JP3333680B2 - 走査電子顕微鏡 - Google Patents

走査電子顕微鏡

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JP3333680B2
JP3333680B2 JP04931496A JP4931496A JP3333680B2 JP 3333680 B2 JP3333680 B2 JP 3333680B2 JP 04931496 A JP04931496 A JP 04931496A JP 4931496 A JP4931496 A JP 4931496A JP 3333680 B2 JP3333680 B2 JP 3333680B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を試料に走
査し、走査に伴って試料から放出される二次電子信号を
検出して試料表面の情報を画像化する走査電子顕微鏡に
関し、特に半導体集積回路上のパターン検査位置を自動
決定することが可能な走査電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体素子の高集積化に伴い、微
細化した回路パターンの観察、検査には走査電子顕微鏡
が用いられるようになってきている。半導体製造ライン
で用いられる走査電子顕微鏡は、他の装置と同様に人に
よる発塵を抑えるために、また処理能力向上のために自
動化が進められている。ウェーハ上の目的のパターンを
自動で測定するためには、ステージ移動によっておおよ
その位置に観察視野を移動し、その観察視野の中から測
定パターンの位置を正確に求め、その位置に視野移動
し、測定するという手順を踏む。測定パターンの正確な
位置は、予めガイドとなる特徴的なパターンを含むモデ
ルを登録しておき、パターン認識によって検出したモデ
ル位置からの距離によって決定する。移動した視野で目
的のパターンが検出できないときは、周辺に視野移動し
て再びパターン検出を実行する。
【0003】従来の装置は、特開平6−231715号
公報に記載されているように、上記のガイドとなるパタ
ーンを含むモデルを唯一つ登録し、そのモデルを用いて
目的の測定パターンの位置を決定しようとするものであ
った。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】走査電子顕微鏡で得ら
れる画像は、装置自体の状態(例えば電子ビームや増幅
回路のノイズ等)によって、また試料に電子ビームを照
射することより蓄積された電荷によって不安定になる。
またウェーハ上に形成された回路パターンは、設計上、
製造工程上同じパターンであっても半導体製造装置や製
造条件、各チップごとにわずかに異なっている。そのた
めモデル登録時の画像とパターン検出時の画像は完全に
一致したものにはならず、パターン検出するときには登
録時とは若干異なったパターンを検出しなければならな
いことが生じる。
【0005】従来の技術は、唯一つの登録モデルでパタ
ーン検出するものであるが、上で述べたように登録時と
若干異なったパターンを検出するために、登録モデルと
検出パターンの類似度に幅を持たせる必要があった。唯
一つの登録モデルで目的のパターンを検出する場合、こ
の類似度の範囲設定が難しく、この範囲が最適に設定さ
れていないとパターンを検出できなかったり、誤ったパ
ターンを検出するといった問題があった。
【0006】また、観察の初期視野が登録時の視野とず
れていてモデルとして登録したパターンが初期視野に無
いと、測定位置を決定することができなかった。さら
に、半導体回路のパターンは、メモリセルやコンタクト
ホールのような繰り返しパターンを含むものが多いが、
このような繰り返しパターンを含む視野では特定のパタ
ーンの位置を唯一決定することができなかった。
【0007】また、半導体製造ラインでは、最適な製造
条件(例えば、ステッパの露光時間、フォーカス値の変
化量など)を求める目的で各チップごとに条件を変化さ
せたテスト用のウェーハ(以下、条件出しウェーハとい
う)を作成する。この条件出しウェーハの検査にも走査
電子顕微鏡が使用されるが、条件出しウェーハの各チッ
プごとに観察されるパターンは、最適な製造条件からず
れればずれるほど、設計寸法と大きく異なるパターンと
なる。この条件出しウェーハのような形状変化の大きい
パターンを、唯一の登録モデルによって全チップにわた
ってすべて検出することは難しいものであった。
【0008】本発明の目的は、設計上は同じパターンで
あるが登録時とわずかに異なって観察されるパターンを
