JP3365580B2 - 光ピツクアツプ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題（図７） 課題を解決するための手段（図１〜図６） 作用（図２〜図６） 実施例 （１）光磁気デイスク装置の全体構成（図１） （２）第１実施例（図２） （３）第２実施例（図３） （４）第３実施例（図４及び図５） （５）第４実施例（図６） （６）他の実施例 発明の効果 【０００２】 【産業上の利用分野】本発明は光ピツクアツプに関し、
例えば磁界変調方式により光磁気デイスクに信号を記録
する光磁気デイスク装置の光ピツクアツプに適用し得
る。 【０００３】 【従来の技術】従来、光磁気デイスクのダイレクトオー
バライト方式においては光変調方式と磁界変調方式とが
知られている。光変調方式は、情報をデイスクに書き込
む際にデイスクの磁性膜上に常に一定方向の磁界をかけ
ながら、記録信号によりオンオフされたレーザ光を磁性
膜面上に集光することにより情報を記録する方式であ
り、極めて高速に変調することができるので高転送レー
トの光磁気デイスクシステムを構築する場合に有効であ
る。 【０００４】これに対して磁界変調方式は、磁気ヘツド
によつてデイスクの磁性膜上に磁界を印加しながら、連
続光又はパルス光をデイスクの磁性膜面上に集光して、
記録信号に応じて磁界の向きを反転させることにより情
報を記録する方式であり、書込み時のデイスクのスキユ
ー（傾き）に依存せず、安定してきれいなピツトを作成
することができるのでシステムの安定化や高密度化に適
した方法である。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところで磁界変調オー
バライト方式を用いた場合、対物レンズを駆動する２軸
アクチユエータ等から磁性膜面上に磁界が漏れる。すな
わち対物レンズを介して集光されたレーザ光が照射され
て磁界反転可能な状態になつているデイスクの磁性膜上
に、磁界変調ヘツドからの変調磁界以外に２軸アクチユ
エータ等からの漏れ磁界が加わり、このため磁気ヘツド
が不要に磁化されて発生磁束が乱れ、これにより記録信
号に基づいた正常な書込み動作ができなくなるという問
題があつた。このような問題を解決するため、図７に示
すように、漏れ磁界を発生する２軸アクチユエータ１の
周囲を高透磁率磁性体でなる磁気シールド板２で覆うこ
とにより、アクチユエータ１からの漏れ磁界を遮断する
方法が考案されている（特開平4-258833）。 【０００６】図７に２軸アクチユエータ１の断面図を示
す。対物レンズ３を駆動制御する２軸アクチユエータ１
は、回転軸４と、対物レンズ３を支持する対物レンズホ
ルダ５と、２つのボビン６と、ヨーク７と、フオーカシ
ングを駆動制御するためのフオーカスコイル８及び２つ
のフオーカスサーボ用マグネツト９と、トラツキングを
駆動制御するための４つのトラツキングサーボ用マグネ
ツト及び４つのトラツキングコイル（図示せず）とによ
つて構成され、スペーサ１０を介してヨーク７に取り付
けられた磁気シールド板２によつて覆われている。また
各フオーカスサーボ用マグネツト９は、それぞれＳ極側
がヨーク７に固着され、Ｎ極側にフオーカスコイル８が
配置され、この結果磁界が発生する。 【０００７】磁気シールド板２には、対物レンズ３の光
軸方向に当該対物レンズ３の直径より少なくとも１〔m
m〕以上大きい開口部１２が設けられている。これは、
デイスク１３に信号を読み書きする際にデイスク１３と
対物レンズ３とがかなり接近し、しかもトラツキングサ
ーボをかけることにより対物レンズ３がデイスク１３の
ラジアル方向に動くためである。 【０００８】デイスク１３に信号を記録する際には、フ
オーカスコイル８とトラツキングコイルに電流を流し、
回転軸４を回動させてデイスク１３に対してフオーカシ
ング及びトラツキングさせる。このときアクチユエータ
