JP3363498B2 - 液体気化装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置又は光磁気デ
ィスク等の記憶装置或いはフラットパネルディスプレイ
等に用いられる金属膜、半導体膜或いは絶縁膜等の各種
堆積膜を形成する為の化学気相堆積法に用いられる液体
気化装置に関する。

【０００２】

【背景技術の説明】化学気相堆積法（ＣＶＤ法）やその
為の装置（ＣＶＤ装置）を用いて形成する堆積膜には、
大きく分類すると金属膜、半導体膜及び絶縁膜の３つが
ある。

【０００３】この中で、まず半導体膜の場合には、欠陥
が少なく均一な膜が得られる成膜法が望まれている。一
方、絶縁膜においては均一な膜が望まれるのは勿論であ
るが、加えて段差被覆性に優れた成膜方法が望まれる。
なぜなら多くの絶縁膜は集積回路（ＩＣ）における配線
間の絶縁や凹凸のある表面の保護に用いられるからであ
る。

【０００４】更に、金属膜の場合も上述した絶縁膜同様
に均一性と段差被覆性に優れた成膜方法が望まれる。金
属膜はＩＣの配線材料に多く採用されるが、この場合
は、絶縁膜に形成された（コンタクトホールやスリーホ
ールと呼ばれる）開孔を介して上下の配線を接続する為
に開孔における段差被覆性が要求されるからである。

【０００５】こうしたＣＶＤ法に用いられるＣＶＤ装置
の従来例を図１に模式的に示す。

【０００６】図１において、４０３は石英管等で形成さ
れた反応室であり、内部には成膜すべき基板４０９を複
数配置し支持する基板ホルダー４１０が複数設けられて
いる。

【０００７】又、４０８は排気管であり、メカニカルブ
ースターポンプ等からなる主ポンプ４０４と、ロータリ
ーポンプ等からなる補助ポンプ４０５に接続されてお
り、ここから反応室４０３内を排気する。

【０００８】一方、ガスの供給系としては、液体原料を
バブリングする為のバブリング機構付のボンベ（バブラ
ー）４０２、バブリング用のキャリアガスを導入する為
のガス管４０６、弁４０１、反応室４０３内に気化した
原料を導入する為のガス管４０７が設けられている。

【０００９】このような従来のＣＶＤ装置では、最も一
般的な成膜を行う限りは充分な性能を発揮するものの、
最近要求される微細加工や大面積化に優れたＣＶＤ法に
は適さないことがある。

【００１０】即ち、いかなるＣＶＤ法にも適用できると
いう汎用性にとぼしい一面があった。

【００１１】この問題につき一例を挙げて説明する。

【００１２】最近、ＶＬＳＩやＵＬＳＩと呼ばれる高い
集積度の半導体装置の配線材料にスパッタリング法では
なく、ＣＶＤ法を用いたアルミニウムが注目されてい
る。特に有機化合物として有機アルミニウムを使用した
ＣＶＤ法では、絶縁物と導電体の間で、堆積条件が大き
く異なり、導電体又は半導体上のみにアルミニウムを堆
積させる選択堆積が可能ということが報告されるように
なった。この、アルミニウムの選択堆積は、微細な集積
回路を作製する場合、極めて有用なもので、特に、開孔
の深さ−穴径比（アスペクト比）が１を越えるような場
合は、代替技術のスパッタリング法では実現できないよ
うな、アルミニウムの配線を可能にしている。スパッタ
リング法で、開孔のアスペクト比が大きくなった場合、
何故断線するかについて図２を用いて説明する。図２
で、２０１は単結晶シリコン基体、２０２は二酸化硅素
等の絶縁膜、２０３はアルミニウム等の配線材料であ
る。

【００１３】（ａ）はアスペクト比が小さい場合の配線
の様子を示しており、（ｂ）はアスペクト比が１を越え
る大きい場合の配線の様子を示している。

【００１４】上記スパッタリング法では凹部２０４や空
隙２０５が形成されるのに対して、図２の（Ｃ）に示さ
れているようにＣＶＤ法による選択堆積では、開孔中に
完全にアルミニウム３０３が充填され、断線する確率は
極めて低くなる。

