JP3373395B2 - ダイオードリミッタ装置 - Google Patents
ダイオードリミッタ装置Info
- Publication number
- JP3373395B2 JP3373395B2 JP20724097A JP20724097A JP3373395B2 JP 3373395 B2 JP3373395 B2 JP 3373395B2 JP 20724097 A JP20724097 A JP 20724097A JP 20724097 A JP20724097 A JP 20724097A JP 3373395 B2 JP3373395 B2 JP 3373395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boss
- diode
- waveguide
- pin
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G11/00—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
- H03G11/02—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G11/00—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
- H03G11/02—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes
- H03G11/025—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes in circuits having distributed constants
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波管を伝搬する
マイクロ波を反射／減衰させるためのダイオードリミッ
タ装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】例えば、レーダ装置の受信回路には、発
振器でパルス発振した大きな電力のマイクロ波がそこに
入力して破壊されないように、その受信回路と発振器と
の間の導波管部分に、ダイオードリミッタ装置を介在さ
せ、そのマイクロ波を反射／減衰させることが行われて
いる。 【０００３】従来のこの種のダイオードリミッタ装置と
しては、ＰＩＮダイオードが使用されているが、扱うマ
イクロ波の電力が大きくなり、パルス幅が長くなると、
そのＰＩＮダイオードが破壊されてしまうところから、
そのＰＩＮダイオードのバイアスには、ＳＢＤダイオー
ド（ショットキーバリアダイオード）をマイクロ波と結
合させてそのＳＢＤダイオードで得られる検波電流を使
用する他励バイアス方式を採用し、耐電力性能を向上さ
せている。 【０００４】図５は従来のダイオードリミッタ装置の構
造を示す図、図６はその等価回路である。ここでは、導
波管５１の導波路５１ａの内壁面に対して、マイクロ波
チョークを有するＳＢＤポスト５２によりＳＢＤダイオ
ード５３が、導波管５１のＨ面（磁界面）を貫通するよ
う固定されている。このＳＢＤダイオード５３が導波管
５１内のマイクロ波と結合してそこに検波電流が流れる
と、ＳＢＤポスト５２の先端と導波管５１との間に接続
した負荷抵抗兼回復時間調整用の抵抗５５によりその電
流が検波電圧に変換される。なお、このＳＢＤポスト５
２は、導波管５１に対して絶縁材５４を介して固定され
ている。 【０００５】ＰＩＮダイオード５６を支持するＰＩＮポ
スト５７は、チョークを有するネジ５８を貫通し、前記
したＳＢＤポスト５２の先端と電気的に接続されてい
る。これにより、ＳＢＤダイオード５３による検波電圧
がＰＩＮダイオード５６にバイアスとして印加する。な
お、ＰＩＮポスト５７とネジ５８とは、絶縁材５９を介
して絶縁分離されている。 【０００６】この構造では、ネジ５８を回転させること
により、ＰＩＮポスト５７と導波管部で構成される同軸
線路部６０の長さを調整して、ダイオードリミッタの通
過特性を調整することができる。なお、６１は第２段目
のダイオードリミッタ部分であり、ここではマイクロ波
電力が大幅に低下しているので、ＰＩＮダイオードは自
己バイアス方式を使用できることから、ＳＢＤダイオー
ドによる他励バイアス方式は採用していない。 【０００７】図７は従来の別の例のダイオードリミッタ
装置の構造を示す図、図８はその等価回路である。ここ
では、ＰＩＮダイオード７２を支えるＰＩＮポスト７３
の端部７３ａを太く形成してそこに座ぐり部（Spot Fac
ing）７３ｂを形成し、その座ぐり部７３ｂ内に、ＳＢ
Ｄダイオード７４と負荷抵抗兼回復時間調整用の抵抗７
