JP3370925B2 - フライバックトランス用電源回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器、通
信機器等に用い、トランスの一次側の共振動作によって
電圧パルスを発生させ、この電圧パルスを昇圧して二次
側から出力するフライバックトランス用電源回路に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】以下、従来の電源回路について図面を参
照しながら説明する。 【０００３】図３は従来の電源回路を示す等価回路図、
図４は同電源回路における電圧、電流、スイッチパルス
の時経変化を示す波形図である。 【０００４】図３において、従来の電源回路は、テレビ
やディスプレイ等に使用して、トランスから陰極線管に
加えられる高圧出力電圧の安定化を図っており、トラン
ス１の一次コイル２の一端側に接続した駆動電源３と、
この一次コイル２の他端側に接続したスイッチング素子
４およびコンデンサ５およびダイオード６とを備えてい
る。 【０００５】また、スイッチング素子４は内部ダイオー
ドを有したＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳ Ｆ
ＥＴ）とし、このトランジスタのドレインを一次コイル
２の他端側に接続し、ソースをアース側に接続し、ゲー
トをスイッチング素子４を制御するパルス波を発生する
ＰＷＭ制御回路７側に接続し、またスイッチング素子４
の内部ダイオードは、そのアノードがアース側に、カソ
ードが一次コイル２の他端側に接続された状態となって
いた。さらにコンデンサ５は一端を一次コイル２の他端
側に接続し、他端をアース側に接続し、ダイオード６は
カソードを一次コイル２の他端側に接続し、アノードを
アース側に接続し、ダイオード６のカソードおよびコン
デンサ５の一端をトランジスタのドレインと一次コイル
２の他端側との間に接続している。 【０００６】このとき、コンデンサ５の一端はダイオー
ド６のカソードと一次コイル２の他端との間に接続して
いる。 【０００７】そして、二次コイル８には、水平周波数や
垂直周波数の高いディスプレイ９（ＣＲＴ）等を接続し
ている。 【０００８】この電源回路における時経変化に対する電
圧、電流、スイッチパルスを示す波形は図４に示すよう
になる。 【０００９】図４において、（ａ）は電源回路のＯ点に
おけるトランスの一次コイルに誘起される電圧値の時経
変化を示す波形図、（ｂ）は電源回路のＯ点における電
流値の時経変化を示す波形図、（ｃ）はスイッチング素
子４に入力されるＰＷＭ制御回路の出力波形の時経変化
を示す波形図である。 【００１０】Ａ−Ｂ期間について、（ｃ）において、ス
イッチング素子４にＰＷＭ制御回路７の一定周期のパル
ス波（出力波）が入力され、スイッチング素子４をＯＮ
状態にすると、（ｂ）において、スイッチング素子４の
ＯＮ状態の長さに比例して、Ｏ点における電流値が時間
とともに増大し、一次コイル２にエネルギーが充填され
る。 【００１１】Ｂ−Ｃ期間について、（ｃ）において、ス
イッチング素子４へのＰＷＭ制御回路７のパルス波の入
力をやめ、スイッチング素子４をＯＦＦ状態にすると、
一次コイル２に充填されたエネルギーはコンデンサ５へ
充填され始め、（ｂ）において、Ｏ点における電流値が
時間とともに減少し、充填が完了すると、（ａ）におい
て、一次コイル２の電圧値がピーク値となる。 【００１２】Ｃ−Ｄ期間について、コンデンサ５への充
填が完了すると、コンデンサ５に充填されたエネルギー
は一次コイル２へ再充填され始め、（ｂ）において、Ｏ
点における電流値が時間とともに減少し、充填が完了す
ると、（ａ）において、一次コイル２の電圧値が０とな
る。 【００１３】Ｄ−Ｅ期間について、一次コイル２への充
填が完了すると、一次コイル２に充填されたエネルギー
はコンデンサへ再充填され始めようとするが、このと
き、一次コイル２の両端の電圧の正負極の関係より、コ
ンデンサ５はアース側から再充填され始めようとする。
しかし、一次コイル２の他端とアースとの間には、アー
ス側にアノードを接続したダイオード６があるので、コ
ンデンサ５には充填されず、インピーダンスの低いダイ
オード６を介して電流が流れ、（ｂ）において、Ｏ点に
おける電流値が時間とともに増加しつつも、コンデンサ