１のフオーカスサーボ用マグネツト９の中心軸寄り（Ｎ
極）から磁界１１が発生して対物レンズ３を介してデイ
スク１３の磁性膜上に到達する。 【０００９】またアクチユエータ１の側方からマグネツ
ト９の外周部（Ｓ極）に向かつて入る磁束が存在する
が、アクチユエータ１は開口部１２以外が磁気シールド
板２によつて覆われているので、上述のようにアクチユ
エータ１の側方からマグネツト９の外周部に向かつて入
る磁界を遮断することができる。因みに磁気シールド板
を設けない場合にデイスク１３に到達する垂直方向成分
の漏洩磁界は約24〔Ｏｅ〕、磁気シールド板２を設けた
場合には 7.5〔Ｏｅ〕となる。 【００１０】ところがマグネツト９の中心軸寄りから発
生した磁界１１は、図７に示すように開口部１２から対
物レンズ３を介してデイスク１３側に漏れるという問題
があつた。すなわち２軸アクチユエータ１からの漏れ磁
界１１が対物レンズ３を介してデイスク１３の磁性膜上
に到達し、この場合漏れ磁界１１の垂直方向成分はデイ
スク１３の磁性膜面上において20〔Ｏｅ〕以上に達する
ことがある。このため低磁界膜を用いた磁界変調オーバ
ライト方式の光デイスク装置においては、対物レンズ３
を介して漏洩する磁界が書込み磁界に加わる形で磁性膜
上に印加されるため、記録信号に基づいた正常な書込み
に支障をきたすという問題があつた。 【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、アクチユエータから外部への漏れ磁界を大幅に低減
させる光ピツクアツプを提案しようとするものである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、対物レンズ（３）を駆動して光磁
気デイスク（１３）上の所定の位置にレーザ光を集光す
る２軸アクチユエータ部（３０）を有する光ピツクアツ
プ（２２）について、２軸アクチユエータ部（３０）を
覆う磁気シールド板（３１）と、磁気シールド板（３
１）における上記対物レンズ（３）の光軸方向に設けら
れ、開口部（３２）と、上記開口部（３２）の周囲にお
ける上記２軸アクチユエータ部（３０）側に上記対物レ
ンズ（３）を囲むように設けられ、上記磁気シールド板
（３１）と同じ磁性材料でなるリング状の磁気シールド
部（３３）とを設け、当該磁気シールド部（３３）によ
り上記開口部（３２）を介して上記光磁気デイスク（１
３）に向かう上記漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽するよ
うにした。 【００１３】この場合、開口部（３２）を上記２軸アク
チユエータ部（３０）の駆動により上記対物レンズ
（３）と上記磁気シールド板（３１）との干渉を回避す
るために上記対物レンズ（３）の直径より少なくとも１
[mm]以上の大きさにしたことにより、当該磁気シールド
部（３３）により２軸アクチユエータ部（３０）の駆動
に係わらず上記開口部（３２）を介して上記光磁気デイ
スク（１３）に向かう上記漏れ磁界の垂直方向成分を遮
蔽するようにした。 【００１４】 【作用】開口部（３２）を介して光磁気デイスク（１
３）に向かう漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽する磁気シ
ールド手段（３３）を２軸アクチユエータ部（３０）に
設けたことにより、２軸アクチユエータ部（３０）の磁
気回路から開口部（３２）を介して光磁気デイスク（１
３）に向かう漏れ磁界の垂直方向成分を２軸アクチユエ
ータ部（３０）の駆動に係わらず遮蔽し得るので、磁界
変調方式による光磁気デイスク（１３）への信号の記録
動作を一段と向上させることができる。 【００１５】 【００１６】 【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。 【００１７】（１）光磁気デイスク装置の全体構成 図７との対応部分に同一符号を付して示す図１におい