５の一端を半田付けしている。ＰＩＮポスト７３は、絶
縁筒７６及びネジ７７で押さえつけられる形で固定さ
れ、そのネジ７７の中心に設けられた貫通孔７７ａに、
前記したＳＢＤダイオード７４と抵抗７５の片端を半田
付けし、導波管７１との導通を得ている。７８は第２段
目のダイオードリミッタ部分であり、前記した構造と同
様な構造となっている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところが、図５、図６
に示したダイオードリミッタ装置では、ＳＢＤダイオー
ド５３を配置するための構造が複雑となるため、生産性
が悪くコスト高を招くという問題があった。 【０００９】図７、図８に示したダイオードリミッタ装
置では、ＳＢＤダイオード７４と抵抗７５を立体的に配
置するので、前述の図５、図６に示したダイオードリミ
ッタ装置と同様に生産性が悪く、コスト高を招く問題が
あった。 【００１０】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、生産性が良く、コスト安を実
現できるようにしたダイオードリミッタ装置を提供する
ことである。 【００１１】 【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
マイクロ波の伝送用の導波路、該導波路のＨ面の壁面に
形成された第１貫通孔および該壁面と対面する別の壁面
に形成され前記第１貫通孔と同軸で且つ前記導波路側に
径小部が形成され奥部に径大の座ぐり部が形成された第
２貫通孔を有する導波管と、前記第１貫通孔内に螺合す
る導電性の第１ボスと、該第１ボスに螺合するＰＩＮポ
ストと、ＰＩＮダイオードと、検波ダイオードおよび抵
抗が一方の面において並列接続された配線基板と、先端
に台座を有し胴部にくびれ部を有する導電性の第２ボス
と、絶縁材と、片面に座ぐり部を有し前記第２貫通孔の
前記座ぐり部に螺合する導電性の第３ボスとを具備し、
前記第２ボスの前記台座を前記絶縁材を介して前記第２
貫通孔の前記径小部に前記導波管と非接触ではめ込み、
前記第２ボスの前記台座と反対側に前記配線基板の他方
の面を押しつけ、前記第３ボスの前記座ぐり部が前記配
線基板の前記検波ダイオードと前記抵抗を囲むように前
記第３ボスで前記配線基板を前記第２ボスに押し付け、
前記ＰＩＮポストの片端と前記第２ボスの前記台座とに
より前記ＰＩＮダイオードを挟持して前記導波路内に位
置させ、前記配線基板の前記検波ダイオードと前記抵抗
との並列接続の一方の接続点が前記第２ボスに接続さ
れ、他方の接続点が前記第３ボスに接続されることによ
り、前記ＰＩＮダイオードと前記検波ダイオードが前記
導波管、前記ＰＩＮポストおよび前記第１ボスを介して
順方向にループ状に直列接続されるようにし、前記導波
路からの前記マイクロ波が前記絶縁材、前記第２ボスの
前記くびれ部および前記配線基板により、減衰して前記
検波ダイオードに到達するようにしたことを特徴とする
ダイオードリミッタ装置とした。 【００１２】 【発明の実施の形態】図１は本発明のひとつの実施の形
態のダイオードリミッタ装置の構造を示す図、図２はそ
の等価回路である。１１は導波路１１ａを有する導波管
であり、そのＨ面には雌ネジ部１２ａを有する第１貫通
孔１２が設けられている。そして、その雌ネジ部１２ａ
に、中心部に貫通雌ネジ１３ａが形成された導電性の第
１ボス１３がネジ込みで配置されている。この第１ボス
１３の貫通雌ネジ１３ａには、導電性のＰＩＮポスト１
４がネジ込みで支持され、そのＰＩＮポスト１４の先端
（下端）にＰＩＮダイオード１５が配置されている。 【００１３】前記Ｈ面と対向するＨ面には、座ぐり部１
６ａを有する第２貫通孔１６が形成され、その座ぐり部
１６ａの開口部側に雌ネジ部１６ｂが形成されている。
そして、ＰＩＮダイオード１５用の台座１７ａを有する
導電性の第２ボス１７が、導波管１１に対して周囲を絶
縁材１８（ポリプロピレン）により絶縁された状態で配
置されている。ＰＩＮダイオード１５は、第２ボス１７
の台座１７ａと前記ＰＩＮポスト１４で挟まれた状態で
電気的に接続されている。１７ｂはこの第２ボス１７の
胴部の周囲に形成したくびれ部である。この第２ボス１
７の台座１７ａと反対側には、ＳＢＤダイオード１９と
負荷抵抗兼回復時間調整用の抵抗２０が並列接続状態で
表面実装された絶縁性の配線基板２１が、導電性の第３
ボス２２のネジ込みにより、取り付けられている。 【００１４】配線基板２１の上面パターンを図３に、下
面パターンを図４に示す。この配線基板２１の上面に
は、第２ボス１７と接触し第２貫通孔１６とは接触しな
いように周囲部分のパターンを除去した導電パターン２
１ａが形成されている。また、下面には、ＳＢＤダイオ
ード１９と抵抗２０の片端が共通接続されると共に、座
