JP3337862B2 - 位置計測方法及びそれを用いた位置計測装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は位置計測方法及びそれを
用いた位置計測装置に関し、特に半導体ウェハの基板上
に塗布された感光層を露光する露光装置、特にウェハ上
に形成されたパターンの位置を高精度で検出し、該パタ
ーンに対してレチクルのパターンの像を高精度で位置合
わせして露光する機能を備えた露光装置及び一般の位置
計測を行う際に好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ステッパー等の半導体素子製
造用の露光装置においてはレチクル上に形成されたパタ
ーンとウェハ上に形成されたパターンとを位置合わせす
る場合、最初にウェハステージ上に搭載されたウェハ上
に形成されている位置合わせマーク（ウェハマーク）を
該露光装置内の顕微鏡下に導いて計測を行う。計測では
該顕微鏡の基準に対するウェハマークの位置ずれ量を検
出するが、同時にそのときのウェハステージポジション
を参照してウェハの位置が決定され、その後でレチクル
の像に対して位置合わせする方法が一般に行われる。

【０００３】顕微鏡でウェハマークの位置ずれ量を計測
する際には、通常前記ウェハマークの像を対物レンズ，
リレーレンズ，エレクターレンズにより撮像素子上に拡
大投影する。撮像素子としては撮像管、又は固体撮像素
子が使用されるが、座標の精度、安定性、画面内計測の
同時性が計測精度上有利なこと、及び、信頼性が高いこ
とで、現在はＣＣＤと呼ばれる固体撮像素子が使用され
ることが多い。

【０００４】ＣＣＤ上に拡大投影されたウェハ像はＣＣ
Ｄの各画素ごとに受光した明るさに比例した電気信号に
変換され、該信号を処理してウェハマークの位置ずれ量
が計測される。計測系の物理的な分解能はＣＣＤの画素
ピッチと顕微鏡の結像倍率で決定される。ＣＣＤの標準
的な画素数は５００×５００程度、計測に必要な画面サ
イズは１００〜２００μｍ角程度なので、物理的な分解
能は０．２〜０．４μｍ程度に過ぎない。その為実際に
はウェハマークのＣＣＤ画素ピッチごとに得られる離散
的なデータを複数個選択して内挿を行い、分解能を向上
させる手法が取られる。

【０００５】向上策には従来から提案されてきた様々な
画像処理手法、例えば Ａ．選択されたデータから信号波形を類推し、そのピー
ク位置を計算する。 Ｂ．信号の波形形状から面積計算を行い、重心位置を計
算する。 Ｃ．波形の左右のスロープの対称性が最も高くなる中心
位置を計算する。 等があり、これらを適用して物理的な分解能の 1/5〜1/
10程度の計測分解能を達成することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら計測系の
分解能には咋今ますます高い値が要求されるようになっ
ている。従来の内挿法は比較的粗いサンプリング・ピッ
チで選択した複数個の点から計算を行う為、計測系で実
際のウェハ信号を検出すると相対的に計測点数が不十分
となってきており、ＣＣＤ画素との位置関係により計測
値が精度上、問題となるオーダで変動してしまう。

【０００７】これは後で詳述する計測分解能不足による
リニアリティエラーという現象で、計測対象物体である
ウェハマークの光学的な信号波形に対してＣＣＤの画素
ピッチが十分小さく、要求分解能に対して十分な計測点
が取れる場合は無視できる。この場合にはＣＣＤの画素
位置が光学的な信号波形に対してどの位置にあったとし
ても、同じ計測値が得られる。しかしその為には顕微鏡
の結像倍率を高くする、あるいは高分解能のＣＣＤを使
用する必要があり、光量やコスト等の問題から実際的で
はない。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】本発明は計測ピッチが粗い
ことで生じるリニアリティエラーを低減させる為、計測
対象であるウェハマークをＣＣＤ等の撮像素子の１画素
内での相対関係が異なる複数個の位置で計測を行い、該
複数個の計測値を平均化する等の計算処理をして最終計
測値とすることを特徴としている。

