), the description thereof is omitted. 【0069】その後、図3(c)に示すように、貫通孔301に導電性樹脂組成物302を充填することによって、貫通孔301に導電性樹脂組成物302が充填された板状体を形成する。 [0069] Thereafter, as shown in FIG. 3 (c), by filling a conductive resin composition 302 into the through-hole 301, forming a plate-like body conductive resin composition 302 is filled in the through-hole 301 to. 【0070】図3(a)〜(c)の工程と平行して、図3(d)に示すように、離型フィルム305上に配線パターン303を形成し、配線パターン303に回路部品304を実装する。 [0070] In parallel with the process of FIG. 3 (a) ~ (c), as shown in FIG. 3 (d), the release film 305 to form a wiring pattern 303 on the circuit component 304 on the wiring pattern 303 Implement. 回路部品304を実装する方法は、 How to implement circuit components 304,
図2(d)で説明した方法と同様であるため、重複する説明は省略する。 Is the same as the method explained in FIG. 2 (d), the description thereof is omitted. 離型フィルム305には、たとえば、 The release film 305, for example,
ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファイトのフィルムを用いることができる。 Film of polyethylene terephthalate and polyphenylene sulfide can be used. 配線パターン3 Wiring pattern 3
03は、たとえば、離型フィルム305に銅箔を接着した後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことによって形成できる。 03, for example, be formed by performing a photolithography process and an etching process after bonding the copper foil to the release film 305. また、配線パターン303には、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。 Further, the wiring pattern 303 may be used a lead frame of etching or metal plate formed by stamping. 【0071】図3(a)〜(c)の工程と平行して、図3(e)に示すように、離型フィルム307上に配線パターン306を形成する。 [0071] FIGS. 3 (a) in parallel with the process of ~ (c), as shown in FIG. 3 (e), to form a wiring pattern 306 on the release film 307. 配線パターン306は、配線パターン303と同様の方法で形成できる。 Wiring patterns 306 may be formed in the same manner as the wiring pattern 303. 【0072】その後、図3(f)に示すように、配線パターン303および306と導電性物質302とが所望の部分で接続されるように、離型フィルム305、図2 [0072] Thereafter, as shown in FIG. 3 (f), as the wiring pattern 303 and 306 and the conductive material 302 are connected in a desired portion, the release film 305, FIG. 2
(c)の板状体および離型フィルム307を位置合わせして重ねる。 Plate-like body of (c) and superimposed by aligning the release film 307. 【0073】その後、図3(g)に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混合物300および導電性樹脂組成物302中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品304ならびに配線パターン303および306が埋設された板状体を形成する。 [0073] Thereafter, as shown in FIG. 3 (g), by the pressurizing heating that overlap in alignment, to cure the thermosetting resin in the mixture 300 and the conductive resin composition 302, the circuit parts 304 and wiring patterns 303 and 306 to form a buried plate body. 加熱は、混合物300および導電性樹脂組成物302中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15 Heating a mixture 300 and the conductive resin composition 302 temperature above the temperature at which the thermosetting resin is cured in (e.g. 15
0℃〜260℃)で行い、混合物300は電気絶縁性基板308となり、導電性樹脂組成物302はインナービア309となる。 Performed at 0 ° C. to 260 ° C.), the mixture 300 becomes electrically insulating substrate 308, the conductive resin composition 302 is the inner via 309. インナービア309によって、配線パターン303および306が電気的に接続される。 The inner via 309, the wiring patterns 303 and 306 are electrically connected. 【0074】その後、図3(h)に示すように、離型フィルム305および307を図3(g)の板状体から剥離する。 [0074] Thereafter, as shown in FIG. 3 (h), peeling the release film 305 and 307 from the plate-like body of FIG. 3 (g). このようにして、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールが形成される。 In this manner, the circuit component built-in module as described in Embodiment 1 is formed. 上記製造方法によれば、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 According to the above manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module as described in Embodiment 1. 【0075】なお、本方法では、あらかじめ配線パターン306を形成した離型フィルム307を用いるため、 [0075] In this method, for using a release film 307 which is formed in advance wiring pattern 306,
配線パターン306が電気絶縁性基板308に埋め込まれ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。 Surface wiring pattern 306 is buried in the insulating substrate 308 can be manufactured flat circuit component built-in module.
表面が平坦であることによって配線パターン306上に高密度に部品を実装することができるため、より高密度に回路部品を実装できる。 Since the surface can densely mount components on the wiring pattern 306 by a flat, it can be mounted circuit components at a higher density. 【0076】(実施形態4)この実施形態4では、本発明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。 [0076] (Embodiment 4) In Embodiment 4, an embodiment of a circuit component built-in module having a multilayered structure of the present invention. 図4は、この実施形態4の回路部品内蔵モジュール400の斜視断面図である。 Figure 4 is a perspective cross-sectional view of a circuit component built-in module 400 of this embodiment 4. 【0077】図4を参照して、この実施形態の回路部品内蔵モジュール400は、積層された電気絶縁性基板4 [0077] With reference to FIG. 4, the circuit component built-in module 400 of this embodiment, the insulating substrate 4 laminated
01a、401bおよび401cからなる電気絶縁性基板401と、電気絶縁性基板401の主面および内部に形成された配線パターン402a、402b、402c 01a, 401b and the insulating substrate 401 made of 401c, the insulating substrate 401 main surface and formed inside the wiring patterns 402a, 402b, 402c
および402dと、電気絶縁性基板401の内部に配置され配線パターン402a、402bまたは402cに接続された回路部品403と、配線パターン402a、 And the 402d, and electrically insulating the circuit components 403 are disposed within connected wiring patterns 402a, to 402b or 402c of the substrate 401, wiring patterns 402a,
402b、402cおよび402dを電気的に接続するインナービア404とを含む。 402b, and a inner via 404 for electrically connecting 402c and 402d. 【0078】電気絶縁性基板401a、401bおよび401cは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。 [0078] Electrical insulating substrate 401a, 401b and 401c is made of a mixture comprising an inorganic filler and a thermosetting resin. 無機フィラーには、たとえば、Al 23 The inorganic filler, for example, Al 2 O 3,
MgO、BN、AlNまたはSiO 2などを用いることができる。 May be used MgO, BN, etc. AlN or SiO 2. 無機フィラーは、混合物に対して70重量% Inorganic filler, 70% by weight relative to the mixture
〜95重量%であることが好ましい。 It is preferably 95% by weight. 無機フィラーの平均粒子径は、0.1μm〜100μmであることが好ましい。 The average particle diameter of the inorganic filler is preferably approximately 0.1-100 [mu] m. 熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。 Thermosetting resins, for example, high heat resistance epoxy resin, phenol resin or a cyanate resin. エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。 Epoxy resins are particularly preferred for particularly high heat resistance. なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。 Incidentally, mixture further dispersing agents, coloring agents, may also contain a coupling agent or a releasing agent. 【0079】配線パターン402a、402b、402 [0079] wiring patterns 402a, 402b, 402
cおよび402dは、実施形態1で説明した配線パターン102aおよび102bと同様であるので、重複する説明は省略する。 c and 402d is the same as the wiring patterns 102a and 102b described in Embodiment 1, the redundant description will be omitted. 【0080】回路部品403は、たとえば、能動部品4 [0080] circuit component 403, for example, active components 4
03aや受動部品403bを含む。 Including 03a and passive components 403b. 能動部品403aとしては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIなどの半導体素子が用いられる。 The active component 403a, e.g., transistors, IC, a semiconductor element such as LSI used. 半導体素子は、半導体ベアーチップであってもよい。 The semiconductor device may be a semiconductor bare chip. 受動部品403bとしては、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状インダクタなどが用いられる。 The passive component 403b, chip-like resistor, a chip-shaped capacitor or a chip-shaped inductor is used. なお、回路部品403は、 It should be noted that the circuit components 403,
受動部品403bを含まない場合であってもよい。 Passive component 403b may be a case that does not contain. 【0081】配線パターン402a、402bおよび4 [0081] wiring patterns 402a, 402b and 4
02cと能動部品403aとの接続には、たとえばフリップチップボンディングが用いられる。 The connection between 02c and the active components 403a, for example, flip chip bonding is used. インナービア4 Inner via 4
04は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。 04, for example, a thermosetting conductive substance. インナービア404としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。 The inner via 404, for example, can be a conductive resin composition obtained by mixing the metal particles and a thermosetting resin. 金属粒子の材料としては、金、銀、銅またはニッケルなどの金属を用いることができる。 As a material of the metal particles, gold, silver, a metal such as copper or nickel. 金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。 Gold, silver, copper or nickel, preferably has high electrical conductivity, copper is particularly preferred because even a small increase migration conductive. また、熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、 Examples of the thermosetting resin, for example, epoxy resin,
フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。 It can be used a phenolic resin or a cyanate resin. エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。 Epoxy resins are particularly preferred because of its high heat resistance. 【0082】なお、図4に示した回路部品内蔵モジュール400は、配線パターン402dが電気絶縁性基板4 [0082] The circuit component built-in module 400 shown in FIG. 4, the wiring pattern 402d is electrically insulating substrate 4
01cに埋設されていない場合を示したが、配線パターン402dが電気絶縁性基板401cに埋設されていてもよい(図6(g)参照)。 Shows the case that is not embedded in 01c, the wiring pattern 402d is optionally embedded in the insulating substrate 401c (see FIG. 6 (g)). 【0083】また、図4には3層構造の回路部品内蔵モジュール400を示したが、設計に応じた多層構造とすることができる(以下の実施形態において同様である)。 [0083] Further, in FIG. 4 but showing the circuit component built-in module 400 having a three-layer structure, (which also applies to the following embodiments) which may be a multi-layer structure according to the design. (実施形態5)この実施形態5では、実施形態4に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。 (Embodiment 5) In Embodiment 5, an embodiment of a method of manufacturing a circuit component built-in module shown in the embodiment 4 will be described. 実施形態5で用いられる材料および回路部品は、実施形態4で説明したものである。 Materials and the circuit components used in Embodiment 5 are those described in Embodiment 4. 【0084】図5を参照して、実施形態4に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。 [0084] With reference to FIG. 5, an example of a method for manufacturing a circuit component built-in module shown in the embodiment 4 will be described. 図5 Figure 5
(a)〜(h)は、この実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。 (A) ~ (h) are cross-sectional views showing a manufacturing process of the circuit component built-in module of this embodiment. 【0085】まず、図5(a)に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物500を形成し、貫通孔に導電性樹脂組成物501を充填することによって、貫通孔に導電性樹脂組成物501が充填された板状体を形成する。 [0085] First, as shown in FIG. 5 (a), by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin to form a mixture 500 of a plate shape, the conductive resin composition 501 into the through hole by filling the conductive resin composition 501 to form the filled plate body in the through hole. この工程は、図2(a)〜(c)で説明した工程と同様であるので、重複する説明は省略する。 This step is the same as process described in FIG. 2 (a) ~ (c), duplicate description is omitted. 【0086】一方、離型フィルム503上に配線パターン506を形成し、配線パターン506上に能動部品5 [0086] On the other hand, the release film 503 a wiring pattern 506 is formed on the active part 5 on the wiring pattern 506
04および受動部品505を実装する。 04 and to implement the passive components 505. この工程は、図3(d)で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。 This step is the same as that described in FIG. 3 (d), the description thereof is omitted. 【0087】その後、図5(b)に示すように、図5 [0087] Thereafter, as shown in FIG. 5 (b), FIG. 5
(a)の板状体と離型フィルム503とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム503を剥離することによって、配線パターン506、能動部品504および受動部品505が埋設された板状体を形成する。 After pressurizing superimposed by aligning the plate member and the release film 503 (a), by peeling off the release film 503, the wiring pattern 506, the active component 504 and a passive component 505 are buried forming a plate-like body. 【0088】図5(a)および(b)の工程と平行して、図5(a)および(b)と同様の工程で、配線パターン506および回路部品が埋設された板状体を複数形成する(図5(c)および(d)、図5(e)および(f)参照)。 [0088] In parallel with the process of FIG. 5 (a) and (b), FIG. 5 (a) and (b) and by the same steps, forming a plurality of plate-like body having a wiring pattern 506 and the circuit components are buried to (refer to FIG. 5 (c) and (d), FIG. 5 (e) and (f)). なお、配線パターン506と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。 The wiring pattern 506 and the circuit components are different for each layer in accordance with the design. 【0089】その後、図5(g)に示すように、図5 [0089] Thereafter, as shown in FIG. 5 (g), 5
(b)、(d)および(f)の板状体を位置合わせして重ね、図5(f)の板状体の配線パターンが形成されていない主面上にさらに銅箔507を重ねる。 (B), overlaying the planar body lap are aligned, FIG. 5 plate-shaped body further copper foil 507 on the main surface of the wiring pattern is not formed in (f) of (d) and (f). 【0090】その後、図5(h)に示すように、図5 [0090] Thereafter, as shown in FIG. 5 (h), 5
(g)で重ねた板状体および銅箔507を加圧し加熱することによって多層構造を有する板状体を形成する。 Forming a plate-like body having a multilayer structure by the plate-like body and the copper foil 507 pressurized heating overlaid in (g). 加熱は、混合物500および導電性樹脂組成物501中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15 Heating a mixture 500 and the conductive resin thermosetting resin composition 501 is cured temperature above (e.g., 15
0℃〜260℃)で行い、混合物500は電気絶縁性基板508となり、導電性樹脂組成物501はインナービア509となる。 Performed at 0 ° C. to 260 ° C.), the mixture 500 becomes electrically insulating substrate 508, the conductive resin composition 501 is the inner via 509. この工程によって、回路部品504および505、銅箔507および電気絶縁性基板508が機械的に強固に接着する。 In this step, the circuit parts 504 and 505, the copper foil 507 and the insulating substrate 508 is mechanically firmly bonded. また、インナービア509によって、配線パターン506および銅箔507が電気的に接続される。 Further, the inner via 509, the wiring pattern 506 and the copper foil 507 are electrically connected. その後、銅箔507を加工して配線パターン510を形成する。 Thereafter, a wiring pattern 510 by processing the copper foil 507. 【0091】このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。 [0091] In this way, it forms a circuit component built-in module having a multilayered structure. 上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 According to the above manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module having a multilayered structure. 【0092】(実施形態6)この実施形態6では、実施形態4で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。 [0092] In Embodiment 6 This embodiment 6, of another embodiment of a method for producing a circuit component built-in module described in Embodiment 4 will be described. 実施形態6で用いられる材料および回路部品は、実施形態4で説明したものである。 Materials and the circuit components used in Embodiment 6 are those described in Embodiment 4. 【0093】図6を参照して、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。 [0093] With reference to FIG. 6, an example of a method for manufacturing a circuit component built-in module in this embodiment. 図6(a)〜(g)は、この実施形態における回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。 FIG 6 (a) ~ (g) are cross-sectional views showing a manufacturing process of the circuit component built-in module in this embodiment. 【0094】まず、図6(a)に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物600を形成し、貫通孔に導電性物質601を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成物601が充填された板状体を形成する。 [0094] First, as shown in FIG. 6 (a), a mixture comprising an inorganic filler and a thermosetting resin to form a mixture 600 plate-shaped by machining, is filled with a conductive material 601 in the through-hole conductive resin composition 601 to form the filled plate body in the through hole by. この工程は、 This process,
図2(a)〜(c)で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。 FIGS. 2 (a) is the same as that described in ~ (c), description thereof is omitted. 一方、離型フィルム603上に配線パターン606を形成し、配線パターン606上に能動部品604および受動部品605を実装する。 On the other hand, the wiring pattern 606 on the release film 603 is formed, to implement the active component 604 and a passive component 605 on the wiring pattern 606. この工程は、図3(d)で説明したものと同様であり、重複する説明は省略する。 This step is the same as that described in FIG. 3 (d), the description thereof is omitted. 【0095】その後、図6(b)に示すように、図6 [0095] Thereafter, as shown in FIG. 6 (b), 6
(a)の板状の混合物600と離型フィルム603とを位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム603 After pressurizing superimposed by aligning the plate-like mixture 600 and the release film 603 (a), release films 603
を剥離することによって、配線パターン606、能動部品604および受動部品605が埋設された板状体を形成する。 By peeling off the wiring pattern 606, the active component 604 and a passive component 605 to form a buried plate body. 【0096】図6(a)および(b)の工程と平行して、図6(a)および(b)と同様の工程で、配線パターン606および回路部品が埋設された板状体を形成する(図6(c)および(d)参照)。 [0096] In parallel with the processes of FIGS. 6 (a) and (b), by the same steps as FIG. 6 (a) and 6 (b), the wiring pattern 606 and the circuit components to form a buried plate body (refer to FIG. 6 (c) and (d)). なお、配線パターン606と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異なる。 The wiring pattern 606 and the circuit components are different for each layer in accordance with the design. 【0097】図6(a)および(b)の工程と平行して、図6(e)に示すように、離型フィルム603上に、配線パターン607を形成する。 [0097] In parallel with the processes of FIGS. 6 (a) and (b), as shown in FIG. 6 (e), on the release film 603, to form a wiring pattern 607. その後、図6 Thereafter, as shown in FIG. 6
(f)に示すように、図6(b)および(d)の板状体を位置合わせして重ね、図6(d)の板状体の配線パターン606が形成されていない主面上に、さらに図6 (F), the superimposed by aligning the plate-like body shown in FIG. 6 (b) and (d), on the major surface is not formed plate-like body of the wiring pattern 606 shown in FIG. 6 (d) , further, FIG. 6
(e)の離型フィルム603を配線パターン607が内側になるように重ねる。 Wiring patterns 607 a release film 603 (e) is superposed so as inwardly. 【0098】その後、図6(g)に示すように、図6 [0098] Thereafter, as shown in FIG. 6 (g), FIG. 6