ぐり部２２ａを形成した第３ボス２２が接触するよう周
囲にまで展開した導電パターン２１ｂと、ＳＢＤダイオ
ード１９と抵抗２０の他端が共通接続される導電パター
ン２１ｃが形成されている。そして、上面の導電パター
ン２１ａは、下面の導電パターン２１ｃとスルホール２
１ｄを介して電気的に接続されている。 【００１５】よって、配線基板２１を、その上面の導電
パターン２１ａが第２ボス１７に電気的に接するように
挿入してから、第３ボス２２をその座ぐり部２２ａがＳ
ＢＤダイオード１９や抵抗２０を囲むようにネジ込む
と、下面の導電パターン２１ｂがこの第３ボス２２を介
して導波管１１に電気的に接続される。かくして、図２
に示すような等価回路が実現される。 【００１６】なお、２４は第２段目のダイオードリミッ
タ部であり、ここではマイクロ波電力が減衰しているの
で、自己バイアス方式でＰＩＮダイオードを搭載し、Ｓ
ＢＤダイオードは使用していないが、本発明とは関係が
ないので、詳しい説明は省略する。 【００１７】本実施の形態のダイオードリミッタ装置で
は、ＳＢＤダイオード１９とマイクロ波との結合は、マ
イクロ波が導波管１１と第２ボス１７との隙間の絶縁材
１８の部分から座ぐり部１６ａに入力し、さらに配線基
板２１を通過し第３ボス２２の座ぐり部２２ａを経由し
て行われる。このとき、マイクロ波は、絶縁材１８、第
２ボス１７の胴部に形成したくびれ部１７ｂによるチョ
ーク、及び配線基板２１によりかなり減衰されてから、
ＳＢＤダイオード１９が作用し、そのＳＢＤダイオード
に最終的に結合するマイクロ波電力は、そのＳＢＤダイ
オードの破壊電力以下になっている。マイクロ波と作用
してＳＢＤダイオード１９に発生した検波電流は、抵抗
２０で電圧変換されＰＩＮダイオード１５にバイアス電
圧として印加する。また、この抵抗２０は、ＳＢＤダイ
オード１９やＰＩＮダイオード１５が動作（マイクロ波
はパルス波形）しているときに蓄積した電荷を放電し、
回復時間（ダイオードリミッタ通過特性が元に戻る時
間）を早める作用も行う。 【００１８】また、第１ボス１３のネジ込み深さを調整
することにより、ＰＩＮポスト１４と第１貫通孔１２と
で形成される同軸線路２３の長さを調整できるので、こ
れによりＰＩＮダイオード１５の静電容量のバラツキに
より生じるリミッタ通過特性を調整することができる。 【００１９】なお、以上の説明において、ＳＢＤダイオ
ード１９はこれに限られるものではなく、マイクロ波と
作用して検波電流を発生できる検波ダイオードであれば
良い。 【００２０】 【発明の効果】以上から本発明によれば、導波路からの
マイクロ波が絶縁材、第２ボスのくびれ部によるチョー
クおよび配線基板により、減衰して検波ダイオードに到
達するようにしたので、検波ダイオードの破損対策が万
全となる。また、検波ダイオードおよび抵抗が一方の面
において並列接続された配線基板を使用するので、検波
ダイオードと抵抗の部分の構造が簡素化され生産性の向
上やコスト削減を図ることができる。さらに、第２ボス
の台座と反対側に配線基板の他方の面を押しつけ、第３
ボスの座ぐり部が配線基板の検波ダイオードと抵抗を囲
むように第３ボスで配線基板を第２ボスに押し付けたの
で、それら検波ダイオードや抵抗が第３ボスに接触する
こと防止することができるばかりか検波ダイオードに作
用するマイクロ波は配線基板および第３ボスの座ぐり部
を通過するため、そのマイクロ波の通過のための特別の
スペースを設けることは必要なくなる。
マイクロ波を反射／減衰させるためのダイオードリミッ
タ装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】例えば、レーダ装置の受信回路には、発
振器でパルス発振した大きな電力のマイクロ波がそこに
入力して破壊されないように、その受信回路と発振器と
の間の導波管部分に、ダイオードリミッタ装置を介在さ
せ、そのマイクロ波を反射／減衰させることが行われて
いる。 【０００３】従来のこの種のダイオードリミッタ装置と
しては、ＰＩＮダイオードが使用されているが、扱うマ
イクロ波の電力が大きくなり、パルス幅が長くなると、
そのＰＩＮダイオードが破壊されてしまうところから、
そのＰＩＮダイオードのバイアスには、ＳＢＤダイオー
ド（ショットキーバリアダイオード）をマイクロ波と結
合させてそのＳＢＤダイオードで得られる検波電流を使
用する他励バイアス方式を採用し、耐電力性能を向上さ
せている。 【０００４】図５は従来のダイオードリミッタ装置の構
造を示す図、図６はその等価回路である。ここでは、導
波管５１の導波路５１ａの内壁面に対して、マイクロ波
チョークを有するＳＢＤポスト５２によりＳＢＤダイオ
ード５３が、導波管５１のＨ面（磁界面）を貫通するよ
う固定されている。このＳＢＤダイオード５３が導波管
