JP3354961B2 - Ｂｉ系超電導体および超電導厚膜の製造方法 - Google Patents
Ｂｉ系超電導体および超電導厚膜の製造方法Info
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- superconducting thick
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度かつ均質で、優
れた超電導特性を有するＢｉ系超電導体およびＢｉ系超
電導厚膜の製造方法に関する。
れた超電導特性を有するＢｉ系超電導体およびＢｉ系超
電導厚膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、高い臨界温度（Ｔｃ）を有す
る超電導体を製造する場合、一般に雰囲気制御法、急冷
法または部分溶融法などといった方法が用いられてき
た。
る超電導体を製造する場合、一般に雰囲気制御法、急冷
法または部分溶融法などといった方法が用いられてき
た。
【０００３】雰囲気制御法とは、超電導焼結体を炉中に
おいて酸素分圧を変えてアニール処理し、超電導体にお
ける酸素含有量を制御することによってＴｃの向上を図
るという方法であるが、この方法によると、超電導特性
が不安定なことから超電導体の高密度化が極めて困難で
あるという問題点があった。これは、超電導体は酸素の
吸収および脱離が極めて容易に行われる上、超電導特性
が極めて酸素に敏感であるためである。
おいて酸素分圧を変えてアニール処理し、超電導体にお
ける酸素含有量を制御することによってＴｃの向上を図
るという方法であるが、この方法によると、超電導特性
が不安定なことから超電導体の高密度化が極めて困難で
あるという問題点があった。これは、超電導体は酸素の
吸収および脱離が極めて容易に行われる上、超電導特性
が極めて酸素に敏感であるためである。
【０００４】急冷法とは、超電導焼結体をアニール処理
した後所定温度（ 850℃）において電気炉から取り出
し、これを液体窒素中に浸漬して急冷し、超電導体にお
ける酸素含有量を制御することによってＴｃの向上を図
るという方法であるが、この方法によると、 850℃の炉
中から-196℃の液体窒素中への投入操作が必要であり技
術的な面に問題があった。
した後所定温度（ 850℃）において電気炉から取り出
し、これを液体窒素中に浸漬して急冷し、超電導体にお
ける酸素含有量を制御することによってＴｃの向上を図
るという方法であるが、この方法によると、 850℃の炉
中から-196℃の液体窒素中への投入操作が必要であり技
術的な面に問題があった。
【０００５】部分溶融法とは、Ａｇ基板上に載置した超
電導成形体を、大気雰囲気中において部分溶融させるこ
とによってＴｃの向上を図るという方法であるが、この
方法によると、高価なＡｇ材を用いるため生産コストが
高くついてしまうという問題点があった。
電導成形体を、大気雰囲気中において部分溶融させるこ
とによってＴｃの向上を図るという方法であるが、この
方法によると、高価なＡｇ材を用いるため生産コストが
高くついてしまうという問題点があった。
【０００６】上記従来の超電導体の製造方法によると、
処理条件の微妙な違いにより試料の再現性が大きく低下
してしまう上、粒界の酸素制御が困難であった。そのた
め、ウィークリンクが多く、Ｔｃ値の十分な向上が図ら
れていなかった（Ｔｃ値は60〜80Ｋ程度であった）。ま
た、上記従来の方法によると、得られる超電導体にクラ
ックが発生しやすかったため、その形状を大きくしたり
厚くすることができなかった。さらに、溶融時に過剰反
応を生じて基板と接合してしまうことがあったため、分
離作業が必要となる上、接合面または反応面の超電導特
性が劣化してしまっていた。
処理条件の微妙な違いにより試料の再現性が大きく低下
してしまう上、粒界の酸素制御が困難であった。そのた