(f)で重ねた板状体および離型フィルム603を加圧し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形成する。 By the plate-like body and the release film 603 overlaid by (f) is pressurized heating to form a plate-like body having a multilayer structure. 加熱は、混合物600および導電性樹脂組成物601中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば150℃〜260℃)で行い、混合物600は電気絶縁性基板608となり、導電性樹脂組成物601はインナービア609となる。 Heating is carried out with a mixture 600 and the conductive resin composition 601 temperature above the temperature at which the thermosetting resin is cured in (eg 0.99 ° C. to 260 ° C.), the mixture 600 becomes electrically insulating substrate 608, the conductive resin composition object 601 is the inner via 609. この工程によって、能動部品604、受動部品605、配線パターン606および607、および電気絶縁性基板608が機械的に強固に接着する。 In this step, the active component 604, the passive component 605, the wiring patterns 606 and 607, and the insulating substrate 608 is mechanically firmly bonded. また、インナービア609によって、配線パターン606および607が電気的に接続される。 Further, the inner via 609, the wiring patterns 606 and 607 are electrically connected. 【0099】その後、多層構造を有する板状体から離型フィルム603を剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを形成できる。 [0099] Thereafter, by peeling off the release film 603 from the plate-like body having a multilayered structure can be formed a circuit component built-in module having a multilayered structure. このようにして、上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 Thus, according to the above manufacturing method, it is possible to easily produce the circuit component built-in module having a multilayered structure. 【0100】 【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例を説明する。 [0100] to [Example] Hereinafter, specific embodiments of the present invention. (実施例1)本発明の回路部品内蔵モジュールの作製に際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板の作製方法の一例について説明する。 Upon production of the circuit component built-in module (Example 1) The present invention, an example of a manufacturing method of an electrical insulating substrate made from a mixture comprising an inorganic filler and a thermosetting resin will be described. 【0101】本実施例では、表1に示す配合組成で電気絶縁性基板を作製した。 [0102] In this example, to produce a electrically insulating substrate with the formulation compositions shown in Table 1. なお、比較例を試料番号1に示す。 Incidentally, showing a comparative example in Sample No. 1. 【0102】 【表1】 [0102] [Table 1] 【0103】この実施例では、液状エポキシ樹脂には、 [0103] In this embodiment, the liquid epoxy resin,
日本ペルノックス(株)製のエポキシ樹脂(WE−20 Japan Pelnox Co., Ltd. of epoxy resin (WE-20
25、酸無水系硬化剤含む)を用いた。 25, including the acid anhydride-based curing agent) was used. フェノール樹脂には、大日本インキ(株)製のフェノール樹脂(フェノライト、VH4150)を用いた。 The phenolic resin, Dainippon Ink Co., Ltd. phenol resin (Phenolite, VH4150) was used. シアネート樹脂には、旭チバ(株)製のシアネート樹脂(AroCy、M The cyanate resin, Asahi Chiba Co., Ltd. cyanate resin (AroCy, M
−30)を用いた。 -30) was used. この実施例では、添加物としてカーボンブラックまたは分散剤を加えた。 In this embodiment, addition of carbon black or a dispersant as an additive. 【0104】板状体の作製は、まず、表1の組成で混合されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム上に滴下する。 [0104] Preparation of the plate-like body, first, added dropwise Table 1 of mixed pasty mixture composition, a predetermined amount release film. ペースト状の混合物は、無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって10分程度混合して作製した。 Pasty mixture of a thermosetting resin of an inorganic filler and a liquid was prepared by mixing about 10 minutes by the stirring mixer. 使用した攪拌混合機は、所定の容量の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。 Stirring mixer used is an inorganic filler and a liquid thermosetting resin was charged into a container of predetermined volume, intended to revolve while rotating the container itself, sufficient even if the viscosity of the mixture is relatively high dispersion state is obtained.
離型フィルムには厚み75μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる離型処理を施した。 A polyethylene terephthalate film having a thickness of 75μm to release film was subjected to a releasing treatment with silicon on the surface of the film. 【0105】次に、離型フィルム上のペースト状の混合物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ50 [0105] Next, further superimposed a release film paste mixture on the release film, the thickness in a pressure press of 50
0μmになるようにプレスして、板状の混合物を得た。 It was pressed to be 0 .mu.m, to obtain a plate-like mixture.
次に、離型フィルムで挟まれた板状の混合物を離型フィルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が無くなる条件下で熱処理した。 Then, the plate-like mixture sandwiched between the release films was heated by the release film was heat-treated under conditions in which sticky plate-like mixture is eliminated. 熱処理は、120℃の温度で15分間保持である。 Heat treatment is a 15 minute hold at a temperature of 120 ° C.. この熱処理によって、板状の混合物の粘着性が失われるため、離型フィルムの剥離が容易になる。 This heat treatment, since the tackiness of the plate-like mixture is lost, it is easy to peel the release film.
この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、硬化温度が1 Liquid epoxy resin used in this embodiment, the curing temperature is 1
30℃であるため、この熱処理条件下では、未硬化状態(Bステージ)である。 Since a 30 ° C., in the heat treatment conditions, in an uncured state (B stage). 【0106】次に、板状の混合物から離型フィルムを剥離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム(PPS:ポリフェニレンサルファイト、厚さ75μm)で挟んで、 Next, peeling off the release film from the plate-like mixture, plate-like mixture heat-resistant release film (PPS: polyphenylene sulfide, a thickness of 75 [mu] m) by being sandwiched,
50kg/cm 2の圧力で加圧しながら170℃の温度で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。 Curing the plate-like mixture by heating at a pressure of 50 kg / cm 2 pressurized with a temperature of 170 ° C.. 【0107】次に、硬化した板状の混合物から耐熱性離型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を得た。 Next, by peeling off the heat-resistant release film from the mixture of the cured plate was obtained an electrically insulating substrate. この電気絶縁性基板を所定の寸法に加工して、熱伝導度、線膨張係数などを測定した。 And processing the electrically insulating substrate into a predetermined size, thermal conductivity was measured and the coefficient of linear expansion. 熱伝導度は、10 Thermal conductivity, 10
mm角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接触させて加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。 The surface of the sample cut into mm square in contact with the heater and heated, was determined by calculation from a temperature rise on the opposite surface. 線膨張係数は、室温から140℃まで温度上昇させた場合の電気絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化の平均値から求めた。 Linear expansion coefficient measures the dimensional change of the electrical insulating substrate when allowed to warm up to 140 ° C. from room temperature, was determined from the mean value of the dimensional change. 絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚み方向にAC電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単位厚み当たりの絶縁耐圧を計算した。 Breakdown voltage determines the breakdown voltage in the case where the thickness direction of the electrically insulating substrate is applied an AC voltage, to calculate the dielectric strength per unit thickness. 【0108】表1に示すように、上記の方法で作製された電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてAl 23を用いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板(熱伝導度0.2w/mK〜0.3w/mK)に比べて熱伝導度が約10倍以上となった。 [0108] As shown in Table 1, the electrically insulating substrate produced in the above method, when using Al 2 O 3 as the inorganic filler, conventional glass - epoxy substrate (thermal conductivity 0.2w thermal conductivity was about 10 times more than the /mK~0.3w/mK). Al Al 23の量を85重量%以上とすることによって、熱伝導度を2.8w/mK以上とすることができた。 By the amount of 2 O 3 and 85 wt% or more, it was possible to heat conductivity 2.8W / mK or more. Al 23はコストが安いという利点もある。 Al 2 O 3 is also an advantage that the cost is cheap. 【0109】また、無機フィラーとしてAlN、MgO [0109] Further, AlN as the inorganic filler, MgO
を用いた場合では、Al 23を用いた場合と同等以上の熱伝導度が得られた。 With the case of using, same or higher heat conductivity in the case of using Al 2 O 3 it was obtained. また、無機フィラーとして非晶質SiO 2を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導体(線膨張係数3×10 -6 /℃)により近くなった。 Further, as in the case of using the amorphous SiO 2 inorganic filler, the linear expansion coefficient becomes closer to a silicon semiconductor (a linear expansion coefficient of 3 × 10 -6 / ℃). したがって、無機フィラーとして非晶質SiO 2を用いた電気絶縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチップ用基板として好ましい。 Thus, electrically insulating substrate using the amorphous SiO 2 as the inorganic filler is preferable as a substrate for flip-chip mounted directly to semiconductor. 【0110】また、無機フィラーとしてSiO 2を用いた場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。 [0110] In the case of using SiO 2 as the inorganic filler has a dielectric constant can be obtained a low electrically insulating substrate.