５１内のマイクロ波と結合してそこに検波電流が流れる
と、ＳＢＤポスト５２の先端と導波管５１との間に接続
した負荷抵抗兼回復時間調整用の抵抗５５によりその電
流が検波電圧に変換される。なお、このＳＢＤポスト５
２は、導波管５１に対して絶縁材５４を介して固定され
ている。 【０００５】ＰＩＮダイオード５６を支持するＰＩＮポ
スト５７は、チョークを有するネジ５８を貫通し、前記
したＳＢＤポスト５２の先端と電気的に接続されてい
る。これにより、ＳＢＤダイオード５３による検波電圧
がＰＩＮダイオード５６にバイアスとして印加する。な
お、ＰＩＮポスト５７とネジ５８とは、絶縁材５９を介
して絶縁分離されている。 【０００６】この構造では、ネジ５８を回転させること
により、ＰＩＮポスト５７と導波管部で構成される同軸
線路部６０の長さを調整して、ダイオードリミッタの通
過特性を調整することができる。なお、６１は第２段目
のダイオードリミッタ部分であり、ここではマイクロ波
電力が大幅に低下しているので、ＰＩＮダイオードは自
己バイアス方式を使用できることから、ＳＢＤダイオー
ドによる他励バイアス方式は採用していない。 【０００７】図７は従来の別の例のダイオードリミッタ
装置の構造を示す図、図８はその等価回路である。ここ
では、ＰＩＮダイオード７２を支えるＰＩＮポスト７３
の端部７３ａを太く形成してそこに座ぐり部（Spot Fac
ing）７３ｂを形成し、その座ぐり部７３ｂ内に、ＳＢ
Ｄダイオード７４と負荷抵抗兼回復時間調整用の抵抗７
５の一端を半田付けしている。ＰＩＮポスト７３は、絶
縁筒７６及びネジ７７で押さえつけられる形で固定さ
れ、そのネジ７７の中心に設けられた貫通孔７７ａに、
前記したＳＢＤダイオード７４と抵抗７５の片端を半田
付けし、導波管７１との導通を得ている。７８は第２段
目のダイオードリミッタ部分であり、前記した構造と同
様な構造となっている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところが、図５、図６
に示したダイオードリミッタ装置では、ＳＢＤダイオー
ド５３を配置するための構造が複雑となるため、生産性
が悪くコスト高を招くという問題があった。 【０００９】図７、図８に示したダイオードリミッタ装
置では、ＳＢＤダイオード７４と抵抗７５を立体的に配
置するので、前述の図５、図６に示したダイオードリミ
ッタ装置と同様に生産性が悪く、コスト高を招く問題が
あった。 【００１０】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、生産性が良く、コスト安を実
現できるようにしたダイオードリミッタ装置を提供する
ことである。 【００１１】 【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
マイクロ波の伝送用の導波路、該導波路のＨ面の壁面に
形成された第１貫通孔および該壁面と対面する別の壁面
に形成され前記第１貫通孔と同軸で且つ前記導波路側に
径小部が形成され奥部に径大の座ぐり部が形成された第
２貫通孔を有する導波管と、前記第１貫通孔内に螺合す
る導電性の第１ボスと、該第１ボスに螺合するＰＩＮポ
ストと、ＰＩＮダイオードと、検波ダイオードおよび抵
抗が一方の面において並列接続された配線基板と、先端
に台座を有し胴部にくびれ部を有する導電性の第２ボス
と、絶縁材と、片面に座ぐり部を有し前記第２貫通孔の
前記座ぐり部に螺合する導電性の第３ボスとを具備し、
前記第２ボスの前記台座を前記絶縁材を介して前記第２
貫通孔の前記径小部に前記導波管と非接触ではめ込み、
前記第２ボスの前記台座と反対側に前記配線基板の他方
の面を押しつけ、前記第３ボスの前記座ぐり部が前記配
線基板の前記検波ダイオードと前記抵抗を囲むように前
記第３ボスで前記配線基板を前記第２ボスに押し付け、
前記ＰＩＮポストの片端と前記第２ボスの前記台座とに
より前記ＰＩＮダイオードを挟持して前記導波路内に位
置させ、前記配線基板の前記検波ダイオードと前記抵抗
との並列接続の一方の接続点が前記第２ボスに接続さ
れ、他方の接続点が前記第３ボスに接続されることによ
り、前記ＰＩＮダイオードと前記検波ダイオードが前記
導波管、前記ＰＩＮポストおよび前記第１ボスを介して
順方向にループ状に直列接続されるようにし、前記導波
路からの前記マイクロ波が前記絶縁材、前記第２ボスの
前記くびれ部および前記配線基板により、減衰して前記
検波ダイオードに到達するようにしたことを特徴とする
ダイオードリミッタ装置とした。 【００１２】 【発明の実施の形態】図１は本発明のひとつの実施の形
態のダイオードリミッタ装置の構造を示す図、図２はそ
の等価回路である。１１は導波路１１ａを有する導波管
であり、そのＨ面には雌ネジ部１２ａを有する第１貫通
孔１２が設けられている。そして、その雌ネジ部１２ａ