安定して検出することにある。本発明の他の目的は、繰
り返しパターンを含む観察視野の特定のパターンの位置
を唯一検出することにある。また、本発明の他の目的
は、条件出しウェーハにおけるような形状変化の大きい
パターンを安定に検出して自動測定又は異常パターンの
検出を可能にすることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る走査電子顕微鏡は、自動測定実行時に
予想される様々な装置の状態や試料の観察状態、半導体
製造装置や製造条件、ウェーハ上の各チップごとのパタ
ーンの形状変化等を考慮した複数のモデルを登録する。
【0010】これらのモデルによってパターン検出を実
行し、例えば検出されたパターンとそれぞれの登録モデ
ルとの類似度の中で、最も類似度の高いパターンによっ
て測定位置を決定する。あるいは、複数のモデルによっ
てパターン検出を実行する際、登録時に基準モデルに対
して求めておいた順位に従って検出を実行し、目的のパ
ターンが検出された時点で検出を打ち切ることによって
検出処理の高速化を図る。
【0011】登録視野で測定位置に対して異なった位置
のガイドとなるパターンを含むモデルを複数登録してお
くと、観察視野中に同一パターンを多く含む場合にあっ
ても複数の検出パターン位置から登録時に記憶しておい
た測定位置とのオフセットによって測定位置を唯一検出
することが可能となる。すなわち、本発明の走査電子顕
微鏡は、電子線によって試料を走査する手段と、試料か
ら放出された二次電子信号により試料像を形成する手段
と、モデルを記憶する手段と、試料像の中からモデルに
類似するパターンを検出する手段と、検出されたパター
ンとの間の既知の位置関係(オフセット)を用いて試料
像中の目的位置(測定位置)を検出する手段とを備える
走査電子顕微鏡において、モデルとして複数の画像を記
憶していることを特徴とするものである。
【0012】また、本発明による走査電子顕微鏡は、電
子線によって試料を走査する手段と、試料から放出され
た二次電子信号により試料像を形成する手段と、試料像
中の複数のパターンを各々モデルとして登録する登録手
段と、試料像の中からモデルに類似するパターンを検出
する手段と、検出されたパターンとの間の既知の位置関
係を用いて試料像中の目的位置を検出する手段とを備え
ることを特徴とするものである。
【0013】また、本発明による走査電子顕微鏡は、電
子線によって試料を走査する手段と、試料から放出され
た二次電子信号により試料像を形成する手段と、試料像
中の複数のパターンを各々モデルとして観察倍率、観察
条件及び試料像中の目的位置に対するオフセットととも
に登録する登録手段と、登録された観察倍率及び観察条
件を再現する手段と、試料像の中からモデルに類似する
パターンを検出する手段と、検出されたパターンの位置
とオフセットを用いて試料像中の目的位置を検出する手
段とを備えることを特徴とするものである。
【0014】試料像中の目的位置の検出は、複数のモデ
ルの各々に対して試料像中の最も類似したパターンの位
置及びその類似度を求め、類似度が最も高いパターンの
位置及びそれに対応するオフセットを用いて検出するこ
とができる。試料像中の目的位置の検出は、また、試料
像中の所定のパターンに対する異なる登録モデルのうち
の1つを基準モデルとし、この基準モデルと他のモデル
との間の類似度を求めて各モデルを前記類似度が高い順
に順位付けし、最初に基準モデルを用いてパターン検出
を行い、基準モデルによってはパターン検出ができない
とき、他のモデルを順位付けされた順番で用いてパター
ン検出を行い、検出されたパターンの位置及びそれに対
応するオフセットを用いて検出するようにしてもよい。
【0015】このとき、検出されたパターンと基準モデ
ルの類似度を検出することにより、検出されたパターン
の異常を自動判定するようにすることもできる。すなわ
ち、検出されたパターンと基準モデルとの類似度が予め
定められた基準より低い場合には、検出されたパターン
を異常であると判定する。試料像中の目的位置に対して
異なる複数位置のパターンをモデルとして各々登録し、
各モデルによって検出される少なくとも一つのパターン
位置からの距離によって目的位置を検出するようにして
もよい。この場合には、ステージ移動直後の初期視野に
目的のパターンが含まれる可能性が高くなり、測定パタ
ーンを高倍率で観察することが可能になる。また、初期
視野に目的のパターンがないとき観察視野を周辺に移動
して画像を取り直す回数も減らすことができる。さら
に、異なる2つ以上のモデルからのオフセットによって