５にはエネルギーが充填されないので、（ａ）におい
て、一次コイル２の電圧値は０のままである。 【００１４】Ｅ−Ｆ期間について、ここで、一次コイル
２に充填されたエネルギーはダイオード６を介して電流
が流れたことにより開放されたので、理論的には、
（ｂ）において、Ｏ点における電流値は、（ｃ）におい
て、スイッチング素子４をＯＮ状態にしない限りは、０
のままであるはずだが、実際には、（ｂ）において、Ｏ
点における電流値はある一定時間増加している。 【００１５】そして、このＯ点における電流値の増加に
ともない、一次コイル２に一定のエネルギーが充填され
てしまう。 【００１６】Ｆ−Ｇ期間について、そうすると、上述と
同様に、一次コイル２への充填が完了すると、一次コイ
ル２に充填されたエネルギーはコンデンサ５へ充填され
始め、（ｂ）において、Ｏ点における電流値が時間とと
もに減少し、充填が完了すると、（ａ）において、一次
コイル２の電圧値がピーク値となる。 【００１７】Ｇ−Ｈ期間について、コンデンサ５への充
填が完了すると、コンデンサ５に充填されたエネルギー
は一次コイル２へ再充填され始め、（ｂ）において、Ｏ
点における電流値が時間とともに減少し、充填が完了す
ると、（ａ）において、一次コイル２の重圧が０とな
る。 【００１８】Ｈ−Ｉ期間について、一次コイル２への充
填が完了すると、一次コイル２に充填されたエネルギー
はコンデンサ５へ再充填され始めようとするが、（ｂ）
において、Ｏ点における電流値が時間とともに増加しつ
つも、コンデンサ５にはエネルギーが充填されないの
で、（ａ）において、一次コイルの電圧値は０のままで
ある。 【００１９】Ｉ−Ｊ期間について、上述と同様に、再
度、（ｂ）において、Ｏ点における電流値はある一定時
間増加するので、一次コイル２にエネルギーが充填され
る。 【００２０】Ｊ−Ｋ（Ａ）期間について、一次コイル２
への充填が完了すると、一次コイル２に充填されたエネ
ルギーはコンデンサ５へ充填され始め、（ｂ）におい
て、Ｏ点における電流値が時間とともに減少し、充填が
完了すると、（ａ）において、一次コイル２の電圧値が
ピーク値となるが、この途中で、（ｃ）において、スイ
ッチング素子４をＯＮ状態にしたので、新たに、これを
起点として、上述と同様のことが再度繰り返される。 【００２１】 【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
一次コイル２の電圧値によって、二次コイル８の出力電
圧が変化するが、一次コイル２の電圧値はスイッチング
素子４のＯＮ状態の時間の長短により、変化させること
ができ、ＯＮ状態が長いほど、電圧値は大きくなる。 【００２２】このとき、ＰＷＭ制御回路７から一定周期
のパルス波をスイッチング素子４に入力するので、一次
コイル２の電圧値を変化させる場合は、スイッチング素
子４のＯＮ−ＯＦＦの状態の時間の比率を変えることに
より行っている。 【００２３】この際、スイッチング素子４のＯＦＦ状態
において、Ｏ点の電圧値が０になると共に、一次コイル
２に充填されたエネルギーが開放される状況では、ダイ
オード６のアノードからカソードに電流が流れる。 【００２４】このダイオード６のアノードからカソード
に電流が流れる期間（ダンパー期間）においては、スイ
ッチング素子４をＯＮ状態にしても、スイッチング素子
４に電流が流れず、一次コイル２にエネルギーを充填す
ることができない。 【００２５】従来のような電流回路においては、一般的
に、スイッチング素子４をＯＮ状態からＯＦＦ状態にし
た直後に発生する一次コイル２の電圧波を昇圧し、二次
コイル８より出力して使用するが、スイッチング素子４
をＯＮ状態にした際、一次コイル２にエネルギーを充填
できなければ、スイッチング素子４をＯＦＦ状態にした
直後に電圧波が生じない。 【００２６】一次コイル２に発生する電圧値は、スイッ
チング素子４をＯＮ状態にする時間の長さによって調整
するが、その時間の長さは、ＰＷＭ制御回路７から一定
周期で発生するパルス波のＯＮ時には、前のパルス波の
ＯＮ時より発生する電流波に対して、ダイオード６に１
回目の電流が流れる期間を既に経過していることを条件
とした範囲で設定される。 【００２７】しかし、ダイオード６に２回目以降の電流
が流れる期間に、パルス波がＯＮ状態になると、スイッ