【００１５】ここで、３０１はシリコン基板、３０２は
二酸化硅素等絶縁膜、３０３はＣＶＤ法によって堆積さ
せたアルミニウム等の金属材料、３０４はスパッタ法も
しくはＣＶＤ法によって堆積させたアルミニウムの配線
である。

【００１６】このように、微細な半導体装置の配線の作
製方法を図１のＣＶＤ装置で行う場合には、水素等のキ
ャリアガスＣＧＳを減圧弁４０１で減圧し、バブラー４
０２に輸送する。アルミニウムの選択堆積が可能な材料
ガスとしては、ジメチルアルミニウムハイドライド（Ｄ
ＭＡＨ）やトリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡ）な
ど常温で液体状態になっているものが多い。そのためバ
ブラ４０２内で発泡を生じさせる工程即ちバブリングが
行われ、キャリアガスとＤＭＡＨ等有機アルミニウムの
飽和蒸気とからなる混合ガスが反応室４０３内に導入さ
れることになる。混合ガスは、加熱された半導体基体４
０９上で、熱分解し、該基体との表面反応によりアルミ
ニウムが基体上に堆積される。

【００１７】そして反応室４０３での未反応ガスは、主
ポンプ４０４及び補助ポンプ４０５を用いて外部に排気
される。

【００１８】しかしながら、安定して選択堆積が行われ
ていた実験用のＣＶＤ装置を量産用のＣＶＤ装置に移行
するなどといった装置環境の変更があると、今まで得ら
れていた選択性が失われる等の問題が生じることがあっ
た。

【００１９】このことは金属膜のみならず、半導体膜に
おいては欠陥の増加、絶縁膜では段差被覆性の低下等が
生じるという事態になる。

【００２０】本発明者らの知見によれば詳しい理由は後
述するが従来のＣＶＤ装置の構成では次のような点に汎
用性を乏しくする原因があることが判明した。

【００２１】１つは、原料となる液状の化合物とその他
のガスとの混合比の制御性が極めて悪いということであ
る。

【００２２】２つ目は、バブラー近傍の温度変化によっ
て化合物の混合比が変わってしまうということである。

【００２３】３つ目は、バブラー中の残量によって、化
合物の混合比が変わってしまうということである。

【００２４】

【目的】本発明の目的は、環境条件の変化や操作パラメ
ータの変化が存在しても、安定して良質の堆積膜を形成
することのできる化学気相堆積法用の液体気化装置を提
供することにある。

【００２５】本発明の更に別の目的は、大面積に亘って
均一で且つ望ましくない欠陥が少なく、段差被覆性に優
れた堆積膜を形成することのできる化学気相堆積法用の
液体気化装置を提供することにある。

【００２６】本発明の他の目的は液体状の原料物質を収
容する容器と、該原料物質のガスと他のガスとを混合す
る混合室と、該容器内と該混合室との間に設けられた整
流器と、を有し、該整流器が加熱手段を有する開孔付の
板状部材であることを特徴とする液体気化装置を提供す
ることにある。

【００２７】以下、本発明の実施例について述べる前
に、本発明をなすにあたり、見い出された技術事項につ
いて説明する。

【００２８】例えば、ＤＭＡＨと水素とを用いたＣＶＤ
法により選択堆積を行う場合に、開孔の形成された絶縁
膜を有する半導体基体表面上では次の２つの反応が進行
し得る。 ２Ａｌ（ＣＨ₃ ）₂ Ｈ＋Ｈ₂ →２Ａｌ＋４ＣＨ₄ …（１） ２Ａｌ（ＣＨ₃ ）₂ Ｈ→２Ａｌ＋２ＣＨ₄ ＋Ｃ₂ Ｈ₆ …（２） この場合、反応が（１）のように進行すれば、半導体表
面と絶縁体表面との間における選択性が確保される。し
かしながら（２）のような単純な熱分解反応が進行する
と、半導体と絶縁体間で選択性が完全には得られないこ
とがある。この原因は、混合ガス中のＤＭＡＨと水素の
モル比率が堆積状態に対して重大な影響を与えていると
いうことである。

