JPH088604A - マイクロ波減衰装置 - Google Patents
マイクロ波減衰装置Info
- Publication number
- JPH088604A JPH088604A JP16332394A JP16332394A JPH088604A JP H088604 A JPH088604 A JP H088604A JP 16332394 A JP16332394 A JP 16332394A JP 16332394 A JP16332394 A JP 16332394A JP H088604 A JPH088604 A JP H088604A
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- JP
- Japan
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- diode
- microwave
- diodes
- waveguide
- silicon
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力マイクロ波の殆どを反射／減衰できるマ
イクロ波減衰装置を提供すること。 【構成】 シリコンカーバイドまたはダイアモンドを構
成材料とする第１ダイオード５で入力マイクロ波の大部
分を反射／減衰させ、シリコンを構成材料とする第２ダ
イオードで第１ダイオード５を漏洩してきたマイクロ波
を反射／減衰させることにより、入力マイクロ波をほぼ
完全に減衰させる。
イクロ波減衰装置を提供すること。 【構成】 シリコンカーバイドまたはダイアモンドを構
成材料とする第１ダイオード５で入力マイクロ波の大部
分を反射／減衰させ、シリコンを構成材料とする第２ダ
イオードで第１ダイオード５を漏洩してきたマイクロ波
を反射／減衰させることにより、入力マイクロ波をほぼ
完全に減衰させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、伝送路短絡用のダイオ
ードを使用したマイクロ波減衰装置に係り、特に大きな
減衰特性が得られるようにしたマイクロ波減衰装置に関
するものである。
ードを使用したマイクロ波減衰装置に係り、特に大きな
減衰特性が得られるようにしたマイクロ波減衰装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、パルスレーダ装置においては、
送信機から発射したパルスマイクロ波（例えば５０Ｋ
Ｗ）により受信機（送信機と共に共通アンテナに接続さ
れる）が破損しないように、その受信機の入力側導波管
にＴＲ（Transmit-receive）管が取り付けられる。この
ＴＲ管は、大電力のマイクロ波（発射マイクロ波）が入
射すると内部に設けられた対向電極が放電してそこを短
絡させ、マイクロ波をそこで反射／減衰させて受信機に
その大電力マイクロ波が入力することを防止するもので
ある。なお、目標物で反射したマイクロ波は微小電力で
あるので、対向電極を放電させることなくＴＲ管を通過
して受信機に入力する。
送信機から発射したパルスマイクロ波（例えば５０Ｋ
Ｗ）により受信機（送信機と共に共通アンテナに接続さ
れる）が破損しないように、その受信機の入力側導波管
にＴＲ（Transmit-receive）管が取り付けられる。この
ＴＲ管は、大電力のマイクロ波（発射マイクロ波）が入
射すると内部に設けられた対向電極が放電してそこを短
絡させ、マイクロ波をそこで反射／減衰させて受信機に
その大電力マイクロ波が入力することを防止するもので
ある。なお、目標物で反射したマイクロ波は微小電力で
あるので、対向電極を放電させることなくＴＲ管を通過
して受信機に入力する。
【０００３】一方、このようなＴＲ管と同等の機能を行
なうものとして、導波管内のＨ面に垂直に導電性ポスト
によりシリコン・ＰＩＮダイオードをマウントして、大
電力マイクロ波入射時にそのシリコン・ＰＩＮダイオー
ドを導通させて短絡させ、そこでマイクロ波の大部分を
反射／減衰させるようにしたマイクロ波減衰装置が利用
されている。
なうものとして、導波管内のＨ面に垂直に導電性ポスト
によりシリコン・ＰＩＮダイオードをマウントして、大
電力マイクロ波入射時にそのシリコン・ＰＩＮダイオー
ドを導通させて短絡させ、そこでマイクロ波の大部分を
反射／減衰させるようにしたマイクロ波減衰装置が利用
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このシリコ
ン・ＰＩＮダイオードを用いたマイクロ波減衰装置で