チング素子４に電流が流れなくなり、一次コイル２に電
圧を生じさせることができなくなる。 【００２８】特に、水平周波数、垂直周波数が大きい高
解像度を有したディスプレイ９等に二次コイル８が接続
される場合には、一次コイル２に、高周波で電圧を生じ
させる必要があり、ＰＷＭ制御回路７から発生するパル
ス波の一周期を短くしなければならず、このような場
合、ダイオード６に２回目以降の電流が流れる期間に、
パルス波がＯＮ状態になりやすい。 【００２９】したがって、高解像度を有したディスプレ
イ９等には、トランス１の一次コイル２に電圧を確実に
発生させることができないという問題点を有していた。 【００３０】本発明は上記問題点を解決するもので、水
平周波数、垂直周波数が大きい高解像度を有したディス
プレイ等にトランスの二次コイルを接続した場合も、一
次コイルに高周波の電圧を確実に発生させることができ
るフライバックトランス用電源回路を提供することを目
的としている。 【００３１】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレイン
と一次コイルの他端側およびコンデンサの一端および第
１のダイオードのカソードとを接続し、前記ＭＯＳ型電
界効果トランジスタのゲートと制御回路とを接続し、前
記ＭＯＳ型電界効果トランジスタのソースと前記コンデ
ンサの他端および前記第１のダイオードのアノードとを
アース接続し、前記第１のダイオードのカソードと前記
ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレインとの間に、前
記第１のダイオードのカソードとアノードを接続すると
ともに、前記ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレイン
とカソードを接続する第２のダイオードを配置し、前記
第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは前記Ｍ
ＯＳ型電界効果トランジスタの内部ダイオードよりも電
流逆回復時間を短くした構成としたものである。 【００３２】上記構成により、制御回路から発生したパ
ルス波により、スイッチング素子がＯＮ状態からＯＦＦ
状態になり、ダイオードに１回目の電流が流れて、電圧
値が０となった後に、一次コイルにエネルギーを充填す
る原因となる電流が一次コイルに流れるが、この電流値
を非常に低下させることができるので、一次コイルに充
填されるエネルギーが減少する。 【００３３】これにより、ダイオードに１回目の電流が
流れた後においては、電圧波形は、駆動電源の電圧値を
基準にＬＣ共振するものの、その振幅が小さくなり、電
圧値を０よりも大きくすることができる。 【００３４】したがって、ダイオードには２回目以降の
電流は流れず、パルス波をＯＮ状態にした際、スイッチ
ング素子に電流が流れないという現象が発生することを
防止できるので、水平周波数、垂直周波数が大きい高解
像度を有したディスプレイ等に対しても、トランスの一
次コイルに電圧を確実に発生させることができる。 【００３５】特に、ＭＯＳ型電界効果トランジスタに必
然的に発生する内部ダイオードに関して、第１のダイオ
ードおよび第２のダイオードはスイッチング素子として
用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタの内部ダイオード
よりも電流逆回復時間が短いので、第１のダイオードお
よび第２のダイオードの両端に加圧した電圧を開放する
場合、流れる電流の抑制時間（電流が流れなくなるまで
の時間）（電流逆回復時間）は、スイッチング素子とし
て用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタの内部ダイオー
ドのそれに比べ早くなる。 【００３６】これにより、第１、第２のダイオードに起
因する遅れ電流（電流を抑制する手段を行ってから実際
に電流が流れなくなるまでの時間に流れる電流）は、前
記ＭＯＳ型電界効果トランジスタの内部ダイオードに起
因する遅れ電流よりも、短時間で抑制され、第１のダイ
オードのアノードからカソードへ電流が流れる際、同Ｍ
ＯＳ型電界効果トランジスタの内部ダイオードに起因す
る遅れ電流は、第２のダイオードによって抑制させら
れ、また、第１、第２のダイオードに起因する遅れ電流