【００２９】この問題を避けるためには、水素を過剰に
混入すれば良いかと思われたが、水素をある量を越えて
過剰に供給すると、反応室での反応が供給律速状態に陥
入り、「開孔の口径によって堆積速度が異なる。」「ア
ルミニウムの埋込み形状が図３に示すようにファセット
面を持つような形になり、平坦な埋込みを疎外する。」
などの問題点が出てくる。結局、ＤＭＡＨと水素との混
合比を最適に制御しないと、半導体製造業者としての商
業的成功に結び付くＣＶＤ法にはならない。以下、最適
な混合比について検討してみる。

【００３０】ＤＭＡＨと水素の場合におけるモル混合比
はバブラーの出口におけるＤＭＡＨの飽和蒸気圧と水素
の分圧との比で決定される。即ち、 ｎ_DMAH／ｎ_H2＝Ｐ_DMAH／Ｐ_H2…（３） ここで、ｎ_DMAH：反応室に導入されるＤＭＡＨのモル数 ｎ_H2：反応室に導入されるＨ₂ のモル数 Ｐ_DMAH：バブラー出口でのＤＭＡＨの分圧（飽和蒸気
圧） Ｐ_H2：バブラー出口でのＨ₂ の分圧 Ｐ_DMAHは温度で一意的に決まってしまい、室温では高々
１〜２ｔｏｒｒ程度である。Ｐ_H2は減圧弁で制御できる
が、制御精度は減圧弁の精度によってほぼ決まる。Ｐ
_DMAHとＰ_H2の比を数倍に制御したい場合に、Ｐ_H2は〜１
０ｔｏｒｒ程度となり、減圧弁は数ｔｏｒｒ単位の圧力
を制御する必要がある。しかしながら現在の減圧弁の技
術では、これは非常に困難である。

【００３１】上記（３）のように、モル混合比はＰ_DMAH
によって変わるが、Ｐ_DMAHは単に飽和蒸気圧なので温度
によって変わってしまう。ＤＭＡＨの飽和蒸気圧の温度
依存性を図４に示す。

【００３２】このように、Ｐ_DAMHは温度に対して指数的
に変化する。一方、水素は室温で気体なので温度変化で
Ｐ_H2は指数的には変化しない。つまり、バブラー近傍の
温度変化で、モル混合比が大きく変化することになる。

【００３３】又、バブラー出口での水素分圧Ｐ_H2は、バ
ブラー入口の水素圧力と一致せず、 Ｐ_H2（ｏｕｔ）−Ｐ_H2（ｉｎ）＝ｃ・ρ・ｈ…（４） なる関係がある。ここで、 Ｐ_H2（ｏｕｔ）：バブラー出口での水素の分圧 Ｐ_H2（ｉｎ）：バブラー入口での水素の圧力 ρ：有機金属の比重 ｈ：バブリングノズルの口からボンベ液面までの距離 ｃ：圧力換算定数 この場合レギュレータで制御できる変数はＰ_H2（ｉｎ）
のみだが、装置使用に従い、ｈの値は小さくなるので、
Ｐ_H2（ｏｕｔ）は変化していく。この結果Ｐ_H2（ｏｕ
ｔ）を一定に保つには、Ｐ_H2（ｉｎ）をバブラー内の液
残留によって補正してやる必要がある。しかしながら、
これは装置構成上大きな困難を伴う技術である。以上詳
述したように、従来のＣＶＤ装置では広い汎用性と最適
の堆積条件を得るためには、原料ガスの制御性が充分な
ものとはいい難かったのである。

【００３４】本発明によれば、液体原料の蒸気を加熱さ
れた整流板の開孔を通って減圧された混合室に導入し、
必要に応じて加熱された別のガスと混合することにより
大量の原料を安定して気化し、輸送することを可能にし
たものである。

【００３５】本発明によれば、あらゆるＣＶＤ法が適切
に行われるようになる。

【００３６】金属膜以外では、例えば化合物半導体の場
合には元素の組成比を良好にコントロールでき均一な半
導体膜や、バンドギャップの制御された半導体膜の形成
が容易になる。又、絶縁膜の場合には、ＳｉｘＯｙやＳ
ｉｘＮｙにおけるｘやｙの制御が容易になり誘電率が均
一な大面積の膜が容易に形成できるようになる。

