JP3336758B2 - 可変減衰回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、衛星放送受信機のＡＧ
Ｃ回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】衛星放送を受信するために使用される衛
星放送受信機を図面を参照しながら説明する。図８は衛
星放送受信機のＡＧＣ回路に関連するブロック図であ
る。

【０００３】図８において、４０は第一中間周波信号の
入力端子である。この端子４０には、アンテナで受信さ
れた衛星からの１２ＧＨｚ帯の電波をダウンコンバータ
により１ＧＨｚ帯に周波数変換し、同軸ケーブルで屋内
に導かれた第一中間周波信号が印加される。４１は第一
中間周波増幅回路、４２は可変減衰回路、４３は周波数
変換器、４７は局部発振器、４４は可変利得増幅回路、
４５はバンドパスフィルタ、４６はＡＧＣ検波回路、４
８はＡＧＣ制御信号である。

【０００４】第一中間周波増幅回路４１は、低ＮＦの広
帯域増幅器である。可変減衰回路４２は、入力信号レベ
ルが高くなってきたときに、後段の回路において歪みが
発生しないように利得を下げる役割を果たす。周波数変
換器４３は、バランストランスとショットキーダイオー
ドとでバランスドミキサを構成する、いわゆるダイオー
ドミキサを用いるのが一般的である。周波数変換器４
３、局部発振器４７によって選局回路が構成される。選
局回路によって、１ＧＨｚ帯のＦＭ信号は第二中間周波
数に変換される。そして可変利得増幅回路４４によって
増幅される。さらにバンドパスフィルタ４５によって帯
域制限することにより、多数の第一中間周波信号から選
局して１つのチャンネルを受信する機能を果す。選局し
て得られる第二中間周波数は、４０２．７８ＭＨｚが望
ましいとされている（参考文献：「衛星放送受信機 そ
の１ 目標定格」財団法人 電波技術会発行）。バンド
パスフィルタ４５は１波のみを通過させるチャンネルフ
ィルタであり、帯域内の周波数特性を極力平坦にするの
が望ましく、ＳＡＷフィルタなどが一般的に用いられ
る。ＡＧＣ検波回路４６は、第二中間周波信号を検波し
て基準レベルに比べて高いか、低いかを判定する。その
誤差信号はＡＧＣ制御信号４８として可変減衰回路４２
や可変利得増幅回路４４に入力され、信号のレベルが一
定になるように制御される。レベルが一定になった第二
中間周波信号は、後段のＦＭ復調器に入力されて復調さ
れる。この例で示すように、ＦＭ復調器の入力レベルを
一定にするための利得制御回路は、第一中間周波帯と第
二中間周波帯とに分割して設置されることが一般的であ
る。

【０００５】さて、第一中間周波数の帯域幅は、１０３
５．９８ＭＨｚから１３３１．５０ＭＨｚである。この
ような高周波信号を扱うために従来の可変減衰回路は、
図９に示すようにＰＩＮダイオードを用いる場合が多
い。図９において、１０は信号の入力端子、２３は出力
端子、２６は制御端子、１７は電源端子、１１，１５，
２１，２２はコンデンサ、１２，１４，１８，１９は抵
抗、２０はコイル、１３，１６はＰＩＮダイオードであ
る。

【０００６】以上のように構成された従来の可変減衰回
路の動作について以下に説明する。制御端子２６の電圧
が充分低いときは、ＰＩＮダイオード１６には電流が流
れないので、その内部抵抗は数キロオームを越えてい
る。一方ＰＩＮダイオード１３には、電流が流れてお
り、抵抗１４と合わせて回路の特性インピーダンスとほ
ぼ等しいように選べば、入力端子１０における整合を良
好に保つことができる。このとき可変減衰回路は最大の
減衰量になる。また制御端子２６の電圧が充分高いとき
は、ＰＩＮダイオード１３には電流が流れないので、そ
の内部抵抗は数キロオームを越えている。一方ＰＩＮダ
イオード１６には、電流が流れており、その内部抵抗は
数オームになる。このとき可変減衰回路は最小の減衰量
となり、この時の減衰量を残留損失と呼ぶ。コンデンサ
１１，２２は高周波信号を通過させるためのものであ
り、１０ｐＦ程度が適当であり、コンデンサ１５，２１
は高周波信号の接地用であるので、１０００ｐＦ程度が
適当である。抵抗１２はＰＩＮダイオード１３及び１６
のバイアス用であり、抵抗値が高いほど残留損失を少な
くできる。