【０００９】実際には計算処理を行う計測点の数をＭ、
計測対象面上でのＣＣＤの画素分解能をＰとしたとき、
計測はＣＣＤの１画素内で等価的にＰ／Ｍずつ、ずれた
たＭ個の点で行い、各計測値を平均化する等の処理を行
う。ここで等価的としたのは画素分解能であるＣＣＤの
ピッチＰでモジュラスを取って考えることを意味し、例
えばステージを駆動する場合の駆動量もモジュラスを取
って換算する。特にＭを２の倍数とすれば少ない回数で
精度良くリニアリティエラーを低減することが可能であ
る。

【００１０】又、複数の本数からなるウェハマークを使
用して計測する場合、該ウェハマークのピッチをＷ_ｐ、
マークの本数をｍ（ｍは２以上の整数）とすると、 Ｗ_ｐ≒Ｐ×Ｎ±Ｐ／ｍ （但し、Ｎは整数） としたウェハマークを計測すると、複数本の各マークの
ＣＣＤの画素との対応が隣のマークに行くとＰ／ｍずつ
ずれる為、上述のずれの効果を得ることができ、精度良
くリニアリティエラーを低減することができる。このと
きもｍは２の倍数とすると効率が良い。

【００１１】

【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。本実施例では位置合わせ機能を持った半導体素子製
造用の露光装置に適用した場合を示している。

【００１２】図中１は露光光源の水銀ランプ、２はレチ
クルを照明する照明系、３はレチクル、４は投影レンズ
で、５のウェハが８のウェハチャックに吸着固定され
る。ウェハ上には前の工程でパターニングされた図６に
示す位置合わせ用マーク（以下ウェハマークと称する）
が予め形成されている。

【００１３】再び図１で、６はウェハステージで不図示
のレーザ干渉計及び演算制御装置により位置が検出制御
される。７はオフアクシス顕微鏡で、ウェハ５上のウェ
ハマークの位置を顕微鏡基準と比較して計測し、位置ず
れ量を計測する。

【００１４】感光剤が塗布されたウェハ５は不図示のウ
ェハ搬送系によりウェハチャック８上に搬入される。ウ
ェハチャック８に吸着固定されたウェハ５は、ウェハス
テージ６によりウェハマークがオフアクシス顕微鏡７の
観察視野内に入るよう送り込まれる。ウェハ上には予め
複数個のウェハマークが形成されており、ウェハステー
ジ６を駆動して該複数個のマークを顕微鏡７で計測す
る。各計測時点でのウェハステージ６の座標とウェハマ
ークの顕微鏡基準からの位置ずれ量から、ウェハチャッ
ク８上のウェハ５の装置に対する位置が決定される。そ
の後、ウエハステージ６が所定量駆動され、レチクル３
の投影像とウェハ上のパターンとが位置合わせされる。

【００１５】オフアクシス顕微鏡７は対物レンズ７１，
リレーレンズ７２，エレクターレンズ７３，ＣＣＤ７
４，落射照明系７５で構成される。照明系７５により照
明されたウェハマークは対物レンズ７１，リレーレンズ
７２，エレクターレンズ７３を通ってＣＣＤ７４上に結
像する。

【００１６】図５は結像されたウェハマークの光学像と
ＣＣＤの関係を模式的に示したものである。

【００１７】図２はその拡大図で、ウェハマークの光学
的信号波形と画素ごとに離散的な計測を行うＣＣＤの計
測ポイントとの関係を示す。実線で示される光学的な信
号波形のピークに対し、ＣＣＤの画素が図２（Ａ）のよ
うに対称に配置されている場合は、ＣＣＤ計測値から推
定される信号波形と光学的な波形は近似形となり計算誤
差は発生しない。ところが光学的な信号のピークに対し
てＣＣＤの画素が図２（Ｂ）に示すように対称に配置さ
れない場合、ＣＣＤの計測から推定される破線で示され
た信号波形は実線の光学波形に対して異なる形状とな
り、計測誤差が発生する。ＣＣＤと光学的な信号波形の
相対的な位置関係は予めきちんと決めることができない
為、実際の計測が図２（Ａ）の状態で行われてるか、図
２（Ｂ）の状態で行われているかという判断を装置側で
行うことはできない。

【００１８】図３は以上のようなＣＣＤのサンプリング
による影響を示したもので、ウェハマークを移動したと
きのマーク移動量とウェハマーク計測値の関係図であ
る。誤差がなければ計測値は直線上にのるが、画素の位
置と光学信号波形の対称性の関係から計測誤差が発生
し、画素ピッチ周期で計測値が変動する。これがリニア
リティエラーである。

