JP3371633B2 - バイアス電流設定方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、カセットデッキ等
のテ−プ録音に好適なバイアス電流を設定する方法に関
する。 【０００２】 【従来の技術】従来、テ−プ録音のバイアス電流を設定
するに際して、記録用テ−プに予め低域及び高域周波数
のテスト信号を記録し、この記録したテスト信号を再生
してこれらの周波数が同レベルとなるような電流をバイ
アス電流として設定していた。しかも、記録テ−プの種
別（ノ−マルテ−プ：ＩＥＣタイプ１、クロムテ−プ、
メタルテ−プ）に関係なく前記方法でバイアス電流を設
定していた。 【０００３】図３及び図４は、それらのテ−プのうち、
ノ−マルテ−プ及びメタルテ−プにおける各周波数のバ
イアス電流に対する出力レベルと、歪みを夫々示した図
である。これらの図から次の点が分かる。 １）メタルテ−プの最適録音バイアス電流は、ノ−マル
テ−プに比べ、略２．５倍程度大きく、録再ヘッドのギ
ャップが磁気飽和を起こす電流に近い値となっている。 ２）メタルテ−プの高域信号の録音再生レベルの変化
（バイアス電流が大きくなると信号の録音再生レベルは
低下する。）は、ノ−マルテ−プに比べて小さい。 【０００４】そして、このような特性を示す状態下にお
いて、録音バイアス電流の設定は、例えば、高域信号
（例えば１２．５ｋＨｚ）と低域信号（例えば３１５Ｈ
ｚ）との基準レベル−２０ｄＢ程度の信号の録音再生レ
ベルがほぼ同じになるように設定していた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
ように、メタルテ−プのバイアス電流の最適値はギャッ
プ飽和領域に近接しており、このメタルテ−プのバイア
ス電流の設定を前述と同様の方法で行うと、少しの調整
ズレでヘッドギャップの飽和領域に達してしまう。その
ため、録音再生レベルの急激な低下と録音再生信号の歪
の急激な悪化を招いてしまう。 【０００６】また一方、ヘッド毎の特性上のばらつきも
多く、ギャップ飽和領域を避けるために必要以上の低い
電流値を設定しなければならず、メタルテ−プの優れた
特性を十分に引き出すことができないという問題点があ
った。また、上述の問題は、メタルテ−プに限らず高保
磁力の磁気記録媒体においても同様の問題を含んでい
る。 【０００７】また、併せて、そのバイアス電流値の設定
過程においても、リ−ル駆動による装置ではリ−ルパル
スのみによってテスト信号の記録開始位置を検出するよ
うにしており、その位置検出の正確性に問題があるもの
であった。 【０００８】そこで、本発明は、メタルテ−プ等の高保
磁力を有する記録媒体のバイアス電流量を設定するに際
し、上記のような問題点を除去した方法を提供すること
にある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、以下に記載の方法を提供するものであ
る。即ち、高保磁力のテープ状の磁気記録媒体に、磁気
ヘッドにより、低い周波数の第１の信号と、これより高
い周波数の第２の信号との夫々に信号レベルを段階的に
変化させたバイアス電流を重畳して、バイアス電流設定
用のテスト信号として記録し、この記録されたテスト用
信号の再生レベルに基づいて前記テープ状の磁気記録媒
体のバイアス電流を設定する方法において、小さいレベ
ルのバイアス電流により記録された前記第１の信号の再
生レベルを基準とし、この再生基準レベルと前記小さい
レベルより大きいバイアス電流で記録された前記第１の
信号レベルとをそれぞれ比較し、これら再生レベルの差
が一定値以内のバイアス電流値を求め、この一定値以内
のバイアス電流により記録された前記第１と第２の信号
の再生レベルとの差が一定値以内となる値を、前記テー
プ状の磁気記録媒体のバイアス電流として設定すること
を特徴とするバイアス電流設定方法。 【００１０】 【発明の実施の形態】以下、本発明に係るバイアス電流
設定方法の実施の形態を好ましい実施例によて説明す