め、ウィークリンクが多く、Ｔｃ値の十分な向上が図ら
れていなかった（Ｔｃ値は60〜80Ｋ程度であった）。ま
た、上記従来の方法によると、得られる超電導体にクラ
ックが発生しやすかったため、その形状を大きくしたり
厚くすることができなかった。さらに、溶融時に過剰反
応を生じて基板と接合してしまうことがあったため、分
離作業が必要となる上、接合面または反応面の超電導特
性が劣化してしまっていた。
【０００７】一方、Ｂｉ系超電導厚膜の製造方法として
は、一般に次に示す二つの方法が知られている。一つ
は、Ｂｉ系2212相厚膜に部分溶融処理を施し、その直後
に急冷するという方法であるが、一般にＢｉ系2212相は
その超電導特性が極めて酸素量に敏感であり、しかもそ
の厚膜は酸素の吸収、脱離が容易であるため、超電導特
性が不安定であった。また、この方法では高温の炉中か
ら-196℃の液体窒素中への投入操作が必要であり技術的
な面に問題があった。
は、一般に次に示す二つの方法が知られている。一つ
は、Ｂｉ系2212相厚膜に部分溶融処理を施し、その直後
に急冷するという方法であるが、一般にＢｉ系2212相は
その超電導特性が極めて酸素量に敏感であり、しかもそ
の厚膜は酸素の吸収、脱離が容易であるため、超電導特
性が不安定であった。また、この方法では高温の炉中か
ら-196℃の液体窒素中への投入操作が必要であり技術的
な面に問題があった。
【０００８】もう一つは、Ｂｉ系2212相厚膜に部分溶融
処理を施し、徐冷後熱処理を施すという方法であるが、
この方法では試料中の酸素量を制御していないため、過
剰な酸素が残ってしまうという問題点があった。
処理を施し、徐冷後熱処理を施すという方法であるが、
この方法では試料中の酸素量を制御していないため、過
剰な酸素が残ってしまうという問題点があった。
【０００９】上記の方法によって製造された厚膜は、ク
ラックが発生しやすかったため、その形状を大きくした
り膜厚を厚くすることができず、しかも再現性が悪いと
いう問題点があった。また、厚膜のＴｃ値は77Ｋ前後、
Ｊｃ値は103 Ａ／cm2 であり、特に優れた超電導特性を
有するものではなかった。
ラックが発生しやすかったため、その形状を大きくした
り膜厚を厚くすることができず、しかも再現性が悪いと
いう問題点があった。また、厚膜のＴｃ値は77Ｋ前後、
Ｊｃ値は103 Ａ／cm2 であり、特に優れた超電導特性を
有するものではなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述従来の
技術の問題点を解決し、クラックの発生が防止され、高
密度かつ均質であり、優れた超電導特性および再現性を
有するＢｉ系2212相からなる超電導バルク体および超電
導厚膜の製造方法を提供することを目的とする。
技術の問題点を解決し、クラックの発生が防止され、高
密度かつ均質であり、優れた超電導特性および再現性を
有するＢｉ系2212相からなる超電導バルク体および超電
導厚膜の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究した結果、特定の基板上にお
いて、所定条件下で溶融およびアニール処理を行うこと
により、上記課題が解決されることを見い出し、本発明
に到達した。
を達成するために鋭意研究した結果、特定の基板上にお
いて、所定条件下で溶融およびアニール処理を行うこと
により、上記課題が解決されることを見い出し、本発明
に到達した。
【００１２】 すなわち、本発明は第１に、安定化ジル
コニアまたはイットリア部分安定化ジルコニアからなる
基板上に載置したＢｉ系の低ＴＣ相からなる超電導成形
体を、高酸素雰囲気が作られた溶解炉中において９×１
０２℃で溶融させた後アニール処理することを特徴とす
るＢｉ系超電導体の製造方法；第２に、ＭｇＯまたはＡ
ｇからなる基板上に塗布したＢｉ系の超電導ペースト材