【００１９】図４（Ａ）は図３からリニア成分を除き１
画素分ウェハ位置を動かしたときに生じるリニアリティ
エラーを表示したものである。

【００２０】本実施例ではこのようなリニアリティエラ
ーを減少させる為、複数回ウェハーを計測光学系である
オフアクシス顕微鏡系の光軸に直交する方向に所定量駆
動した後に計測し、各計測時の計測値と干渉計によって
モニタされているウェハの位置からウェハマークの位置
を精度よく計測することを特徴としている。

【００２１】例えば本実施例で２回の計測を行う場合、
１回目はステージ上の任意の位置でウェハマーク計測を
行い、２回目はウェハ上で画素ピッチＰの 1/2に相当す
る量だけウェハをステップ駆動してウェハマーク計測を
行う。１回目と２回目の平均値をウェハの駆動量を換算
した上で計算するとマークの位置が求められる。

【００２２】ここで１回目の計測の位置をＡ１，Ｂ１，
Ｃ１，Ｄ１とすると、これらに対応してＰ/2だけ駆動し
た位置での計測値は、それぞれＡ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２
となる。周期性より添字の１と２の順序は入れ換えても
問題ない。

【００２３】図４（Ｂ）はこのような２回平均を行った
場合のステージ座標位置とウェハマーク計測の平均値の
リニアリティエラーとの関係を示したものである。図４
（Ａ）のリニアリティエラー曲線の形に対応して、図４
（Ｂ）ではエラー曲線の周期が 1/2になり、誤差の絶対
値も減少していることが分かる。

【００２４】図４（Ｃ）はウェハのステップ量を画素ピ
ッチの 1/4として、各位置にウェハマークを駆動しなが
ら計測を行うことを４回繰り返し、該４回のウェハマー
クの計測値を駆動量を差し引いた上で平均化して求めた
ステージ座標位置とウェハマーク計測のリニアリティエ
ラーとの関係を示したものである。この場合、前の２回
計測の場合に追加される計測位置をそれぞれＡ３，Ａ
４，Ｂ３，Ｂ４，Ｃ３，Ｃ４，Ｄ３，Ｄ４とし図４
（Ａ）に示した。４か所の平均値を取ると今度はエラー
曲線の周期が図４（Ａ）の最初の周期の 1/4となり、誤
差の絶対値も２回平均の場合より更に減少していること
が分かる。

【００２５】一般にランダムな２点あるいは４点の計測
値を平均した場合、リニアリティエラーのピーク値は統
計的に１点のデータに対し

【００２６】

【数１】 に低減することが知られている。

【００２７】本発明のように各計測値間に強い周期性相
関がある場合は平均化効果がより顕著で、２点の平均値
を使用した場合には約 1/3、４点の平均値を使用したと
きには約 1/10 と効率よく計測誤差を低減できることが
判明した。

【００２８】本実施例ではＣＣＤのウェハ面での画素ピ
ッチをＰ，平均化する計測値の個数をＭ，ステージの駆
動量をＰ／Ｍとしたが、ステージの駆動量については前
述のように補正を加える為、ステージ駆動量を画素ピッ
チの整数倍にＰ／Ｍを代数的に加えた量、即ち Ｐ×Ｎ±Ｐ／Ｍ （Ｎは整数） として計測しても同様の結果が得られる。これは画素ピ
ッチの整数倍動かしても周期性により同じエラーがのる
為である。

【００２９】又、更に一般化して述べれば、画素単位で
モジュラスを取ったときに図４（Ａ）に示したように１
つの画素のピッチ内で等しいピッチに分布するように駆
動して計測を行うことが本実施例の最も重要な点であ
る。又処理上、Ｍは２の倍数であると効率的である。

【００３０】更に上記実施例１はウェハマークとオフア
クシス顕微鏡の組み合わせを例に取ったが、同様にレチ
クルマークや基準マーク等をＴＴＬ顕微鏡やレチクル顕
微鏡等で観察する、即ちマークを像としてとらえ位置を
計測する顕微鏡系については本発明の手法をそのまま適
用できる。

【００３１】又、実施例１ではマークを駆動して計測す
る手法を示したが、逆にマークを固定した状態で顕微鏡
を動かす等、マーク像と画素の関係を相対移動させなが
ら計測することにより同等の効果が期待できる。