る。特に、本発明のバイアス電流設定方法では、高保磁
力の磁気記録媒体においては磁気ヘッドのギャップ飽和
がなければ、低域信号（例えば３１５Ｈｚ）の録音再生
レベルはバイアス電流がある程度変化してもほとんど変
化しない点と、ギャップ飽和が起これば低域信号の録音
再生レベルが急激に低下す点とに着目したものである。 【００１１】図１は、本発明の方法が適用されるバイア
ス電流設定装置の概略ブロック図である。二点鎖線で示
す符号１は磁気記録再生装置の機構系を概念的に示し、
Ｔは供給リ−ル２と巻取リ−ル３とに張架された例えば
メタル材料から成る高保磁力媒体の磁気テ−プ、４は巻
取リ−ル３の回転数を検出するための検出器で、この出
力はマイクロコンピュ−タ（以下、単にマイコンと記
す）６に入力されるようになっている。このマイコン６
は後述する本発明の方法が実行される主要構成部となっ
ている。Ｈは磁気ヘッドで、スイッチＳＷ１により記録
時にはREC 側に、再生時にはPLAY側に夫々切り換えられ
る。 【００１２】まず、この磁気ヘッドＨにテスト信号を供
給して記録するための記録系の構成につき説明する。７
はテスト信号発振回路で、３１５Ｈｚ及び１２．５ｋＨ
ｚのテスト信号を発振する回路である。この出力はスイ
ッチＳＷ２を通じてノイズリダクション回路８に供給さ
れ、その出力がアンプ９を介して重畳器１０に接続さ
れ、この重畳器１０にはバイアス発振回路１１が接続さ
れている。そして、重畳器１０の出力が前述のスイッチ
ＳＷ１及び磁気ヘッドＨの一端側に接続されて記録回路
系が構成されている。 【００１３】次に、再生系の構成につき説明する。１２
は磁気ヘッドＨ及びスイッチＳＷ１の他方側に接続され
る再生信号用のアンプで、その出力はノイズリダクショ
ン回路８に接続される。この回路の出力の一方が出力端
子１３に接続されると共に、他方が整流器１４及びアナ
ログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器１５を経てマイコン６
に順次接続されて再生系が構成されている。 【００１４】また、マイコン６の一方側の出力には、テ
−プ走行カウント、エラ−表示、及び信号レベル等を表
示するための表示部１６が接続されると共に、他方側の
出力には前述の供給リ−ル２及び巻取リ−ル３等を駆動
するためのメカニズムドライブ回路１７に接続される。
また、１８は記録又は再生等の動作指示を行うための操
作部で、１９は可変抵抗器２０を介してスイッチＳＷ２
の一方の端子にオ−ディオ信号を供給するための入力端
子である。 【００１５】次に、上記構成によるテスト信号の記録方
法につき説明する。本実施例では低域と高域の周波数と
を交互に記録してテスト信号としており、その低域の周
波数に３１５Ｈｚを用い、高域の周波数に１２．５ｋＨ
ｚを用いている。図２は、低域及び高域の周波数にバイ
アス電流を可変的に重畳してテスト信号とする場合の時
間経過図で、図２（ａ）は巻取リ−ル３から出力される
リ−ルパルスを示した図、同図（ｂ）は時間経過に伴っ
て供給されるテスト用周波数の種別を示した図、同図
（ｃ）はテスト信号に対応したバイアス電流のレベル変
化を示した図であり、これらの図も併せ参照して説明す
る。 【００１６】まず、操作部１８によりテスト信号記録モ
−ドに設定する。これによりマイコン６からの制御信号
によりスイッチＳＷ１がREC 端子側に、スイッチＳＷ２
がｂ端子側に夫々切り換えられ、それと同時にノイズリ
ダクション回路８において図示しない内部の回路系が切
り換えられてプリエンファシス動作が行われる。 【００１７】また、同時に、マイコン６からメカニズム
ドライブ回路１７に制御信号が供給され、これにより巻
取リ−ル３が回転駆動されてテ−プＴが走行される。こ
の時、巻取リ−ル３に対応した検出器４から同図（ａ）
に示すパルスが出力され、この出力がマイコン６に供給
される。また一方、このマイコン６内の図示しない演算
器が前述の制御信号の供給のタイミングに合わせてリセ
ットされ、テスト信号の記録終了時まで入来するパルス