も、同ＭＯＳ型電界効果トランジスタの内部ダイオード
に起因する遅れ電流よりも短時間で抑制されるので、ト
ランスやコンデンサに余分なエネルギーが充填されるの
を防止している。 【００３７】 【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレインと一次コイル
の他端側およびコンデンサの一端および第１のダイオー
ドのカソードとを接続し、前記ＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタのゲートと制御回路とを接続し、前記ＭＯＳ型電
界効果トランジスタのソースと前記コンデンサの他端お
よび前記第１のダイオードのアノードとをアース接続
し、前記第１のダイオードのカソードと前記ＭＯＳ型電
界効果トランジスタのドレインとの間に、前記第１のダ
イオードのカソードとアノードを接続するとともに、前
記ＭＯＳ型電界効果トランジスタのドレインとカソード
を接続する第２のダイオードを配置し、前記第１のダイ
オードおよび前記第２のダイオードは前記ＭＯＳ型電界
効果トランジスタの内部ダイオードよりも電流逆回復時
間を短くした構成としたものである。 【００３８】上記構成により、制御回路から発生したパ
ルス波により、スイッチング素子がＯＮ状態からＯＦＦ
状態になり、ダイオードに１回目の電流が流れて、電圧
値が０となった後に、一次コイルにエネルギーを充填す
る原因となる電流が一次コイルに流れるが、この電流値
を非常に低下させることができるので、一次コイルに充
填されるエネルギーが減少する。 【００３９】これにより、ダイオードに１回目の電流が
流れた後においては、電圧波形は、駆動電源の電圧値を
基準にＬＣ共振するものの、その振幅が小さくなり、電
圧値を０よりも大きくすることができる。 【００４０】したがって、ダイオードには２回目以降の
電流は流れず、パルス波をＯＮ状態にした際、スイッチ
ング素子に電流が流れないという現象が発生することを
防止できるので、水平周波数、垂直周波数が大きい高解
像度を有したディスプレイ等に対しても、トランスの一
次コイルに電圧を確実に発生させることができる。 【００４１】（実施の形態）以下、本発明の一実施の形
態におけるトランスについて図面を参照しながら説明す
る。 【００４２】図１は本発明の一実施例の形態におけるト
ランスの電源回路を示す等価回路図、図２は同電源回路
における電圧、電流、スイッチパルスの時経変化を示す
波形図である。 【００４３】図１において、電源回路は、トランス２１
の一次コイル２２の一端側に接続した駆動電源２３と、
この一次コイル２２の他端側に接続したスイッチング素
子２４およびコンデンサ２５および第１のダイオード２
６とを備えている。 【００４４】また、スイッチング素子２４は内部ダイオ
ードを有したＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳ
ＦＥＴ）とし、このトランジスタのドレインを一次コイ
ル２２の他端側に接続し、ソースをアース側に接続し、
ゲートをスイッチング素子２４を制御するパルス波を発
生するＰＷＭ制御回路２７側に接続し、またスイッチン
グ素子２４の内部ダイオードはアノードをアース側に、
カソードを一次コイル２２の他端側に接続した状態とな
っている。コンデンサ２５は一端を一次コイル２２の他
端側に接続し、他端をアース側に接続し、第１のダイオ
ード２６はカソードを一次コイル２２の他端側に接続
し、アノードをアース側に接続し、第１のダイオード２
６のカソードおよびコンデンサ２５の一端をスイッチン
グ素子２４のドレイン側と一次コイルとの間に接続して
いる。 【００４５】また、第１のダイオード２６のカソードと
スイッチング素子２４のドレインとの間に第２のダイオ
ード３０を接続するとともに、第２のダイオード３０は
カソードをスイッチング素子２４のドレイン側に接続
し、アノードを第１のダイオード２６のカソード側に接
続している。 【００４６】さらに第１のダイオード２６のカソードと
一次コイル２２の他端側との間にコンデンサ２５の一端
を接続している。 【００４７】そして、第１のダイオード２６および第２
のダイオード３０はスイッチング素子２４の内部ダイオ
ードよりも電流逆回復時間が短いものを使用している。