て、２０は全体として光磁気デイスク装置を示し、光磁
気デイスク１３を中心に磁気ヘツド２１と光ピツクアツ
プ２２の２軸アクチユエータ２３とが対向するように配
置されている。 【００１８】光磁気デイスク装置１において、デイスク
１３に信号を記録する際には、スピンドルモータ２４に
よつてターンテーブル２５上に載置されたデイスク１３
を回転させると共に、光ピツクアツプ２２の半導体レー
ザから射出されるレーザ光を対物レンズ３を介してデイ
スク１３に照射しながら、磁気ヘツド２１を記録信号に
応じて励磁してデイスク１３の周囲に磁界（Ｓ極又はＮ
極）を発生させ、レーザ光のスポツト部分をＳ極又はＮ
極に磁化する。このとき、レーザ光が照射されたスポツ
ト部分の温度が上昇し、この部分の磁化が磁界と同じ向
きに反転し、これによりデイスク１３に信号を記録する
ようになされている。このとき図１に示すように、アク
チユエータ２３の磁気回路から漏れ磁界２６が発生し、
デイスク１３に信号を記録する際に悪影響を及ぼす。 【００１９】またデイスク１３を再生するときは、スピ
ンドルモータ２４によつてデイスク１３を回転させてデ
イスク１３にレーザ光を照射し、レーザ光が照射された
スポツト部分より得られる反射光の偏光方向の回転の向
きを光ピツクアツプ２２のフオトデイテクタ（図示せ
ず）によつて検出することにより、記録信号を再生する
ようになされている。 【００２０】（２）第１実施例 図７との対応部分に同一符号を付して示す図２におい
て、３０は全体として本発明の第１実施例による２軸ア
クチユエータを示している。この実施例の場合、磁気シ
ールド板３１に設けられた開口部３２の周囲のアクチユ
エータ３０側にリング３３を設けることにより、アクチ
ユエータ３０より発生し、開口部３２を介して光磁気デ
イスク１３に向かう漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽する
ようになされている。 【００２１】アクチユエータ３０は、対物レンズ３の光
軸方向に開口部３２が配された磁気シールド板３１によ
つて開口部３２以外の部分が覆われている。磁気シール
ド板３１はニツケル（Ｎｉ）でめつき処理された電磁軟
鉄でなり、非磁性体材料でなるスペーサ１０を介してヨ
ーク７に取り付けられている。磁気シールド板３１の開
口部３２の大きさは、フオーカスサーボ及びトラツキン
グサーボがオンの状態においても対物レンズ３と磁気シ
ールド板３１とが干渉しないように、対物レンズ３の直
径に比してラジアル方向に＋１〔mm〕以上、タンジエン
シヤル方向には＋ 0.2〔mm〕以上に設定されている。 【００２２】また開口部３２の周囲の２軸アクチユエー
タ３０側には、磁気シールド板３１と同じ磁性材料でな
るリング３３が磁気シールド板３２に設けられており、
これによりアクチユエータ３０の磁気回路から開口部３
２に回り込んでくるマグネツト９の中心軸寄り（Ｎ極）
から発生する漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽することが
できる。またボビン６には、リング３３に対応する部分
に溝３４が設けられ、フオーカスサーボ及びトラツキン
グサーボをかけたときにリング３３とボビン６とが干渉
することを防いでいる。 【００２３】以上の構成によれば、対物レンズ３の光軸
方向に開口部３２が設けられた磁気シールド板３１によ
つてアクチユエータ３０を覆うようにしたことにより、
２軸アクチユエータ３０側方からマグネツト９の外周部
（Ｓ極）に向かつて入る磁束を遮蔽し得ると共に、開口
部３２の周囲の２軸アクチユエータ３０側にリング３３
を設けたことにより、２軸アクチユエータ３０の磁気回
路から開口部３２を介してデイスク１３に回り込む漏れ
磁界の垂直方向成分を遮蔽することができるので、磁界
変調方式によるデイスク１３への信号の記録動作を一段