を、大気雰囲気の溶解炉中において９×１０２℃で溶融
させた後アニール処理することを特徴とするＢｉ系超電
導厚膜の製造方法；第３に、ＭｇＯまたはＡｇからなる
基板上の所定個所に印刷法によって塗布したＢｉ系の超
電導ペースト材を、大気雰囲気の溶解炉中において９×
１０２℃で溶融させた後アニール処理することを特徴と
するＢｉ系超電導厚膜の製造方法を提供するものであ
る。
コニアまたはイットリア部分安定化ジルコニアからなる
基板上に載置したＢｉ系の低ＴＣ相からなる超電導成形
体を、高酸素雰囲気が作られた溶解炉中において９×１
０２℃で溶融させた後アニール処理することを特徴とす
るＢｉ系超電導体の製造方法；第２に、ＭｇＯまたはＡ
ｇからなる基板上に塗布したＢｉ系の超電導ペースト材
を、大気雰囲気の溶解炉中において９×１０２℃で溶融
させた後アニール処理することを特徴とするＢｉ系超電
導厚膜の製造方法；第３に、ＭｇＯまたはＡｇからなる
基板上の所定個所に印刷法によって塗布したＢｉ系の超
電導ペースト材を、大気雰囲気の溶解炉中において９×
１０２℃で溶融させた後アニール処理することを特徴と
するＢｉ系超電導厚膜の製造方法を提供するものであ
る。
【００１３】
【作用】本発明のＢｉ系超電導体の製造方法によると、
まず、Ｂｉ系2212相からなる低Ｔｃ相超電導成形体を、
固体電解質セラミックス基板上に載置している。なお、
上記固体電解質セラミックス基板としては、ＹＳＺ（安
定化ジルコニア）や、Ｙ−ＰＳＺ（イットリア部分安定
化ジルコニア、Ｙ：３％、ＺｒＯ2 ）からなるものが好
ましい。
まず、Ｂｉ系2212相からなる低Ｔｃ相超電導成形体を、
固体電解質セラミックス基板上に載置している。なお、
上記固体電解質セラミックス基板としては、ＹＳＺ（安
定化ジルコニア）や、Ｙ−ＰＳＺ（イットリア部分安定
化ジルコニア、Ｙ：３％、ＺｒＯ2 ）からなるものが好
ましい。
【００１４】次に、固体電解質セラミックス基板におけ
る超電導成形体を、高酸素雰囲気が作られた（酸素ガス
99.7％の気流）溶解炉において 900℃前後で溶融させた
後、880℃前後まで徐冷する。次いで、該温度で40〜80
時間保持してアニール処理を行い、その後これを炉冷し
てＢｉ系超電導バルク体を得る。
る超電導成形体を、高酸素雰囲気が作られた（酸素ガス
99.7％の気流）溶解炉において 900℃前後で溶融させた
後、880℃前後まで徐冷する。次いで、該温度で40〜80
時間保持してアニール処理を行い、その後これを炉冷し
てＢｉ系超電導バルク体を得る。
【００１５】一方、本発明のＢｉ系超電導厚膜の製造方
法によると、まず、Ｂｉ系2212相粉末を主成分とする超
電導ペースト材を、ＭｇＯまたはＡｇからなる基板上に
塗布し、この基板上に塗布したペースト材を、大気雰囲
気の溶解炉中において 900℃前後で溶融させた後、 840
℃前後まで１℃／ min以下の速度で徐冷する。次に、こ
れを 500〜 600℃で１〜５時間低酸素雰囲気（酸素分圧
１％以下）中においてアニール処理を行い、その後これ
を炉冷してＢｉ系超電導厚膜を得る。
法によると、まず、Ｂｉ系2212相粉末を主成分とする超
電導ペースト材を、ＭｇＯまたはＡｇからなる基板上に
塗布し、この基板上に塗布したペースト材を、大気雰囲
気の溶解炉中において 900℃前後で溶融させた後、 840
℃前後まで１℃／ min以下の速度で徐冷する。次に、こ
れを 500〜 600℃で１〜５時間低酸素雰囲気（酸素分圧
１％以下）中においてアニール処理を行い、その後これ
を炉冷してＢｉ系超電導厚膜を得る。
【００１６】上記本発明法によると、再現性良く高密度
かつ均質なＢｉ系超電導体および超電導厚膜を製造する
ことができるようになる。また、上記本発明法によって
製造されたＢｉ系超電導体および超電導厚膜は、クラッ
クの発生がなく、優れた超電導特性を有するものであ
る。
かつ均質なＢｉ系超電導体および超電導厚膜を製造する