また二次コイル２８には、水平周波数や垂直周波数の高
いディスプレイ２９（ＣＲＴ）等を接続している。 【００４８】このとき、この電源回路における時経変化
に対する電圧、電流、スイッチパルスを示す波形は図２
に示すようになる。 【００４９】図２において、（ａ）は電源回路のＯ点に
おけるトランス２１の一次コイル２２に誘起される電圧
値の時経変化を示す波形図、（ｂ）は電源回路のＯ点に
おける電流値の時経変化を示す波形図、（ｃ）はスイッ
チング素子２４に入力されるＰＷＭ制御回路２７の出力
波形の時経変化を示す波形図である。 【００５０】Ａ−Ｂ期間について、（ｃ）において、ス
イッチング素子２４にＰＷＭ制御回路２７の一定周期の
パルス波（出力波）が入力され、スイッチング素子２４
をＯＮ状態にすると、（ｂ）において、スイッチング素
子２４のＯＮ状態の長さに比例して、Ｏ点における電流
値が時間とともに増大し、一次コイル２２にエネルギー
が充填される。 【００５１】Ｂ−Ｃ期間について、（ｃ）において、ス
イッチング素子２４へのＰＷＭ制御回路２７のパルス波
の入力をやめ、スイッチング素子２４をＯＦＦ状態にす
ると、一次コイル２２に充填されたエネルギーはコンデ
ンサ２５へ充填され始め、（ｂ）において、Ｏ点におけ
る電流値が時間とともに減少し、充填が完了すると、
（ａ）において、一次コイル２２の電圧値がピーク値と
なる。 【００５２】Ｃ−Ｄ期間について、コンデンサ２５への
充填が完了すると、コンデンサ２５に充填されたエネル
ギーは一次コイル２２へ再充填され始め、（ｂ）におい
て、Ｏ点における電流値が時間とともに減少し、充填が
完了すると、（ａ）において、一次コイル２２の電圧値
が０となる。 【００５３】Ｄ−Ｅ期間について、一次コイル２２への
充填が完了すると、一次コイル２２に充填されたエネル
ギーはコンデンサ２５へ再充填され始めようとするが、
このとき、一次コイル２２の両端の電圧の正負極の関係
より、コンデンサ２５はアース側から再充填され始めよ
うとする。しかし、一次コイル２２の他端とアースとの
間には、アース側にアノードを接続した第１のダイオー
ド２６があるので、コンデンサ２５には充填されず、イ
ンピーダンスの低い第１のダイオード２６を介して電流
が流れ、（ｂ）において、Ｏ点における電流値が時間と
ともに増加しつつも、コンデンサ２５にはエネルギーが
充填されないので、（ａ）において、一次コイル２２の
電圧値は０のままである。 【００５４】Ｅ−Ｆ期間について、ここで、一次コイル
２２に充填されたエネルギーは第１のダイオード２６を
介して電流が流れたことにより開放されたので、理論的
には、（ｂ）において、Ｏ点における電流値は、（ｃ）
において、スイッチング素子２４をＯＮ状態にしない限
りは、０のままであるはずだが、実際には、（ｂ）にお
いて、Ｏ点における電流値はある一定時間増加してい
る。 【００５５】そして、このＯ点における電流値の増加に
ともない、一次コイル２２に一定のエネルギーが充填さ
れてしまう。 【００５６】Ｆ−Ｇ期間について、そうすると、上述と
同様に、一次コイル２２への充填が完了すると、一次コ
イル２２に充填されたエネルギーはコンデンサ２５へ充
填され始め、（ｂ）において、Ｏ点における電流値が時
間とともに減少し、充填が完了すると、（ａ）におい
て、一次コイル２２の電圧値がピーク値となる。 【００５７】Ｇ−Ｈ期間について、コンデンサ２５への
充填が完了すると、コンデンサ２５に充填されたエネル
ギーは一次コイル２２へ再充填され始め、（ｂ）におい
て、Ｏ点における電流値が時間とともに減少し、充填が
完了すると、（ａ）において、一次コイル２２の電圧が
駆動電源２３の電圧値と等しくなる。 【００５８】Ｈ−Ｉ期間について、一次コイル２２への
充填が完了すると、一次コイル２２に充填されたエネル
ギーはコンデンサ２５へ再充填され始め、（ｂ）におい
て、Ｏ点における電流値が時間とともに増加し、充填が
完了すると、（ａ）において、一次コイル２２の電圧値
が駆動電源２３の値よりも小さく０よりも大きな値とな
る。 【００５９】Ｉ−Ｊ期間について、そして、コンデンサ
２５への充填が完了すると、再度、一次コイル２２へ充
填がされ始め、（ｂ）において、Ｏ点における電流値が
時間とともに増加し、充填が完了すると、（ａ）におい
て、一次コイル２２の電圧値が駆動電源２３の電圧値と