と向上させることができる。 【００２４】因みに２軸アクチユエータ３０を用いた場
合の漏れ磁界は３〔Ｏｅ〕となり、磁気シールド板の無
いアクチユエータや磁気シールド板２が設けられたアク
チユエータ１に比して、デイスク１３への漏れ磁界を一
段と遮蔽することができる。また上述の構成によれば、
低磁界の媒体を使用した磁界変調記録方式による光磁気
デイスク装置に適用した場合には特に有効である。 【００２５】（３）第２実施例 図７との対応部分に同一符号を付して示す図３におい
て、４０は全体として本発明の第２実施例による２軸ア
クチユエータを示している。この実施例の場合、対物レ
ンズ３を支持し、かつ対物レンズ３の、開口部４１に対
面する部分以外を覆う対物レンズホルダ４２によつて、
アクチユエータ４０より発生し、開口部４１を介して光
磁気デイスク１３に向かう漏れ磁界の垂直方向成分を遮
蔽するようになされている。 【００２６】アクチユエータ４０は、対物レンズ３の光
軸方向に開口部４１が設けられた磁気シールド板４３に
よつて当該開口部４１以外が覆われている。磁気シール
ド板４３はニツケル（Ｎｉ）でめつき処理された電磁軟
鉄でなり、非磁性体材料でなるスペーサ１０を介してヨ
ーク７に取り付けられている。 【００２７】磁気シールド板４３の開口部４１の大きさ
は、磁気シールド板３２の開口部３１と同じであり、フ
オーカスサーボ及びトラツキングサーボがオンの状態に
おいても対物レンズ３と磁気シールド板４３とが干渉し
ないように設定されている。また対物レンズ３を支持す
る対物レンズホルダ４２はＮｉでめつき処理された電磁
軟鉄でなり、対物レンズ３の開口部４１に対面する部分
以外を覆つて２軸アクチユエータ４０の磁気回路から発
生する漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽するようになされ
ている。 【００２８】以上の構成によれば、対物レンズ３の光軸
方向に開口部４１が設けられた磁気シールド板４３によ
つてアクチユエータ４０を覆うようにしたことにより、
２軸アクチユエータ４０側方からマグネツト９の外周部
（Ｓ極）に向かつて入る磁束を遮蔽し得ると共に、電磁
軟鉄でなる対物レンズホルダ４２によつて、開口部４１
に対面する部分を除いて対物レンズ３を覆うようにした
ことにより、２軸アクチユエータ４０の磁気回路から開
口部４１を介してデイスク１３に回り込む漏れ磁界の垂
直方向成分を遮蔽することができるので、磁界変調方式
によるデイスク１３への信号の記録動作を一段と向上さ
せることができる。従つて低磁界の媒体を使用した磁界
変調記録方式による光磁気デイスク装置に適用した場合
には特に有効である。 【００２９】（４）第３実施例 図７との対応部分に同一符号を付して示す図４におい
て、５０は全体として本発明の第３実施例による２軸ア
クチユエータを示している。この実施例の場合、磁気シ
ールド板５１の一部を磁界を通す部材で構成し、この部
材と開口部５２とを介して光磁気デイスク１３に向かう
漏れ磁界の総和の垂直方向成分が、光磁気デイスク１３
の磁性膜上で所定の磁力以下になるように磁気シールド
板５１を形成している。 【００３０】アクチユエータ５０は、対物レンズ３の光
軸方向に開口部５２が設けられた磁気シールド板５１に
よつて覆われている。開口部５２の大きさは開口部３１
及び４１と同じであり、フオーカスサーボ及びトラツキ
ングサーボがオンの状態においても対物レンズ３と磁気
シールド板５１とが干渉しないように設定されている。
磁気シールド板５１はＡＢＳ樹脂等でなる透磁部５１Ａ
とニツケル（Ｎｉ）でめつき処理された電磁軟鉄でなる
磁気シールド部５１Ｂとによつて構成され、スペーサ１
０を介してヨーク７に取り付けられている。磁気シール
ド板５１の透磁部５１Ａはアクチユエータ５０の側面を
覆い、磁気シールド部５１Ｂはアクチユエータ５０のデ