に、中心部に貫通雌ネジ１３ａが形成された導電性の第
１ボス１３がネジ込みで配置されている。この第１ボス
１３の貫通雌ネジ１３ａには、導電性のＰＩＮポスト１
４がネジ込みで支持され、そのＰＩＮポスト１４の先端
（下端）にＰＩＮダイオード１５が配置されている。 【００１３】前記Ｈ面と対向するＨ面には、座ぐり部１
６ａを有する第２貫通孔１６が形成され、その座ぐり部
１６ａの開口部側に雌ネジ部１６ｂが形成されている。
そして、ＰＩＮダイオード１５用の台座１７ａを有する
導電性の第２ボス１７が、導波管１１に対して周囲を絶
縁材１８（ポリプロピレン）により絶縁された状態で配
置されている。ＰＩＮダイオード１５は、第２ボス１７
の台座１７ａと前記ＰＩＮポスト１４で挟まれた状態で
電気的に接続されている。１７ｂはこの第２ボス１７の
胴部の周囲に形成したくびれ部である。この第２ボス１
７の台座１７ａと反対側には、ＳＢＤダイオード１９と
負荷抵抗兼回復時間調整用の抵抗２０が並列接続状態で
表面実装された絶縁性の配線基板２１が、導電性の第３
ボス２２のネジ込みにより、取り付けられている。 【００１４】配線基板２１の上面パターンを図３に、下
面パターンを図４に示す。この配線基板２１の上面に
は、第２ボス１７と接触し第２貫通孔１６とは接触しな
いように周囲部分のパターンを除去した導電パターン２
１ａが形成されている。また、下面には、ＳＢＤダイオ
ード１９と抵抗２０の片端が共通接続されると共に、座
ぐり部２２ａを形成した第３ボス２２が接触するよう周
囲にまで展開した導電パターン２１ｂと、ＳＢＤダイオ
ード１９と抵抗２０の他端が共通接続される導電パター
ン２１ｃが形成されている。そして、上面の導電パター
ン２１ａは、下面の導電パターン２１ｃとスルホール２
１ｄを介して電気的に接続されている。 【００１５】よって、配線基板２１を、その上面の導電
パターン２１ａが第２ボス１７に電気的に接するように
挿入してから、第３ボス２２をその座ぐり部２２ａがＳ
ＢＤダイオード１９や抵抗２０を囲むようにネジ込む
と、下面の導電パターン２１ｂがこの第３ボス２２を介
して導波管１１に電気的に接続される。かくして、図２
に示すような等価回路が実現される。 【００１６】なお、２４は第２段目のダイオードリミッ
タ部であり、ここではマイクロ波電力が減衰しているの
で、自己バイアス方式でＰＩＮダイオードを搭載し、Ｓ
ＢＤダイオードは使用していないが、本発明とは関係が
ないので、詳しい説明は省略する。 【００１７】本実施の形態のダイオードリミッタ装置で
は、ＳＢＤダイオード１９とマイクロ波との結合は、マ
イクロ波が導波管１１と第２ボス１７との隙間の絶縁材
１８の部分から座ぐり部１６ａに入力し、さらに配線基
板２１を通過し第３ボス２２の座ぐり部２２ａを経由し
て行われる。このとき、マイクロ波は、絶縁材１８、第
２ボス１７の胴部に形成したくびれ部１７ｂによるチョ
ーク、及び配線基板２１によりかなり減衰されてから、
ＳＢＤダイオード１９が作用し、そのＳＢＤダイオード
に最終的に結合するマイクロ波電力は、そのＳＢＤダイ
オードの破壊電力以下になっている。マイクロ波と作用
してＳＢＤダイオード１９に発生した検波電流は、抵抗
２０で電圧変換されＰＩＮダイオード１５にバイアス電
圧として印加する。また、この抵抗２０は、ＳＢＤダイ
オード１９やＰＩＮダイオード１５が動作（マイクロ波
はパルス波形）しているときに蓄積した電荷を放電し、
回復時間（ダイオードリミッタ通過特性が元に戻る時
間）を早める作用も行う。 【００１８】また、第１ボス１３のネジ込み深さを調整
することにより、ＰＩＮポスト１４と第１貫通孔１２と
で形成される同軸線路２３の長さを調整できるので、こ
れによりＰＩＮダイオード１５の静電容量のバラツキに
より生じるリミッタ通過特性を調整することができる。 【００１９】なお、以上の説明において、ＳＢＤダイオ
ード１９はこれに限られるものではなく、マイクロ波と
作用して検波電流を発生できる検波ダイオードであれば
良い。 【００２０】 【発明の効果】以上から本発明によれば、導波路からの
マイクロ波が絶縁材、第２ボスのくびれ部によるチョー
クおよび配線基板により、減衰して検波ダイオードに到
達するようにしたので、検波ダイオードの破損対策が万
全となる。また、検波ダイオードおよび抵抗が一方の面
において並列接続された配線基板を使用するので、検波
ダイオードと抵抗の部分の構造が簡素化され生産性の向
上やコスト削減を図ることができる。さらに、第２ボス
の台座と反対側に配線基板の他方の面を押しつけ、第３
ボスの座ぐり部が配線基板の検波ダイオードと抵抗を囲
むように第３ボスで配線基板を第２ボスに押し付けたの
で、それら検波ダイオードや抵抗が第３ボスに接触する
こと防止することができるばかりか検波ダイオードに作