【００３７】しかも、大量の原料輸送が可能となり、大
面積の基板や多数の基板上への均一な膜の形成が高堆積
速度で容易に行われるようになる。

【００３８】

【好適な実施態様の説明】本発明に用いられるＣＶＤ用
の原料物質としては、ＣＶＤ装置の使用環境において液
体のものが用いられる。より好ましくは、常圧、常温
（例えば１０〜３０℃）において液体のものである。

【００３９】具体的には、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、トリイソ
ブチルアルミニウム（ＴｉＢＡ）、ジメチルアルミニウ
ムハイドライド（ＤＭＡＨ）、ジエチルアルミニウムハ
イドライド（ＤＥＡＨ）、モノメチルアルミニウムハイ
ドライド（ＭＭＡＨ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩ
ｎ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチル
ガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ
ａ）、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、トリクロールシラン
（ＳｉＨＣｌ₃ ）、シリコンテトラクロライド（ＳｉＣ
ｌ₄ ）、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、
フルオロトリエトキララン（ＦＯＴＥＳ）、ＰＯＣｌ
₃ 、ＢＢｒ₃ 、Ｓｎ（ＣＨ₃ ）₄ 等が挙げられる。

【００４０】とりわけ、有機金属化合物は、常温、常圧
下における蒸気圧が比較的低く大量輸送が難しいので、
本発明によるＣＶＤ法に好適に用いられる。

【００４１】そして上記原料物質と混合される反応ガス
としては、Ｈ₂ 、Ｏ₃ 、ＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ 等があり、
必要に応じてＡｒ等の不活性ガスが用いられる。

【００４２】勿論、化合物膜の形成や導電型の制御を行
う場合には周知のドーピング用ガス、例えばＰＨ₃ 、Ａ
ｓＨ₃ 、ＢＦ₃ 、Ｂ₂ Ｈ₆ 、ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が併
せて用いられる。

【００４３】本発明により形成される堆積膜は、金属膜
としてのＡｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ等、化合物半導
体膜としてのＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＳｅＴｅ等、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、又、酸化膜とし
てのＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｎＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、
ＺｎＡｌＯ、窒化膜としてのＩｎＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、
ＢＮ等である。

【００４４】本発明に用いられる反応室は、石英等の絶
縁性反応管或いは金属製の反応管により形成でき、反応
管は内部に１つ以上の被成膜基体を収容できるものが用
いられる。

【００４５】又、排気手段としては、メカニカルブース
ターポンプ、ロータリーポンプ、油拡散ポンプ、ターボ
分子ポンプ等が単独或いは適宜組み合わせられて用いら
れる。

【００４６】又、基体は反応室内に基板保持手段によ
り、被成膜面を上向き、下向き、横向き又は斜め上方或
いは斜め下方に向けて保持される。

【００４７】以上のようにして構成されるＣＶＤ装置に
対して後述する液体気化装置を付設すればよい。

【００４８】

【実施例】図５は本実施例によるＣＶＤ装置用の液体気
化装置を示す模式図である。

【００４９】３００６は反応室であり、周知のＣＶＤ反
応室同様に基板ホルダーや基板加熱用のヒータ等が設け
られるものである。

【００５０】この反応室３００６には連絡管を介して混
合室３１００が設けられており、その下には後述する実
施例同様の整流装置３００３が設けられている。更にそ
の下は加熱ヒータ３１０３が付設された液体状の原料物
質３１０１の収容用の原料タンク３００１になってい
る。原料タンクは石英やフッ素加工された絶縁体からな
る。

【００５１】混合室３１００の反応室側と反対側は連絡
管を通してキャリアガス供給手段に接続されている。

【００５２】このキャリアガス供給手段はマスフローコ
ントローラ３２０２、バルブ３２０１及びガスボンベ３
２０３を含み、更にヒータ３２０４が設けられている。

【００５３】次にこの装置の動作について説明する。

【００５４】原料タンク３００１内の液体状の原料物質
３１０１はヒーター３１０３により加熱され蒸気を発生
する。この時の加熱温度としては、原料物質３１０１が
ほとんど分解せずにできる限り大きな蒸気圧が得られる
ような温度を選択する。ＤＭＡＨの場合は４０℃〜１０
０℃が好ましい。