は、そのシリコンの融点が低い（１４１４℃程度）の
で、大電力マイクロ波の入力時に焼損してしまうという
問題があった。
ン・ＰＩＮダイオードを用いたマイクロ波減衰装置で
は、そのシリコンの融点が低い（１４１４℃程度）の
で、大電力マイクロ波の入力時に焼損してしまうという
問題があった。
【０００５】本発明の目的は、ダイオードを使用しなが
らも、焼損の問題が発生せず、また十分な減衰特性を発
揮できるようにしたマイクロ波減衰装置を提供すること
にある。
らも、焼損の問題が発生せず、また十分な減衰特性を発
揮できるようにしたマイクロ波減衰装置を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このために本発明のマイ
クロ波減衰装置は、マイクロ波伝送路と、該マイクロ波
伝送路に所定距離だけ離して設けた伝送路短絡用の複数
のダイオードとからなり、該複数のダイオードの内のマ
イクロ波入力側に設ける１又は２以上のダイオードに他
のダイオードに比べて耐熱性の高いダイオードを使用
し、該他のダイオードに上記マイクロ波入力側に設ける
ダイオードに比べて順方向抵抗の小さいダイオードを使
用した。
クロ波減衰装置は、マイクロ波伝送路と、該マイクロ波
伝送路に所定距離だけ離して設けた伝送路短絡用の複数
のダイオードとからなり、該複数のダイオードの内のマ
イクロ波入力側に設ける１又は２以上のダイオードに他
のダイオードに比べて耐熱性の高いダイオードを使用
し、該他のダイオードに上記マイクロ波入力側に設ける
ダイオードに比べて順方向抵抗の小さいダイオードを使
用した。
【０００７】本発明では、上記マイクロ波入力側に設け
る１又は２以上のダイオードに、シリコンカーバイドま
たはダイアモンドを構成材料とするＰＩＮダイオードを
用い、上記他のダイオードに、シリコンを構成材料とす
るＰＩＮダイオードを用いることができる。
る１又は２以上のダイオードに、シリコンカーバイドま
たはダイアモンドを構成材料とするＰＩＮダイオードを
用い、上記他のダイオードに、シリコンを構成材料とす
るＰＩＮダイオードを用いることができる。
【０００８】また本発明では、上記複数のダイオードの
相互間隔をλ／４の奇数倍に設定することが好ましい。
相互間隔をλ／４の奇数倍に設定することが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明では、マイクロ波入力側に設ける１又は
２以上のダイオードで入力マイクロ波の大部分を反射／
減衰させ、そこを漏洩してきたマイクロ波を他のダイオ
ードで反射／減衰させることにより、入力マイクロ波を
大幅に減衰乃至完全に遮断させる。
２以上のダイオードで入力マイクロ波の大部分を反射／
減衰させ、そこを漏洩してきたマイクロ波を他のダイオ
ードで反射／減衰させることにより、入力マイクロ波を
大幅に減衰乃至完全に遮断させる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１はパ
ルスレーダ装置のＴＲ管代用として適用した実施例のマ
イクロ波減衰装置の構造を示す概略横断面図、図２は概
略縦断面図である。１は送信機２とアンテナを接続する
第１導波管、３はその第１導波管１のＥ面に分岐接続さ
れた第２導波管である。この第２導波管３の終端には目
標物での反射マイクロ波を受信検波する受信機４が接続
されている。
ルスレーダ装置のＴＲ管代用として適用した実施例のマ
イクロ波減衰装置の構造を示す概略横断面図、図２は概
略縦断面図である。１は送信機２とアンテナを接続する
第１導波管、３はその第１導波管１のＥ面に分岐接続さ
れた第２導波管である。この第２導波管３の終端には目
標物での反射マイクロ波を受信検波する受信機４が接続
されている。
【００１１】本実施例では、この第２導波管３の第１導
波管１に対する分岐点からλ／４（λ：マイクロ波の管
内波長）またはその奇数倍だけ離れた位置のＨ面に垂直
な方向に第１ダイオード５を、更にこの第１ダイオード
５からλ／４又はその奇数倍だけ受信機３側に離れた位
置のＨ面に垂直な方向に第２ダイオード６を、各々導電
性ポスト７、８を介してマウントする。
波管１に対する分岐点からλ／４（λ：マイクロ波の管
内波長）またはその奇数倍だけ離れた位置のＨ面に垂直
な方向に第１ダイオード５を、更にこの第１ダイオード
５からλ／４又はその奇数倍だけ受信機３側に離れた位
置のＨ面に垂直な方向に第２ダイオード６を、各々導電
性ポスト７、８を介してマウントする。
【００１２】第１ダイオード５としては、シリコンカー