【０００７】図１０は、図９の従来の可変減衰回路の周
波数特性図である。図１０に示すように、残留損失は約
３ｄＢであり、その周波数特性は殆ど平坦である。しか
しながら、最大減衰時には、低域では減衰量が大きく、
高域ほど減衰量が少なくなる傾向になる。この傾斜は周
波数変換により、第二中間周波帯では逆に高域ほど周波
数特性が下がる方向になる。第二中間周波数の信号処理
回路は同様に高域ほど周波数特性が下がる傾向になるの
で、この傾向が互いに増し加わる方向なので好ましくな
い。周波数特性が平坦でないと、ＦＭ復調特性が劣化
し、低Ｃ／Ｎ時の受信画像の雑音が増大するからであ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のような構成で
は、入出力端子に直列に挿入されるＰＩＮダイオードが
逆バイアスされて遮断された場合には、その内部抵抗値
は数キロオーム以上となり、最大減衰量が得られる。高
周波帯で用いられるＰＩＮダイオードの代表的な特性例
は、図１１（ａ），（ｂ）に示す。図１１（ａ）に示す
ように、ＰＩＮダイオードはその電流によって、内部抵
抗が大幅に変化する。そして図１１（ｂ）に示すよう
に、ＰＩＮダイオードが逆バイアスされたときには、内
部抵抗に極めて微少な容量が並列に付加される。その容
量値は、０．３ｐＦ程度である。そのため高域ほどＰＩ
Ｎダイオードの内部インピーダンスが低くなるので、高
域ほど減衰量が少なくなり、周波数特性が平坦とならな
い。

【０００９】本発明は上記課題に鑑み、最大減衰時にお
いて周波数特性がより平坦な可変減衰回路を提供するこ
とを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の可変減衰回路は、高周波信号が入力される入
力端子と、その高周波信号が出力される出力端子と、そ
の入出力端子間に挿入された少なくとも１つのＰＩＮダ
イオードと、前記ＰＩＮダイオードに流れる電流を制御
する手段とを備え、減衰を小さくする際には、ＰＩＮダ
イオードに流れる電流を充分大きくして、ＰＩＮダイオ
ードの内部抵抗を小さくし、減衰を大きくする際には、
ＰＩＮダイオードに流れる電流を充分小さくして、ＰＩ
Ｎダイオードの内部抵抗を大きくするものの、ＰＩＮダ
イオードのカソード・アノード間電圧が逆バイアスにな
らないように制御することを特徴とする。

【００１１】また、上記課題を解決するために本発明の
可変減衰回路は、高周波信号が入力される入力端子と、
その高周波信号が出力される出力端子と、カソードを入
力端子に接続し、かつアノードを出力端子に接続した第
１のＰＩＮダイオードと、カソードを入力端子に接続
し、かつアノードを抵抗を介してコンデンサにより高周
波的に接地した第２のＰＩＮダイオードと、各々のＰＩ
Ｎダイオードに流れる電流を制御する手段とを備え、減
衰を小さくする際には、第２のＰＩＮダイオードに流れ
る電流を充分小さくして、第２のＰＩＮダイオードの内
部抵抗を大きくし、かつ第１のＰＩＮダイオードに流れ
る電流を充分大きくして、第１のＰＩＮダイオードの内
部抵抗を小さくし、減衰を大きくする際には、第２のＰ
ＩＮダイオードに流れる電流を大きくして、第２のＰＩ
Ｎダイオードの内部抵抗を小さくし、第２のＰＩＮダイ
オードに直列に接続された抵抗と合わせて回路の特性イ
ンピーダンスとほぼ等しくなるように設定し、かつ第１
のＰＩＮダイオードに流れる電流を充分小さくして、第
１のＰＩＮダイオードの内部抵抗を大きくするものの、
第１のＰＩＮダイオードのカソード・アノード間電圧が
逆バイアスにならないように制御することを特徴とす
る。

