JP3337862B2 - 位置計測方法及びそれを用いた位置計測装置 - Google Patents
位置計測方法及びそれを用いた位置計測装置Info
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Description
用いた位置計測装置に関し、特に半導体ウェハの基板上
に塗布された感光層を露光する露光装置、特にウェハ上
に形成されたパターンの位置を高精度で検出し、該パタ
ーンに対してレチクルのパターンの像を高精度で位置合
わせして露光する機能を備えた露光装置及び一般の位置
計測を行う際に好適なものである。
造用の露光装置においてはレチクル上に形成されたパタ
ーンとウェハ上に形成されたパターンとを位置合わせす
る場合、最初にウェハステージ上に搭載されたウェハ上
に形成されている位置合わせマーク(ウェハマーク)を
該露光装置内の顕微鏡下に導いて計測を行う。計測では
該顕微鏡の基準に対するウェハマークの位置ずれ量を検
出するが、同時にそのときのウェハステージポジション
を参照してウェハの位置が決定され、その後でレチクル
の像に対して位置合わせする方法が一般に行われる。
する際には、通常前記ウェハマークの像を対物レンズ,
リレーレンズ,エレクターレンズにより撮像素子上に拡
大投影する。撮像素子としては撮像管、又は固体撮像素
子が使用されるが、座標の精度、安定性、画面内計測の
同時性が計測精度上有利なこと、及び、信頼性が高いこ
とで、現在はCCDと呼ばれる固体撮像素子が使用され
ることが多い。
Dの各画素ごとに受光した明るさに比例した電気信号に
変換され、該信号を処理してウェハマークの位置ずれ量
が計測される。計測系の物理的な分解能はCCDの画素
ピッチと顕微鏡の結像倍率で決定される。CCDの標準
的な画素数は500×500程度、計測に必要な画面サ
イズは100〜200μm角程度なので、物理的な分解
能は0.2〜0.4μm程度に過ぎない。その為実際に
はウェハマークのCCD画素ピッチごとに得られる離散
的なデータを複数個選択して内挿を行い、分解能を向上
させる手法が取られる。
画像処理手法、例えば A.選択されたデータから信号波形を類推し、そのピー
ク位置を計算する。 B.信号の波形形状から面積計算を行い、重心位置を計
算する。 C.波形の左右のスロープの対称性が最も高くなる中心
位置を計算する。 等があり、これらを適用して物理的な分解能の 1/5〜1/
10程度の計測分解能を達成することができる。
分解能には咋今ますます高い値が要求されるようになっ
ている。従来の内挿法は比較的粗いサンプリング・ピッ
チで選択した複数個の点から計算を行う為、計測系で実
際のウェハ信号を検出すると相対的に計測点数が不十分
となってきており、CCD画素との位置関係により計測
値が精度上、問題となるオーダで変動してしまう。
リニアリティエラーという現象で、計測対象物体である
ウェハマークの光学的な信号波形に対してCCDの画素
ピッチが十分小さく、要求分解能に対して十分な計測点
が取れる場合は無視できる。この場合にはCCDの画素
位置が光学的な信号波形に対してどの位置にあったとし
ても、同じ計測値が得られる。しかしその為には顕微鏡
の結像倍率を高くする、あるいは高分解能のCCDを使
用する必要があり、光量やコスト等の問題から実際的で
はない。
ことで生じるリニアリティエラーを低減させる為、計測
対象であるウェハマークをCCD等の撮像素子の1画素
内での相対関係が異なる複数個の位置で計測を行い、該
複数個の計測値を平均化する等の計算処理をして最終計
測値とすることを特徴としている。
計測対象面上でのCCDの画素分解能をPとしたとき、
計測はCCDの1画素内で等価的にP/Mずつ、ずれた
たM個の点で行い、各計測値を平均化する等の処理を行
う。ここで等価的としたのは画素分解能であるCCDの
ピッチPでモジュラスを取って考えることを意味し、例
えばステージを駆動する場合の駆動量もモジュラスを取
って換算する。特にMを2の倍数とすれば少ない回数で
精度良くリニアリティエラーを低減することが可能であ
る。
用して計測する場合、該ウェハマークのピッチをWp、
マークの本数をm(mは2以上の整数)とすると、 Wp≒P×N±P/m (但し、Nは整数) としたウェハマークを計測すると、複数本の各マークの