ことができるようになる。また、上記本発明法によって
製造されたＢｉ系超電導体および超電導厚膜は、クラッ
クの発生がなく、優れた超電導特性を有するものであ
る。
【００１７】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
【００１８】
【実施例１】本発明のＢｉ系超電導体の製造方法の一例
を以下に示す。
を以下に示す。
【００１９】まず、Ｂｉ系2212相からなる低Ｔｃ相成形
体（直径18mm、厚さ 1.5mm）を、安定化ジルコニア（Ｙ
ＳＺ）基板（50mm×50mm）上に載置した。次いで、該基
板を高酸素含有雰囲気（Ｏ2 ＝99.7％）が作られた卓上
電気炉内に挿入し、 900℃に加熱して基板上の成形体を
溶融させた後 880℃まで徐冷し、同温度で60時間保持し
てアニール処理を行った。アニール処理後、これを炉冷
してＢｉ系超電導バルク体を得た。
体（直径18mm、厚さ 1.5mm）を、安定化ジルコニア（Ｙ
ＳＺ）基板（50mm×50mm）上に載置した。次いで、該基
板を高酸素含有雰囲気（Ｏ2 ＝99.7％）が作られた卓上
電気炉内に挿入し、 900℃に加熱して基板上の成形体を
溶融させた後 880℃まで徐冷し、同温度で60時間保持し
てアニール処理を行った。アニール処理後、これを炉冷
してＢｉ系超電導バルク体を得た。
【００２０】上記のようにして得られたＢｉ系超電導体
のＴｃ値を測定したところ、93Ｋであった。
のＴｃ値を測定したところ、93Ｋであった。
【００２１】
【実施例２】Ｂｉ系2212相からなる低Ｔｃ相成形体（直
径18mm、厚さ 1.5mm）を、イットリア部分安定化ジルコ
ニア（Ｙ−ＰＳＺ）基板（50mm×50mm）上に載置したこ
と以外は実施例１と同様にして溶融およびアニール処理
を行い、Ｂｉ系超電導体を得た。
径18mm、厚さ 1.5mm）を、イットリア部分安定化ジルコ
ニア（Ｙ−ＰＳＺ）基板（50mm×50mm）上に載置したこ
と以外は実施例１と同様にして溶融およびアニール処理
を行い、Ｂｉ系超電導体を得た。
【００２２】上記のようにして得たＢｉ系超電導体のＴ
ｃ値を測定したところ、92Ｋであった。
ｃ値を測定したところ、92Ｋであった。
【００２３】
【比較例１】高酸素含有雰囲気中における成形体の溶融
を行わず、雰囲気をＮ2 ガス、Ｏ27.7％ガスとした卓上
電気炉内において、 500〜 800℃の温度範囲でアニール
処理を行ったこと以外は実施例１と同様にしてＢｉ系超
電導体を得た。
を行わず、雰囲気をＮ2 ガス、Ｏ27.7％ガスとした卓上
電気炉内において、 500〜 800℃の温度範囲でアニール
処理を行ったこと以外は実施例１と同様にしてＢｉ系超
電導体を得た。
【００２４】上記のようにして得たＢｉ系超電導体のＴ
ｃ値を測定したところ、77Ｋのものと85Ｋのものとがあ
り、バラツキがみられた。また、上記方法によるとＢｉ
系超電導体の再現性が良くなかった。
ｃ値を測定したところ、77Ｋのものと85Ｋのものとがあ
り、バラツキがみられた。また、上記方法によるとＢｉ
系超電導体の再現性が良くなかった。
【００２５】
【比較例２】実施例１と同様に基板上に載置した成形体
を、卓上電気炉内において 500〜 850℃の温度でアニー
ル処理を行い、その後炉冷することなく試料を炉から取
り出して液体窒素中で急冷し、Ｂｉ系超電導体を得た。
を、卓上電気炉内において 500〜 850℃の温度でアニー
ル処理を行い、その後炉冷することなく試料を炉から取
り出して液体窒素中で急冷し、Ｂｉ系超電導体を得た。
【００２６】上記のようにして得たＢｉ系超電導体のＴ
ｃ値を測定したところ、80〜85Ｋであった。しかしなが
ら、上記のようにして得たＢｉ系超電導体は、再現性が
悪い上、目視できるほどのクラックが発生しており、一
部の試料は急冷反応による破壊によって小片となってい
た。
