JP3345172B2 - マグネトロン駆動用電源 - Google Patents
マグネトロン駆動用電源Info
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- JP3345172B2 JP3345172B2 JP11534794A JP11534794A JP3345172B2 JP 3345172 B2 JP3345172 B2 JP 3345172B2 JP 11534794 A JP11534794 A JP 11534794A JP 11534794 A JP11534794 A JP 11534794A JP 3345172 B2 JP3345172 B2 JP 3345172B2
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- Japan
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- voltage
- circuit
- resonance
- magnetron
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B40/00—Technologies aiming at improving the efficiency of home appliances, e.g. induction cooking or efficient technologies for refrigerators, freezers or dish washers
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子レンジなどの高周波
加熱装置、あるいは、医療機器、乾燥器、ガス励起装置
などマグネトロンから得られるマイクロ波を利用する機
器に用いるマグネトロン駆動用の電源に関するものであ
る。
加熱装置、あるいは、医療機器、乾燥器、ガス励起装置
などマグネトロンから得られるマイクロ波を利用する機
器に用いるマグネトロン駆動用の電源に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のマグネトロン駆動用電源を図面を
用いて説明する。図４は従来のマグネトロン駆動用電源
を示す回路図である。マグネトロン駆動用電源は昇圧ト
ランス５と高圧整流回路１１とマグネトロンによって構
成され、昇圧トランス５は商用電源１から得られる５０
Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧し、その昇圧さ
れた交流高電圧を高圧整流回路１１が直流高電圧に整流
してマグネトロン１２を付勢しマイクロ波を発生する。
用いて説明する。図４は従来のマグネトロン駆動用電源
を示す回路図である。マグネトロン駆動用電源は昇圧ト
ランス５と高圧整流回路１１とマグネトロンによって構
成され、昇圧トランス５は商用電源１から得られる５０
Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧し、その昇圧さ
れた交流高電圧を高圧整流回路１１が直流高電圧に整流
してマグネトロン１２を付勢しマイクロ波を発生する。
【０００３】しかしながらこのような構成では昇圧トラ
ンス５は５０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧す
るため、非常に大型化し重量も非常に重いものであっ
た。そこで、この昇圧トランス５を小型化するために、
５０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を一旦２０ｋＨｚ
以上の高周波交流電圧に変換し、この高周波交流電圧を
昇圧する構成とすることにより、昇圧トランス５の小型
化を図る回路構成としたものが国内のインバータ電子レ
ンジに採用されている。
ンス５は５０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を昇圧す
るため、非常に大型化し重量も非常に重いものであっ
た。そこで、この昇圧トランス５を小型化するために、
５０Ｈｚあるいは６０Ｈｚの交流電圧を一旦２０ｋＨｚ
以上の高周波交流電圧に変換し、この高周波交流電圧を
昇圧する構成とすることにより、昇圧トランス５の小型
化を図る回路構成としたものが国内のインバータ電子レ
ンジに採用されている。
【０００４】図５はこのインバータ電子レンジに採用さ
れているマグネトロン駆動用電源の回路図を示してい
る。商用電源１の交流電圧は、整流回路２によって単方
向電圧に整流され、半導体スイッチ素子８を有するイン
バータ回路１４に供給される。また、この半導体スイッ
チ素子８はバイポーラジャンクショントランジスタ（Ｂ
ＪＴ）やＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
や絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）など
の自己転流機能を有するトランジスタと、これと逆並列
に接続されたダイオードによって構成されている。整流
回路の単方向電圧はこのインバータ回路１４によって２
０ｋＨｚ以上の交流電圧に変換される。インバータ回路
１４を構成する昇圧トランス５はその１次巻線に発生し
た高周波交流電圧を昇圧して高電圧の高周波交流電圧を
出力する。この高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路
１１によって整流され直流高電圧に変換される。マグネ
トロン１２はこの直流高電圧により付勢されマイクロ波
を放出する。インバータ回路１４に設けられた共振回路
は半導体スイッチ素子８のスイッチング損失を低減する
作用を有する。この作用について図６を用いて説明す
る。
れているマグネトロン駆動用電源の回路図を示してい
る。商用電源１の交流電圧は、整流回路２によって単方
向電圧に整流され、半導体スイッチ素子８を有するイン
バータ回路１４に供給される。また、この半導体スイッ
チ素子８はバイポーラジャンクショントランジスタ（Ｂ
ＪＴ）やＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
や絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）など
の自己転流機能を有するトランジスタと、これと逆並列
に接続されたダイオードによって構成されている。整流
回路の単方向電圧はこのインバータ回路１４によって２
０ｋＨｚ以上の交流電圧に変換される。インバータ回路
１４を構成する昇圧トランス５はその１次巻線に発生し
た高周波交流電圧を昇圧して高電圧の高周波交流電圧を
出力する。この高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路
１１によって整流され直流高電圧に変換される。マグネ
トロン１２はこの直流高電圧により付勢されマイクロ波
を放出する。インバータ回路１４に設けられた共振回路
は半導体スイッチ素子８のスイッチング損失を低減する
作用を有する。この作用について図６を用いて説明す
る。
【０００５】図６は半導体スイッチ素子８に印加される
電圧Ｖと、その電流Ｉを示したものである。半導体スイ
ッチ素子８に印加される電圧は、共振コンデンサ４と昇
圧トランスの１次巻線によって構成される共振回路によ
って正弦波状に変化する。このため、その傾きｄＶ／ｄ
ｔは緩やかになる。半導体スイッチ素子８がターンオフ
する際に発生するスイッチング損失は、電圧Ｖと電流Ｉ
が交差する部分で生じる。このため半導体スイッチ素子
８に印加される電圧の変化が緩やかであるほどスイッチ
ング損失は軽減される。
電圧Ｖと、その電流Ｉを示したものである。半導体スイ
ッチ素子８に印加される電圧は、共振コンデンサ４と昇
圧トランスの１次巻線によって構成される共振回路によ
って正弦波状に変化する。このため、その傾きｄＶ／ｄ
ｔは緩やかになる。半導体スイッチ素子８がターンオフ
する際に発生するスイッチング損失は、電圧Ｖと電流Ｉ
が交差する部分で生じる。このため半導体スイッチ素子
８に印加される電圧の変化が緩やかであるほどスイッチ
ング損失は軽減される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成においては以下に挙げるような課題があった。
成においては以下に挙げるような課題があった。
【０００７】すなわち、従来のマグネトロン駆動用電源
と同じ回路構成のものを２００Ｖ系の商用電源を電力供
給源として使用することを考えると、共振コンデンサ４
は電流値が大きいため、また、インバータ回路１４の動
作周波数を数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度にした場合、そ
の容量が数百ｎＦ〜数十ｎＦとなりセラミックコンデン
サなどのようにコロナ放電が起こりにくいコンデンサを
用いることは電源のサイズが大型化するため実用的でな
い。このため、電流を多く流せ、かつ必要とする容量を
得るために共振コンデンサ４にはフィルムコンデンサが
用いられる。しかし、インバータ回路１４を構成する共
振回路の共振現象のため共振コンデンサ４の印加電圧が
１０００Ｖを越えてしまい共振コンデンサ４の内部にお
いて電極間でコロナ放電が発生してしまう。このため、
誘電体膜を厚くしたり、沿面距離を長くするなどのよう
にしてコロナ放電を防ぐ必要がある。しかしながらこの
ように誘電体膜を厚くすると、コンデンサの容量は
（１）式で決定されるので、誘電体膜を厚くすると電極
の対向面積を大きくする必要がある。また、沿面距離を