SiO 2は比重が軽いという利点もある。 SiO 2 is also advantageous in that specific gravity is light. 無機フィラーとしてSiO 2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。 Circuit component built-in module with SiO 2 as the inorganic filler is preferably as high frequency module such as a cellular phone. 【0111】また、無機フィラーとしてBNを用いた場合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基板が得られた。 [0111] In the case of using BN as the inorganic filler has a high coefficient of linear expansion thermal conductivity is low insulating substrate obtained. 表1の比較例(試料番号1)に示すように、無機フィラーとして60重量%のAl 23を用いた場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、10kV As shown in the comparative examples in Table 1 (Sample No. 1), except when using the 60 wt% Al 2 O 3 as the inorganic filler, the dielectric strength of the electrical insulating substrate, 10 kV
/mm以上であった。 It was / mm or more. 電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性の指標となる。 The breakdown voltage of the electrically insulating substrate is made of an adhesive of the index between the inorganic filler and a thermosetting resin which is the material of the electrically insulating substrate. すなわち、無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が生じて絶縁耐圧が低下する。 That is, when the poor adhesion between the inorganic filler and a thermosetting resin, the dielectric strength is reduced occurs a minute gap therebetween. このような微小な隙間は回路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。 Such small gap leads to reduced reliability of the circuit component built-in module. 一般に、絶縁耐圧が10kV/mm以上であれば無機フィラーと熱硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。 In general, adhesion between the inorganic filler and a thermosetting resin as long as the dielectric strength is 10 kV / mm or more can be judged to be good. したがって、無機フィラーの量は70重量%以上であることが好ましい。 Therefore, it is preferred that the amount of the inorganic filler is at least 70% by weight. 【0112】なお、熱硬化性樹脂の含有量が低いと電気絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は4. [0112] Since the strength of the lower electrically insulating substrate content of the thermosetting resin is lowered, the thermosetting resin 4.
8重量%以上であることが好ましい。 Is preferably 8 at% or more by weight. (実施例2)実施例2は、実施形態2で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。 (Example 2) Example 2 is an example of manufacturing a circuit component built-in module in the manner described in the second embodiment. 【0113】本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成は、Al 23 (昭和電工(株)製AS−40、球状、平均粒子径12μm)が90重量%、液状エポキシ樹脂(日本レック(株)製、EF−450)が9.5重量%、カーボンブラック(東洋カーボン(株)製)が0. [0113] The composition of the electrically insulating substrate used in this example, Al 2 O 3 (manufactured by Showa Denko KK AS-40, spherical, average particle diameter 12 [mu] m) is 90 wt%, the liquid epoxy resin (Nippon Rec (Ltd.), EF-450) is 9.5% by weight, carbon black (manufactured by Toyo carbon Co., Ltd.) is 0.
2重量%、カップリング剤(味の素(株)製、チタネート系、46B)が0.3重量%である。 2 wt%, a coupling agent (Ajinomoto Co., titanate, 46B) is 0.3 wt%. 【0114】上記材料を実施例1と同様の条件で処理することによって、板状体(厚み500μm)を作製した。 [0114] By treating the material under the same conditions as in Example 1 to prepare a plate-like body (thickness 500 [mu] m). 上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレーザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔(直径0.15mm)を形成した(図2(b)参照)。 The plate-shaped body was cut into a predetermined size, thereby forming a through hole (diameter 0.15 mm) to the inner-via-hole connection using a carbon dioxide laser (see Figure 2 (b)). 【0115】この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリーン印刷法によって充填した(図2(c)参照)。 [0115] was filled in the through-hole, the conductive resin composition by a screen printing method (see FIG. 2 (c)). 導電性樹脂組成物は、球状の銅粒子85重量%と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ製、エピコート828)3重量%と、グルシジルエステル系エポキシ樹脂(東都化成製、YD−171)9重量%と、アミンアダクト硬化剤(味の素製、MY−24)3重量% Conductive resin composition, 85 wt% spherical copper particles and a bisphenol A type epoxy resin (Yuka Shell Epoxy Ltd., Epikote 828) 3% by weight, glycidyl ester type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei, YD-171 ) 9% by weight, amine adduct curing agent (manufactured by Ajinomoto Co., MY-24) 3 wt%
とを混練して作製した。 It was prepared by kneading the door. 【0116】次に、厚さ35μmの銅箔の片面を粗化し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフリップチップボンディングした(図2(d)参照)。 [0116] Next, roughened on one side of a copper foil having a thickness of 35 [mu] m, and flip-chip bonding the semiconductor device with a conductive adhesive to the roughened surface (see Figure 2 (d)). 次に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を充填した板状体と、別途作製した銅箔(片面を粗化処理した銅箔で厚さ35μm)とを位置合わせして重ねた(図2(f)参照)。 Next, a copper foil by mounting a semiconductor element, a plate-like body filled with the conductive resin composition, separately prepared copper foil (thickness 35μm copper foil roughened on one side) and by aligning the superimposed (see FIG. 2 (f)). この時、銅箔の粗化面は、板状体側になるように重ねた。 At this time, the roughened surface of the copper foil was overlaid such that the plate-shaped side. 【0117】次に、これを熱プレス機によってプレス温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧した。 [0117] Next, this pressing temperature 120 ° C. by hot press was heated and pressurized at a pressure 10 kg / cm 2 5 minutes. 硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中に容易に埋没した。 By heating at a temperature below the curing temperature the temperature, because the thermosetting resin in the plate body is softened, the semiconductor device was easily buried in the plate-like body. 【0118】次に、加熱温度を上昇させて175℃で6 [0118] Next, at 175 ° C. to increase the heating temperature 6
0分間加熱した(図2(g)参照)。 It was heated for 10 minutes (see FIG. 2 (g)). この加熱によって、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状体とが機械的に強固に接続された。 This heating cures the epoxy resin and an epoxy resin of the conductive resin composition in the plate-like body, and a semiconductor device and the copper foil and the plate member are mechanically rigidly connected. また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的(インナービア接続)、機械的に接続された。 Further, by this heating, the conductive resin composition and the copper foil and the electrical (inner-via connection) and mechanically connected. 【0119】次に、半導体素子が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングし、配線パターンを形成した(図2 [0119] Next, the copper foil of the semiconductor element is embedded in the surface of the plate-like body, it is etched by a photolithography process and an etching process to form a wiring pattern (FIG. 2
(h)参照)。 (H) reference). このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。 In this way, we create a circuit component built-in module. 【0120】本実施例によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。 [0120] To evaluate the reliability of the examples produced a circuit component built-in module was subjected to solder reflow test and a temperature cycle test. 半田リフロー試験は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が260 Solder reflow test, using a belt type reflow tester, the maximum temperature is 260
℃で10秒のサイクルを10回繰り返すことで行った。 A cycle of 10 seconds was carried out by repeating 10 times in ℃.
温度サイクル試験は、125℃で30分間保持した後、 Temperature cycle test, was held at 125 ° C. 30 min,
−60℃の温度で30分間保持する工程を200サイクル繰り返すことによって行った。 A step of holding at a temperature of -60 ° C. 30 minutes was carried out by repeating 200 cycles. 【0121】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。 [0121] In any of the solder reflow test and a temperature cycle test, the circuit component built-in module of the present embodiment does not crack occurs, particularly abnormality using an ultrasonic flaw detector was observed. この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。 From this test, the semiconductor element and the electrically insulating substrate, it can be seen that the strongly adhered. また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。 The resistance of the inner via connection by the conductive resin composition also had little change before and after the start of the test. 【0122】(実施例3)実施例3は、実施形態3で説明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。 [0122] (Example 3) Example 3 is an example of manufacturing a circuit component built-in module in the manner described in Embodiment 3. 【0123】まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体(厚さ500μ [0123] First, in the same manner as in Example 2, the through-hole conductive resin composition is filled into a plate-like body (thickness 500μ
m)を作製した(図3(c)参照)。 m) to prepare a reference (Figure 3 (c)). 次に、離型フィルム(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm) Next, a release film (polyphenylene sulfide manufactured, thickness 150 [mu] m)
に、厚さ35μmの銅箔を接着剤によって接着した。 In and bonded by an adhesive copper foil having a thickness of 35 [mu] m. この銅箔は、片面が粗化処理されており、光沢面が接着剤側になるように接着した。 The copper foil, one surface has been roughened, the shiny side was adhered so that the adhesive side. 【0124】次に、離型フィルム上の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、 [0124] Next, the copper foil on the release film, is etched by a photolithography process and an etching process,
配線パターンを形成した。 To form a wiring pattern. さらにこの配線パターン上に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボンディングした(図3(d)参照)。 This on the wiring pattern, and flip-chip bonding the semiconductor device using solder bumps further (see FIG. 3 (d)). 【0125】次に、配線パターンに実装した半導体素子と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。 [0125] Then, it was injected sealing resin in a gap between the semiconductor element mounted on the wiring pattern and the wiring pattern. 具体的には、70℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターンを有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。 Specifically, tilting the hot plate heated to 70 ° C., in the hot plate, after the setting of the release film having a wiring pattern of mounting a semiconductor element, gradually by syringe between the semiconductor element and the wiring pattern It was injected sealing resin.
10秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹脂を注入できた。 It was injected sealing resin between the semiconductor element and the wiring pattern in about 10 seconds. ホットプレートで加熱するのは、封止樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするためである。 To heat a hot plate, in order to be able to inject in a short time by lowering the viscosity of the sealing resin. また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易にするためである。 Furthermore, the tilting a hot plate in order to facilitate implantation. 封止樹脂には、テクノアルファー(株)製EL18Bを用いた。 The sealing resin was used Techno Alpha Co. EL18B. EL18Bは、一液性のエポキシ樹脂にSiO 2粉末を混入した樹脂である。 EL18B is a resin obtained by mixing SiO 2 powder to one-pack epoxy resin. 【0126】一方、上記工程と平行して、上記工程と同様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm)を作製した(図3(e)参照)。 [0126] On the other hand, in parallel with the above process, similarly to the above step, release film having a wiring pattern formed on one side (polyphenylene sulfide manufactured, thickness 150 [mu] m) were prepared (see FIG. 3 (e)) . 【0127】次に、半導体素子をボンディングした離型フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルムとを、位置合わせして重ねた(図3(f)参照)。 [0127] Next, a release film bonding the semiconductor element, a plate-like body conductive resin composition is filled in the through hole, and a release film having a wiring pattern formed on one side, aligning and Te superimposed (see FIG. 3 (f)). 【0128】次に、これを熱プレス機によってプレス温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧した。 [0128] Next, this pressing temperature 120 ° C. by hot press was heated and pressurized at a pressure 10 kg / cm 2 5 minutes. 硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線パターンが板状体中に容易に埋没した。 By heating at a temperature below the curing temperature the temperature, because the thermosetting resin in the plate body is softened, the semiconductor device and the wiring pattern is easily buried in the plate-like body. 【0129】次に、加熱温度を上昇させて175℃で6 [0129] Next, at 175 ° C. to increase the heating temperature 6
0分間加熱した(図3(g)参照)。 It was heated for 10 minutes (see FIG. 3 (g)). この加熱によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。 This heating, since the epoxy resin of the plate-like body and the conductive resin composition is cured, the semiconductor device and the wiring pattern and the plate member are mechanically rigidly connected. また、この加熱によって、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的(インナービア接続)、機械的に接続された。 Further, by this heating, the conductive resin composition and the wiring pattern are electrically (inner via connection) and mechanically connected. さらに、この加熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入された封止樹脂も硬化した。 Furthermore, this heating was also cured injected sealing resin between the semiconductor element and the wiring pattern. 【0130】次に、板状体から離型フィルムを剥離した(図3(h)参照)。 [0130] was then peeled off the release film from the plate-like body (see FIG. 3 (h)). ポリフェニレンサルファイト製の離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。 Release film made of polyphenylene sulfide, there is more heat resistant the heating temperature. また、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。 Also, roughened surface of the copper foil is bonded to the plate-like body and the inner via, shiny side of the copper foil is adhered to the release film.
したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きいため、離型フィルムだけを剥離することができる。 Therefore, the adhesive strength between the plate member and the inner via and the copper foil is larger than the adhesive strength between the release film and the copper foil can be peeled only release film. このようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。 In this way, we create a circuit component built-in module. 【0131】実施例3によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。 [0131] To evaluate the reliability of the circuit component built-in module produced in Example 3, under the same conditions as in Example 2, was subjected to solder reflow test and a temperature cycle test. 【0132】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例3の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。 [0132] In any of the solder reflow test and a temperature cycle test may crack is not generated in the circuit component built-in module of Embodiment 3, in particular abnormality using an ultrasonic flaw detector was observed. この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。 From this test, the semiconductor element and the electrically insulating substrate, it can be seen that the strongly adhered. また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。 The resistance of the inner via connection by the conductive resin composition also had little change before and after the start of the test. 【0133】(実施例4)この実施例4は、実施形態5 [0133] (Example 4) Example 4 is an embodiment 5
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。 It is an example of manufacturing a circuit component built-in module having a multilayered structure in in the manner described. 【0134】この実施例4では、回路部品として、半導体素子とチップ部品とを用いた。 [0134] In the fourth embodiment, as a circuit component, with the semiconductor element and the chip parts. まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。 First, in the same manner as in Example 2, a conductive resin composition was formed filled plate body in the through hole. 【0135】次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム(ポリフェニレンサルファイト製)とを、位置合わせして重ねた(図5(a)参照)。 [0135] Then, a plate-shaped body conductive resin composition is filled in the through hole, and a release film comprising a wiring pattern circuit parts is flip-chip bonded (manufactured by polyphenylene sulfide), aligning and Te superimposed (see Figure 5 (a)). 【0136】次に、これを熱プレス機によって、プレス温度120℃、圧力10kg/cm [0136] Next, this by hot press, the press temperature 120 ° C., a pressure 10 kg / cm 2で5分間加熱加圧した。 Heating pressurized 2 in 5 minutes. 硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。 By heating at a temperature below the curing temperature the temperature, because the thermosetting resin in the plate body is softened, the circuit component was easily buried in the plate-like body. そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形成した(図5(b)参照)。 Then, circuit component by removing the release film from the plate-shaped body to form a buried plate body (see Figure 5 (b)). 【0137】この板状体を複数個作製し、複数個の板状体と銅箔とを位置合わせして重ねた(図5(g)参照)。 [0137] The plate-like body and a plurality prepared, stacked and aligned with the plurality of plate-like body and the copper foil (see FIG. 5 (g)). 次に、これを熱プレス機によって、プレス温度1 Next, the hot press it, pressing temperature 1
75℃、圧力50kg/cm 75 ℃, pressure 50kg / cm 2で60分間加熱加圧した。 Heating pressurized 2 in 60 minutes. この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状体が形成された。 This heating and pressing treatment, a plurality of plate-like body and the copper foil circuit components are buried together, one of the plate-like body is formed. この加熱加圧処理によって、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。 This heating and pressing treatment, cured epoxy resins of the plate and the conductive resin composition comprises a circuit component and the wiring pattern and the plate-like body is mechanically rigidly connected. また、この加熱加圧処理によって、銅箔および配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的(インナービア接続)、機械的に接続された。 Further, by this heating and pressing treatment, and the copper foil and the wiring pattern and the conductive resin composition is electrically (inner via connection) and mechanically connected. 【0138】次に、回路部品が埋設された板状体の表面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によってエッチングすることによって、配線パターンを形成した(図5(h)参照)。 [0138] Next, the copper foil surface of the circuit component is buried plate body by etching by photolithography and etching to form a wiring pattern (see FIG. 5 (h)). このようにして、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した。 Thus, to produce a circuit component built-in module having a multilayered structure. 【0139】実施例4によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。 [0139] To evaluate the reliability of the circuit component built-in module produced according to Example 4, under the same conditions as in Example 2, was subjected to solder reflow test and a temperature cycle test. 【0140】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例4の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。 [0140] In any of the solder reflow test and a temperature cycle test may crack is not generated in the circuit component built-in module of Embodiment 4, in particular abnormality using an ultrasonic flaw detector was observed. この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。 From this test, the semiconductor element and the electrically insulating substrate, it can be seen that the strongly adhered. また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。 The resistance of the inner via connection by the conductive resin composition also had little change before and after the start of the test. 【0141】(実施例5)この実施例5は、実施形態6 [0141] (Example 5) Example 5 is an embodiment 6
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。 It is an example of manufacturing a circuit component built-in module having a multilayered structure in in the manner described. 【0142】まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。 [0142] First, in the same manner as in Example 2, a conductive resin composition was formed filled plate body in the through hole. 次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、 Next, a plate-like body conductive resin composition is filled in the through hole,
回路部品がフリップチップボンディングされた配線パターンを備える離型フィルム(ポリフェニレンサルファイト製)とを、位置合わせして重ねた(図6(a)参照)。 A release film provided with a wiring pattern circuit parts is flip-chip bonded (manufactured by polyphenylene sulfide), superimposed in alignment (see FIG. 6 (a)). 【0143】次に、これを熱プレス機によって、プレス温度120℃、圧力10kg/cm [0143] Next, this by hot press, the press temperature 120 ° C., a pressure 10 kg / cm 2で5分間加熱加圧した。 Heating pressurized 2 in 5 minutes. 硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中に容易に埋没した。 By heating at a temperature below the curing temperature the temperature, because the thermosetting resin in the plate body is softened, the circuit component was easily buried in the plate-like body. そして、離型フィルムを板状体から剥離することによって板状体を形成した(図6(b)参照)。 Then, to form a plate-like body by peeling the release film from the plate-like body (see Figure 6 (b)). 同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した(図6(d)参照)。 Similarly, to form a plate-like body circuit component is embedded (see FIG. 6 (d)). 【0144】次に、離型フィルム(ポリフェニレンサルファイト製)の片面に配線パターンを形成した(図6 [0144] Next, to form a wiring pattern on one surface of the release film (manufactured by polyphenylene sulfide) (FIG. 6