が順次カウントされる。 【００１８】前記の初期状態時におけるテ−プ走行は、
例えば、約２．７秒間は無信号状態とされ、途中、１．
２秒経過した後にパルスが入来した時、その時のパルス
数が図示しない記憶部に記憶される。この記憶されたパ
ルス数が後述するテスト信号を検索する時の基準ポイン
トとされる。 【００１９】次に、基準ポイントから１．５秒後に無信
号状態が終了し、テスト信号発振回路７から３１５Ｈｚ
の信号が０．５秒間発振され、スイッチＳＷ２を介して
ノイズリダクション回路８のrec IN端子に入力される。
この入力された信号は回路内８においてノイズリダクシ
ョンのための公知のエンコ−ド処理が施され、その処理
信号がアンプ９を介して重畳器１０に供給される。 【００２０】この重畳器１０には、バイアス発振回路１
１から［−８ステップ］〜［＋８ステップ］レベルのバ
イアス電流が段階的に供給されるようになっており、こ
の０．５秒間は、［−８ステップ］に相当するバイアス
電流が供給される。これらの信号とバイアス電流の供給
は、マイコン６内の記憶部に格納されたプログラムによ
り実行されるようになっており、それらの制御タイミン
グは図２に示される関係となっている。 【００２１】そして、前述に続く０．２秒間は、３１５
Ｈｚの信号が継続して発振され、バイアス発振回路１１
から、最高レベルである［＋８ステップ］相当のバイア
ス電流が供給される。更に、その後の０．２秒間は、同
レベルのバイアス電流で、１２．５ｋＨｚの信号が供給
されるようになっている。 【００２２】以下同様にして、３１５Ｈｚと１２．５ｋ
Ｈｚの信号を一組として同レベルのバイアス電流が用ら
れ、順次バイアス電流のレベルが段階的に下げられて供
給されるようになっている。そして、最後の０．５秒間
は無信号状態で［−８ステップ］相当のバイアス電流の
みが供給される。 【００２３】このようにして、重畳器１０からはバイア
ス発振回路１１から供給された信号にバイアス電流を重
畳された信号がテスト信号として出力され、このテスト
信号が磁気ヘッドＨを通じてテ−プＴ上に記録されるこ
とになる。尚、この時、スイッチＳＷ１はREC 端子側に
切り換えられており、アンプ１２側への信号の供給が断
れている。 【００２４】次に、この記録されたテスト信号を用いて
バイアス電流を設定するに当たり、記録されたテスト信
号の検出方法につき説明する。本実施例の装置では、テ
スト信号が記録されて無信号状態が終了すると、今度は
マイコン６からメカニズムドライブ回路１７に供給リ−
ル２を巻き戻すための制御信号が供給される。 【００２５】そして、供給リ−ル２が巻き戻し方向に駆
動されて巻き取りリ−ル３が逆方向に回動されると、こ
のパルス情報が検出器４からマイコン６内の図示しない
演算器に供給されるようになっている。この演算器では
前記の制御信号の供給以後に入来するパルス情報から減
算を開始する。この減算は、前述の基準ポイントとして
記憶されているパルス数と常時比較されながら行われ、
その基準ポイントに達すると、マイコン６から直にメカ
ニズムドライブ回路１７にストップ用の制御信号が供給
される。 【００２６】これにより供給リ−ル２が停止されると、
再び、巻き取りリ−ル３に駆動信号が供給されて再生状
態とされる。供給リ−ル２の停止時においては、リ−ル
が回転時の慣性力により基準ポイントを過ぎた位置で停
止されており、再生時においてテ−プＴが再び基準ポイ
ントに達した段階で、テスト信号の記録位置の検出が開
始される。 【００２７】この検出動作は、例えば、１０ｍｓ毎に再
生信号のレベルを測定し、無信号状態から有信号状態と
なって、その信号が所定の閾値以上である場合にテスト
信号の記録開始位置と判断するように動作する。 【００２８】従って、このような検出方法によれば、リ
−ルパルスのみによってテスト信号の記録開始位置を検
出するのではなく、実際のテスト信号を再生して検出す
るようにしているため、正確にその位置を検出できるこ
とになる。 【００２９】次に、前述のようにして記録したテスト信
号に基づいて、バイアス電流を設定する方法につき説明