長くすると、少なくともその半分は長さが長くなる。そ
の結果、共振コンデンサ４が非常に大型化し、マグネト
ロン駆動用電源を家電品である電子レンジのように限ら
れた電源室しか与えられないようなものに搭載すること
が困難になる。
と同じ回路構成のものを２００Ｖ系の商用電源を電力供
給源として使用することを考えると、共振コンデンサ４
は電流値が大きいため、また、インバータ回路１４の動
作周波数を数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度にした場合、そ
の容量が数百ｎＦ〜数十ｎＦとなりセラミックコンデン
サなどのようにコロナ放電が起こりにくいコンデンサを
用いることは電源のサイズが大型化するため実用的でな
い。このため、電流を多く流せ、かつ必要とする容量を
得るために共振コンデンサ４にはフィルムコンデンサが
用いられる。しかし、インバータ回路１４を構成する共
振回路の共振現象のため共振コンデンサ４の印加電圧が
１０００Ｖを越えてしまい共振コンデンサ４の内部にお
いて電極間でコロナ放電が発生してしまう。このため、
誘電体膜を厚くしたり、沿面距離を長くするなどのよう
にしてコロナ放電を防ぐ必要がある。しかしながらこの
ように誘電体膜を厚くすると、コンデンサの容量は
（１）式で決定されるので、誘電体膜を厚くすると電極
の対向面積を大きくする必要がある。また、沿面距離を
長くすると、少なくともその半分は長さが長くなる。そ
の結果、共振コンデンサ４が非常に大型化し、マグネト
ロン駆動用電源を家電品である電子レンジのように限ら
れた電源室しか与えられないようなものに搭載すること
が困難になる。
【０００８】本発明はこのような従来のマグネトロン駆
動用電源の問題点を解決するものであり、共振コンデン
サの印加電圧を低減し、信頼性の高いマグネトロン駆動
用電源を提供することを目的とするものである。
動用電源の問題点を解決するものであり、共振コンデン
サの印加電圧を低減し、信頼性の高いマグネトロン駆動
用電源を提供することを目的とするものである。
【０００９】 Ｃ＝εｏ×εｒ×Ｓ／ｄ （１） Ｃ：コンデンサの容量 Ｓ：電極の対向面積 ｄ：電極間の距離 εｏ：真空の誘電率 εｒ：電極間の誘電体の比誘電率
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は上記課題
を解決するために以下のような構成とした。
を解決するために以下のような構成とした。
【００１１】１００Ｖまたは２００Ｖの商用電源を整流
して得られる単方向電源と、前記単方向電源の電源電圧
を高周波交流電圧に変換するインバータ回路と、前記イ
ンバータ回路の出力を高圧直流電力に整流する高圧整流
回路とを備えたマグネトロン駆動用電源において、前記
インバータ回路は昇圧トランスの１次巻線と共振コンデ
ンサによって構成される共振回路と、２０ｋＨｚから１
００ｋＨｚで動作しIGBTによって構成され前記共振回路
を励起する複数の半導体スイッチ素子を有し、前記共振
回路を構成する昇圧トランスの１次巻線のインダクタン
スと共振コンデンサの容量によって求まる共振回路の特
性インピーダンスＺｏを８オーム以下となるようにし
た。
して得られる単方向電源と、前記単方向電源の電源電圧
を高周波交流電圧に変換するインバータ回路と、前記イ
ンバータ回路の出力を高圧直流電力に整流する高圧整流
回路とを備えたマグネトロン駆動用電源において、前記
インバータ回路は昇圧トランスの１次巻線と共振コンデ
ンサによって構成される共振回路と、２０ｋＨｚから１
００ｋＨｚで動作しIGBTによって構成され前記共振回路
を励起する複数の半導体スイッチ素子を有し、前記共振
回路を構成する昇圧トランスの１次巻線のインダクタン
スと共振コンデンサの容量によって求まる共振回路の特
性インピーダンスＺｏを８オーム以下となるようにし
た。
【００１２】半導体スイッチ素子をオンオフ制御する制
御部を設けるとともに、共振コンデンサの印加電圧を検
出する検知手段を設け、前記検知手段の検知信号に基づ
き前記制御部によりインバータ回路から出力される電力
を減少する構成とした。
御部を設けるとともに、共振コンデンサの印加電圧を検
出する検知手段を設け、前記検知手段の検知信号に基づ
き前記制御部によりインバータ回路から出力される電力
を減少する構成とした。
【００１３】
【作用】本発明は上記構成により以下の作用を有するも
のである。
のである。
【００１４】すなわち共振回路を構成する昇圧トランス
の１次巻線のインダクタンスと共振コンデンサの容量に
よって求まる共振回路の特性インピーダンスＺｏを８オ
ーム以下となるようにすることによって共振コンデンサ
の印加電圧を低減できるという作用を有する。
の１次巻線のインダクタンスと共振コンデンサの容量に
よって求まる共振回路の特性インピーダンスＺｏを８オ
ーム以下となるようにすることによって共振コンデンサ