【００１２】また、上記課題を解決するために本発明の
可変減衰回路は、上記した構成で入力端子とを取り替え
たことを特徴とする。

【００１３】また、上記課題を解決するために本発明の
可変減衰回路は、高周波信号が入力される入力端子と、
その高周波信号が出力される出力端子と、カソードを入
力端子に接続した第１のＰＩＮダイオードと、カソード
を入力端子に接続し、かつアノード端子を抵抗を介して
コンデンサにより高周波的に接地した第２のＰＩＮダイ
オードと、アノードを第１のＰＩＮダイオードのアノー
ドに接続し、かつカソードを出力端子に接続した第３の
ＰＩＮダイオードとねカソードを出力端子に接続し、か
つアノードを抵抗を介してコンデンサにより高周波的に
接地した第４のＰＩＮダイオードと、各々のＰＩＮダイ
オードに流れる電流を制御する手段とを備え、減衰を小
さくする際には、第２及び第４のＰＩＮダイオードに流
れる電流を十分小さくして、第２及び第４のＰＩＮダイ
オードの内部抵抗を大きくし、かつ第１及び第３のＰＩ
Ｎダイオードに流れる電流を充分大きくして、第１及び
第３のＰＩＮダイオードの内部抵抗を小さくし、減衰を
大きくする際には、第２及び第４のＰＩＮダイオードに
流れる電流を大きくして、第２及び第４のＰＩＮダイオ
ードの内部抵抗を小さくし、第２及び第４のＰＩＮダイ
オードに直列に接続された抵抗と合わせて回路の特性イ
ンピーダンスとそれぞれほぼ等しくなるように設定し、
かつ第１及び第３のＰＩＮダイオードに流れる電流を充
分小さくして、第１及び第３のＰＩＮダイオードの内部
抵抗を大きくするものの、第１及び第３のＰＩＮダイオ
ードのカソード・アノード間電圧が逆バイアスにならな
いように制御することを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明は上記した構成によって、入力された高
周波信号は、ＰＩＮダイオードを介して出力端子に出力
される。その際、減衰量を小さくするためには、ＰＩＮ
ダイオードを流れる電流を制御する手段によって、その
電流が充分大きくする。このときＰＩＮダイオードの内
部抵抗が通常数オームまで小さくなる。高周波回路にお
いて信号処理を行う回路の特性インピーダンスとして
は、通常５０オーム系または７５オーム系を用いる。こ
のために、ＰＩＮダイオードによって生じる減衰量はご
くわずかとなる。

【００１５】一方、減衰量を大きくするためには、ＰＩ
Ｎダイオードを流れる電流を制御する手段によって、そ
の電流が充分小さくする。このときＰＩＮダイオードの
内部抵抗が通常数キロオームまで大きくなる。依ってこ
の場合は大きな減衰量が得られる。このときＰＩＮダイ
オードのカソード・アノード間電圧が逆バイアスになら
ないように制御することにより、ＰＩＮダイオードのイ
ンピーダンスが端子間容量で支配的に決まるようにはな
らないので、最大減衰時において周波数特性が急峻な高
域上がりとなることはない。