用するマイクロ波は配線基板および第３ボスの座ぐり部
を通過するため、そのマイクロ波の通過のための特別の
スペースを設けることは必要なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態のダイオードリミッタ装
置の構造を示す断面図である。 【図２】 同ダイオードリミッタ装置の等価回路であ
る。 【図３】 同ダイオードリミッタ装置の配線基板の上面
図である。 【図４】 同ダイオードリミッタ装置の配線基板の下面
図である。 【図５】 従来のダイオードリミッタ装置の構造を示す
断面図である。 【図６】 同ダイオードリミッタ装置の等価回路であ
る。 【図７】 従来の別のダイオードリミッタ装置の構造を
示す断面図である。 【図８】 同ダイオードリミッタ装置の等価回路であ
る。 【符号の説明】 １１：導波管、１２：第１貫通孔、１３：第１ボス、１
４：ＰＩＮポスト、１５：ＰＩＮダイオード、１６：第
２貫通孔、１７：第２ボス、１８：絶縁材、１９：ＳＢ
Ｄダイオード、２０：負荷抵抗兼回復時間調整用の抵
抗、２１：配線基板、２２：第３ボス、２３：同軸線
路。
置の構造を示す断面図である。 【図２】 同ダイオードリミッタ装置の等価回路であ
る。 【図３】 同ダイオードリミッタ装置の配線基板の上面
図である。 【図４】 同ダイオードリミッタ装置の配線基板の下面
図である。 【図５】 従来のダイオードリミッタ装置の構造を示す
断面図である。 【図６】 同ダイオードリミッタ装置の等価回路であ
る。 【図７】 従来の別のダイオードリミッタ装置の構造を
示す断面図である。 【図８】 同ダイオードリミッタ装置の等価回路であ
る。 【符号の説明】 １１：導波管、１２：第１貫通孔、１３：第１ボス、１
４：ＰＩＮポスト、１５：ＰＩＮダイオード、１６：第
２貫通孔、１７：第２ボス、１８：絶縁材、１９：ＳＢ
Ｄダイオード、２０：負荷抵抗兼回復時間調整用の抵
抗、２１：配線基板、２２：第３ボス、２３：同軸線
路。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03G 11/00
G01S 7/28
H01P 1/15
H03G 11/02
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】マイクロ波の伝送用の導波路、該導波路の
Ｈ面の壁面に形成された第１貫通孔および該壁面と対面
する別の壁面に形成され前記第１貫通孔と同軸で且つ前
記導波路側に径小部が形成され奥部に径大の座ぐり部が
形成された第２貫通孔を有する導波管と、前記第１貫通
孔内に螺合する導電性の第１ボスと、該第１ボスに螺合
するＰＩＮポストと、ＰＩＮダイオードと、検波ダイオ
ードおよび抵抗が一方の面において並列接続された配線
基板と、先端に台座を有し胴部にくびれ部を有する導電
性の第２ボスと、絶縁材と、片面に座ぐり部を有し前記
第２貫通孔の前記座ぐり部に螺合する導電性の第３ボス
とを具備し、 前記第２ボスの前記台座を前記絶縁材を介して前記第２
貫通孔の前記径小部に前記導波管と非接触ではめ込み、
前記第２ボスの前記台座と反対側に前記配線基板の他方
の面を押しつけ、前記第３ボスの前記座ぐり部が前記配
線基板の前記検波ダイオードと前記抵抗を囲むように前
記第３ボスで前記配線基板を前記第２ボスに押し付け、 前記ＰＩＮポストの片端と前記第２ボスの前記台座とに
より前記ＰＩＮダイオードを挟持して前記導波路内に位
置させ、 前記配線基板の前記検波ダイオードと前記抵抗との並列
接続の一方の接続点が前記第２ボスに接続され、他方の
接続点が前記第３ボスに接続されることにより、前記Ｐ
ＩＮダイオードと前記検波ダイオードが前記導波管、前
記ＰＩＮポストおよび前記第１ボスを介して順方向にル
ープ状に直列接続されるようにし、 前記導波路からの前記マイクロ波が前記絶縁材、前記第
２ボスの前記くびれ部および前記配線基板により、減衰
して前記検波ダイオードに到達するように したことを特
徴とするダイオードリミッタ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20724097A JP3373395B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ダイオードリミッタ装置 |
| US09/098,559 US6057569A (en) | 1997-07-16 | 1998-06-17 | Diode limiter device |
| GB9813334A GB2328325B (en) | 1997-07-16 | 1998-06-19 | Diode limiter device |
| CN98115507A CN1108639C (zh) | 1997-07-16 | 1998-06-26 | 二极管限制装置 |