等しくなる。 【００６０】Ｊ−Ｋ期間について、さらに、一次コイル
２２への充填が完了すると、一次コイル２２に充填され
たエネルギーはコンデンサ２５へ充填され始め、（ｂ）
において、Ｏ点における電流値が時間とともに減少し、
充填が完了すると、（ａ）において、一次コイル２２の
電圧値がピーク値となる。 【００６１】Ｋ−Ｌ期間について、コンデンサ２５への
充填が完了すると、コンデンサ２５に充填されたエネル
ギーは一次コイル２２へ再充填され始め、（ｂ）におい
て、Ｏ点における電流値が時間とともに減少し、充填が
完了すると、（ａ）において、一次コイル２２の電圧が
駆動電源２３の電圧値と等しくなる。 【００６２】Ｌ−Ｍ（Ａ）期間について、一次コイル２
２への充填が完了すると、一次コイル２２に充填された
エネルギーはコンデンサ２５へ再充填され始め、（ｂ）
において、Ｏ点における電流値が時間とともに増加し、
充填が完了すると、（ａ）において、一次コイル２２の
電圧値が駆動電源２３の電圧値よりも小さく０よりも大
きい値となるが、この途中で、（ｃ）において、スイッ
チング素子２４をＯＮ状態にしたので、新たに、これを
起点として、上述と同様のことが再度繰り返される。 【００６３】上記構成によれば、第１のダイオード２６
のカソードとスイッチング素子２４のトランジスタのド
レインとの間に第２のダイオード３０を接続するととも
に、第２のダイオード３０はカソードをトランジスタの
ドレイン側に接続し、アノードを第１のダイオード２６
のカソード側に接続し、かつコンデンサ２５の一端は第
１のダイオード２６のカソードと一次コイル２２との間
に接続し、第１のダイオード２６および第２のダイオー
ド３０はスイッチング素子２４として用いたＭＯＳ型電
界効果トランジスタの内部ダイオードよりも電流逆回復
時間が短いので、制御回路２７から発生したパルス波に
より、スイッチング素子２４がＯＮ状態からＯＦＦ状態
になり、第１のダイオード２６に１回目の電流が流れ
て、電圧値が０となった後に、一次コイル２２にエネル
ギーを充填する原因となる電流が一次コイル２２に流れ
るが、この電流値を非常に低下させることができ、一次
コイル２２に充填されるエネルギーが減少する。 【００６４】これにより、第１のダイオード２６に１回
目の電流が流れた後においては、電圧波形は、駆動電源
２３の電圧値を基準にＬＣ共振するものの、その振幅が
小さくなり、電圧値を０よりも大きくすることができ
る。 【００６５】したがって、第１のダイオード２６には２
回目以降の電流は流れず、パルス波をＯＮ状態にした
際、スイッチング素子２４に電流が流れないという現象
が発生することを防止できるので、水平周波数、垂直周
波数が大きい高解像度を有したディスプレイ２９等に対
しても、トランス２１の一次コイル２２に電圧を確実に
発生させることができる。 【００６６】特に、ＭＯＳ型電界効果トランジスタに必
然的に発生する内部ダイオードに関して、第１のダイオ
ード２６および第２のダイオード３０は、スイッチング
素子２４の内部ダイオードよりも電流逆回復時間が短い
ものを使用しているので、第１のダイオード２６および
第２のダイオード３０の両端に加圧した電圧を開放する
場合、流れる電流の抑制時間（電流が流れなくなるまで
の時間）（電流逆回復時間）は、スイッチング素子２４
の内部ダイオードのそれに比べ早くなる。 【００６７】これにより、第１のダイオード２６、第２
のダイオード３０に起因する遅れ電流（電流を抑制する
手段を行ってから実際に電流が流れなくなるまでの時間
に流れる電流）は、スイッチング素子２４の内部ダイオ
ードに起因する遅れ電流よりも、短時間で抑制され、第
１のダイオード２６のアノードからカソードへ電流が流
れる際、前記内部ダイオードに起因する遅れ電流は、第
２のダイオード３０によって抑制させられ、また、第１
のダイオード２６、第２のダイオード３０に起因する遅
れ電流も、前記内部ダイオードに起因する遅れ電流より
も短時間で抑制されるので、トランス２１やコンデンサ
２５に余分なエネルギーが充填されるのを防止してい
る。 【００６８】このように本発明の一実施の形態によれ
ば、第１のダイオード２６のカソードとスイッチング素
子２４のトランジスタのドレインとの間に第２のダイオ
ード３０を接続するとともに、第２のダイオード３０は
カソードをトランジスタのドレイン側に接続し、アノー