(e)参照)。 See (e)). 次に、回路部品が埋設された2個の板状体と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置合わせして重ねた(図6(f)参照)。 Then, the two plate-shaped body circuit component is embedded, it overlapped with a release film on which a wiring pattern is formed by aligning (see FIG. 6 (f)). 【0145】次に、これを熱プレス機によって、プレス温度175℃、圧力50kg/cm [0145] Next, this by hot press, the press temperature 175 ° C., a pressure 50 kg / cm 2で60分間加熱加圧した。 Heating pressurized 2 in 60 minutes. この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一つの板状体が形成された。 This heating and pressing treatment, a plurality of plate-like body and the release film which circuit components are buried together, one of the plate-like body is formed. この加熱加圧処理によって、 This heating and pressing treatment,
板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。 Cured epoxy resin in the plate-like body, and the circuit components and the wiring pattern and the plate-like body is mechanically rigidly connected. また、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的(インナービア接続)、機械的に接続された。 Further, the epoxy resin curing of the conductive resin composition by heating and pressing treatment, the wiring pattern and the conductive resin composition is electrically (inner via connection) and mechanically connected. 【0146】次に、一体となった板状体から離型フィルムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを作製した(図6(g)参照)。 [0146] Next, by peeling off the release film from the plate body is integral, to produce a circuit component built-in module having a multilayered structure (see FIG. 6 (g)). 実施例5によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行った。 To evaluate the reliability of the circuit component built-in module produced according to Example 5, under the same conditions as in Example 2, it was subjected to solder reflow test and a temperature cycle test. 【0147】半田リフロー試験および温度サイクル試験のいずれにおいても、実施例5の回路部品内蔵モジュールにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても特に異常は認められなかった。 [0147] In any of the solder reflow test and a temperature cycle test may crack is not generated in the circuit component built-in module of Embodiment 5, in particular abnormality using an ultrasonic flaw detector was observed. この試験から、半導体素子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわかる。 From this test, the semiconductor element and the electrically insulating substrate, it can be seen that the strongly adhered. また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。 The resistance of the inner via connection by the conductive resin composition also had little change before and after the start of the test. 【0148】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物からなる電気絶縁性基板を用いているため、放熱 [0148] As described above, according to the present invention, since the circuit component built-in module of the present invention uses an electrically insulating substrate comprising a mixture of an inorganic filler and a thermosetting resin, heat radiation
性が高い回路部品内蔵モジュールが得られる。 Sex obtain higher circuit component built-in module. 【0149】また、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路部品が実装することができる。 [0149] Further, in the circuit component built-in module of the present invention, by a multi-layer structure, it is possible to implement higher density circuit components. さらに、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、無機フィラーを選択することによって、電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電率などを制御することが可能である。 Furthermore, in the circuit component built-in module of the present invention, by selecting the inorganic filler, the thermal conductivity of the electrically insulating substrate, the linear expansion coefficient, it is possible to control and dielectric constant. したがって、本発明の回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板の線膨張係数を半導体素子とほぼ同じにすることが可能であるため、半導体素子を内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好ましい。 Thus, in the circuit component built-in module of the present invention, since the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate may be substantially the same as the semiconductor device, preferably as a circuit component built-in module with a built-in semiconductor element. また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向上させることができるため、放熱を必要とする半導体素子などを内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好ましい。 Moreover, since it is possible to improve the thermal conductivity of the electrically insulating substrate, preferably as a circuit component built-in module with a built-in semiconductor devices requiring heat dissipation. さらに、電気絶縁性基板の誘電率を低くすることもできるため、高周波回路用の回路部品内蔵モジュールとして好ましい。 Furthermore, since it is also possible to lower the dielectric constant of the electrically insulating substrate, preferably as a circuit component built-in module for high frequency circuit. 【0150】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、上記回路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。 [0150] In the manufacturing method of the circuit component built-in module of the present invention can be easily produced the circuit component built-in module. また、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルムを用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板に埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内蔵モジュールが得られる。 The circuit components in the manufacturing method of the built-in module, because by using a release film formed with wiring patterns, it is possible to embed the wiring pattern on the insulating substrate, a smooth surface circuit component built-in module of the present invention It is obtained. したがって、表面の配線パターンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路部品を実装することができる。 Therefore, if the further mounting the circuit component on the wiring pattern on the surface, it is possible to implement a high-density circuit components.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の回路部品内蔵モジュールの一実施形態を示す斜視断面図である。 It is a perspective cross-sectional view showing an embodiment of a circuit component built-in module BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を示す工程図である。 It is a process diagram showing one embodiment of a method for producing a circuit component built-in module of the present invention; FIG. 【図3】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。 3 is a process diagram showing another embodiment of a method for producing a circuit component built-in module of the present invention. 【図4】 本発明の回路部品内蔵モジュールの他の一実施形態を示す斜視断面図である。 4 is a perspective cross-sectional view showing another embodiment of a circuit component built-in module of the present invention. 【図5】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。 5 is a process diagram showing another embodiment of a method for producing a circuit component built-in module of the present invention. 【図6】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実施形態を示す工程図である。 6 is a process diagram showing another embodiment of a method for producing a circuit component built-in module of the present invention. 【符号の説明】 100、400 回路部品内蔵モジュール101、401、401a、401b、401c DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 400 circuit component built-in module 101,401,401a, 401b, 401c
電気絶縁性基板102a、102b、402a、402b、402c、 Electrically insulating substrate 102a, 102b, 402a, 402b, 402c,
402d 配線パターン103、403 回路部品103a、403a 能動部品103b、403b 受動部品104、404 インナービア 402d wiring patterns 103,403 circuit components 103a, 403a active components 103b, 403b passive components 104,404 inner via

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−69191(JP,A) 特開 平4−18787(JP,A) 特開 平4−71297(JP,A) 特開 平4−283987(JP,A) 特開 平5−327228(JP,A) 特開 平6−120671(JP,A) 特開 平6−200124(JP,A) 特開 平7−30060(JP,A) 特開 平9−249795(JP,A) 特開 平11−26943(JP,A) 特開 昭60−109296(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H05K 1/18 H05K 3/46 H01L 21/52 H01L 23/12 H01L 23/28 H01L 23/52 H01L 25/00 Following (56) references of the front page Patent flat 3-69191 (JP, A) JP flat 4-18787 (JP, A) JP flat 4-71297 (JP, A) JP flat 4-283987 (JP , A) Patent Rights 5-327228 (JP, A) Patent Rights 6-120671 (JP, A) Patent Rights 6-200124 (JP, A) Patent Rights 7-30060 (JP, A) Patent Rights 9-249795 (JP, a) JP flat 11-26943 (JP, a) JP Akira 60-109296 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H05K 1/18 H05K 3/46 H01L 21/52 H01L 23/12 H01L 23/28 H01L 23/52 H01L 25/00

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路 (57) and one electrically insulating substrate made from a mixture comprising Claims 1. A mineral filler and a thermosetting resin, is formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate a plurality of wiring patterns, are embedded in the electrically insulating substrate and a electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
    部品と前記配線パターンとが導電性接着剤を介して電気 Electricity and component and the wiring pattern via the conductive adhesive
    的に接続されている回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module that is connected. 【請求項2】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路 2. A mineral filler and a thermosetting resin and one electrically insulating substrate made from a mixture comprising, a plurality of wiring patterns formed on at least one main surface of the electrically insulating substrate, the electrical insulation embedded sexually substrate includes and electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
    部品と前記配線パターンとがバンプを介して電気的に接 Electrically contact with the component and the wiring pattern through the bumps
    続されている回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module that has been continued. 【請求項3】 無機フィラー70重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる1つの電気絶縁性基板と、前記電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面に形成された複数の配線パターンと、前記電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに実装された回路部品とを含む回路部品内蔵モジュール。 3. A one electrically insulating substrate consisting of a mixture containing an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin, the electrically insulating the plurality of which are formed on at least one major surface of the substrate circuit component built-in module that includes a wiring pattern, and a mounted circuit component on the wiring pattern embedded in the electrically insulating substrate. 【請求項4】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路 4. A mineral filler and a plurality of electrically insulating substrates laminated composed of a mixture comprising a thermosetting resin, formed on at least one major surface and the interior of a plurality of electrically insulating substrate on which the laminated a plurality of wiring patterns, wherein embedded in the plurality of stacked electrically insulating substrate and a electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