CCDの画素との対応が隣のマークに行くとP/mずつ
ずれる為、上述のずれの効果を得ることができ、精度良
くリニアリティエラーを低減することができる。このと
きもmは2の倍数とすると効率が良い。
る。本実施例では位置合わせ機能を持った半導体素子製
造用の露光装置に適用した場合を示している。
クルを照明する照明系、3はレチクル、4は投影レンズ
で、5のウェハが8のウェハチャックに吸着固定され
る。ウェハ上には前の工程でパターニングされた図6に
示す位置合わせ用マーク(以下ウェハマークと称する)
が予め形成されている。
のレーザ干渉計及び演算制御装置により位置が検出制御
される。7はオフアクシス顕微鏡で、ウェハ5上のウェ
ハマークの位置を顕微鏡基準と比較して計測し、位置ず
れ量を計測する。
ェハ搬送系によりウェハチャック8上に搬入される。ウ
ェハチャック8に吸着固定されたウェハ5は、ウェハス
テージ6によりウェハマークがオフアクシス顕微鏡7の
観察視野内に入るよう送り込まれる。ウェハ上には予め
複数個のウェハマークが形成されており、ウェハステー
ジ6を駆動して該複数個のマークを顕微鏡7で計測す
る。各計測時点でのウェハステージ6の座標とウェハマ
ークの顕微鏡基準からの位置ずれ量から、ウェハチャッ
ク8上のウェハ5の装置に対する位置が決定される。そ
の後、ウエハステージ6が所定量駆動され、レチクル3
の投影像とウェハ上のパターンとが位置合わせされる。
リレーレンズ72,エレクターレンズ73,CCD7
4,落射照明系75で構成される。照明系75により照
明されたウェハマークは対物レンズ71,リレーレンズ
72,エレクターレンズ73を通ってCCD74上に結
像する。
CCDの関係を模式的に示したものである。
的信号波形と画素ごとに離散的な計測を行うCCDの計
測ポイントとの関係を示す。実線で示される光学的な信
号波形のピークに対し、CCDの画素が図2(A)のよ
うに対称に配置されている場合は、CCD計測値から推
定される信号波形と光学的な波形は近似形となり計算誤
差は発生しない。ところが光学的な信号のピークに対し
てCCDの画素が図2(B)に示すように対称に配置さ
れない場合、CCDの計測から推定される破線で示され
た信号波形は実線の光学波形に対して異なる形状とな
り、計測誤差が発生する。CCDと光学的な信号波形の
相対的な位置関係は予めきちんと決めることができない
為、実際の計測が図2(A)の状態で行われてるか、図
2(B)の状態で行われているかという判断を装置側で
行うことはできない。
による影響を示したもので、ウェハマークを移動したと
きのマーク移動量とウェハマーク計測値の関係図であ
る。誤差がなければ計測値は直線上にのるが、画素の位
置と光学信号波形の対称性の関係から計測誤差が発生
し、画素ピッチ周期で計測値が変動する。これがリニア
リティエラーである。
画素分ウェハ位置を動かしたときに生じるリニアリティ
エラーを表示したものである。
ーを減少させる為、複数回ウェハーを計測光学系である
オフアクシス顕微鏡系の光軸に直交する方向に所定量駆
動した後に計測し、各計測時の計測値と干渉計によって
モニタされているウェハの位置からウェハマークの位置
を精度よく計測することを特徴としている。
1回目はステージ上の任意の位置でウェハマーク計測を
行い、2回目はウェハ上で画素ピッチPの 1/2に相当す
る量だけウェハをステップ駆動してウェハマーク計測を
行う。1回目と2回目の平均値をウェハの駆動量を換算
した上で計算するとマークの位置が求められる。
C1,D1とすると、これらに対応してP/2だけ駆動し
た位置での計測値は、それぞれA2,B2,C2,D2
となる。周期性より添字の1と2の順序は入れ換えても
問題ない。
場合のステージ座標位置とウェハマーク計測の平均値の
リニアリティエラーとの関係を示したものである。図4
(A)のリニアリティエラー曲線の形に対応して、図4
(B)ではエラー曲線の周期が 1/2になり、誤差の絶対
値も減少していることが分かる。
ッチの 1/4として、各位置にウェハマークを駆動しなが
ら計測を行うことを4回繰り返し、該4回のウェハマー
クの計測値を駆動量を差し引いた上で平均化して求めた
ステージ座標位置とウェハマーク計測のリニアリティエ