【００３２】本発明の実施例２は本発明の駆動計測法を
半導体露光装置のベースライン計測に応用したものであ
る。ベースラインとは半導体露光装置の投影レンズの光
軸から、ウェハマークの計測を行う顕微鏡の基準位置ま
での距離のことである。

【００３３】通常、レチクルの投影像に対するウェハの
位置合わせは、まずウェハマークを顕微鏡で顕微鏡基準
に対するずれ量として計測し、この値に予め計測してお
いたベースライン量を加算して投影レンズの下に送り込
んで行われる。ベースラインに計測誤差があると、ウェ
ハの全面にわたって該計測誤差分のシフトが加算されて
しまう。その為ウェハ計測以上にベースライン計測は精
度を高くする必要があり、多少時間がかかっても正確に
計測する必要がある。

【００３４】再び図１を用いると、ベースライン計測法
では最初にウェハ５上のウェハマークを投影レンズ４の
下に送り込む。ＴＴＬ顕微鏡９はレチクル３上に予め設
けられたアライメント用のマーク（レチクルマーク）と
ウェハマークとの位置ずれ量Ｄ_ttl1を計測し、同時にウ
ェハステージ６のポジションＰ_ttl1を計測する。

【００３５】続いてウェハステージ６を移動して上記ウ
ェハマークをオフアクシス顕微鏡７の下に送り込み、オ
フアクシス顕微鏡の基準に対するウェハマークの位置ず
れ量Ｄ_oa1 と、ステージポジションＰ_oa1 を同時に計測
する。このときベースライン計測値Ｌ_base1 は Ｌ_base1 ＝（Ｐ_ttl1−Ｄ_ttl1）−（Ｐ_oa1 −Ｄ_oa1 ） で求められる。これが１回目の計測で、添字の１は１回
目であることを示す。

【００３６】次に、再度投影レンズ４の下にウェハ５を
送り込み、ＴＴＬ顕微鏡９でレチクルマークとウェハマ
ークとの位置ずれ量Ｄ_ttl2とそのときのステージポジシ
ョンＰ_ttl2を同時に計測する。但し、今回のステージポ
ジションＰ_ttl2は前回計測した計測ポジションＰ_ttl1に
対してＳ１シフトさせた状態で行われる。

【００３７】シフト量Ｓ１は、ＴＴＬ顕微鏡のウェハ面
換算での画素分解能をＰ１，ベースライン計測の繰り返
し回数をＭ１とすると Ｓ１＝Ｐ１／Ｍ１ で与えられる。

【００３８】ＴＴＬ顕微鏡での計測が終了すると、続い
てウェハ５は再びオフアクシス顕微鏡７の下に送り込ま
れ、オフアクシス顕微鏡の基準に対するウェハマークの
位置ずれ量Ｄ_oa2 と、ステージポジションＰ_oa2 が同時
に計測される。このときのステージポジションＰ_oa2 は
前回計測した計測ポジションＰ_oa1 に対してＳ２シフト
させた状態で行われる。

【００３９】シフト量Ｓ２は、オフアクシス顕微鏡のウ
ェハ面換算での画素分解能をＰ２とすると Ｓ２＝Ｐ２／Ｍ１ である。

【００４０】このときベースライン計測値Ｌ_base2 は Ｌ_base2 ＝（Ｐ_ttl2−Ｄ_ttl2）−（Ｐ_oa2 −Ｄ_oa2 ） で求められる。

【００４１】各回ごとに前回計測したステージポジショ
ンよりＴＴＬ顕微鏡の場合Ｓ１、オフアクシス顕微鏡の
場合Ｓ２ずつずらしながら、マークの位置ずれとステー
ジポジション計測を行うベースライン計測の動作をＭ１
回繰り返し、該Ｍ１個のベースラインの値を平均化する
ことにより最終的なベースライン量が求められる。

【００４２】このような手法でリニアリティエラーの影
響を軽減し、正確なベースライン量の計測が可能となっ
た。該ベースライン量を用いて、ウェハ、レチクル間の
位置合わせを行い露光すれば、レチクルパターンをより
正確にウェハ上に転写することが可能となる。