    部品と前記配線パターンとが導電性接着剤を介して電気 Electricity and component and the wiring pattern via the conductive adhesive
    的に接続されている回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module that is connected. 【請求項5】 無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに電気的に接続された回路部品とを含み、前記回路 5. A mineral filler and a plurality of electrically insulating substrates laminated composed of a mixture comprising a thermosetting resin, formed on at least one major surface and the interior of a plurality of electrically insulating substrate on which the laminated a plurality of wiring patterns, wherein embedded in the plurality of stacked electrically insulating substrate and a electrically connected to the circuit component on the wiring pattern, the circuit
    部品と前記配線パターンとがバンプを介して電気的に接 Electrically contact with the component and the wiring pattern through the bumps
    続されている回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module that has been continued. 【請求項6】 無機フィラー70重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる積層された複数の電気絶縁性基板と、前記積層された複数の電気絶縁性基板の少なくとも一方の主面及び内部に形成された複数の配線パターンと、前記積層された複数の電気絶縁性基板に埋設され前記配線パターンに実装された回路部品と、 6. A plurality of electrically insulating substrates laminated composed of a mixture containing an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin, a plurality of electrically insulating substrate on which the laminated at least one of a plurality of wiring patterns formed on the main surface and inside, and circuit components mounted on the wiring pattern is embedded into a plurality of electrically insulating substrate on which the stacked,
    を含む回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module that contains the. 【請求項7】 前記回路部品と前記配線パターンとが導 7. with the wiring pattern and the circuit component electrically
    電性接着剤及びバンプを介して電気的に接続されている It is electrically connected via a conductive adhesive and a bump
    請求項1又は4に記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module according to claim 1 or 4. 【請求項8】 前記バンプが、金バンプ又は半田バンプ Wherein said bumps, gold bumps or solder bumps
    である請求項2、5、7のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module according to any one of claims 2, 5, 7 is. 【請求項9】 前記回路部品は、導電性接着剤又はバン Wherein said circuit component is a conductive adhesive or vans
    プを用いて前記配線パターンに実装されたことを特徴と And characterized in that it mounted on the wiring pattern using a flop
    する請求項3又は6に記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module according to claim 3 or 6,. 【請求項10】 前記電気絶縁性基板は、無機フィラー70重量%〜95重量%と熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる請求項1、2、4、5のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 Wherein said electrically insulating substrate, the circuit component built according to any one of claims 1, 2, 4, and 5 made of a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin module. 【請求項11】 前記電気絶縁性基板内に形成され、前記配線パターンに電気的に接続されたインナービアを含む請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 11. formed on the electrically insulating substrate, the circuit component built-in module according to claim 1 comprising an electrically connected inner vias to the wiring pattern. 【請求項12】 前記配線パターンは、前記電気絶縁性基板の主面および内部に形成されている請求項1〜6の 12. The wiring pattern of claims 1 to 6 is formed on the main surface and inside of the electrically insulating substrate
    いずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module according to any one. 【請求項13】 前記回路部品は能動部品を含み、前記インナービアは導電性樹脂組成物からなる請求項11に Wherein said circuit component includes an active component, wherein the inner via to claim 11 made of a conductive resin composition
    記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module described. 【請求項14】 前記回路部品は、前記電気絶縁性基板によって外気から遮断されている請求項1〜6のいずれ 14. The circuit component, any of claims 1 to 6, which is cut off from the outside air by said electrically insulating substrate
    かに記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module of crab described. 【請求項15】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、 15. The thermosetting resin is an epoxy resin,
    フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項1〜6のいずれ Any of claims 1-6 comprising at least one thermosetting resin selected from phenolic resins and cyanate resins
    かに記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module of crab described. 【請求項16】 前記無機フィラーが、Al 23 、Mg 16. wherein the inorganic filler is, Al 2 O 3, Mg
    O、BN、AlNおよびSiO 2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含む請求項1〜6のいずれかに O, BN, to any one of claims 1 to 6 comprising at least one inorganic filler selected from AlN and SiO 2
    記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module described. 【請求項17】 前記無機フィラーの平均粒子径が0. 17. The average particle diameter of the inorganic filler is 0.
    1μm〜100μmである請求項1〜6のいずれかに記<br>載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module of any of claims 1 to 6 serial <br> mounting is 1 m to 100 m. 【請求項18】 前記配線パターンが銅を含む請求項 18. The method of claim 1 wherein the wiring pattern comprises copper
    〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 6 circuit component built-in module according to any one of. 【請求項19】 前記配線パターンが導電性樹脂組成物を含む請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 19. The circuit component built module according to claim 1 including the wiring pattern is a conductive resin composition. 【請求項20】 前記回路部品は半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフリップチップボンディングされている請求項1〜6のい 20. The method of claim 19, wherein the circuit component comprises a semiconductor bare chip, the semiconductor bare chip according to claim 6 gall is flip-chip bonded to the wiring pattern
    ずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module of Zurekani described. 【請求項21】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含む請求項13に記載の回路部品内蔵モジュール。 21. The conductive resin composition, gold, silver, comprise metal particles including one metal selected from copper and nickel as the electrically conductive component of claim 13 containing an epoxy resin as a resin component circuit component built-in module. 【請求項22】 前記配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなる請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 22. The wiring pattern, the circuit component built-in module according to claim 1 comprising a lead frame of metal plate formed by etching or stamping. 【請求項23】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項1〜6のいず 23. The circuit component, chip-like resistor, chip-like capacitors and claims 1-6 noise including at least one component selected from the chip-shaped inductor
    れかに記載の回路部品内蔵モジュール。 Circuit component built-in module of Rekani described. 【請求項24】 前記混合物は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含む請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 24. said mixture, dispersing agents, colorants, circuit component built-in module according to claim 1, further comprising at least one additive selected from the coupling agents and release agents. 【請求項25】 前記電気絶縁性基板の線膨張係数が8 25. linear expansion coefficient of the electrically insulating substrate 8
    ×10 -6 /℃〜20×10 -6 /℃であり、かつ前記電気絶縁性基板の熱伝導度が1w/mK〜10w/mKである請求項1〜6のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。 × 10 -6 / ° C. was ~20 × 10 -6 / ℃, and the circuit component according to claim 1 thermal conductivity of the electrically insulating substrate is a 1w / mK~10w / mK built-in module. 【請求項26】 無機フィラー70重量%〜95重量% 26. Inorganic filler 70% by weight to 95% by weight
    と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、 第1の銅箔の一主面に回路部品を実装する工程と、 前記第1の銅箔の前記一主面上に、前記第2の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に第2の銅箔を重ねて加圧することによって、前記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、 前記第3の板状体を加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、 前記第1および第2の銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方法。 And a mixture comprising a thermosetting resin in an uncured state, a first and a step of processing the plate-shaped body, thermosetting by filling a thermosetting conductive substance in the through-hole having a through-hole a step in which the conductive material to form a second plate member which is filled in the through hole, the step of mounting the circuit component on one major surface of a first copper foil, the said first copper foil on one principal surface, overlaid by aligning the second plate member, further by pressurizing overlapping the second copper foil thereon, a third plate-shaped body in which the circuit component is buried forming a by heating the third plate member, and curing the thermosetting resin and the conductive material, wiring processing the first and second copper foil pattern method for producing a circuit component built-in module comprising the steps of forming a. 【請求項27】 無機フィラー70重量%〜95重量% 27. Inorganic filler 70% by weight to 95% by weight
    と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、 And a mixture comprising a thermosetting resin in an uncured state, a first and a step of processing the plate-shaped body, thermosetting by filling a thermosetting conductive substance in the through-hole having a through-hole forming a second plate-like body is conductive material filled in the through hole, a wiring pattern formed on one surface of the first release film,
    前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 第2の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する工程と、 前記第1の離型フィルムと前記第2の板状体と前記第2 Wherein the step of mounting the wiring pattern on the circuit component, and forming a wiring pattern on one main surface of the second release film, and the first release film and the second plate-like body the 2
    の離型フィルムとを前記配線パターンが前記第2の板状体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧することによって前記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、 第3の板状体を加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、 前記第1および第2の離型フィルムを前記硬化した第3 It is a release film wherein the wiring pattern to form a third plate member, wherein the circuit component is embedded by pressing superimposed in registration in the order so as to face the second plate side of the process and, by heating the third plate member, and curing the thermosetting resin and the conductive material, the third described above curing the first and second release film