| KR10-1998-0027429A KR100411995B1 (ko) | 1997-07-16 | 1998-07-08 | 다이오드리미터장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20724097A JP3373395B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ダイオードリミッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1141049A JPH1141049A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3373395B2 true JP3373395B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=16536547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20724097A Expired - Lifetime JP3373395B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ダイオードリミッタ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6057569A (ja) |
| JP (1) | JP3373395B2 (ja) |
| KR (1) | KR100411995B1 (ja) |
| CN (1) | CN1108639C (ja) |
| GB (1) | GB2328325B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4925928B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-05-09 | 古野電気株式会社 | 高周波リミッタ |
| EP2161834B1 (en) | 2007-06-05 | 2013-08-28 | Furuno Electric Company, Limited | High-frequency limiter |
| CN105680120B (zh) * | 2016-01-27 | 2018-04-13 | 西安电子工程研究所 | 一种impatt二极管夹持紧固装置 |
| KR102223518B1 (ko) | 2019-07-31 | 2021-03-05 | 이이성 | 난각 파손 검출 장치 |
| KR102449254B1 (ko) * | 2021-04-15 | 2022-09-30 | 한국전기연구원 | 전자기 펄스를 차단하기 위한 다이오드 리미터 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2133635B (en) * | 1982-12-16 | 1986-12-17 | English Electric Valve Co Ltd | Microwave transmitting and receiving arrangements |
| JPH0785521B2 (ja) * | 1987-02-21 | 1995-09-13 | 新日本無線株式会社 | 低域フイルタ導波管型ダイオ−ドリミツタ |
| JPS62216685A (ja) * | 1987-03-09 | 1987-09-24 | セイレイ工業株式会社 | 籾すり機の選別部における選別装置 |
| US4875022A (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High power microwave expander for producing fast rise time pulses |
| JPH0263301A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Fujitsu Ltd | ダイオードリミッタ |
| JPH0722249B2 (ja) * | 1991-09-09 | 1995-03-08 | 株式会社東芝 | ダイオードリミッタ |
| JPH05136603A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | 導波管形ダイオードリミツタ |
| JPH06216685A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | ダイオードリミッタ |
-
1997