ドを第１のダイオード２６のカソード側に接続し、かつ
コンデンサ２５の一端は第１のダイオード２６のカソー
ドと一次コイル２２との間に接続し、第１のダイオード
２６および第２のダイオード３０は、スイッチング素子
２４の内部ダイオードよりも電流逆回復時間が短いもの
を使用しているので、水平周波数、垂直周波数が大きい
高解像度を有したディスプレイ２９等に対しても、トラ
ンス２１の一次コイル２２に電圧を確実に発生させるこ
とができる。 【００６９】なお、図１のＡＢＬはディスプレイ２９を
有する機器が備えた過電流抑制手段である。 【００７０】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１のダ
イオードのカソードとスイッチング素子のドレインとの
間に第２のダイオードを接続するとともに、第２のダイ
オードはカソードを前記スイッチング素子のドレイン側
に接続し、アノードを第１のダイオードのカソード側に
接続し、かつコンデンサの一端は第１のダイオードのカ
ソードと一次コイルとの間に接続し、第１のダイオード
および第２のダイオードはスイッチング素子の内部ダイ
オードよりも電流逆回復時間が短いものとしたので、制
御回路から発生したパルス波により、スイッチング素子
がＯＮ状態からＯＦＦ状態になり、ダイオードに１回目
の電流が流れて、電圧値が０となった後に、一次コイル
にエネルギーを充填する原因となる電流が一次コイルに
流れるが、この電流値を非常に低下させることができ、
一次コイルに充填されるエネルギーを減少させることが
できる。 【００７１】これにより、第１のダイオードに１回目の
電流が流れた後においては、電圧波形は、駆動電源の電
圧値を基準にＬＣ共振するものの、その振幅が小さくな
り、電圧値を０よりも大きくすることができるので、第
１のダイオードには２回目以降の電流は流れず、パルス
波をＯＮ状態にした際、スイッチング素子に電流が流れ
ないという現象が発生することを防止できる。 【００７２】したがって、水平周波数、垂直周波数が大
きい高解像度を有したディスプレイ等に対しても、トラ
ンスの一次コイルに電圧を確実に発生させることが可能
な電源回路を提供することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の一実施の形態におけるトランスの電源
回路を示す等価回路図 【図２】同電源回路における電圧、電流、スイッチパル
スの時経変化を示す波形図 【図３】従来のトランスの電源回路を示す等価回路図 【図４】同電源回路における電圧、電流、スイッチパル
スの時経変化を示す波形図 【符号の説明】 ２１ トランス ２２ 一次コイル ２３ 駆動電源 ２４ スイッチング素子 ２５ コンデンサ ２６ 第１のダイオード ２７ 制御回路 ２８ 二次コイル ２９ ディスプレイ ３０ 第２のダイオード

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 一次コイルと二次コイルとを有するトラ
   ンスと、前記一次コイルの一端側と接続する駆動電源
   と、前記一次コイルの他端側と接続するスイッチング素
   子と、前記スイッチング素子と接続し、前記スイッチン
   グ素子を制御するパルス波を発生する制御回路とを備
   え、前記スイッチング素子は内部ダイオードを有したＭ
   ＯＳ型電界効果トランジスタとし、前記ＭＯＳ型電界効
   果トランジスタのドレインと前記一次コイルの他端側お
   よびコンデンサの一端および第１のダイオードのカソー
   ドとを接続し、前記ＭＯＳ型電界効果トランジスタのゲ
   ートと前記制御回路とを接続し、前記ＭＯＳ型電界効果
   トランジスタのソースと前記コンデンサの他端および前
   記第１のダイオードのアノードとをアース接続し、前記
   第１のダイオードのカソードと前記ＭＯＳ型電界効果ト
   ランジスタのドレインとの間に、前記第１のダイオード
   のカソードとアノードを接続するとともに、前記ＭＯＳ
   型電界効果トランジスタのドレインとカソードを接続す
   る第２のダイオードを配置し、前記第１のダイオードお
   よび前記第２のダイオードは前記ＭＯＳ型電界効果トラ
   ンジスタの内部ダイオードよりも電流逆回復時間を短く
   したフライバックトランス用電源回路。