ラーとの関係を示したものである。この場合、前の2回
計測の場合に追加される計測位置をそれぞれA3,A
4,B3,B4,C3,C4,D3,D4とし図4
(A)に示した。4か所の平均値を取ると今度はエラー
曲線の周期が図4(A)の最初の周期の 1/4となり、誤
差の絶対値も2回平均の場合より更に減少していること
が分かる。
値を平均した場合、リニアリティエラーのピーク値は統
計的に1点のデータに対し
関がある場合は平均化効果がより顕著で、2点の平均値
を使用した場合には約 1/3、4点の平均値を使用したと
きには約 1/10 と効率よく計測誤差を低減できることが
判明した。
ッチをP,平均化する計測値の個数をM,ステージの駆
動量をP/Mとしたが、ステージの駆動量については前
述のように補正を加える為、ステージ駆動量を画素ピッ
チの整数倍にP/Mを代数的に加えた量、即ち P×N±P/M (Nは整数) として計測しても同様の結果が得られる。これは画素ピ
ッチの整数倍動かしても周期性により同じエラーがのる
為である。
モジュラスを取ったときに図4(A)に示したように1
つの画素のピッチ内で等しいピッチに分布するように駆
動して計測を行うことが本実施例の最も重要な点であ
る。又処理上、Mは2の倍数であると効率的である。
クシス顕微鏡の組み合わせを例に取ったが、同様にレチ
クルマークや基準マーク等をTTL顕微鏡やレチクル顕
微鏡等で観察する、即ちマークを像としてとらえ位置を
計測する顕微鏡系については本発明の手法をそのまま適
用できる。
る手法を示したが、逆にマークを固定した状態で顕微鏡
を動かす等、マーク像と画素の関係を相対移動させなが
ら計測することにより同等の効果が期待できる。
半導体露光装置のベースライン計測に応用したものであ
る。ベースラインとは半導体露光装置の投影レンズの光
軸から、ウェハマークの計測を行う顕微鏡の基準位置ま
での距離のことである。
位置合わせは、まずウェハマークを顕微鏡で顕微鏡基準
に対するずれ量として計測し、この値に予め計測してお
いたベースライン量を加算して投影レンズの下に送り込
んで行われる。ベースラインに計測誤差があると、ウェ
ハの全面にわたって該計測誤差分のシフトが加算されて
しまう。その為ウェハ計測以上にベースライン計測は精
度を高くする必要があり、多少時間がかかっても正確に
計測する必要がある。
では最初にウェハ5上のウェハマークを投影レンズ4の
下に送り込む。TTL顕微鏡9はレチクル3上に予め設
けられたアライメント用のマーク(レチクルマーク)と
ウェハマークとの位置ずれ量Dttl1を計測し、同時にウ
ェハステージ6のポジションPttl1を計測する。
ェハマークをオフアクシス顕微鏡7の下に送り込み、オ
フアクシス顕微鏡の基準に対するウェハマークの位置ず
れ量Doa1 と、ステージポジションPoa1 を同時に計測
する。このときベースライン計測値Lbase1 は Lbase1 =(Pttl1−Dttl1)−(Poa1 −Doa1 ) で求められる。これが1回目の計測で、添字の1は1回
目であることを示す。
送り込み、TTL顕微鏡9でレチクルマークとウェハマ
ークとの位置ずれ量Dttl2とそのときのステージポジシ
ョンPttl2を同時に計測する。但し、今回のステージポ
ジションPttl2は前回計測した計測ポジションPttl1に
対してS1シフトさせた状態で行われる。
換算での画素分解能をP1,ベースライン計測の繰り返
し回数をM1とすると S1=P1/M1 で与えられる。
てウェハ5は再びオフアクシス顕微鏡7の下に送り込ま
れ、オフアクシス顕微鏡の基準に対するウェハマークの
位置ずれ量Doa2 と、ステージポジションPoa2 が同時
に計測される。このときのステージポジションPoa2 は
前回計測した計測ポジションPoa1 に対してS2シフト
させた状態で行われる。
ェハ面換算での画素分解能をP2とすると S2=P2/M1 である。
ンよりTTL顕微鏡の場合S1、オフアクシス顕微鏡の
場合S2ずつずらしながら、マークの位置ずれとステー
ジポジション計測を行うベースライン計測の動作をM1
回繰り返し、該M1個のベースラインの値を平均化する
ことにより最終的なベースライン量が求められる。
響を軽減し、正確なベースライン量の計測が可能となっ
た。該ベースライン量を用いて、ウェハ、レチクル間の