【００５５】混合室３１００内の圧力は、連絡管のコン
ダクタンスにより０．５〜２００Ｔｏｒｒ程度になるよ
うに調整する。一方、原料タンク３００１内は整流装置
３００３の整流板の開孔の大きさと密度を調整して０．
５〜５００Ｔｏｒｒになるようにする。具体的にはタン
ク３００１内の圧力と原料物質の飽和蒸気圧と同じにす
る。

【００５６】そして、キャリアガスとしてのＡｒやＮ₂
はボンベ３２０３から、ヒーター３２０４にて３０℃〜
１５０℃、好ましくは４０℃〜１００℃に調整して、混
合室内に供給する。

【００５７】そして、気化した原料ガスは前述した実施
例のように整流装置３００３で、その温度が精密にコン
トロールされる。

【００５８】整流装置におけるガスの温度は４０℃〜１
００℃、より好ましくは６０℃〜１００℃とする。

【００５９】このような各モーターの温度調整を温度制
御装置４０００で行う。とりわけ整流装置３００３とヒ
ータ３１０３の温度をコントロールすることにより、状
態方程式（ｐＶ＝ｎＲＴ）を参照して原料ガスの供給量
を高精度に調整することができる。

【００６０】原料ガスにアルキルアルミニウムハイドラ
イドとしてのＤＭＡＨを用いて選択堆積を行う場合に
は、キャリアガスとして不活性ガスではなくＨ₂ を用い
る。

【００６１】図６は整流装置３００３内の温度と気化さ
れた原料ガスの輸送効率との相関を示すグラフである。
液体状の原料物質として、ＤＭＡＨを用いる場合整流装
置内の温度が１００℃以下４０℃以上であれば、液体状
の原料物質がほぼ１００％気化し反応室内に輸送され
る。

【００６２】温度が４０℃未満であると、完全に気化せ
ずに液滴として整流装置内に残留し易くなり、温度が１
００℃より高くなると、約０．１％程度の原料ガスがエ
バポレータ部内で分解しＡｌが析出してくる。析出して
きたＡｌは石英板の開孔を塞ぎ原料ガスの流れを妨げる
ので０．１％という分解率以上に輸送効率を下げる結果
となる。

【００６３】このことが成膜にどのような影響を与える
かを示すのが図７である。図７は整流装置内の温度と得
られるＡｌ膜の堆積速度の相関を示すものである。

【００６４】図５に示すＣＶＤ装置において液体状のＤ
ＭＡＨの流量とＨ₂ ガスの流量とを計量してモル比で
１：１になるように調整し、単結晶Ｓｉ：ウエハー上へ
のＡｌの堆積速度を測定した結果を整流装置の温度に対
してプロットしたものである。

【００６５】図７では、整流装置内の温度を８０℃とし
た時のＡｌの堆積速度を１とした相対値で示してある。

【００６６】図より明らかなように温度が６０℃未満で
あるとＤＭＡＨの蒸気圧が低くなり過ぎて反応が律速さ
れて堆積速度は極端に低くなってしまう。

【００６７】一方、温度が１００℃を越えると輸送効率
の低下が原因で堆積速度が高くならない。

【００６８】つまり、整流装置内の温度を精密に制御す
ることが、液体状の原料を気化させた後にＣＶＤを行う
方法において重要となる。

【００６９】しかも、この温度制御はガスを流している
状態で精密に制御しなければならないことが判明した。

【００７０】図８は、整流装置３００３内に配された整
流板２３０２の面内温度分布を示すグラフである。

【００７１】図８の白丸印はガスを流さない状態（初期
状態）での整流板の温度分布を示し、黒丸印はガスを流
した状態（動作状態）での温度分布を示している。

【００７２】図８より明らかなように、整流板２３０２
の開孔付近ではガスが滞留せずに流れる為温度が初期の
設定温度よりかなり低くなっている。これは、新しいガ
スが順次供給される為に開孔１２０付近で熱をうばい温
度を低下させているからである。従って、図９に示すと
おり、整流装置は発熱体としてのヒータ３３０７と温度
センサーとが埋込まれた加熱部材としての加熱整流板３
３０６を採用する。ガスは加熱整流板３３０６に配置さ
れた小孔を通過する際に加熱され反応室３００６側へ導
入される。加熱整流板は望ましくは複数枚で構成され
る。