【００１６】また本発明は上記した構成によって、入力
された高周波信号は、第１のＰＩＮダイオードを介して
出力端子に出力される。その際、減衰量を小さくするた
めには、ＰＩＮダイオードを流れる電流を制御する手段
によって、第１のＰＩＮダイオードに流れる電流を充分
大きくして、かつ第２のＰＩＮダイオードに流れる電流
を充分小さくするように制御する。この時には第１のＰ
ＩＮダイオードの内部抵抗が通常数オームまで小さくな
り、第２のＰＩＮダイオードの内部抵抗が通常数キロオ
ームまで大きくなる。依ってこの場合は減衰量はごくわ
ずかとなる。

【００１７】一方、減衰量を大きくするためには、ＰＩ
Ｎダイオードを流れる電流を制御する手段によって、第
２のＰＩＮダイオードに流れる電流を充分大きくして、
かつ第１のＰＩＮダイオードに流れる電流を充分小さく
するように制御する。このときには第２のＰＩＮダイオ
ードの内部抵抗が通常数オームまで小さくなり、第１の
ＰＩＮダイオードの内部抵抗が通常数キロオームまで大
きくなる。依ってこの場合は大きな減衰量が得られる。
このとき第１のＰＩＮダイオードのカソード・アノード
端子間電圧が逆バイアスにならないように制御すること
により、第１のＰＩＮダイオードのインピーダンスが端
子間容量で支配的に決まるようにはならないので、最大
減衰時において周波数特性が急峻な高域上がりとなるこ
とはない。またこのとき第２のＰＩＮダイオードに直列
に接続された抵抗と合わせて回路の特性インピーダンス
とほぼ等しくなるように設定されているので、入力端子
は整合しており、反射は生じないという特徴がある。し
かし出力端子はこのとき高いインピーダンスになってお
り、整合しておらず反射が生じる。

【００１８】上記した構成では入力端子のみに整合が可
能であるが、入力端子と出力端子とを取り替えた構成で
は出力端子のみの整合が可能となる。

【００１９】さらにまた本発明は上記した構成によっ
て、入力された高周波信号は、第１及び第３のＰＩＮダ
イオードを介して出力端子に出力される。その際、減衰
量わ小さくするためには、第１及び第３のＰＩＮダイオ
ードわ流れる電流を制御する手段によって、第１及び第
３のＰＩＮダイオードに流れる電流を充分大きくして、
かつ第２及び第４のＰＩＮダイオードに流れる電流を充
分小さくするように制御する。このときには第１及び第
３のＰＩＮダイオードの内部抵抗が通常数オームまで小
さくなり、第２及び第４のＰＩＮダイオードの内部抵抗
が通常数キロオームまで大きくなる。依ってこの場合は
減衰量はごくわずかとなる。

【００２０】一方、減衰量を大きくするためには、ＰＩ
Ｎダイオードを流れる電流を制御する手段によって、第
２及び第４のＰＩＮダイオードに流れる電流を充分大き
くして、かつ第１及び第３のＰＩＮダイオードに流れる
電流を充分小さくするように制御する。このときには第
２及び第４のＰＩＮダイオードの内部抵抗が通常数オー
ムまで小さくなり、第１及び第３のＰＩＮダイオードの
内部抵抗が通常数キロオームまで大きくなる。依ってこ
の場合は大きな減衰量が得られる。このとき第１のＰＩ
Ｎダイオードのカソード・アノード端子間電圧が逆バイ
アスにならないように制御することにより、第１及び第
３のＰＩＮダイオードのインピーダンスが各々の端子間
容量で支配的に決まるようにはならないので、最大減衰
時において周波数特性が急峻な高域上がりとなることは
ない。またこのとき第２及び第４のＰＩＮダイオードに
直列に接続された各々の抵抗と合わせて回路の特性イン
ピーダンスとほぼ等しくなるように設定されているの
で、入出力端子は整合しており、反射は生じないという
特徴がある。

【００２１】このようにして最大減衰時においても、周
波数特性がより平坦な可変減衰回路を実現することがで
きる。

【００２２】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の第１の実施例について図を参
照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施例に
おける可変減衰回路の回路図である。なお、図１におい
て従来例の図９と同一部分には同一符号を付す。