- 1997-07-16 JP JP20724097A patent/JP3373395B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-17 US US09/098,559 patent/US6057569A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-19 GB GB9813334A patent/GB2328325B/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-26 CN CN98115507A patent/CN1108639C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-08 KR KR10-1998-0027429A patent/KR100411995B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100411995B1 (ko) | 2004-03-24 |
| GB2328325B (en) | 2002-03-13 |
| JPH1141049A (ja) | 1999-02-12 |
| GB9813334D0 (en) | 1998-08-19 |
| CN1208971A (zh) | 1999-02-24 |
| KR19990013685A (ko) | 1999-02-25 |
| GB2328325A (en) | 1999-02-17 |
| US6057569A (en) | 2000-05-02 |
| CN1108639C (zh) | 2003-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3757272A (en) | Strip transmission line coupler | |
| US4188590A (en) | Conical power combiner | |
| JPH04505394A (ja) | インピーダンス・マッチング・カプラ | |
| US4853703A (en) | Microstrip antenna with stripline and amplifier | |
| JP3373395B2 (ja) | ダイオードリミッタ装置 | |
| US5814762A (en) | Grounding for enclosures | |
| CA1145445A (en) | High frequency light detector housing | |
| JP3229564B2 (ja) | マイクロ波検出器 | |
| US3868588A (en) | Microwave oscillator or amplifier using parametric enhanced trapatt circuits | |
| JP2772099B2 (ja) | 軸スロット筒状アンテナ | |
| JPH06216685A (ja) | ダイオードリミッタ | |
| US3239744A (en) | Frequency multiplier | |
| US3568099A (en) | Matched microwave limiter | |
| JPH0621739A (ja) | ダイオードリミッタ | |
| JPH02234501A (ja) | ストリップ線路と同軸コネクタの接続構造 | |
| JP3834385B2 (ja) | ダイオードリミッタ | |
| JPH06244602A (ja) | マイクロ波集積回路およびそのパッケージ | |
| JPH088604A (ja) | マイクロ波減衰装置 | |
| SU1443060A1 (ru) | Сверхвысокочастотный фильтр | |
| JPH01101002A (ja) | 半導体装置 | |
| US3360743A (en) | Distributed feedback strip transmission line oscillator | |
| JPH10126120A (ja) | 共振器並びにその共振器を用いた発振器およびフィルタ | |
| US2574978A (en) | Shield for tube sockets | |
| JPH0234876Y2 (ja) | ||
| US3605004A (en) | High efficiency diode signal generator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021105 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |