KR101497373B1 - 반응가스의 혼합 및 가열수단을 구비한 서셉터 제조장치 - Google Patents

반응가스의 혼합 및 가열수단을 구비한 서셉터 제조장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 서셉터 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이종의 반응가스를 균일하게 혼합, 분배하여 공급할 수 있고, 챔버 내부와 반응가스의 온도차에 의한 충격을 최소화할 수 있는 서셉터 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 서셉터 제조장치는 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 머플(muffle); 상기 머플의 내부온도를 공정조건에 맞게 가열하는 히터; 상기 히터를 사이에 두고 상기 머플을 감싸 상기 머플의 내부온도를 일정하게 유지하며, 적어도 1 이상의 제1개구부가 형성되는 단열챔버; 상기 단열챔버를 감싸는 외부챔버; 이종의 반응가스를 공급하는 가스공급수단; 및 상기 반응가스를 균일하게 혼합하고, 가열하여 상기 머플에 공급하는 혼합수단;을 포함한다.

Description

반응가스의 혼합 및 가열수단을 구비한 서셉터 제조장치{SUSCEPTOR MANUFACTUING APPARATUS}
본 발명은 서셉터 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이종의 반응가스를 균일하게 혼합, 분배하여 공급할 수 있고, 챔버 내부와 반응가스의 온도차에 의한 충격을 최소화할 수 있는 서셉터 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체나 평판디스플레이 또는 엘이디 제조공정에서 공정 수행을 위해 기판을 지지하는 서셉터가 이용된다.
한편, 탄소 소재는 강도 및 모듈러스가 높고 열 쇼크 내성이 높으며 경량이므로 고온의 응용분야에서 관심을 끌고 있다. 탄소 소재는 엔지니어링 소재로서 널리 사용되는바, 그 응용분야로는 히터, 전기 콘택트, 고온 열교환기, 로켓 노즐, 비행기날개의 리딩에지(leading edge) 뿐 아니라 반도체나 엘이디 소자를 제조하기 위해 필요한 서셉터 등을 들 수 있다. 다양한 탄소 소재들 중에서, 엔지니어링 소재로서 가장 일반적으로 쓰이는 소재는 그라파이트이다.
그러나, 그라파이트 소재의 경우 고온에서 내화학성이 떨어져 고온에서 산소나 암모니아가스 분위기에서는 사용할 수 없다. 따라서, 그라파이트 소재를 고온의 소재로서 광범위하게 사용되기 위하여 그 내화학성을 증가시키는 것이 매우 중요하다.
따라서 그라파이트 소재에 SiC 및 Si3N4 코팅층을 형성하는 기술이 개시되고 있다. 이와 같이 코팅층이 형성된 그라파이트의 물리화학적 특성은 다양한 응용분야에서 요구되는 조건을 충족시켜 주며, 그라파이트 소재의 단점을 극복할 수 있는 가장 효과적인 방법으로 여겨지고 있다.
도 1은 그라파이트 재질의 기재에 SiC박막이 증착된 LED 제조용 서셉터(S)를나타낸 것이다. 구체적으로 설명하면, LED 제조공정에는 사파이어 웨이퍼가 이용되는데, 사파이어 웨이퍼는 서셉터(S)에 의해 지지되어 여러 공정을 거쳐 제조되는 것이다. 통상 서셉터에는 사파이어 웨이퍼가 안착되는 다수의 포켓이 형성되어 있다.
도 2 내지 도 4는 종래 서셉터 제조장치(1)를 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 서셉터 제조장치(1)는 기재상에 소정의 박막을 증착하는 공정이 수행되는 머플(muffle,10)과, 상기 머플을 가열하는 히터(20)와, 상기 머플의 온도를 유지시키는 단열챔버(30)와, 상기 단열챔버(30)를 감싸는 외부챔버(40)를 포함한다.