【００４３】又、本実施例ではＴＴＬ顕微鏡での計測と
オフアクシス顕微鏡での計測を交互に行うこととした
が、ＴＴＬ顕微鏡を用いた計測をステージポジションを
Ｓ３ずつ変えながらＭ３回、オフアクシス顕微鏡を用い
た計測をやはりステージポジションをＳ４ずつ変えなが
らＭ４回続けて行い、各顕微鏡での計測値を別々に平均
化し、その差分でベースラインを計算すれば同様の効果
を得ることができる。

【００４４】この場合Ｓ３とＳ４はこれまでの説明より
明らかなように、 Ｓ３＝Ｐ１／Ｍ３ Ｓ４＝Ｐ２／Ｍ４ で与えられる。

【００４５】本発明の実施例３はウェハ上に形成された
レジストパターンを用いて位置ずれ量を求めるアライメ
ントずれ計測装置である。

【００４６】図７はその概略図であるが、ウェハを測定
する顕微鏡、ウェハ搭載用チャック及び該チャック上に
載置されたウェハを所望の位置に移動させるステージが
本体上に構成されている。ウェハ計測顕微鏡は図１のオ
フアクシス顕微鏡７と同じ構成である。

【００４７】パターンが形成されその上にレジストが塗
布されたウェハには、露光装置により該ウェハパターン
に対し位置合わせされたレチクル像が投影転写される。
ウェハを現像処理すると、ウェハ上に予め設けられてい
る位置ずれ計測用の基準パターン上に、該基準パターン
に対応したレジストパターンが形成される。

【００４８】この様子を示したのが図８で、ウェハ上の
４角形の計測基準パターンの内側に、該基準パターンよ
り少し小さな大きさの４角形のレジストパターンが形成
されている。この２つのパターンの互いに平行な辺同士
の間隔を計測して、ウェハパターンに対するレジストの
転写パターンの位置合わせ精度がモニタされる。

【００４９】転写パターンのレジスト像が形成されたウ
ェハはアライメントずれ計測装置のステージ上に搬入さ
れ、該ステージによりウェハ上の計測パターン部が、顕
微鏡下に送り込まれる。ウェハ上の基準パターン及びレ
ジストパターンは顕微鏡の対物レンズ，リレーレンズ，
エレクターレンズを介してＣＣＤカメラ上に拡大投影さ
れ、画像処理により各エッジの位置が計測される。

【００５０】ウェハの計測基準パターンの第１のエッジ
位置からレジストパターンの第１のエッジ位置までの距
離をＬ１、レジストパターンの第２のエッジ位置からウ
ェハの計測基準パターンの第２のエッジ位置までの距離
をＬ２とすると、 （Ｌ１−Ｌ２）／２ がウェハパターンに対する転写されたレジストパターン
のアライメントずれである。

【００５１】計測精度に対する要求が厳しくなるにつ
れ、求められる画素分解能は要求される分解能に対して
相対的に大きく、精度が不足するようになってきてい
る。この間の事情はアライメントずれ計測装置でも、こ
れまで説明した半導体露光装置と同じである。

【００５２】従って本実施例でも画素分解能が要求精度
に対し十分でない場合、故意に所定量だけステージを駆
動して画素位置に対するパターン位置をずらし、複数カ
所で計測して平均値を求めることで、リニアリティエラ
ーを軽減することができる。

【００５３】そのときのステージ駆動量Ｄ_p は平均回数
をＭ、ウェハ面換算での画素分解能をＰとしたとき、 Ｄ_p ＝Ｐ×Ｎ±Ｐ／Ｍ （Ｎは整数） で与えられる。

【００５４】このようにステージの微小駆動を顕微鏡計
測と組み合わせて高精度にアライメントずれ量を計測す
ることが可能となった。この場合にも光学像とＣＣＤ画
素との相対関係の移動にはステージのほかに、顕微鏡等
の光学系やＣＣＤを動かす手段を用いることができる。

【００５５】これまでの実施例では計測対象のマークと
して１本のマークあるいは１本のエッジを用いてきた。
しかしながら本発明の計測方法及び装置はマークそのも
のを１本で構成する代わりに複数本で構成し、該複数本
の位置を画素に対して例えば図４で複数箇所を測定した
のと同じ関係になるように導いて、該複数本のマークの
計測値の平均値を計算することで、これまでと同様にリ
ニアリティエラーを改善することができる。