イスク１３面側を覆つている。 【００３１】ここで磁気シールド板５１における透磁部
５１Ａと磁気シールド部５１Ｂとの構成比は以下のよう
に設定されている。すなわち図４において、マグネツト
９の中心軸寄り（Ｎ極）から出た磁束５３は対物レンズ
３を介してデイスク１３に到達する。一方アクチユエー
タ５０の側方からは磁気変調ヘツド２１によつてデイス
ク１３に印加された磁束５４がデイスク１３を介してマ
グネツト９の外周部（Ｓ極）に向かつて入る。従つてマ
グネツト９の中心軸寄りから出る磁束５３とマグネツト
９の外周部に向かつて入る磁束５４との漏れ磁界の総和
の垂直方向成分が、デイスク１３の磁性膜上で所定の磁
力（例えば５〔Ｏｅ〕）以下になるように、磁気シール
ド板５１における透磁部５１Ａと磁気シールド部５１Ｂ
との構成比が設定されている。 【００３２】以上の構成によれば、対物レンズ３の光軸
方向に開口部５２が設けられ、透磁部５１Ａ及び磁気シ
ールド部５１Ｂで構成される磁気シールド板５１によつ
てアクチヤエータ５０を覆うと共に、磁気シールド板５
１における透磁部５１Ａと磁気シールド部５１Ｂの構成
比を、アクチユエータ５０の側方からマグネツト９の外
周部（Ｓ極）に入る磁束５４とマグネツト９の中心軸寄
りから出る磁束５３との漏れ磁界の総和の垂直方向成分
が、デイスク１３の磁性膜上で所定の磁力以下になるよ
うに設定したことにより、デイスク１３の磁性膜上での
漏れ磁界を大幅に低減することができるので、磁界変調
方式によるデイスク１３への信号の記録動作を一段と向
上させることができる。 【００３３】因みに２軸アクチユエータ５０を用いた場
合の漏れ磁界は１〔Ｏｅ〕となり、磁気シールド板の無
いアクチユエータや磁気シールド板２が設けられた従来
のアクチユエータ１に比して、デイスク１３上での漏れ
磁界を格段的に低減することができる。また上述の構成
によれば、低磁界の媒体を使用した磁界変調記録方式に
よる光磁気デイスク装置に適用した場合には特に有効で
ある。 【００３４】（５）第４実施例 図７との対応部分に同一符号を付して示す図５及び図６
において、６０は全体として本発明の第４実施例による
２軸アクチユエータの概略構成を示している。この実施
例はフオーカスサーボ用マグネツトから発生する漏れ磁
界よりもトラツキングサーボ用マグネツトから発生する
漏れ磁界の方が大きい２軸アクチユエータに適用する場
合に特に有効である。 【００３５】２軸アクチユエータ６０は、回転軸４と、
２つのボビン６と、ヨーク７と、フオーカスコイル８及
び２つのフオーカスサーボ用マグネツト９と、トラツキ
ングコイル６１及びトラツキングサーボ用マグネツト６
２でなる４つのトラツキング制御部６３、６４、６５、
６６とによつて構成され、スペーサ１０を介してヨーク
７に取り付けられた磁気シールド板６７によつて覆われ
ている。 【００３６】図５に示すように、各フオーカスマグネツ
ト９は回転軸４を中心に対向するように配置され、各マ
グネツトの外側にそれぞれヨーク７が配置されている。
また各マグネツト９は、それぞれＳ極側がヨーク７に固
着され、Ｎ極側にコイル８が配置されている。一方磁気
シールド板６７の開口部６８に隣接して、トラツキング
制御部６３及び６４が、対物レンズ３の光軸を通りデイ
スク１２のタンジエンシヤル方向の直線６９を介してそ
れぞれ設置されている。またトラツキング制御部６５及
び６６は回転軸４を中心にそれぞれトラツキング制御部
６３及び６４に対向する位置に配置されている。 【００３７】互いに対向する位置に配置されたトラツキ
ング制御部６３及び６６のマグネツト６２は、Ｎ極がコ
イル６１側に配置され、互いに対向する位置に配置され
たトラツキング制御部６４及び６５のマグネツト６２
は、Ｓ極がコイル６１側に配置されている。このような
構成のアクチユエータ６０を動作させた場合に発生する
磁界は以下の通りである。 【００３８】図６に示すように、フオーカスサーボ用マ