또한 상기 외부챔버(40)와, 단열챔버(30)와, 머플(10)에는 반응가스가 공급되는 공급튜브(50)와, 가스를 배출하는 배출튜브(미도시)가 형성되고, 상기 공급튜브에 연결되어 반응가스인 수소와 질소 및 소정의 케미칼 등을 공급하는 가스공급수단(71,72)이 구비된다.
도 5는 도 4의 히터(20) 내측으로 구비되는 머플(10)을 도시한 것이다. 상기 머플(10)의 일측면에는 반응가스가 공급되는 공급포트(11)가 형성된 것을 알 수 있다.
이와 같이 구성된 종래의 서셉터 제조장치의 작동상태를 설명한다.
도 3을 참조하면, 턴테이블(60)상에 지그(미도시)를 적재하고, 지그에는 복수의 기재(미도시)가 안착되어 있다. 이 상태에서 히터(20)를 작동시켜 분위기로 상기 머플(10)의 내부온도를 반응에 필요한 적정온도로 상승시킨다. 한편, 상기 머플(10)의 외측에는 단열챔버(30)가 구비되어 있어 머플(10)의 내부온도가 일정하게 유지되는 것이다. 이 상태에서 공급포트(11)로 반응가스를 공급하여 화학기상증착하여 기재상에 박막을 형성하는 것이다.
한편, 상술한 바와 같이, 머플의 내부에는 턴테이블이 구비되고, 턴테이블 상에 지그가 적재되며, 상기 지그에는 다수의 기재가 층을 이루어 적재되어 있다. 이 상태에서 상기 턴테이블을 회전하면서 모든 기재에 균일하게 SiC박막을 형성해야 한다.
그런데, 반응가스를 머플에 주입할 때, 이종(異種)의 가스가 균일하게 혼합되지 않은 상태로 주입되거나, 또는 머플의 내부 전체 영역에 고루 분배되지 않으면 기재의 적층 위치에 따라 SiC박막의 증착 두께나 증착량이 상이하게 되는 문제점이 발생된다.
또한, 머플은 반응을 위해 상당히 고온분위기로 유지되는데 반해, 주입되는 반응가스는 상대적으로 낮은 온도로 주입되어 온도충격이 발생하는 문제점도 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 이종의 반응가스를 균일하게 혼합, 분배하여 공급할 수 있고, 챔버 내부와 반응가스의 온도차에 의한 충격을 최소화할 수 있는 서셉터 제조장치를 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 서셉터 제조장치는 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 머플(muffle); 상기 머플의 내부온도를 공정조건에 맞게 가열하는 히터; 상기 히터를 사이에 두고 상기 머플을 감싸 상기 머플의 내부온도를 일정하게 유지하며, 적어도 1 이상의 제1개구부가 형성되는 단열챔버; 상기 단열챔버를 감싸는 외부챔버; 이종의 반응가스를 공급하는 가스공급수단; 및 상기 반응가스를 균일하게 혼합하고, 가열하여 상기 머플에 공급하는 혼합수단;을 포함한다.
