JP3345884B2 - 半導体集積回路及びその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路及びその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装方法に1つで
あるフリップチップボンディングを用いた半導体集積回
路に関し、特にバリアメタル構造を改善した半導体集積
回路に関する。
あるフリップチップボンディングを用いた半導体集積回
路に関し、特にバリアメタル構造を改善した半導体集積
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の実装方法に1つである
フリップチップボンディングとはチップ電極のアルミニ
ウムパッド上にクロム及び銅等の金属薄膜を介してPb
−Sn等のバンプを形成し、このハンダバンプをパッケ
ージ上に設けた金属電極パッドと相対応させて位置合わ
せを行い炉に通すことによりハンダをリフローしてボン
ディングを行う方法である。
フリップチップボンディングとはチップ電極のアルミニ
ウムパッド上にクロム及び銅等の金属薄膜を介してPb
−Sn等のバンプを形成し、このハンダバンプをパッケ
ージ上に設けた金属電極パッドと相対応させて位置合わ
せを行い炉に通すことによりハンダをリフローしてボン
ディングを行う方法である。
【0003】図3はこのような従来の半導体集積回路の
一例を示す部分断面図である。図3において1は基板、
2はビア、3はハンダバンプ、4はバリアメタル、5は
表面不活性化用の絶縁膜、6はアルミニウム配線、7は
半導体チップである。
一例を示す部分断面図である。図3において1は基板、
2はビア、3はハンダバンプ、4はバリアメタル、5は
表面不活性化用の絶縁膜、6はアルミニウム配線、7は
半導体チップである。
【0004】基板1にはビア2が設けられる。一方、半
導体チップ7上にはアルミニウム配線6が形成されさら
にその上に絶縁膜5が形成され、アルミニウム配線6の
一部分の絶縁膜5はエッチング等で除去される。この部
分にはクロム−銅−金の順番でバリアメタル4が形成さ
れ、このバリアメタル4上にハンダバンプ3が形成され
る。
導体チップ7上にはアルミニウム配線6が形成されさら
にその上に絶縁膜5が形成され、アルミニウム配線6の
一部分の絶縁膜5はエッチング等で除去される。この部
分にはクロム−銅−金の順番でバリアメタル4が形成さ
れ、このバリアメタル4上にハンダバンプ3が形成され
る。
【0005】ハンダバンプ3はビア2と相対応させて位
置合わせされた後、炉に通すことによりハンダをリフロ
ーしてボンディングが行われる。
置合わせされた後、炉に通すことによりハンダをリフロ
ーしてボンディングが行われる。
【0006】ここで、バリアメタル4とはアルミニウム
配線6をハンダから守ると共にハンダの濡れ性及び接着
力を確保するためのものである。
配線6をハンダから守ると共にハンダの濡れ性及び接着
力を確保するためのものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
集積回路ではシリコンウェハからデバイスを作り込みプ
ロービング検査までの工程にバリアメタル4の形成工程
を入れると金の汚染が生じてしまう。このため前記工程
とは別な装置で別な工程を設ける必要があった。
集積回路ではシリコンウェハからデバイスを作り込みプ
ロービング検査までの工程にバリアメタル4の形成工程
を入れると金の汚染が生じてしまう。このため前記工程
とは別な装置で別な工程を設ける必要があった。
【0008】また、フリップチップボンディングをMO
S(Metal Oxide Semiconductor)デバイスに適用した場
合にはバイリアメタル4の蒸着時にラディエーションダ
メージが生じる。
S(Metal Oxide Semiconductor)デバイスに適用した場
合にはバイリアメタル4の蒸着時にラディエーションダ
メージが生じる。
【0009】このラディエーションダメージとはMOS
トランジスタのゲート酸化膜中に放射線等によってイオ
ン化トラップが発生し、このために、しきい値電圧の変
動やリーク電流の増大と言った現象が生じるものであ
る。
トランジスタのゲート酸化膜中に放射線等によってイオ
ン化トラップが発生し、このために、しきい値電圧の変
動やリーク電流の増大と言った現象が生じるものであ
る。
【0010】このラディエーションダメージを回復させ
るためにアニール工程を追加することは有効であるが、
この場合、バリアメタル4に用いる金属としてはアニー
ル工程を耐えるものでなければならないと言った問題点
があった。従って本発明が解決しようとする課題は、金
の汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な
半導体集積回路を実現することにある。
るためにアニール工程を追加することは有効であるが、
この場合、バリアメタル4に用いる金属としてはアニー
ル工程を耐えるものでなければならないと言った問題点
があった。従って本発明が解決しようとする課題は、金
の汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な