の印加電圧を低減できるという作用を有する。
【００１５】また、共振コンデンサの印加電圧を検出す
る検知部を設け、共振コンデンサの印加電圧が基準値を
越えるとインバータ回路の出力電力を減少する構成とす
ることにより共振コンデンサの印加電圧を基準値以下に
できる。
る検知部を設け、共振コンデンサの印加電圧が基準値を
越えるとインバータ回路の出力電力を減少する構成とす
ることにより共振コンデンサの印加電圧を基準値以下に
できる。
【００１６】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１７】図１は本発明の１実施例のマグネトロン駆
動用電源を示す回路図である。図１において１は商用電
源などの交流電源である。整流回路２は交流電源１から
与えられた電圧を単方向電圧に整流しインバータ回路１
４に供給する。なお、このようにインバータ回路１４に
加えられる単方向電源は交流電源１と、これを整流する
整流回路２によって構成してもよいし、バッテリーなど
の直流電圧源を用いてもよい。インバータ回路１４は整
流回路２の出力にたいして並列に接続された共振コンデ
ンサ３、４の直列接続体と、半導体スイッチ素子８、９
の直列接続体と、半導体スイッチ素子８、９にそれぞれ
並列に接続されたスナバコンデンサ６、７と共振コンデ
ンサ３、４の接続点と半導体スイッチ素子８、９の接続
点に１次巻線を接続する昇圧トランス５によって構成さ
れ、半導体スイッチ素子８、９を交互にオンオフするこ
とによって共振コンデンサ３、４と昇圧トランス５の１
次巻線からなる共振回路を励起し高周波交流電力を発生
する。また、半導体スイッチ素子８および９は、バイポ
ーラントランジスタ（以下ＢＪＴと略記）や絶縁ゲート
バイポーラトランジスタ（以下ＩＧＢＴと略記）等のト
ランジスタと、このトランジスタに逆並列に接続された
ダイオードによって構成されている。インバータ回路１
４によって発生した高周波交流電力は昇圧トランス５の
１次巻線と磁気結合された昇圧トランス５の２次巻線と
ヒータ巻線に伝送される。昇圧トランス５の２次巻線に
発生する高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路１１に
よって整流され直流高電圧に変換される。マグネトロン
１２は高圧整流回路１１の出力 する高圧直流電圧と昇圧
トランス５のヒータ巻線から供給される電力を受けてマ
イクロ波を放出する。
動用電源を示す回路図である。図１において１は商用電
源などの交流電源である。整流回路２は交流電源１から
与えられた電圧を単方向電圧に整流しインバータ回路１
４に供給する。なお、このようにインバータ回路１４に
加えられる単方向電源は交流電源１と、これを整流する
整流回路２によって構成してもよいし、バッテリーなど
の直流電圧源を用いてもよい。インバータ回路１４は整
流回路２の出力にたいして並列に接続された共振コンデ
ンサ３、４の直列接続体と、半導体スイッチ素子８、９
の直列接続体と、半導体スイッチ素子８、９にそれぞれ
並列に接続されたスナバコンデンサ６、７と共振コンデ
ンサ３、４の接続点と半導体スイッチ素子８、９の接続
点に１次巻線を接続する昇圧トランス５によって構成さ
れ、半導体スイッチ素子８、９を交互にオンオフするこ
とによって共振コンデンサ３、４と昇圧トランス５の１
次巻線からなる共振回路を励起し高周波交流電力を発生
する。また、半導体スイッチ素子８および９は、バイポ
ーラントランジスタ（以下ＢＪＴと略記）や絶縁ゲート
バイポーラトランジスタ（以下ＩＧＢＴと略記）等のト
ランジスタと、このトランジスタに逆並列に接続された
ダイオードによって構成されている。インバータ回路１
４によって発生した高周波交流電力は昇圧トランス５の
１次巻線と磁気結合された昇圧トランス５の２次巻線と
ヒータ巻線に伝送される。昇圧トランス５の２次巻線に
発生する高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路１１に
よって整流され直流高電圧に変換される。マグネトロン
１２は高圧整流回路１１の出力 する高圧直流電圧と昇圧
トランス５のヒータ巻線から供給される電力を受けてマ
イクロ波を放出する。
【００１８】このマグネトロン駆動用電源において共振
回路を構成する共振コンデンサ３、４の容量と昇圧トラ
ンス５の１次巻線のインダクタンスによって特徴づけら
れるものとして共振回路の特性インピーダンスＺｏを
（２）式によって定義する。
回路を構成する共振コンデンサ３、４の容量と昇圧トラ
ンス５の１次巻線のインダクタンスによって特徴づけら
れるものとして共振回路の特性インピーダンスＺｏを
（２）式によって定義する。
【００１９】 Ｚｏ＝√（Ｌｒ／Ｃｒ） （２） （２）式において Ｌｒ＝（１−Ｋ2）×Ｌ１ Ｃｒ＝Ｃ３＋Ｃ４ Ｌ１：昇圧トランス５の１次巻線のインダクタンス ｋ：昇圧トランス５の１次巻線と２次巻線間の結合係数 Ｃ３：共振コンデンサ３の容量 Ｃ４：共振コンデンサ４の容量 ここで定義した特性インピーダンスＺｏと共振コンデン
サ４の印加電圧との関係を図２に示す。
サ４の印加電圧との関係を図２に示す。
【００２０】図２から明らかなように特性インピーダン
スＺｏの増加に伴って共振コンデンサ４の印加電圧も増
加している。電子レンジなどのように限られた電源室内
にマグネトロン駆動用電源を配置する場合コンデンサの
大きさは可能な限り小さくすることが望まれる。また、
実際にこれに用いられる共振コンデンサの誘電体膜の厚
さは５〜８μｍ程度である。このような厚さの誘電体膜
において電極とのコンタクト部分に著しい損傷を与える
コロナ放電（有害コロナ放電）はコンデンサの印加電圧
が１０００ｖを越えるとその頻度が高くなる。本実施例
のマグネトロン駆動用電源によれば（２）式によって定
義した特性インピーダンスＺｏを８以下になるように共
振回路の設計をしているため共振回路の印加電圧が１０
００Ｖを越えることがなく、共振コンデンサ内部でコロ
ナ放電が起きることはない。
スＺｏの増加に伴って共振コンデンサ４の印加電圧も増
加している。電子レンジなどのように限られた電源室内
にマグネトロン駆動用電源を配置する場合コンデンサの
大きさは可能な限り小さくすることが望まれる。また、
実際にこれに用いられる共振コンデンサの誘電体膜の厚
さは５〜８μｍ程度である。このような厚さの誘電体膜
において電極とのコンタクト部分に著しい損傷を与える
コロナ放電（有害コロナ放電）はコンデンサの印加電圧
が１０００ｖを越えるとその頻度が高くなる。本実施例
のマグネトロン駆動用電源によれば（２）式によって定
義した特性インピーダンスＺｏを８以下になるように共
振回路の設計をしているため共振回路の印加電圧が１０
００Ｖを越えることがなく、共振コンデンサ内部でコロ
ナ放電が起きることはない。
【００２１】つぎに本発明の他の実施例について説明す
る。図３は本発明の他の実施例を示した回路図であり、
図１と同符号のものは同一の構成要素であり説明を省略
する。図３において１３は共振コンデンサ４に印加する
電圧を検出する検知部であり、共振コンデンサ４に印加
される電圧が基準値を越えるとインバータ回路が出力す
る電力が減少するように半導体スイッチ素子８、９を制
御するよう制御部１０に信号を送信する。これによって
インバータ回路１４の出力電力が減少し、共振コンデン
サ４に印加する電圧が減少するため共振コンデンサ内部
でコロナ放電が連続して起きることがなく安全なマグネ
トロン駆動用電源を構成することが出来るという効果を
有する。
る。図３は本発明の他の実施例を示した回路図であり、
図１と同符号のものは同一の構成要素であり説明を省略
する。図３において１３は共振コンデンサ４に印加する
電圧を検出する検知部であり、共振コンデンサ４に印加
される電圧が基準値を越えるとインバータ回路が出力す
る電力が減少するように半導体スイッチ素子８、９を制
御するよう制御部１０に信号を送信する。これによって
インバータ回路１４の出力電力が減少し、共振コンデン
サ４に印加する電圧が減少するため共振コンデンサ内部
でコロナ放電が連続して起きることがなく安全なマグネ
トロン駆動用電源を構成することが出来るという効果を
有する。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明のマグネトロン駆動
用電源によれば以下の効果を有する。
用電源によれば以下の効果を有する。
【００２３】すなわち、共振回路を構成する昇圧トラン
スの１次巻線のインダクタンスと共振コンデンサの容量
によって求まる共振回路の特性インピーダンスＺｏを８
オーム以下となるようにすることにより共振コンデンサ
の印加電圧が１０００Ｖ以上にならないため共振コンデ
ンサ内部でコロナ放電が起きることがなく安全なマグネ
トロン駆動用電源を提供できる。
スの１次巻線のインダクタンスと共振コンデンサの容量
によって求まる共振回路の特性インピーダンスＺｏを８
オーム以下となるようにすることにより共振コンデンサ
の印加電圧が１０００Ｖ以上にならないため共振コンデ
ンサ内部でコロナ放電が起きることがなく安全なマグネ
トロン駆動用電源を提供できる。
【００２４】また、半導体スイッチ素子をオンオフ制御
する制御部を設けるとともに共振コンデンサの印加電圧
を検出する検知手段を設け、前記検知手段の検知信号に
基づき前記制御部によりインバータ回路から出力される
電力を減少する構成とすることにより共振コンデンサの
印加電圧が基準値を越えるとインバータ回路の出力電力
を減少することにより共振コンデンサ内部でのコロナ放
電現象が連続して起きることがなく安全なマグネトロン
駆動用電源を提供できる。
する制御部を設けるとともに共振コンデンサの印加電圧
を検出する検知手段を設け、前記検知手段の検知信号に
基づき前記制御部によりインバータ回路から出力される
電力を減少する構成とすることにより共振コンデンサの
印加電圧が基準値を越えるとインバータ回路の出力電力
を減少することにより共振コンデンサ内部でのコロナ放
電現象が連続して起きることがなく安全なマグネトロン
駆動用電源を提供できる。
【図１】本発明の１実施例のマグネトロン駆動用電源の
回路図
回路図
【図２】同マグネトロン駆動用電源における特性インピ
ーダンスＺｏと共振コンデンサ４の印加電圧の関係を示
す図
ーダンスＺｏと共振コンデンサ４の印加電圧の関係を示
す図
【図３】本発明の他の実施例のマグネトロン駆動用電源
を示す回路図
を示す回路図
【図４】従来のマグネトロン駆動用電源を示す回路図
【図５】他の従来のマグネトロン駆動用電源を示す回路
図
図
【図６】同マグネトロン駆動用電源における半導体スイ
ッチ素子８の電圧電流特性を示す図
ッチ素子８の電圧電流特性を示す図
２ 整流回路 ３、４ 共振コンデンサ ５ 昇圧トランス ８、９ 半導体スイッチ素子 １０ 制御部 １１ 高圧整流回路 １２ マグネトロン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前原 直芳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−359891（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 １００Ｖまたは２００Ｖの商用電源を整
流して得られる単方向電源と、前記単方向電源の電源電
圧を高周波交流電圧に変換するインバータ回路と、前記
インバータ回路の出力を高圧直流電力に整流する高圧整
流回路とを備えたマグネトロン駆動用電源において、前
記インバータ回路は昇圧トランスの１次巻線とフィルム
コンデンサからなる共振コンデンサによって構成される
共振回路と、２０ｋＨｚから１００ｋＨｚで動作しIGBT
によって構成され前記共振回路を励起する複数の半導体
スイッチ素子を有し、前記共振回路を構成する昇圧トラ
ンスの１次巻線のインダクタンスと共振コンデンサの容
量によって求まる共振回路の特性インピーダンスＺｏを
８オーム以下とし、共振コンデンサの印加電圧を１００
０Ｖ以下となるようにしたマグネトロン駆動用電源。 - 【請求項２】 半導体スイッチ素子をオンオフ制御する
制御部を設けるとともに共振コンデンサの印加電圧を検
出する検知手段を設け、前記共振コンデンサの印加電圧
が基準電圧を超過すると、前記検知手段は前記制御部に
検知信号をあたえ、この検知信号によりインバータ回路
から出力される電力を減少する構成とした請求項１記載
のマグネトロン駆動用電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11534794A JP3345172B2 (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | マグネトロン駆動用電源 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP11534794A JP3345172B2 (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | マグネトロン駆動用電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320855A JPH07320855A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3345172B2 true JP3345172B2 (ja) | 2002-11-18 |
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ID=14660282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11534794A Expired - Fee Related JP3345172B2 (ja) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | マグネトロン駆動用電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3345172B2 (ja) |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP11534794A patent/JP3345172B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07320855A (ja) | 1995-12-08 |
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