グネツト９は直線６９（図５）に対して左右対称の磁束
を発生させ、トラツキングサーボ用マグネツト６２は左
右非対称の磁束を発生させる。すなわち２軸アクチユエ
ータ６０からの漏れ磁界は直線６９を中心として対物レ
ンズ３の左側（図５及び図６の左側）ではＮ極とＮ極と
が強め合うために大きな漏れ磁束が発生し、対物レンズ
３の右側（図５及び図６の右側）ではＮ極とＳ極とで打
ち消し合うため漏れ磁束が小さくなる。 【００３９】ここでこの実施例の場合、磁気シールド板
６７は、対物レンズ３の光軸方向に開口部６８を有し、
図５に示すように、開口部６８は直線６９に対して左右
非対称な形状を有している。すなわち直線６９を中心と
してアクチユエータ６０の左側と右側で発生する漏れ磁
束の大きさが異なるので、デイスク１３の磁性膜上にお
いて漏れ磁界の垂直方向成分が所定の磁力（例えば５
〔Ｏｅ〕）以下になるように、直線６９を中心として漏
れ磁界が多く発生する側が漏れ磁界の発生が少ない側よ
り小さくなるように開口部６８の形状が左右非対称に設
定されている。またこれと同時に開口部６８は、フオー
カスサーボ及びトラツキングサーボがオンの状態におい
ても対物レンズ３と磁気シールド板６７とが干渉しない
ような大きさに設定されている。 【００４０】以上の構成によれば、対物レンズ３の光軸
方向に開口部６８が設けられた磁気シールド板６７によ
つてアクチユエータ６０を覆うと共に、デイスク１３の
磁性膜上で漏れ磁界の垂直方向成分が所定の磁力以下と
なるように、直線６９を中心として漏れ磁束が多く発生
する側が漏れ磁束の発生の少ない側より小さくなるよう
に開口部６８の形状を左右非対称に設定したことによ
り、デイスク１３の磁性膜上での漏れ磁界を大幅に低減
することができるので、磁界変調方式によるデイスク１
３への信号の記録動作を一段と向上させることができ
る。 【００４１】因みに２軸アクチユエータ６０を用いた場
合の漏れ磁界は１〔Ｏｅ〕となり、磁気シールド板の無
いアクチユエータや磁気シールド板２が設けられている
従来のアクチユエータ１に比して、デイスク１３上での
漏れ磁界を格段的に低減することができる。また上述の
構成によれば、フオーカスサーボ用マグネツト９から発
生する漏れ磁界よりもトラツキングサーボ用マグネツト
６２から発生する漏れ磁界の方が大きい場合に特に有効
である。 【００４２】（６）他の実施例 なお上述の実施例においては、本発明の実施例を２軸ア
クチユエータ３０、４０、５０及び６０に適用する場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、フオーカス
カルバノミラーやトラツキングだけの１軸アクチユエー
タに適用してもよい。 【００４３】また上述の実施例においては、２軸アクチ
ユエータ３０、４０、５０及び６０に回転軸４を用いた
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、板バネ
等を用いてもよい。 【００４４】また上述の実施例においては、磁界変調方
式でデイスク１３に信号を記録する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、光変調方式でデイスク１３
に信号を記録する場合に適用してもよい。 【００４５】また上述の実施例においては、開口部３
２、４１、５２の大きさを、対物レンズ３の直径に比し
てラジアル方向に＋１〔mm〕以上、タンジエンシヤル方
向には＋0.2 〔mm〕以上に設定した場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、フオーカスサーボ及びトラ
ツキングサーボがオン状態において、対物レンズ３と磁
気シールド板３１、４３、５１とが干渉しないように開
口部３２、４１、５２の大きさを設定すれば、開口部３
２、４１、５２を他の大きさに設定してもよい。 【００４６】 【発明の効果】上述のように本発明によれば、対物レン