半導体集積回路を実現することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような課題を達成す
るために、本発明では、フリップチップボンディングを
MOSデバイスに適用した半導体集積回路において、ウ
ェハ上に形成されたアルミニウム配線と、前記ウェハ及
び前記アルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、前記
アルミニウム配線上であって前記絶縁膜が除去された部
分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさら
に形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、ラ
ディエーションダメージ回復後に前記バリアメタル上に
形成され成分がSn−3wt%Agであるハンダバンプ
とを備えたことを特徴とするものである。
るために、本発明では、フリップチップボンディングを
MOSデバイスに適用した半導体集積回路において、ウ
ェハ上に形成されたアルミニウム配線と、前記ウェハ及
び前記アルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、前記
アルミニウム配線上であって前記絶縁膜が除去された部
分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさら
に形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、ラ
ディエーションダメージ回復後に前記バリアメタル上に
形成され成分がSn−3wt%Agであるハンダバンプ
とを備えたことを特徴とするものである。
【0012】また、本発明の製造方法では、フリップチ
ップボンディングをMOSデバイスに適用した半導体集
積回路の製造方法であって、ウェハ上にアルミニウム配
線及び絶縁膜を形成する工程と、アルミニウム配線の一
部分の絶縁膜を除去する工程と、前記絶縁膜が除去され
た前記アルミニウム配線の部分にチタン薄膜及び銀薄膜
を順次形成してバリアメタルを形成する工程と、ラディ
エーションダメージを回復させるアニール工程と、ワイ
ヤボンディング法により成分がSn−3wt%Agであ
るハンダバンプを前記バリアメタル上に形成する工程
と、フラックス塗布処理後リフローしてハンダバンプを
整形する工程により製造することを特徴とするものであ
る。
ップボンディングをMOSデバイスに適用した半導体集
積回路の製造方法であって、ウェハ上にアルミニウム配
線及び絶縁膜を形成する工程と、アルミニウム配線の一
部分の絶縁膜を除去する工程と、前記絶縁膜が除去され
た前記アルミニウム配線の部分にチタン薄膜及び銀薄膜
を順次形成してバリアメタルを形成する工程と、ラディ
エーションダメージを回復させるアニール工程と、ワイ
ヤボンディング法により成分がSn−3wt%Agであ
るハンダバンプを前記バリアメタル上に形成する工程
と、フラックス塗布処理後リフローしてハンダバンプを
整形する工程により製造することを特徴とするものであ
る。
【0013】
【0014】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて詳細に
説明する。図1は本発明に係る半導体集積回路の一実施
例を示す構成ブロック図である。
説明する。図1は本発明に係る半導体集積回路の一実施
例を示す構成ブロック図である。
【0015】図1において8はウェハ、9はアルミニウ
ム配線、10は絶縁膜、11はチタン薄膜、12は銀薄
膜、13はハンダバンプである。また、11及び12は
バリアメタル50を構成している。
ム配線、10は絶縁膜、11はチタン薄膜、12は銀薄
膜、13はハンダバンプである。また、11及び12は
バリアメタル50を構成している。
【0016】ウェハ8上にはアルミニウム配線9及び絶
縁膜10が形成され、アルミニウム配線9の一部分の絶
縁膜10はエッチング等で除去される。また、この部分
にチタン薄膜11及び銀薄膜12の順番でバリアメタル
50が形成され、このバリアメタル50上にハンダバン
プ13が形成される。
縁膜10が形成され、アルミニウム配線9の一部分の絶
縁膜10はエッチング等で除去される。また、この部分
にチタン薄膜11及び銀薄膜12の順番でバリアメタル
50が形成され、このバリアメタル50上にハンダバン
プ13が形成される。
【0017】チタン薄膜11及び銀薄膜12によりバリ
アメタル50を形成することにより、金の汚染が生じな
くなるのでシリコンウェハからデバイスを作り込みプロ
ービング検査までの工程にバリアメタル50の形成工程
を入れることが可能になる。
アメタル50を形成することにより、金の汚染が生じな
くなるのでシリコンウェハからデバイスを作り込みプロ
ービング検査までの工程にバリアメタル50の形成工程
を入れることが可能になる。
【0018】また、図2は本発明に係る半導体集積回路
のアニール工程の有無によるハンダバンプ13のせん断
強度を示す表である。図2(a)はアニール工程有り、
(b)はアニール工程無しを示すものであり、表から分