する。マイコン６において、まず、最小のバイアスレベ
ルで記録した３１５Ｈｚのテスト信号の再生レベル（先
頭位置で記録した３１５Ｈｚのテスト信号の再生レベ
ル）を図示しない記憶手段に記憶する。この後、各バイ
アス電流値の３１５Ｈｚの再生レベルとを図示しない比
較手段で比較する。この比較において各再生レベルが前
記記憶した再生レベルに対して−０．９ｄＢ内なら正常
と判断し、これらの正常と判断されたバイアス電流値の
中で３１５Ｈｚと１２．５ｋＨｚの再生レベルとの差が
一定値以内となるような値をバイアス電流値とする。例
えば、オ−ディオコンパクトカセットテ−プで、パ−マ
ロイを使用する録再兼用のヘッドでは、メタルテ−プで
１５００μＡ、クロムテ−プで８００μＡ、ノ−マルテ
−プで６００μＡくらいの電流値が設定される。そし
て、この設定が終了すると再びテ−プ始端方向に巻き戻
して全行程を終了する。 【００３０】また、前述の比較において、各再生レベル
と前記記憶した再生レベルの差が全て−０．９ｄＢを越
える場合には、磁気飽和があったと判断して調整動作を
停止し、このデ−タを破棄し、表示部１６にエラ−表示
をし、このテ−プが使用できないことを知らせる。ま
た、この場合、使用者にバイアス電流の可変範囲を小さ
い方にシフトして再度調整作業を行わせるようにしても
良い。 【００３１】以上のような設定方法によれば、メタルテ
−プは勿論、これ以外の保磁力の大きい金属蒸着記録媒
体にも適用で、高保磁力の磁気記録媒体の特性を十分に
引き出すことができる。また、上述のようにテ−プ状の
記録媒体に限らず、ディスク状の記録媒体にも、当然に
適用できるものである。 【００３２】 【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、高保磁力
記録媒体の特性を十分に引き出せるバイアス電流を設定
できる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の方法が適用されるバイアス電流設定装
置の概略ブロック図である。 【図２】低域及び高域の周波数にバイアス電流を可変的
に重畳してテスト信号とする場合の時間経過図である。 【図３】ノ−マルテ−プにおける各周波数のバイアス電
流に対する出力レベルと、歪みとを夫々示した図であ
る。 【図４】メタルテ−プにおける各周波数のバイアス電流
に対する出力レベルと、歪みとを夫々示した図である。 【符号の説明】 １ 磁気記録再生装置 ２ 供給リ−ル ３ 巻取リ−ル ４ 検出器 ６ マイクロコンピュ−タ（マイコン） ７ テスト信号発振回路 ８ プリエンファ・ディエンファシス回路 １０ 重畳器 １１ バイアス発振回路 １５ アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器 １７ メカニズムドライブ回路 Ｈ 磁気ヘッド Ｔ 磁気テ−プ ＳＷ１，２ スイッチ

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】高保磁力のテープ状の磁気記録媒体に、磁
   気ヘッドにより、低い周波数の第１の信号と、これより
   高い周波数の第２の信号との夫々に信号レベルを段階的
   に変化させたバイアス電流を重畳して、バイアス電流設
   定用のテスト信号として記録し、この記録されたテスト
   用信号の再生レベルに基づいて前記テープ状の磁気記録
   媒体のバイアス電流を設定する方法において、小さいレベルのバイアス電流 により記録された前記第１
   の信号の再生レベルを基準とし、この再生基準レベルと
   前記小さいレベルより大きいバイアス電流で記録された
   前記第１の信号レベルとをそれぞれ比較し、これら再生
   レベルの差が一定値以内のバイアス電流値を求め、この
   一定値以内のバイアス電流により記録された前記第１と
   第２の信号の再生レベルとの差が一定値以内となる値
   を、前記テープ状の磁気記録媒体のバイアス電流として
   設定することを特徴とするバイアス電流設定方法。