位置合わせを行い露光すれば、レチクルパターンをより
正確にウェハ上に転写することが可能となる。
オフアクシス顕微鏡での計測を交互に行うこととした
が、TTL顕微鏡を用いた計測をステージポジションを
S3ずつ変えながらM3回、オフアクシス顕微鏡を用い
た計測をやはりステージポジションをS4ずつ変えなが
らM4回続けて行い、各顕微鏡での計測値を別々に平均
化し、その差分でベースラインを計算すれば同様の効果
を得ることができる。
明らかなように、 S3=P1/M3 S4=P2/M4 で与えられる。
レジストパターンを用いて位置ずれ量を求めるアライメ
ントずれ計測装置である。
する顕微鏡、ウェハ搭載用チャック及び該チャック上に
載置されたウェハを所望の位置に移動させるステージが
本体上に構成されている。ウェハ計測顕微鏡は図1のオ
フアクシス顕微鏡7と同じ構成である。
布されたウェハには、露光装置により該ウェハパターン
に対し位置合わせされたレチクル像が投影転写される。
ウェハを現像処理すると、ウェハ上に予め設けられてい
る位置ずれ計測用の基準パターン上に、該基準パターン
に対応したレジストパターンが形成される。
4角形の計測基準パターンの内側に、該基準パターンよ
り少し小さな大きさの4角形のレジストパターンが形成
されている。この2つのパターンの互いに平行な辺同士
の間隔を計測して、ウェハパターンに対するレジストの
転写パターンの位置合わせ精度がモニタされる。
ェハはアライメントずれ計測装置のステージ上に搬入さ
れ、該ステージによりウェハ上の計測パターン部が、顕
微鏡下に送り込まれる。ウェハ上の基準パターン及びレ
ジストパターンは顕微鏡の対物レンズ,リレーレンズ,
エレクターレンズを介してCCDカメラ上に拡大投影さ
れ、画像処理により各エッジの位置が計測される。
位置からレジストパターンの第1のエッジ位置までの距
離をL1、レジストパターンの第2のエッジ位置からウ
ェハの計測基準パターンの第2のエッジ位置までの距離
をL2とすると、 (L1−L2)/2 がウェハパターンに対する転写されたレジストパターン
のアライメントずれである。
れ、求められる画素分解能は要求される分解能に対して
相対的に大きく、精度が不足するようになってきてい
る。この間の事情はアライメントずれ計測装置でも、こ
れまで説明した半導体露光装置と同じである。
に対し十分でない場合、故意に所定量だけステージを駆
動して画素位置に対するパターン位置をずらし、複数カ
所で計測して平均値を求めることで、リニアリティエラ
ーを軽減することができる。
をM、ウェハ面換算での画素分解能をPとしたとき、 Dp =P×N±P/M (Nは整数) で与えられる。
測と組み合わせて高精度にアライメントずれ量を計測す
ることが可能となった。この場合にも光学像とCCD画
素との相対関係の移動にはステージのほかに、顕微鏡等
の光学系やCCDを動かす手段を用いることができる。
して1本のマークあるいは1本のエッジを用いてきた。
しかしながら本発明の計測方法及び装置はマークそのも
のを1本で構成する代わりに複数本で構成し、該複数本
の位置を画素に対して例えば図4で複数箇所を測定した
のと同じ関係になるように導いて、該複数本のマークの
計測値の平均値を計算することで、これまでと同様にリ
ニアリティエラーを改善することができる。
数本の等間隔マークとしたとき、マークの本数をm(m
は2以上の整数)本、ウェハ面換算での画素ピッチをP
とすれば Wp≒P×N±P/m (Nは整数) とすると、等価的に1回の計測で図4の複数回計測と同
じ効果を出すことができる。又実用的にmの値は2の倍
数とすると処理上有利である。
なければならない場合には、上記のWp の関係式に当て
はまるように、結像倍率を変化させて同様の効果をもた
らすことができる。
スを取った状態で、該画素の計測対象物上での大きさ
S、計測回数をMとしたとき、計測を同時あるいは経時
的にS/Mピッチで行い、その計測値を平均化する等の
単純な演算処理でリニアリティエラーを軽減することを
特徴としている。
測サンプルの相対位置を変更させる種々の手段、例えば
ステージの駆動、顕微鏡光学系の駆動、顕微鏡倍率の変
化、CCD自体の駆動、マークの工夫等が含まれる。
物を1画素の中で等価的に等間隔の複数個の位置で計測