또한 상기 혼합수단은, 상기 가스공급수단과 연결되는 공급포트가 형성되는 제1하우징; 및 상기 제1하우징의 내부 공간을 분할하도록 설치되며, 상기 반응가스가 통과하는 관통홀이 형성된 적어도 1 이상의 타공판;을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 제1하우징의 내부에는 상기 타공판이 2개 이상 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제1하우징의 내벽과 타공판 사이, 또는 상기 타공판들 사이에는 상기 반응가스의 흐름이 만곡되도록 유도하는 유도판이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 유도판은 반응가스가 통과하도록 상기 제1하우징의 내벽과의 사이에 소정의 간격이 형성되도록 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 유도판은 슬릿이 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 타공판 및 유도판은 상기 제1하우징의 내부에 수직으로 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제1하우징의 외측을 감싸는 히터가 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제1하우징의 하부에는 밴트를 위한 개구부가 개폐가능하게 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 혼합수단을 통해 배출된 혼합가스를 상기 머플에 균일하게 분배하여 공급하는 분배수단을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 분배수단은, 상기 혼합수단과 연결되는 제2하우징; 및 상기 제2하우징의 내부에 구비되어 상기 혼합수단으로부터 이송된 혼합가스를 균일하게 분배하는 제1분배블록;을 포함하며, 상기 제1분배블록의 일측에는 상기 혼합가스가 유입되는 이송튜브가 적어도 1 이상 연결되고, 타측에는 분배된 혼합가스가 배출되는 분배튜브가 적어도 1 이상 연결되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제2하우징의 내부에는 상기 분배튜브와 연결되는 제2분배블록이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제2분배블록의 타측에는 상기 머플에 혼합가스를 공급하는 공급튜브가 적어도 1 이상 연결되는 것이 바람직하다.
또한 상기 공급튜브는 상기 분배튜브보다 더 많은 수로 구비되고, 상기 분배튜브는 상기 이송튜브보다 더 많은 수로 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제2분배블록의 내부에는 히터가 내장되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 이종의 반응가스가 균일하게 혼합, 분배되어 챔버 내부로 공급될 수 있는 효과가 있다.
특히, 반응가스를 일정한 온도로 가열, 혼합하여 공급함으로써, 챔버 내부와 반응가스의 온도차에 의한 충격을 최소화할 수 있다.
도 1은 일반적인 LED제조용 서셉터를 나타낸 것이다.
도 2 내지 도 5는 종래 서셉터 제조장치를 나타낸 것이다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 의한 서셉터 제조장치를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 서셉터 제조장치를 설명한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 의한 서셉터 제조장치(100)는 머플(110)과, 히터(120)와, 단열챔버(130)와, 외부챔버(140)와, 가스공급수단과, 혼합수단과, 분배수단을 포함한다.
상기 머플(110)은 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 구성요소이다. 상기 기재는 지그에 복수개 안착되고, 상기 지그는 턴테이블(150)에 적재되어 공정중에는 턴테이블(150)을 이용하여 기재를 회전시키면서 반응을 한다.
상기 히터(120)는 상기 머플(110)의 내부 온도를 공정조건에 맞게 상승시키는 구성요소이다.
상기 단열챔버(130)는 상기 히터(120)를 사이에 두고 상기 머플(110)을 감싸도록 구성되며, 소재 및 구조 특성상 상기 머플(110)의 내부온도를 일정하게 유지시키는 구성요소이다. 본 실시예에서는 스테인리스 스틸 내에 석면을 충진하여 구성한다.
상기 외부챔버(140)는 상기 단열챔버(130)를 감싸며 내부를 냉각하기 위해 냉각수가 흐르는 냉각유로(144)가 형성되어 있다.
상기 가스공급수단(151,152)은 수소, 질소 및 케미칼 등 반응가스를 공급하는 구성요소이다.
특히, 본 실시예에서는 혼합수단(160)과 분배수단(170)을 포함한다.
상기 혼합수단(160)은 반응가스를 균일하게 혼합하고 가열하여 분배수단(170)으로 공급하는 구성요소이다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 혼합수단(160)은 제1하우징(161)과, 타공판(162)과, 유도판(163,164,165)을 포함한다.
상기 제1하우징(161)은 가스공급수단(151,152)과 외부챔버(140) 사이 공간에 위치되며, 가스공급수단(151,152)과 연결되는 공급포트가 형성된다. 상기 공급포트는 제1하우징(161)의 최대한 하방에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 제1하우징(161)의 내부에는 한 쌍의 타공판(162)이 구비되는데, 상기 타공판(162)은 상기 제1하우징(161)의 내부공간을 분할하도록 수직으로 설치되며, 반응가스가 통과하는 관통홀(162a)이 복수개 구비되는데, 상기 타공판(162a)의 중심 이하에 형성된다.