【００２３】図１において、１０は信号の入力端子、２
３は出力端子、２６は制御端子、１７は電源端子、１
１，２１，２２はコンデンサ、１２，２４，２５，２８
は抵抗、２０はコイル、１６はＰＩＮダイオード、２７
はトランジスタである。

【００２４】以上のように構成された本発明の第１の実
施例における可変減衰回路の動作について以下に説明す
る。

【００２５】制御端子２６の電圧が充分高いときは、ト
ランジスタ２７は導通状態となる。このときにはＰＩＮ
ダイオード１６には、トランジスタ２７から電流が供給
されており、その内部抵抗は数オームにまで下がってい
る。このとき可変減衰回路は最小の減衰量、すなわち残
留損失の状態となる。コンデンサ１１，２２は高周波信
号を通過させるためのものであり、１０ｐＦ程度が適当
であり、コンデンサ２１は高周波信号の接地用であるの
で、１０００ｐＦ程度が適当である。抵抗１２はＰＩＮ
ダイオード１６のバイアス用であり、３３０オーム程度
が適当である。その抵抗値が高いほど残留損失を少なく
できる。コイル２０は高周波信号の阻止用であり、通常
空芯コイルが用いられる。また回路の特性インピーダン
スよりも充分高いインピーダンスを有するストリップラ
インを用いることもできる。抵抗２４はＰＩＮダイオー
ド１６の電流制限用であり、またトランジスタ２７の発
振防止の機能も果たす。

【００２６】つぎに制御端子２６の電圧がだんだん低く
なっていく場合を考える。このときＰＩＮダイオード１
６に流れる電流は、だんだん小さくなっていくので、Ｐ
ＩＮダイオード１６の内部抵抗はだんだん大きくなって
いく。依って可変減衰回路の減衰量は、だんだん大きく
なっていく。さらに制御端子２６の電圧が低くなって、
抵抗２５，２８による電源電圧の分圧電圧に０．７Ｖ加
えた電圧よりも低いときは、トランジスタ２７は遮断状
態となる。例えば電源端子を５Ｖとして、抵抗２５，２
８を例えば８２キロオーム、１０キロオームと設定して
おけば、ＰＩＮダイオード１６には殆ど電流が流れない
ので、その内部抵抗は数キロオームを越えている。この
とき可変減衰回路は最大の減衰量になる。また入出力端
子ともに回路の整合状態は悪く、大きな反射が生じる。

【００２７】図２はこのように構成された本発明の第１
の実施例における可変減衰回路の周波数特性図である。
図２に示すように、残留損失は約３ｄＢであり、その周
波数特性は殆ど平坦である。また最大減衰時でも、抵抗
２８，２４を介して電源端子１７から電流が流れるの
で、ＰＩＮダイオード１６のカソード・アノード端子間
電圧が逆バイアスにならないように制御されている。こ
のためＰＩＮダイオード１６のインピーダンスがその端
子間容量で支配的に決まるようにはならないので、最大
減衰時において周波数特性が急峻な高域上がりとなるこ
とはない。なお図２の点線のラインは抵抗２８が存在し
ないときに、ＰＩＮダイオードが逆バイアスされたとき
の状態を仮定して表したものである。

【００２８】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について図を参照しながら説明する。図３は、本発明の
第２の実施例における可変減衰回路の回路図である。な
お、図３において、従来図における図９及び第１の実施
例における図１と同一部分には同一符号を付す。

【００２９】図３において、１０は信号の入力端子、２
３は出力端子、２６は制御端子、１７は電源端子、１
１，１５，２１，２２はコンデンサ、１２，１４，１
８，１９，２４，２５，２８は抵抗、２０はコイル、１
３，１６はＰＩＮダイオード、２７はトランジスタであ
る。

【００３０】以上のように構成された本発明の第１の実
施例における可変減衰回路の動作について以下に説明す
る。

【００３１】制御端子２６の電圧が充分高いときは、ト
ランジスタ２７は導通状態となる。このときにはＰＩＮ
ダイオード１６には、トランジスタ２７から電流が供給
されており、その内部抵抗は数オームにまで下がってい
る。またその電流によってＰＩＮダイオード１３のカソ
ード電位が上がるので、ＰＩＮダイオード１３には電流
が流れない。その内部抵抗は数キロオームを越えるよう
にまでなる。このとき可変減衰回路は最小の減衰量、す
なわち残留損失の状態となる。コンデンサ１１，２２は
高周波信号を通過させるためのものであり、１０ｐＦ程
度が適当であり、コンデンサ１５，２１は高周波信号の
接地用であるので、１０００ｐＦ程度が適当である。抵
抗１２はＰＩＮダイオード１３及び１６のバイアス用で
あり、３３０オーム程度が適当である。その抵抗値が高
いほど残留損失を少なくできる。コイル２０は高周波信
号の阻止用であり、回路の特性インピーダンスよりも充
分高いインピーダンスを有するストリップラインを用い
ることもできる。抵抗２４はＰＩＮダイオード１６の電
流制限用であり、またトランジスタ２７の発振防止の機
能も果たす。

【００３２】次に、制御端子２６の電圧がだんだん低く
なっていく場合を考える。このときＰＩＮダイオード１
６に流れる電流は、だんだん小さくなっていくので、Ｐ
ＩＮダイオード１６の内部抵抗はだんだん大きくなって
いく。それとともにＰＩＮダイオード１３にも電流が流
れ始める。更に制御端子２６の電圧が低くなって、抵抗
２５，２８の分圧電圧に０．７Ｖ加えた電圧よりも低い
ときは、トランジスタ２７は遮断状態となる。例えば電
源端子を５Ｖとして、抵抗２５，２８を例えば８２キロ
オーム，１０キロオームと設定しておけば、ＰＩＮダイ
オード１６には殆ど電流が流れないので、その内部抵抗
は数キロオームを越えている。一方、抵抗１８，１９，
１２を１．８キロオーム、５６０オーム、３３０オーム
と設定しておけば、このときにＰＩＮダイオード１３に
は、２ｍＡ程度の電流が流れている。依ってＰＩＮダイ
オードの内部抵抗と抵抗１４とを合わせて回路の特性イ
ンピーダンスとほぼ等しいように選べば、入力端子１０
における整合を良好に保つことができる。このとき可変
減衰回路は最大の減衰量になる。

【００３３】図４は、このように構成された本発明の第
２の実施例における可変減衰回路の周波数特性図であ
る。図４に示すように、残留損失は約３ｄＢであり、そ
の周波数特性は殆ど平坦である。また最大減衰時でも、
ＰＩＮダイオード１６のカソード・アノード端子間電圧
が逆バイアスにならないように制御されているので、Ｐ
ＩＮダイオード１６のインピーダンスがその端子間容量
で支配的に決まるようにはならないので、最大減衰時に
おいて周波数特性が急峻な高域上がりとなることはな
い。なお図４の点線のラインは抵抗２８が存在しないと
きに、ＰＩＮダイオードが逆バイアスされたときの状態
を仮定して表したものである。

【００３４】（実施例３）次に本発明の第３の実施例に
おける可変減衰回路について図面を参照しながら説明す
る。図５は、本発明の一実施例における可変減衰回路の
回路図である。図５において、実施例２における図３と
同一部分には同一符号を付す。

【００３５】図５において、１０は信号の入力端子、２
３は出力端子、２６は制御端子、１７は電源端子、１
１，２１，２２，３２はコンデンサ、１８，１９，２
４，２５，２８，３３，３１は抵抗、２０はコイル、２
９，３０はＰＩＮダイオード、２７はトランジスタであ
る。

【００３６】以上のように構成された本発明の第３の実
施例における可変減衰回路の動作について以下に説明す
る。第３の実施例は第２の実施例に比べて、入出力端子
を入れ替えた構成であり、基本的な動作は同等である。
但し相違点は、最大減衰時において出力端子が回路に整
合しており、入力端子は整合できないことである。

【００３７】（実施例４）次に本発明の第４の実施例に
おける可変減衰回路について図面を参照しながら説明す
る。図６は、本発明の一実施例における可変減衰回路の
回路図である。図６において、実施例２における図３及
び実施例３における図５と同一部分には同一符号を付
す。

【００３８】図６において、１０は信号の入力端子、２
３は出力端子、２６は制御端子、１７は電源端子、１
１，１５，２１，２２，３２はコンデンサ、１２，１
４，１８，１９，２４，２５，２８，３１，３２は抵
抗、２０はコイル、１３，１６，２９，３０はＰＩＮダ
イオード、２７はトランジスタである。

【００３９】以上のように構成された本発明の第４の実
施例における可変減衰回路の動作について以下に説明す
る。

【００４０】制御端子２６の電圧が充分高いときは、ト
ランジスタ２７は導通状態となる。このときにはＰＩＮ
ダイオード１６及び２９には、トランジスタ２７から電
流が供給されており、その内部抵抗は数オームにまで下
がっている。またその電流によってＰＩＮダイオード１
３及び３０のカソード電位が上がるので、ＰＩＮダイオ
ード１３及び３０には電流が流れない。その内部抵抗は
数キロオームを越えるようにまでなる。このとき可変減
衰回は最小の減衰量すなわち残留損失の状態となる。コ
ンデンサ１１，２２は高周波信号を通過させるためのも
のであり、１０ｐＦ程度が適当であり、コンデンサ１
５，２１及び３２は高周波信号の接地用であるので、１
０００ｐＦ程度が適当である。抵抗１２及び３３はＰＩ
Ｎダイオード１３，１６，２９及び３０のバイアス用で
あり、３３０オーム程度が適当である。その抵抗値が高
いほど残留損失を少なくできる。コイル２０は高周波信
号の阻止用であり、通常空芯コイルが用いられる。また
回路の特性インピーダンスよりも充分高い員ＰＩＮダイ
オードーダンスを有するストリップラインを用いること
もできる。抵抗２４はＰＩＮダイオード１６及び２９の
電流制限用であり、またトランジスタ２７の発振防止の
機能も果たす。

【００４１】次の制御端子２６の電圧がだんだん低くな
っていく場合を考える。このときＰＩＮダイオード１６
及び２９に流れる電流は、だんだん小さくなっていくの
で、ＰＩＮダイオード１６及び２９の内部抵抗はだんだ
ん大きくなっていく。それとともにＰＩＮダイオード１
３及び３０にも電流が流れ始める。さらに制御端子２６
の電圧が低くなって、抵抗２５，２８による電源電圧の
分圧電圧に０．７Ｖ加えた電圧よりも低いときは、トラ
ンジスタ２７は遮断状態となる。例えば電源端子を５Ｖ
として、抵抗２５，２８を例えば８２キロオーム、１０
キロオームと設定しておけば、ＰＩＮダイオード１６及
び２９には殆ど電流が流れないので、その内部抵抗は数
キロオームを越えている。一方、抵抗１８，１９，１
２，３３を１．８キロオーム，５６０オーム，３３０オ
ーム，３３０オームと設定しておけば、このときにＰＩ
Ｎダイオード１３及び３０には、２ｍＡ程度の電流が流
れている。依ってＰＩＮダイオードの内部抵抗と抵抗１
４乃至３１とを合わせて回路の特性インピーダンスとほ
ぼ等しいように選べば、入力端子１０及び出力端子２３
における整合を良好に保つことができる。このとき可変
減衰回路は最大の減衰量になる。