【００７３】図５の符号４０００が温度制御装置であ
り、後述するように整流板にヒーター３３０７と共に設
けられた温度センサからの出力信号を基にしてヒーター
に供給する電流の量を変えるものである。

【００７４】各ヒーター及び温度センサは各整流板毎に
独立して設けられ微調整が独立して行えることが望まし
い。

【００７５】加熱整流板３３０６は、ボロンナイトライ
ド、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、コージェライ
ト等のセラミック基体３３６１にＣ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ｐｄ等或いはＭｏ、Ｔａ、Ｗ等高融点金属の厚膜が
ヒータ３３０７として形成されており、ヒータ両端には
給電用の端子３３６３が設けられる。３９９９は基体面
の任意の位置に設けられた温度センサである。セラミッ
ク基体３３６１としては熱伝導率が大きいボロンナイト
ライドが望ましく、また形成されたヒータ３３０７の上
層も保護のため絶縁性セラミックで覆われている。さら
にガス整流のための貫通孔３３６２が配置されている。
本例では流速の遅くなる周辺のコンダクタンスを高める
ため貫通孔の寸法に分布をもたせてある。

【００７６】この加熱整流板を複数枚用いればガス整流
作用を高めるために貫通孔の分布をそれぞれ異なるもの
を使用できる。

【００７７】また図では角形状のものを示したが、円板
状基体でシンメトリな貫通孔配置にすることも可能であ
る。もちろん、貫通孔近傍を加熱できるのであれば種々
のヒータパターンが考えられる。

【００７８】４００１は温度センサーの外部端子、４０
０２はヒータの外部端子であり、これらが温度制御装置
４０００に接続される。

【００７９】別の実施例として図１０の様に別のセラミ
ック基体３３６４を重ねヒータ部を完全に内部に埋め込
み上下対称な構成とすることも可能である。

【００８０】このような、本実施例によれば、前出の図
８のＸ印に示されるように均一な面内温度分布を得るこ
とができる。

【００８１】そして、整流板の温度均一性が向上し、堆
積される膜質及び膜厚分布が改善される。

【００８２】又ガスの加熱温度、流量等最適な条件範囲
が拡大するとともに、再現性が向上し、カバレージの良
い膜ができる。

【００８３】加えて、加熱整流板を多段階構成とし、個
別に温度制御することにより使用する液体原料ガス種や
気化状態等の適応範囲が拡大する。更に液体原料の輸送
効率が増大し膜の堆積速度を向上できる。

【００８４】これらは特に有機金属等の飽和蒸気圧の低
い液体原料を用いる時に効果大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＣＶＤ装置の一例を示す模式図。

【図２】形成された堆積膜の状態を示す模式図。

【図３】形成された堆積膜の状態を示す模式図。

【図４】原体状の原料物質の一例の温度と蒸気圧の関係
を示すグラフ。

【図５】本発明の実施例によるＣＶＤ装置用の液体気化
装置を示す模式図。

【図６】原料ガスの温度と輸送効率との関係を示すグラ
フ。

【図７】原料ガスの温度と堆積速度の関係を示すグラ
フ。

【図８】整流板の面内位置における原料ガスの温度分布
を示すグラフ。

【図９】本発明に用いられる整流板の構成を示す模式
図。

【図１０】本発明に用いられる整流板の構成を示す模式
図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/58 B01J 4/02 C30B 25/02 H01L 21/205

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液体状の原料物質を収容する容器と、該
   原料物質のガスと他のガスとを混合する混合室と、該容
   器内と該混合室との間に設けられた整流器と、を有し、
   該整流器は開孔付の板状部材であり、該整流器を直接温
   度制御するために該開孔付近に設けられたヒータを有す
   ることを特徴とするＣＶＤ用液体気化装置。
2. 【請求項２】 前記原料物質はアルキルアルミニウムで
   あることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ用液体気
   化装置。