또한 상기 제1하우징(161)의 내부에는 제1하우징(161)과 타공판(162) 사이, 타공판(162)들 사이에 반응가스의 흐름이 만곡되도록 유도하는 유도판(163,164,165)이 구비된다. 본 실시예에서 상기 유도판(163~165)은 상기 제1하우징(161)의 내부에 수직으로 설치되되, 상기 제1하우징(161)의 상면과 소정 간격(t) 이격되도록 설치된다. 따라서 상기 제1하우징(161)의 상면과의 소정 간격(t)을 통해 가스가 만곡되도록 유도된다. 한편, 본 실시예와 달리 상기 유도판은 제1하우징의 상면과 하면에 맞닿도록 형성할 수도 있다. 이 경우, 상면에 가로방향으로 가스가 통과하는 슬릿(장홈)이 형성되거나 세로방향으로 슬릿이 형성될 수 있다.
상기 제1하우징(161)의 외측에는 반응가스를 일정 온도 이상으로 가열하기 위하여 히터(167)가 구비된다.
또한 상기 제1하우징(161)의 하부에는 밴트라인(L5)이 연결된다. 상기 밴트라인(L5)은 제1하우징(161)의 내부에서 발생되는 파티클을 제거하고 밴트를 하기 위한 구성요소이다. 따라서 상기 제1하우징(161)의 저부에는 밴트공간(166)에 밴트홀(미도시)이 형성되어 있고, 상기 밴트홀을 개폐하는 전자변(미도시)이 구비된다.
또한 상기 혼합수단(160)을 통해 배출된 혼합가스를 머플(110)에 균일하게 분배하는 분배수단(170)이 더 구비된다.
상기 분배수단(170)은 제2하우징(171)과, 제1분배블록(172)과 제2분배블록(173)을 포함한다.
상기 제2하우징(171)은 상기 제1하우징(161)과 외부챔버(140) 사이 공간에 구비되며, 내부 공간에 상기 제1분배블록(172)과 제2분배블록(173)을 구비한다.
상기 제1분배블록(172)의 일측에는 상기 혼합수단(160)을 통해 혼합가스가 유입되는 이송튜브(L1)가 연결되는데, 상기 이송튜브(L1)는 2개로 분기되어 분기관(L2)과 연결된다.
또한 상기 제1분배블록(172)과 제2분배블록(173)은 8개(2열)의 분배튜브(L3)로 연결된다.
상기 제2분배블록(173)은 8개의 분배튜브(L3)를 통해 혼합가스가 유입되는데, 유입된 혼합가스를 예열하기 위하여 히터(174)가 내장된다.
상기 제2분배튜브(173)의 타측에는 20개의 공급튜브(L4)가 2열로 연결되어 외부챔버(140)와, 단열챔버(130)를 통해 머플(110)의 내부로 혼합 및 예열된 가스를 공급한다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명에 의한 서셉터 제조장치의 작동상태를 설명한다.
가스공급수단(151,152)을 통해 수소, 질소 및 케미칼 등의 반응가스가 혼합수단(160)의 제1하우징(161) 내부로 주입된다. 주입된 반응가스는 제1하우징(161)과 유도판(163) 사이의 간격과 타공판(162)의 관통홀(162a)을 통과하면서 균일하게 혼합된다. 또한 제1하우징(161)의 외측에 구비된 히터(167)에 의해 예열되어 이송튜브(L1)를 통해 분배수단(170)으로 이송된다.
이송튜브(L1)는 2개로 분기되어 분배수단(170)의 제2하우징(171) 내부에 구비된 제1분배블록(172)을 통해 8개의 분배튜브(L3)를 통해 배출되고, 다시 제2분배블록(173) 내부의 히터(174)를 지나 예열된 혼합가스는 20개의 공급튜브(L4)로 이송되어 머플(110) 내부로 공급된다.
따라서 이종의 반응가스가 혼합수단(160)과 분배수단(170)을 거치는 동안 균일하게 혼합되고, 예열되며, 머플(110)의 전체 영역에 걸쳐 고르게 분배되는 것이다.
100: 서셉터 제조장치 110: 머플
120: 히터 130: 단열챔버
140: 외부챔버 151,152: 가스공급수단
160: 혼합수단 161: 제1하우징
162: 타공판 162a: 관통홀
163~165: 유도판 166: 밴트공간
170: 분배수단 171: 제2하우징
172: 제1분배블록 173: 제2분배블록
174: 히터

Claims (15)

  1. 기재를 내부에 적재하여 소정의 박막을 형성하는 머플(muffle);
    상기 머플의 내부온도를 공정조건에 맞게 가열하는 히터;
    상기 히터를 사이에 두고 상기 머플을 감싸 상기 머플의 내부온도를 일정하게 유지하며, 적어도 1 이상의 제1개구부가 형성되는 단열챔버;
    상기 단열챔버를 감싸는 외부챔버;
    이종의 반응가스를 공급하는 가스공급수단; 및
    상기 반응가스를 균일하게 혼합하고, 가열하여 상기 머플에 공급하는 혼합수단;을 포함하고,
    상기 혼합수단은,
    상기 가스공급수단과 연결되는 공급포트가 형성되는 제1하우징; 및
    상기 제1하우징의 내부 공간을 분할하도록 설치되며, 상기 반응가스가 통과하는 관통홀이 형성된 적어도 1 이상의 타공판;을 포함하며,
    상기 제1하우징의 하부에는 밴트를 위한 개구부가 개폐가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1하우징의 내부에는 상기 타공판이 2개 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1하우징의 내벽과 타공판 사이, 또는 상기 타공판들 사이에는 상기 반응가스의 흐름이 만곡되도록 유도하는 유도판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유도판은 반응가스가 통과하도록 상기 제1하우징의 내벽과의 사이에 소정의 간격이 형성되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 유도판은 슬릿이 형성되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 타공판 및 유도판은 상기 제1하우징의 내부에 수직으로 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1하우징의 외측을 감싸는 히터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.

  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 혼합수단을 통해 배출된 혼합가스를 상기 머플에 균일하게 분배하여 공급하는 분배수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 분배수단은,
    상기 혼합수단과 연결되는 제2하우징; 및
    상기 제2하우징의 내부에 구비되어 상기 혼합수단으로부터 이송된 혼합가스를 균일하게 분배하는 제1분배블록;을 포함하며,
    상기 제1분배블록의 일측에는 상기 혼합가스가 유입되는 이송튜브가 적어도 1 이상 연결되고, 타측에는 분배된 혼합가스가 배출되는 분배튜브가 적어도 1 이상 연결되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2하우징의 내부에는 상기 분배튜브와 연결되는 제2분배블록이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2분배블록의 타측에는 상기 머플에 혼합가스를 공급하는 공급튜브가 적어도 1 이상 연결되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 공급튜브는 상기 분배튜브보다 더 많은 수로 구비되고, 상기 분배튜브는 상기 이송튜브보다 더 많은 수로 구비되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제2분배블록의 내부에는 히터가 내장되는 것을 특징으로 하는 서셉터 제조장치.
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JP3363498B2 (ja) * 1992-12-18 2003-01-08 キヤノン株式会社 液体気化装置
JP4063661B2 (ja) * 2002-12-27 2008-03-19 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造法
JP2013007549A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Tokyo Electron Ltd 熱処理炉及び熱処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3363498B2 (ja) * 1992-12-18 2003-01-08 キヤノン株式会社 液体気化装置
JP4063661B2 (ja) * 2002-12-27 2008-03-19 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造法
JP2013007549A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Tokyo Electron Ltd 熱処理炉及び熱処理装置

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