【００４２】図８は、このように構成された可変減衰回
路の周波数特性図である。図８に示すように、残留損失
は約３ｄＢであり、その周波数特性は殆ど平坦である。
また最大減衰時でも、ＰＩＮダイオード１６及び２９の
カソード・アノード端子間電圧が逆バイアスにならない
ように制御されているので、ＰＩＮダイオード１６及び
２９のインピーダンスがその端子間容量で支配的に決ま
るようにはならないので、最大減衰時において周波数特
性が急峻な高域上がりとなることはない。なお図８の点
線のラインは抵抗２８が存在しないときに、ＰＩＮダイ
オードが逆バイアスされたときの状態を仮定して表した
ものである。

【００４３】このようにして最大減衰時においても、周
波数特性がより平坦な可変減衰回路を実現することがで
きる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように本発明のよれば、最大減衰
時においても、周波数特性がより平坦な可変減衰回路を
実現することができるので、復調特性がより安定な衛星
放送受信機の自動利得制御回路を構成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における可変減衰回路の
回路図

【図２】本発明の第１の実施例における可変減衰回路の
周波数特性図

【図３】本発明の第２の実施例における可変減衰回路の
回路図

【図４】本発明の第２の実施例における可変減衰回路の
周波数特性図

【図５】本発明の第３の実施例における可変減衰回路の
回路図

【図６】本発明の第４の実施例における可変減衰回路の
回路図

【図７】本発明の第４の実施例における可変減衰回路の
周波数特性図

【図８】従来例における衛星放送受信機のＡＧＣ回路に
関連するブロック図

【図９】従来例における可変減衰回路の回路図

【図１０】従来例における可変減衰回路の周波数特性図

【図１１】（ａ）ＰＩＮダイオードの内部抵抗と順方向
電流特性図 （ｂ）ＰＩＮダイオードの端子間容量と逆方向端子間電
圧特性図

【符号の説明】

１０ 信号の入力端子 １１，１５，２１，２２，３２ コンデンサ １２，１４，１８，１９，２４，２５，２８，３１，３
２，３３ 抵抗 １３，１６，２９，３０ ＰＩＮダイオード １７ 電源端子 ２０ コイル ２３ 出力端子 ２６ 制御端子 ４０ 第一中間周波信号の入力端子 ４１ 第一中間周波増幅回路 ４２ 可変減衰回路 ４３ 周波数変換器 ４４ 可変利得増幅回路 ４５ バンドパスフィルタ ４６ ＡＧＣ検波回路 ４７ 局部発振器 ４８ ＡＧＣ制御信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03G 1/00 - 11/08 H03H 7/25

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波信号が入力される入力端子と、 入力端子に一端を接続する第１のコンデンサと、 前記第１のコンデンサの前記入力端子に接続していない
   他の一端にカソード端子を接続し、かつアノード端子は
   直流カットコンデンサを介して出力端に接続する第１の
   ＰＩＮダイオードと、 前記第１のコンデンサの前記他の一端に、一端を接続し
   てその他端を接地する第１の抵抗と、 カソード端子を前記第１のコンデンサの前記他の一端に
   接続し、かつアノード端子を、直列に接続した第２の抵
   抗及び第２のコンデンサーを介して接地した第２のＰＩ
   Ｎダイオードと、 電源端子と接地間を直列で接続する２つの抵抗であっ
   て、かつ当該抵抗間の接続点は前記第２のコンデンサー
   を介して接地された第３及び第４の抵抗と、 制御端子にベース端子を接続し、エミッタ端子を第５の
   抵抗を介して接地し、コレクタ端子を前記電源端子に接
   続したトランジスタと、 前記トランジスタのエミッタ端子と前記電源端子間を接
   続する第６の抵抗と、 前記トランジスタのエミッタ端子と前記第１のＰＩＮダ
   イオードのアノード端子を接続するインダクタンスとか
   らなることを特徴とする可変減衰回路。