ズを駆動して光磁気デイスク上の所定の位置にレーザ光
を集光する２軸アクチユエータ部を有する光ピツクアツ
プについて、２軸アクチユエータ部を覆う磁気シールド
板と、磁気シールド板における上記対物レンズの光軸方
向に設けられ、開口部と、上記開口部の周囲における上
記２軸アクチユエータ部側に上記対物レンズを囲むよう
に設けられ、上記磁気シールド板と同じ磁性材料でなる
リング状の磁気シールド部とを設け、当該磁気シールド
部により上記開口部を介して上記光磁気デイスクに向か
う上記漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽するようにした。 【００４７】従つて本発明においては、開口部を介して
光磁気デイスクに向かう漏れ磁界の垂直方向成分を遮蔽
する磁気シールド手段を２軸アクチユエータ部に設けた
ことにより、２軸アクチユエータ部の磁気回路から開口
部を介して光磁気デイスクに向かう漏れ磁界の垂直方向
成分を２軸アクチユエータ部の駆動に係わらず遮蔽し得
るので、磁界変調方式による光磁気デイスクへの信号の
記録動作を一段と向上させることができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】光磁気デイスク装置の全体構成を示す略線図で
ある。 【図２】本発明の第１実施例による２軸アクチユエータ
の概略構成を示す断面図である。 【図３】本発明の第２実施例による２軸アクチユエータ
の概略構成を示す断面図である。 【図４】本発明の第３実施例による２軸アクチユエータ
の概略構成を示す断面図である。 【図５】本発明の第４実施例による２軸アクチユエータ
の概略構成を示す上面図である。 【図６】本発明の第４実施例による２軸アクチユエータ
の概略構成を示す正面図である。 【図７】従来の２軸アクチユエータの概略構成を示す断
面図である。 【符号の説明】 １、２３、３０、４０、５０、６０……２軸アクチユエ
ータ、２、３１、４３、５１、６７……磁気シールド
板、３……対物レンズ、４……回転軸、５、４２……対
物レンズホルダ、６……ボビン、７……ヨーク、８……
フオーカスコイル、９……フオーカスサーボ用マグネツ
ト、１０……スペーサ、１２、３２、４１、５２、６８
……開口部、１３……光磁気デイスク、１１、２６、５
３、５４……漏れ磁界、２０……光磁気デイスク装置、
２１……磁界変調ヘツド、２２……光ピツクアツプ、２
４……スピンドルモータ、２５……ターンテーブル、３
３……リング、３４……溝、５１Ａ……透磁部、５１Ｂ
……磁気シールド部、６１……トラツキングコイル、６
２……トラツキングサーボ用マグネツト、６３、６４、
６５、６６……トラツキング制御部、６９……光軸を通
りデイスクのタンジエンシヤル方向の直線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】対物レンズを駆動して光磁気デイスク上の
   所定の位置にレーザ光を集光する２軸アクチユエータ部
   を有する光ピツクアツプにおいて、 上記２軸アクチユエータ部を覆う磁気シールド板と、 上記磁気シールド板における上記対物レンズの光軸方向
   に設けられ、上記２軸アクチユエータ部の駆動により上
   記対物レンズと上記磁気シールド板との干渉を回避する
   ために上記対物レンズの直径より少なくとも１[mm]以上
   の大きさを有する開口部と、 上記開口部の周囲における上記２軸アクチユエータ部側
   に上記対物レンズを囲むように設けられ、上記磁気シー
   ルド板と同じ磁性材料でなるリング状の磁気シールド部
   とを具え、 上記シールド手段は、上記２軸アクチユエータ部の駆動に係わらず 上記開口部
   を介して上記光磁気デイスクに向かう上記漏れ磁界の垂
   直方向成分を遮蔽することを特徴とする光ピツクアツ
   プ。