【００５６】例えばウェハマークをピッチＷ_ｐを持つ複
数本の等間隔マークとしたとき、マークの本数をｍ（ｍ
は２以上の整数）本、ウェハ面換算での画素ピッチをＰ
とすれば Ｗ_ｐ≒Ｐ×Ｎ±Ｐ／ｍ （Ｎは整数） とすると、等価的に１回の計測で図４の複数回計測と同
じ効果を出すことができる。又実用的にｍの値は２の倍
数とすると処理上有利である。

【００５７】逆にウェハマークのピッチを固定して考え
なければならない場合には、上記のＷ_p の関係式に当て
はまるように、結像倍率を変化させて同様の効果をもた
らすことができる。

【００５８】このように本発明では画素単位にモジュラ
スを取った状態で、該画素の計測対象物上での大きさ
Ｓ、計測回数をＭとしたとき、計測を同時あるいは経時
的にＳ／Ｍピッチで行い、その計測値を平均化する等の
単純な演算処理でリニアリティエラーを軽減することを
特徴としている。

【００５９】従って上記効果を持たせる為には画素と計
測サンプルの相対位置を変更させる種々の手段、例えば
ステージの駆動、顕微鏡光学系の駆動、顕微鏡倍率の変
化、ＣＣＤ自体の駆動、マークの工夫等が含まれる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は計測対象
物を１画素の中で等価的に等間隔の複数個の位置で計測
し、該計測値に対して平均化等の計算処理を加えること
でハード的な変更なく、もしくはハード的な変更を最小
限にしてリニアリティエラーを大幅に軽減することを可
能にした。特に高まる計測精度向上の要求に対し現在の
計測系が持っている計測ポイントの分解能不足という問
題を、単純な複数回計測ではなく、ずらした平均化とい
う手法で特別に顕微鏡系の倍率を大きくするとか高価な
高分解能ＣＣＤを使用するとかせずに解決できる為、現
システムに対しても容易に適用可能で、改善効果も多大
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する半導体製造素子用の露光装置
の構成図

【図２】マークの信号波形と計測ポイントとの関係を示
す図

【図３】リニアリティエラーの説明図

【図４】１画素内でのリニアリティエラーと計測ポイン
トを示す図

【図５】計測対象物とＣＣＤとの関係を示す図

【図６】計測対象となるウェハパターンの例

【図７】本発明を適用するアライメントずれ測定装置の
構成図

【図８】アライメントずれ測定装置用の計測パターン

【符号の説明】

１ 露光光源（水銀ランプ） ２ 照明系 ３ レチクル ４ 投影レンズ ５ ウェハ ６ ウェハステージ ７ オフアクシス顕微鏡 ８ ウェハチャック ９ ＴＴＬ顕微鏡 ７１ 対物レンズ ７２ リレーレンズ ７３ エレクターレンズ ７４ ＣＣＤ ７５ 落射照明系

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 物体上に構成されたｍ（ｍは２以上の整
   数）本のマークの像を撮像素子上に結像させて、前記物
   体の位置を計測する位置計測装置であって、前記撮像素
   子の１画素の前記物体面上での大きさをＰとしたとき、
   前記マークのピッチＷｐは、Ｗｐ≒Ｐ×Ｎ±Ｐ／ｍ （Ｎは整数） を満たす ことを特徴とする位置計測装置。
2. 【請求項２】 物体上に構成されたｍ（ｍは２以上の整
   数）本のマークの像を撮像素子上に結像させて、前記物
   体の位置を計測する位置計測装置であって、 前記撮像素
   子の１画素の前記物体面上での大きさをＰとしたとき、
   前記マークのピッチＷｐが、 Ｗｐ≒Ｐ×Ｎ±Ｐ／ｍ （Ｎは整数） を満たすように、前記マークの像が前記撮像素子上に結
   像される際の結像倍率を調整することを特徴とする位置
   計測装置。
3. 【請求項３】 前記ｍの値が２の倍数であることを特徴
   とする請求項１または２に記載の位置計測装置。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の位
   置計測装置の位置計測結果に基づいて、レチクルとウェ
   ハとの相対的な位置合わせを行い、レチクルパターンを
   ウェハ上に露光転写することを特徴とする露光装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の露光装置を用いて、レ
   チクルパターンを表面に感光剤が塗布されたウェハ上に
   露光転写する工程を有することを特徴とするデバイスの
   製造方法。