かるようにアニールの有無に関わりなくせん断強度は変
化しないことが分かる。
のアニール工程の有無によるハンダバンプ13のせん断
強度を示す表である。図2(a)はアニール工程有り、
(b)はアニール工程無しを示すものであり、表から分
かるようにアニールの有無に関わりなくせん断強度は変
化しないことが分かる。
【0019】この結果、チタン薄膜11及び銀薄膜12
によりバリアメタル50を形成することにより、金の汚
染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半導
体集積回路が実現できる。また、バリアメタル50の表
面にくる銀薄膜12は酸化されにくいので取り扱いが容
易になる。
によりバリアメタル50を形成することにより、金の汚
染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半導
体集積回路が実現できる。また、バリアメタル50の表
面にくる銀薄膜12は酸化されにくいので取り扱いが容
易になる。
【0020】また、ここで、図1に示す半導体集積回路
の製造方法を説明する。すなわち、第1の工程では、ウ
ェハ8上にアルミニウム配線9及び絶縁膜10を形成
し、アルミニウム配線9の一部分の絶縁膜10をエッチ
ング等で除去する。
の製造方法を説明する。すなわち、第1の工程では、ウ
ェハ8上にアルミニウム配線9及び絶縁膜10を形成
し、アルミニウム配線9の一部分の絶縁膜10をエッチ
ング等で除去する。
【0021】第2の工程では、前記アルミニウム配線8
の部分に電子ビーム蒸着法によりチタン薄膜11及び銀
薄膜12を”0.2/2μm”の膜厚で順番に形成して
バリアメタル50を形成する。第3の工程では、アニー
ルを行いラディエーションダメージを回復させる。
の部分に電子ビーム蒸着法によりチタン薄膜11及び銀
薄膜12を”0.2/2μm”の膜厚で順番に形成して
バリアメタル50を形成する。第3の工程では、アニー
ルを行いラディエーションダメージを回復させる。
【0022】第4の工程では、ワイヤボンディング法に
より「Sn−3wt%Ag」のハンダバンプ13を前記
バリアメタル50上に形成する。第5の工程ではフラッ
クス塗布処理後リフローしてハンダバンプ13を整形す
る。
より「Sn−3wt%Ag」のハンダバンプ13を前記
バリアメタル50上に形成する。第5の工程ではフラッ
クス塗布処理後リフローしてハンダバンプ13を整形す
る。
【0023】なお、チタン薄膜11及び銀薄膜12の形
成方法としては電子ビーム蒸着法のみならず、真空加熱
蒸着法、スパッタ蒸着法、電解鍍金法等でも良い。
成方法としては電子ビーム蒸着法のみならず、真空加熱
蒸着法、スパッタ蒸着法、電解鍍金法等でも良い。
【0024】また、チタン薄膜11及び銀薄膜12の膜
厚は前述の”0.2/2μm”に限るわけではない。
厚は前述の”0.2/2μm”に限るわけではない。
【0025】また、ハンダバンプ13の材質もPb/S
nであっても良く、形成法も鍍金法、ハンダボール法、
蒸着法、ハンダディップ法等でも構わない。
nであっても良く、形成法も鍍金法、ハンダボール法、
蒸着法、ハンダディップ法等でも構わない。
【0026】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。チタン薄膜及び
銀薄膜によりバリアメタルを形成することにより、金の
汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半
導体集積回路が実現できる。
本発明によれば次のような効果がある。チタン薄膜及び
銀薄膜によりバリアメタルを形成することにより、金の
汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半
導体集積回路が実現できる。
【図1】本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す
構成ブロック図である。
構成ブロック図である。
【図2】本発明に係る半導体集積回路のアニール工程の
有無によるハンダバンプのせん断強度を示す表である。
有無によるハンダバンプのせん断強度を示す表である。
【図3】従来の半導体集積回路の一例を示す部分断面図
である。
である。
1 基板 2 ビア 3,13 ハンダバンプ 4,50 バリアメタル 5,10 絶縁膜 6,9 アルミニウム配線 7 半導体チップ 8 ウェハ 11 チタン薄膜 12 銀薄膜
フロントページの続き (72)発明者 塚田 隆士 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横 河電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−181577(JP,A) 特開 平5−304155(JP,A) 特開 平7−142490(JP,A) 特開 平1−194439(JP,A) 特開 平5−136216(JP,A) 特開 平7−183305(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 H01L 21/88 H01L 29/78