    の板状体から剥離する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方法。 Method for producing a circuit component built-in module comprising a step of peeling from the plate-like body. 【請求項28】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、 無機フィラー70重量%〜95重量%と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、 28. A method for producing a circuit component built-in module having a multilayered structure, a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin in an uncured state, the first having a through hole to the step of processing the plate member, the second plate body thermosetting conductive substance by filling the conductive material of the thermosetting in the through hole is filled in the through hole forming a step, a wiring pattern on one surface of the first release film is formed,
    前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 前記第1の離型フィルムの前記一主面側に、前記第2の板状体を位置合わせして重ね、加圧することによって前記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、 前記第1の離型フィルムを前記第3の板状体から剥離することによって第4の板状体を形成する工程と、 複数の前記第4の板状体を位置合わせして重ね、さらに一主面に配線パターンが形成された第2の離型フィルムを前記配線パターンが前記第4の板状体側を向くように位置合わせして重ねて加圧し加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層構造を有する第5の板状体を形成する工程と、 前記第2の離型フィルムを前記第5の板状体から剥離する工程とを含むことを特徴とする A step of mounting the circuit component on the wiring pattern, on the one principal surface of the first release film, superposed in alignment with the second plate-like body, said circuit components by pressurizing forming a third plate member embedded, and forming a fourth plate member by peeling the first release film from said third plate-like body, a plurality of the Again aligning the fourth plate member, and further the second release film having a wiring pattern formed on one main surface aligned so that the wiring pattern facing said fourth plate-shaped side by pressurizing heating overlaid, forming a fifth plate member having a multi-layer structure by curing the thermosetting resin and the conductive material, the said second release film 5 characterized in that it comprises a step of peeling from the plate-like body 回路部品内蔵モジュールの製造方法。 Method of manufacturing a circuit component built-in module. 【請求項29】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法であって、 無機フィラー70重量%〜95重量%と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成して前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 前記第1の離型フィルムの前記一主面側に、前記第2の板状体を位置合わせして重ねて加圧することによって、 29. A method for producing a circuit component built-in module having a multilayered structure, a mixture comprising an inorganic filler 70% by weight to 95% by weight and a thermosetting resin in an uncured state, the first having a through hole to the step of processing the plate member, the second plate body thermosetting conductive substance by filling the conductive material of the thermosetting in the through hole is filled in the through hole forming a step, a step of mounting the circuit component on the wiring pattern to form a wiring pattern on one surface of the first release film, on the one principal surface of the first release film, said first by pressing superimposed by aligning the second plate member,
    前記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、 前記第1の離型フィルムを前記第3の板状体から剥離することによって第4の板状体を形成する工程と、 複数の前記第4の板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層構造を有する第5の板状体を形成する工程と、 前記第5の板状体の前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。 Forming a third plate member, wherein the circuit component is embedded, and forming a fourth plate member by peeling the first release film from said third plate-shaped body , superimposed by aligning a plurality of said fourth plate-shaped body, further by pressurizing heating superimposed copper foil thereon, the multilayer structure by curing the thermosetting resin and the conductive material process and method for producing a circuit component built-in module, which comprises a step of forming the fifth processed to a wiring pattern the copper foil of the plate to form a fifth plate member having. 【請求項30】 前記回路部品は能動部品を含み、前記導電性物質は導電性樹脂組成物からなる請求項26〜2 30. The circuit component includes an active component, the conductive material is formed of a conductive resin composition according to claim 26 to 2
    9のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 Method for producing a circuit component built-in module according to any 9. 【請求項31】 前記銅箔または前記配線パターンに前記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パターンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程をさらに含む請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 31. After mounting the circuit component on the foil or the wiring pattern, according to claim 26 to further comprising the step of injecting a sealing resin between the copper foil or the wiring pattern and the circuit component method for producing a circuit component built-in module according to 29 any one of. 【請求項32】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を加熱して硬化させる際の温度が150℃以上260 32. The temperature at which heating and curing the thermosetting resin and the conductive material is 0.99 ° C. or higher 260
    ℃以下である請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 ℃ method for manufacturing a circuit component built-in module according to at which any one of claims 26 to 29 or less. 【請求項33】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を加熱して硬化させる際に、加熱しながら10kg/ 33. When the heating and curing the thermosetting resin and the conductive material, while heating 10 kg /
    cm 2 〜200kg/cm 2の圧力で加圧する請求項26 Claim pressurized at a pressure of cm 2 ~200kg / cm 2 26
    〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 Method for producing a circuit component built-in module according to any one of to 29. 【請求項34】 前記第1の板状体を形成する工程が、 34. A process of forming the first plate-like body,
    前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理することによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程を含む請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 After molding the mixture into a plate shape by heat-treating the plate-like mixture at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, according to claim 26 comprising the step of loss of adhesion of the plate-like mixture method for producing a circuit component built-in module according to any one of to 29. 【請求項35】 前記回路部品を前記第2の板状体に埋設することによって前記第3の板状体を形成する工程を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 35. A claim for performing said circuit components forming the third plate member by embedding the second plate-shaped body, at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin method for producing a circuit component built-in module according to any one of 26 to 29. 【請求項36】 前記回路部品を前記銅箔または前記配線パターンに実装する工程は、前記回路部品と前記銅箔または前記配線パターンとを半田によって電気的および機械的に接続する工程からなる請求項26〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 36. A step of mounting the circuit component on the foil or the wiring pattern, claim comprising a step of electrically and mechanically connecting the copper foil or the wiring pattern and the circuit component by solder method for producing a circuit component built-in module according to any one of 26 to 30. 【請求項37】 前記回路部品を前記銅箔または前記配線パターンに実装する際に、前記回路部品の金バンプと前記銅箔または前記配線パターンとを導電性接着剤によって電気的に接続する請求項26〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 37. the circuit component when mounted on the copper foil or the wiring pattern, the claims for electrically connecting the circuit components of the gold bump and the copper foil or the wiring pattern with a conductive adhesive method for producing a circuit component built-in module according to any one of 26 to 30. 【請求項38】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、 38. The thermosetting resin, an epoxy resin,
    フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項26〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 Method for producing a circuit component built-in module according to any one of claims 26 to 30 comprising at least one thermosetting resin selected from phenolic resins and cyanate resins. 【請求項39】 前記無機フィラーがAl 23 、Mg 39. wherein the inorganic filler is Al 2 O 3, Mg
    O、BN、AlNおよびSiO 2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含む請求項26〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 O, BN, method for manufacturing a circuit component built-in module according to any one of claims 26 to 30 comprising at least one inorganic filler selected from AlN and SiO 2. 【請求項40】 前記配線パターンが、銅を含む請求項27〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 40. The wiring pattern, the manufacturing method of the circuit component built-in module according to any one of claims 27 to 30, including copper. 【請求項41】 前記配線パターンが、導電性樹脂組成物を含む請求項27〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 41. The wiring pattern, the manufacturing method of the circuit component built-in module according to any one of claims 27 to 30 comprising a conductive resin composition. 【請求項42】 前記回路部品が半導体ベアーチップを含み、前記半導体ベアーチップは前記銅箔または前記配線パターンにフリップチップボンディングされている請求項30または36に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 42. includes the circuit component semiconductor bare chip, the semiconductor bare chip manufacturing method of the circuit component built-in module according to claim 30 or 36 is flip-chip bonded to the foil or the wiring pattern. 【請求項43】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分として含む請求項30または41に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 43. The conductive resin composition, gold include silver, as copper and conductive component metal particles containing at least one metal selected from nickel, claim 30 or 41 containing an epoxy resin as a resin component method for producing a circuit component built-in module according to. 【請求項44】 前記配線パターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームからなる請求項27〜30のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 44. The wiring pattern, the manufacturing method of the circuit component built-in module according to any one of claims 27 to 30 comprising a lead frame of etching or metal plate formed by stamping. 【請求項45】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項26〜29のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。 45. The circuit component, a chip-shaped resistance, in the production of a circuit component built-in module according to any one of claims 26 to 29 comprising at least one component selected from the chip-shaped capacitor and a chip-shaped inductor Method.
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