バイド（炭化珪素）・ＰＩＮダイオードを用いる。ま
た、第２ダイオード６としてはシリコン・ＰＩＮダイオ
ードを用いる。一般的にＰＩＮダイオードは、容量が小
さく応答速度が速く、その順方向の直列抵抗（すなわ
ち、オン抵抗）の値ＲS は、 ＲS ＝Ｗ2 ／［（μn ＋μp ）Ｉf ・τ］（Ω） であらわされる。ここで、Ｗはｐ層とｎ層との間に挟ま
れるＩ層（絶縁層）の厚み、μn は電子の移動度、μp
はホールの移動度、Ｉf は順方向電流、τは両極性キャ
リアライフタイム（ambipolar carrier lifetime）であ
る。この式で明かなように、ＰＩＮダイオードの直列抵
抗は、順方向電流の値に反比例する。
バイド（炭化珪素）・ＰＩＮダイオードを用いる。ま
た、第２ダイオード６としてはシリコン・ＰＩＮダイオ
ードを用いる。一般的にＰＩＮダイオードは、容量が小
さく応答速度が速く、その順方向の直列抵抗（すなわ
ち、オン抵抗）の値ＲS は、 ＲS ＝Ｗ2 ／［（μn ＋μp ）Ｉf ・τ］（Ω） であらわされる。ここで、Ｗはｐ層とｎ層との間に挟ま
れるＩ層（絶縁層）の厚み、μn は電子の移動度、μp
はホールの移動度、Ｉf は順方向電流、τは両極性キャ
リアライフタイム（ambipolar carrier lifetime）であ
る。この式で明かなように、ＰＩＮダイオードの直列抵
抗は、順方向電流の値に反比例する。
【００１３】例えば、Ｉf ＝１００ｍＡのときは、シリ
コン・ＰＩＮダイオードは、Ｗ≒２０μｍ（＜Ｌap≒４
００〜６００μｍ：但しＬapは両極性拡散距離であ
る。）、τ≒４０ｎｓ、μn ≒１５００ｃｍ2 ・Ｖ-1・
ｓ-1、μp ≒４５０ｃｍ2 ・Ｖ-1・ｓ-1であるとき、Ｒ
S ≒０．５Ωとなる。
コン・ＰＩＮダイオードは、Ｗ≒２０μｍ（＜Ｌap≒４
００〜６００μｍ：但しＬapは両極性拡散距離であ
る。）、τ≒４０ｎｓ、μn ≒１５００ｃｍ2 ・Ｖ-1・
ｓ-1、μp ≒４５０ｃｍ2 ・Ｖ-1・ｓ-1であるとき、Ｒ
S ≒０．５Ωとなる。
【００１４】また、同様にＩf ＝１００ｍＡのときのシ
リコンカーバイド・ＰＩＮダイオードは、Ｗ≒１０μｍ
（＜Ｌap≒１０〜２０μｍ）、τ≒２０ｎｓ、μn ≒６
００ｃｍ2 ・Ｖ-1・ｓ-1、μp ≒５ｃｍ2 ・Ｖ-1・ｓ-1
であるとき、ＲS ≒０．８５Ωとなる。
リコンカーバイド・ＰＩＮダイオードは、Ｗ≒１０μｍ
（＜Ｌap≒１０〜２０μｍ）、τ≒２０ｎｓ、μn ≒６
００ｃｍ2 ・Ｖ-1・ｓ-1、μp ≒５ｃｍ2 ・Ｖ-1・ｓ-1
であるとき、ＲS ≒０．８５Ωとなる。
【００１５】しかし、この値は理論値であって、実際の
製品では、特に後者のシリコンカーバイド・ＰＩＮダイ
オードは、オーミックコンタクト形成の困難さから、寄
生抵抗がかなり大きくなり、直列抵抗はシリコン・ＰＩ
Ｎダイオードよりも遥かに大きく、Ｉf ＝１００ｍＡで
３Ω程度となる。
製品では、特に後者のシリコンカーバイド・ＰＩＮダイ
オードは、オーミックコンタクト形成の困難さから、寄
生抵抗がかなり大きくなり、直列抵抗はシリコン・ＰＩ
Ｎダイオードよりも遥かに大きく、Ｉf ＝１００ｍＡで
３Ω程度となる。
【００１６】また、シリコンカーバイドは、禁制帯幅が
２．８６ｅＶとシリコンが１．１ｅＶに比べて大きい。
このため、順方向の立上り電圧が約２Ｖとシリコンの２
〜３倍もあり、直列抵抗として作用する。
２．８６ｅＶとシリコンが１．１ｅＶに比べて大きい。
このため、順方向の立上り電圧が約２Ｖとシリコンの２
〜３倍もあり、直列抵抗として作用する。
【００１７】更に、シリコン・ＰＩＮダイオードは、前
述したように、シリコンの融点が低い（１４１４℃）こ
とから、そこに大電力マイクロ波が印加したとき、そこ
に流れる電流による発熱によってそのダイオードが破壊
される恐れがある。これに対し、シリコンカーバイド・
ＰＩＮダイオードは、それを構成するシリコンカーバイ
ドの融点がそれよりも高く２０００℃程度であるので、
加熱破壊の恐れが大幅に低下する。
述したように、シリコンの融点が低い（１４１４℃）こ
とから、そこに大電力マイクロ波が印加したとき、そこ
に流れる電流による発熱によってそのダイオードが破壊
される恐れがある。これに対し、シリコンカーバイド・
ＰＩＮダイオードは、それを構成するシリコンカーバイ
ドの融点がそれよりも高く２０００℃程度であるので、
加熱破壊の恐れが大幅に低下する。
【００１８】そこで、本実施例では上記したように、第
１ダイオード５としてシリコンカーバイド・ＰＩＮダイ
オードを用いる。これによって、大電力マイクロ波がそ