ｃ値を測定したところ、80〜85Ｋであった。しかしなが
ら、上記のようにして得たＢｉ系超電導体は、再現性が
悪い上、目視できるほどのクラックが発生しており、一
部の試料は急冷反応による破壊によって小片となってい
た。
【００２７】
【実施例３】本発明のＢｉ系超電導厚膜の製造方法の一
例を以下に示す。
例を以下に示す。
【００２８】まず、Ｂｉ系2212相粉末と有機ビヒクルと
を３：１の割合で混合してペーストを作製し、このペー
ストをスプレー法によって銀基板（50mm×50mm）上に約
100μｍの厚さで塗布した。次いで、該基板を卓上電気
炉内に挿入し、 900℃に加熱して基板上のペースト材を
溶融させた後、 840℃まで徐冷した。次に、該基板を低
酸素雰囲気（酸素分圧 0.7％）中において 500〜 600℃
で１〜４時間アニール処理を行った。アニール処理後、
これを炉冷してＢｉ系超電導厚膜を得た。
を３：１の割合で混合してペーストを作製し、このペー
ストをスプレー法によって銀基板（50mm×50mm）上に約
100μｍの厚さで塗布した。次いで、該基板を卓上電気
炉内に挿入し、 900℃に加熱して基板上のペースト材を
溶融させた後、 840℃まで徐冷した。次に、該基板を低
酸素雰囲気（酸素分圧 0.7％）中において 500〜 600℃
で１〜４時間アニール処理を行った。アニール処理後、
これを炉冷してＢｉ系超電導厚膜を得た。
【００２９】上記のようにして得たＢｉ系超電導厚膜
は、50mm角で厚さが 100μｍであり、Ｔｃ値は90〜95
Ｋ、Ｊｃ値は１〜２×104 Ａ／cm2 （77Ｋ）であった。
は、50mm角で厚さが 100μｍであり、Ｔｃ値は90〜95
Ｋ、Ｊｃ値は１〜２×104 Ａ／cm2 （77Ｋ）であった。
【００３０】
【実施例４】Ｂｉ系2212相粉末と有機ビヒクルとを３：
１の割合で混合したペーストを、スプレー法によってＭ
ｇＯ基板（50mm×50mm）上に約 100μｍの厚さに塗布し
たこと以外は、実施例３と同様にしてＢｉ系超電導厚膜
を得た。
１の割合で混合したペーストを、スプレー法によってＭ
ｇＯ基板（50mm×50mm）上に約 100μｍの厚さに塗布し
たこと以外は、実施例３と同様にしてＢｉ系超電導厚膜
を得た。
【００３１】上記のようにして得たＢｉ系超電導厚膜
は、50mm角で厚さが25μｍであり、Ｔｃ値は90〜95Ｋ、
Ｊｃ値は１〜２×104 Ａ／cm2 （77Ｋ）であった。
は、50mm角で厚さが25μｍであり、Ｔｃ値は90〜95Ｋ、
Ｊｃ値は１〜２×104 Ａ／cm2 （77Ｋ）であった。
【００３２】
【実施例５】Ｂｉ系2212相粉末と有機ビヒクルとを３：
１の割合で混合したペーストを、印刷法によってＡｇ基
板（50mm×50mm）上に厚さ15〜20μｍ、線幅１mmで塗布
したこと以外は実施例３と同様にしてＢｉ系超電導厚膜
を得た。
１の割合で混合したペーストを、印刷法によってＡｇ基
板（50mm×50mm）上に厚さ15〜20μｍ、線幅１mmで塗布
したこと以外は実施例３と同様にしてＢｉ系超電導厚膜
を得た。
【００３３】上記のようにして得たＢｉ系超電導厚膜
は、50mm角で厚さが25μｍであり、Ｔｃ値は90〜95Ｋ、
Ｊｃ値は１〜２×104 Ａ／cm2 （77Ｋ）であった。
は、50mm角で厚さが25μｍであり、Ｔｃ値は90〜95Ｋ、
Ｊｃ値は１〜２×104 Ａ／cm2 （77Ｋ）であった。
【００３４】
【比較例３】Ｂｉ系2212相粉末と有機ビヒクルとを３：
１の割合で混合したペーストを、ドクターブレード法に
よりグリーンテープに成型したものをＡｇ基板（50mm×
50mm）上に載置し、該基板を卓上電気炉内において 890
℃に加熱して基板上のグリーンテープを部分溶融させ、
これを 860℃まで徐冷した後急冷し、Ｂｉ系超電導厚膜
を得た。
１の割合で混合したペーストを、ドクターブレード法に
よりグリーンテープに成型したものをＡｇ基板（50mm×