Claims (2)
- 【請求項1】フリップチップボンディングをMOSデバ
イスに適用した半導体集積回路において、 ウェハ上に形成されたアルミニウム配線と、 前記ウェハ及び前記アルミニウム配線上に形成された絶
縁膜と、 前記アルミニウム配線上であって前記絶縁膜が除去され
た部分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上に
さらに形成された銀薄膜から構成されるバリアメタル
と、 ラディエーションダメージ回復後に前記バリアメタル上
に形成され成分がSn−3wt%Agであるハンダバン
プとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】フリップチップボンディングをMOSデバ
イスに適用した半導体集積回路の製造方法であって、 ウェハ上にアルミニウム配線及び絶縁膜を形成する工程
と、 アルミニウム配線の一部分の絶縁膜を除去する工程と、 前記絶縁膜が除去された前記アルミニウム配線の部分に
チタン薄膜及び銀薄膜を順次形成してバリアメタルを形
成する工程と、 ラディエーションダメージを回復させるアニール工程
と、ワイヤボンディング法により成分がSn−3wt%
Agであるハンダバンプを前記バリアメタル上に形成す
る工程と、 フラックス塗布処理後リフローしてハンダバンプを整形
する工程から成ることを特徴とする半導体集積回路の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000019925A JP3345884B2 (ja) | 1996-08-08 | 2000-01-28 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000019925A JP3345884B2 (ja) | 1996-08-08 | 2000-01-28 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08209512A Division JP3099744B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000200801A JP2000200801A (ja) | 2000-07-18 |
JP3345884B2 true JP3345884B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=18546557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000019925A Expired - Fee Related JP3345884B2 (ja) | 1996-08-08 | 2000-01-28 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3345884B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1432293A4 (en) | 2001-09-28 | 2005-12-07 | Ibiden Co Ltd | PCB AND MANUFACTURING PROCESS FOR THE PCB |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59181577A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2695175B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1997-12-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JPH05136216A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | 半導体取付装置 |
JPH05304155A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップと半導体チップ実装体 |
JPH07142490A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH07183305A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sharp Corp | バンプ電極形成方法 |
-
2000
- 2000-01-28 JP JP2000019925A patent/JP3345884B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000200801A (ja) | 2000-07-18 |
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KR20020060307A (ko) | 솔더 범프의 형성 방법 |
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