こに入射したとき、シリコンカーバイド・ＰＩＮダイオ
ードが導通し、導電性ポスト７や第２導波管３を経由す
る短絡路が形成されて順方向電流が流れ、その電流によ
る損失によってシリコンカーバイド・ＰＩＮダイオード
が発熱するが、融点が高いので破壊することはない。
１ダイオード５としてシリコンカーバイド・ＰＩＮダイ
オードを用いる。これによって、大電力マイクロ波がそ
こに入射したとき、シリコンカーバイド・ＰＩＮダイオ
ードが導通し、導電性ポスト７や第２導波管３を経由す
る短絡路が形成されて順方向電流が流れ、その電流によ
る損失によってシリコンカーバイド・ＰＩＮダイオード
が発熱するが、融点が高いので破壊することはない。
【００１９】しかし、このシリコンカーバイド・ＰＩＮ
ダイオードは、上記したようにその順方向抵抗が大きい
ので、その部分が完全な短絡状態とはならず、マイクロ
波の減衰が不十分で、かなりの漏洩分が生じる。
ダイオードは、上記したようにその順方向抵抗が大きい
ので、その部分が完全な短絡状態とはならず、マイクロ
波の減衰が不十分で、かなりの漏洩分が生じる。
【００２０】そこで、本実施例では、この第１ダイオー
ド５の奥方向にλ／４だけ離して第２ダイオード６を設
け、この第２ダイオード６としてシリコン・ＰＩＮダイ
オードを使用した。このシリコン・ＰＩＮダイオード
は、シリコンカーバイド・ＰＩＮダイオードに比べて順
方向抵抗が小さいので、ここで完全に近い短絡状態を作
り出すことができる。
ド５の奥方向にλ／４だけ離して第２ダイオード６を設
け、この第２ダイオード６としてシリコン・ＰＩＮダイ
オードを使用した。このシリコン・ＰＩＮダイオード
は、シリコンカーバイド・ＰＩＮダイオードに比べて順
方向抵抗が小さいので、ここで完全に近い短絡状態を作
り出すことができる。
【００２１】従って、第１ダイオード５の側から短絡し
た第２ダイオード６の方向へはインピーダンスが無限大
に近くなってマイクロ波が侵入し難く、侵入した漏洩マ
イクロ波はこの第２ダイオード６によって殆ど反射され
るようになる。このとき、第１ダイオード５からこの漏
洩マイクロ波は既に低電力となっており、その第２ダイ
オード６に流れる電流は大きくはなく、発熱も小さく抑
えられ、破壊の恐れはない。
た第２ダイオード６の方向へはインピーダンスが無限大
に近くなってマイクロ波が侵入し難く、侵入した漏洩マ
イクロ波はこの第２ダイオード６によって殆ど反射され
るようになる。このとき、第１ダイオード５からこの漏
洩マイクロ波は既に低電力となっており、その第２ダイ
オード６に流れる電流は大きくはなく、発熱も小さく抑
えられ、破壊の恐れはない。
【００２２】かくして、本実施例では、大電力マイクロ
波を耐熱性の高い第１ダイオード５で減衰させ、そこを
漏洩し低電力となったマイクロ波を順方向抵抗の小さい
第２ダイオード６で減衰させるので、送信機２から発射
させた大電力マイクロ波が受信機４に入射することはな
い。また、目標物で反射してきたマイクロ波は微弱であ
り、第１、第２ダイオード５、６を導通させることな
く、そのまま受信機４に入射して検波される。このよう
に、ＴＲ管と同等の機能を発揮させることができる。
波を耐熱性の高い第１ダイオード５で減衰させ、そこを
漏洩し低電力となったマイクロ波を順方向抵抗の小さい
第２ダイオード６で減衰させるので、送信機２から発射
させた大電力マイクロ波が受信機４に入射することはな
い。また、目標物で反射してきたマイクロ波は微弱であ
り、第１、第２ダイオード５、６を導通させることな
く、そのまま受信機４に入射して検波される。このよう
に、ＴＲ管と同等の機能を発揮させることができる。
【００２３】なお、上記実施例では第１ダイオード５、
第２ダイオード６の各々がマイクロ波照射によって導通
する自己励振の場合を説明したが、外部からバイアスを
かけておいて、第１ダイオード５、第２ダイオード６が
導通するマイクロ波電力の値（つまり閾値）を下げるこ
ともできる。また、送信機２におけるマイクロ波発射と
同期して第１ダイオード５、第２ダイオード６に外部バ
イアスを印加するように制御回路を設けて、マイクロ波
発射時に強制的に導通させることもできる。このように
外部バイアスを印加する際は、バイアス回路にマイクロ
波遮断用のリアクタンス回路を設けることが望ましい。
第２ダイオード６の各々がマイクロ波照射によって導通
する自己励振の場合を説明したが、外部からバイアスを
かけておいて、第１ダイオード５、第２ダイオード６が
導通するマイクロ波電力の値（つまり閾値）を下げるこ
ともできる。また、送信機２におけるマイクロ波発射と