50mm）上に載置し、該基板を卓上電気炉内において 890
℃に加熱して基板上のグリーンテープを部分溶融させ、
これを 860℃まで徐冷した後急冷し、Ｂｉ系超電導厚膜
を得た。
【００３５】上記のようにして得たＢｉ系超電導厚膜
は、Ｔｃ値が91〜95Ｋ、Ｊｃ値が１〜1.5×104 Ａ／cm
2 （77Ｋ）であった。
は、Ｔｃ値が91〜95Ｋ、Ｊｃ値が１〜1.5×104 Ａ／cm
2 （77Ｋ）であった。
【００３６】
【比較例４】卓上電気炉内において部分溶融させた試料
を、急冷することなく徐冷熱処理を施したこと以外は比
較例３と同様にしてＢｉ系超電導厚膜を得た。このよう
にして得られたＢｉ系超電導厚膜は、Ｔｃ値が＜77Ｋ、
Ｊｃ値が０（77Ｋ）であった。
を、急冷することなく徐冷熱処理を施したこと以外は比
較例３と同様にしてＢｉ系超電導厚膜を得た。このよう
にして得られたＢｉ系超電導厚膜は、Ｔｃ値が＜77Ｋ、
Ｊｃ値が０（77Ｋ）であった。
【００３７】なお、比較例３における条件で、 100m
m□、膜厚 300μｍのベタ膜の形成を行ったところ、急
冷後の試料の一部に剥離が見られ、厚膜としては使用す
ることができなかった。
m□、膜厚 300μｍのベタ膜の形成を行ったところ、急
冷後の試料の一部に剥離が見られ、厚膜としては使用す
ることができなかった。
【００３８】
【発明の効果】本発明のＢｉ系超電導体および超電導厚
膜の製造方法の開発により、Ｔｃが90Ｋを超え、高密度
かつ均質なＢｉ系超電導体および超電導厚膜を再現性良
く製造することができるようになった。また、本発明法
により製造されたＢｉ系超電導体および超電導厚膜は、
クラックの発生がなく、超電導特性に優れるものであ
る。
膜の製造方法の開発により、Ｔｃが90Ｋを超え、高密度
かつ均質なＢｉ系超電導体および超電導厚膜を再現性良
く製造することができるようになった。また、本発明法
により製造されたＢｉ系超電導体および超電導厚膜は、
クラックの発生がなく、超電導特性に優れるものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 有一 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同和鉱業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−102123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 1/00,29/00 H01B 12/06 H01B 13/00
Claims (3)
- 【請求項１】 安定化ジルコニアまたはイットリア部分
安定化ジルコニアからなる基板上に載置したＢｉ系の低
ＴＣ相からなる超電導成形体を、高酸素雰囲気が作られ
た溶解炉中において９×１０ ２ ℃で溶融させた後アニー
ル処理することを特徴とするＢｉ系超電導体の製造方
法。 - 【請求項２】 ＭｇＯまたはＡｇからなる基板上に塗布
したＢｉ系の超電導ペースト材を、大気雰囲気の溶解炉
中において９×１０ ２ ℃で溶融させた後アニール処理す
ることを特徴とするＢｉ系超電導厚膜の製造方法。 - 【請求項３】 ＭｇＯまたはＡｇからなる基板上の所定
個所に印刷法によって塗布したＢｉ系の超電導ペースト
材を、大気雰囲気の溶解炉中において９×１０ ２ ℃で溶
融させた後アニール処理することを特徴とするＢｉ系超
電導厚膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17608992A JP3354961B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Ｂｉ系超電導体および超電導厚膜の製造方法 |
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