し、該計測値に対して平均化等の計算処理を加えること
でハード的な変更なく、もしくはハード的な変更を最小
限にしてリニアリティエラーを大幅に軽減することを可
能にした。特に高まる計測精度向上の要求に対し現在の
計測系が持っている計測ポイントの分解能不足という問
題を、単純な複数回計測ではなく、ずらした平均化とい
う手法で特別に顕微鏡系の倍率を大きくするとか高価な
高分解能CCDを使用するとかせずに解決できる為、現
システムに対しても容易に適用可能で、改善効果も多大
である。
の構成図
す図
トを示す図
構成図
Claims (5)
- 【請求項1】 物体上に構成されたm(mは2以上の整
数)本のマークの像を撮像素子上に結像させて、前記物
体の位置を計測する位置計測装置であって、前記撮像素
子の1画素の前記物体面上での大きさをPとしたとき、
前記マークのピッチWpは、Wp≒P×N±P/m (Nは整数) を満たす ことを特徴とする位置計測装置。 - 【請求項2】 物体上に構成されたm(mは2以上の整
数)本のマークの像を撮像素子上に結像させて、前記物
体の位置を計測する位置計測装置であって、 前記撮像素
子の1画素の前記物体面上での大きさをPとしたとき、
前記マークのピッチWpが、 Wp≒P×N±P/m (Nは整数) を満たすように、前記マークの像が前記撮像素子上に結
像される際の結像倍率を調整することを特徴とする位置
計測装置。 - 【請求項3】 前記mの値が2の倍数であることを特徴
とする請求項1または2に記載の位置計測装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項に記載の位
置計測装置の位置計測結果に基づいて、レチクルとウェ
ハとの相対的な位置合わせを行い、レチクルパターンを
ウェハ上に露光転写することを特徴とする露光装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の露光装置を用いて、レ
チクルパターンを表面に感光剤が塗布されたウェハ上に
露光転写する工程を有することを特徴とするデバイスの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10909095A JP3337862B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 位置計測方法及びそれを用いた位置計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10909095A JP3337862B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 位置計測方法及びそれを用いた位置計測装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08285522A JPH08285522A (ja) | 1996-11-01 |
JP3337862B2 true JP3337862B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP10909095A Expired - Fee Related JP3337862B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 位置計測方法及びそれを用いた位置計測装置 |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
JP4681803B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | 信号処理のパラメーターを決定する方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
-
1995
- 1995-04-10 JP JP10909095A patent/JP3337862B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH08285522A (ja) | 1996-11-01 |
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