同期して第１ダイオード５、第２ダイオード６に外部バ
イアスを印加するように制御回路を設けて、マイクロ波
発射時に強制的に導通させることもできる。このように
外部バイアスを印加する際は、バイアス回路にマイクロ
波遮断用のリアクタンス回路を設けることが望ましい。
【００２４】この外部バイアスによって第１ダイオード
５、第２ダイオード６を導通させるときは、外部バイア
スによる電流により同様に発熱が起こるので、その第１
ダイオード５、第２ダイオード６を組み合せることで、
耐熱の問題の解決と完全反射の実現を達成することがで
きる。
５、第２ダイオード６を導通させるときは、外部バイア
スによる電流により同様に発熱が起こるので、その第１
ダイオード５、第２ダイオード６を組み合せることで、
耐熱の問題の解決と完全反射の実現を達成することがで
きる。
【００２５】また、第１ダイオード５としては、シリコ
ンカーバイド・ＰＩＮダイオードの他に、ダイアモンド
・ＰＩＮダイオードを用いることもできる。このダイア
モンド・ＰＩＮダイオードも、シリコンカーバイド・Ｐ
ＩＮダイオードと同様に、高い耐熱性を有し、応答速度
も速いが、順方向抵抗が大きい。
ンカーバイド・ＰＩＮダイオードの他に、ダイアモンド
・ＰＩＮダイオードを用いることもできる。このダイア
モンド・ＰＩＮダイオードも、シリコンカーバイド・Ｐ
ＩＮダイオードと同様に、高い耐熱性を有し、応答速度
も速いが、順方向抵抗が大きい。
【００２６】また、上記実施例ではパルスレーダ装置の
ＴＲ管代用として適用した場合であるが、本発明はこれ
に限られるものではなく、マイクロ波の減衰或いは遮断
用としてあらゆる用途に使用できるものである。また、
組み込むべきマイクロ波伝送路としては、導波管に限ら
れるものではない。同軸ケーブルを使用する場合には、
その途中にストリップ線路等を構成して、そこに第１ダ
イオード５、第２ダイオード６を組み込めば良い。
ＴＲ管代用として適用した場合であるが、本発明はこれ
に限られるものではなく、マイクロ波の減衰或いは遮断
用としてあらゆる用途に使用できるものである。また、
組み込むべきマイクロ波伝送路としては、導波管に限ら
れるものではない。同軸ケーブルを使用する場合には、
その途中にストリップ線路等を構成して、そこに第１ダ
イオード５、第２ダイオード６を組み込めば良い。
【００２７】更に、上記実施例では第１ダイオード５と
第２ダイオード６の２個のダイオードをλ／４又はその
奇数倍だけ離して設けたが、第２ダイオード６から更に
λ／４又はその奇数倍だけ離して第１ダイオード５と反
対の側に第３のダイオードを設け、同様に第４、第５の
ダイオードをλ／４又はその奇数倍だけ順次離して設け
ることもできる。このとき、入力側のダイオードに耐熱
温度が高いものを、入力側と反対側のものに順方向抵抗
の低いものを使用することにより、大電力マイクロ波を
確実に減衰させることができる。
第２ダイオード６の２個のダイオードをλ／４又はその
奇数倍だけ離して設けたが、第２ダイオード６から更に
λ／４又はその奇数倍だけ離して第１ダイオード５と反
対の側に第３のダイオードを設け、同様に第４、第５の
ダイオードをλ／４又はその奇数倍だけ順次離して設け
ることもできる。このとき、入力側のダイオードに耐熱
温度が高いものを、入力側と反対側のものに順方向抵抗
の低いものを使用することにより、大電力マイクロ波を
確実に減衰させることができる。
【００２８】更に、上記実施例に、図１に示すように、
第１導波管１と第２導波管２のＴ分岐部分にサーキュレ
ータ９を設けて、入出力マイクロ波をガイドさせるよう
にすることもできる。
第１導波管１と第２導波管２のＴ分岐部分にサーキュレ
ータ９を設けて、入出力マイクロ波をガイドさせるよう
にすることもできる。
【００２９】
【発明の効果】以上から本発明によれば、順方向抵抗が
他のダイオードより低いダイオードと耐熱性が他のダイ
オードより高いダイオードを巧妙に組み合せたので、各
ダイオードの長所が発揮されて欠点が補完され、ほぼ完
全な反射／減衰が実現できるマイクロ波減衰装置を実現
できるという利点がある。
他のダイオードより低いダイオードと耐熱性が他のダイ
オードより高いダイオードを巧妙に組み合せたので、各
ダイオードの長所が発揮されて欠点が補完され、ほぼ完
全な反射／減衰が実現できるマイクロ波減衰装置を実現
できるという利点がある。
【図１】 パルスレーダ装置のＴＲ管代用として適用し
た本発明の一実施例のマイクロ波減衰装置の概略横断面
図である。
た本発明の一実施例のマイクロ波減衰装置の概略横断面
図である。
【図２】 同マイクロ波減衰装置の概略縦断面図であ
る。
る。
１：第１導波管、２：送信機、３：第２導波管、４：受
信機、５：第１ダイオード、６：第２ダイオード、７、
８：導電性ポスト、９：サーキュレータ。
信機、５：第１ダイオード、６：第２ダイオード、７、
８：導電性ポスト、９：サーキュレータ。
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロ波伝送路と、該マイクロ波伝送
路に所定距離だけ離して設けた伝送路短絡用の複数のダ
イオードとからなり、該複数のダイオードの内のマイク
ロ波入力側に設ける１又は２以上のダイオードに他のダ
イオードに比べて耐熱性の高いダイオードを使用し、該
他のダイオードに上記マイクロ波入力側に設けるダイオ
ードに比べて順方向抵抗の小さいダイオードを使用した
ことを特徴とするマイクロ波減衰装置。 - 【請求項２】 上記マイクロ波入力側に設ける１又は２
以上のダイオードに、シリコンカーバイドまたはダイア
モンドを構成材料とするＰＩＮダイオードを用い、上記
他のダイオードに、シリコンを構成材料とするＰＩＮダ
イオードを用いたことを特徴とする請求項１に記載のマ
イクロ波減衰装置。 - 【請求項３】 上記複数のダイオードの相互間隔をλ／
４の奇数倍に設定したことを特徴とする請求項１又は２
に記載のマイクロ波減衰装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16332394A JPH088604A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | マイクロ波減衰装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16332394A JPH088604A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | マイクロ波減衰装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088604A true JPH088604A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15771666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16332394A Pending JPH088604A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | マイクロ波減衰装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088604A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1308742A1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-07 | Esaote S.p.A. | Circuit for active decoupling of transmit coils in nuclear magnetic resonance imaging apparatuses, particularly of the low field type |
| WO2004102727A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nec Corporation | 給電導波路およびセクタアンテナ |
| JP2011060591A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | New Japan Radio Co Ltd | 電子同調マグネトロン |
| KR101374632B1 (ko) * | 2012-04-03 | 2014-03-19 | 국방과학연구소 | Ｐｏｓｔ－ｗａｌｌ을 이용한 고출력 전송 도파관 진공포트 장치 |
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1994
- 1994-06-23 JP JP16332394A patent/JPH088604A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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