目的位置を検出するようにすることにより、観察視野に
繰り返しパターンが含まれている場合であっても特定の
目的位置を唯一検出することができる。
【0016】本発明によると、複数の登録モデルによっ
て検出を実行することで、設計上同じパターンであるが
登録時とわずかに異なって観察されるパターンを安定し
て検出することができるため、半導体製造ラインで検査
装置として使用される走査電子顕微鏡による自動検査の
信頼性を向上させることができる。半導体製造工程上避
けることのできないウェーハ上の回路パターンのわずか
な形状変化、走査電子顕微鏡自体の検出器や増幅回路に
よる像質変化、またチャージアップなど観察試料の物性
に起因する像質変化を複数のモデルによってパターン検
出することで吸収することが可能となる。また、形状変
化の大きいパターンを検出することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明による走査電子顕
微鏡の概略図である。電子銃1より放射された電子ビー
ム2は、偏向コイル3によって偏向された後、倍率レン
ズ(対物レンズ)4により細く絞られ、ステージ6上の
試料ウェーハ5に照射される。倍率レンズ4は、ホスト
コンピュータ13より制御可能な倍率レンズ制御回路2
1によって制御される。また、試料ウェーハ5上の走査
範囲及び走査位置は、偏向信号発生器8によって発生さ
れ、偏向増幅器7によって増幅されて偏向コイル3に供
給される偏向信号によって変えることが可能である。
【0018】電子ビーム2の入射により試料ウェーハ5
から放出された二次電子は検出器9で検出され、検出器
9のアナログ電気信号はA/D変換器10でディジタル
信号に変換された後、画像メモリ11に記憶される。こ
の画像メモリ11の内容は、常にD/A変換器12によ
ってディジタル信号からアナログ信号に変換され、CR
T20の輝度信号としてグリッドに印加される。このと
きA/D変換器10、画像メモリ11、D/A変換器1
2は、画像信号をA/D変換して記憶し、更にD/A変
換して画像表示するためのタイミング信号を偏向信号発
生器8より受け取る。CRT20の偏向コイル19は、
偏向信号発生器8の偏向信号にしたがって偏向増幅器1
8によって励磁される。
【0019】CRT20上に表示されるカーソルの表示
位置は、マウス14の位置信号を受けたホストコンピュ
ータ13からの信号によって移動させることが可能であ
る。このとき表示されるカーソルは、測定位置26を指
定するクロスカーソル27(図2)と、ガイドとなるパ
ターン31をモデルとして登録するための範囲を指定す
るエリアカーソル32(図3)である。ホストコンピュ
ータ13は、逆にCRT20上に表示されるカーソルの
位置情報を取得できる。
【0020】画像処理装置16は、画像メモリ11とは
別の画像メモリ17を有し、D/A変換器12からのア
ナログ信号を内部でA/D変換して画像メモリ17に記
憶する。画像処理装置16は、画像メモリ17中の画像
データの全部又は一部を読み込むことができ、ホストコ
ンピュータ13で取得したクロスカーソル27の位置情
報及びエリアカーソル32の位置情報から画像メモリ1
7の対応する位置の画像データを読み込むできる。ホス
トコンピュータ13は、マウス14又はキーボード15
からの登録信号を受けるたびに再度エリアカーソル32
を表示し、エリアカーソルで指示される領域をモデルと
して前記の手順で画像処理装置16の画像メモリ17に
読み込む。
【0021】次に、図1の走査電子顕微鏡を用いて、測
定パターンの位置及び登録パターンを指定する方法、登
録モデルを保存する方法について説明する。まず、目的
とする測定パターンを含む試料ウェーハ5をステージ6
に載せ、電子ビーム2を照射して、図2に示すようにC
RT20上に画像25を表示する。次に、画像25上の
目的とする測定パターン26にマウス14を用いてクロ
スカーソル27を合わせ、ホストコンピュータ13に測
長位置の登録指示を出す。ホストコンピュータ13は、
CRT20上のクロスカーソルの位置情報を取得し保存
する。次に、図3に示すようにエリアカーソル27を表
示し、ガイドとなるパターン31を含む画像30の範囲
にマウス14を用いてエリアカーソル32を合わせ、そ
の位置に対応する画像データを画像メモリ17から読み
込み登録モデルとする。
【0022】登録モデル、クロスカーソル27の位置情
報、エリアカーソル32と測定位置のオフセット34、
観察倍率及び観察条件は、ホストコンピュータ13に記
憶される。ここで観察条件とは、試料を観察する際の走
査電子顕微鏡の制御条件であり、例えば、電子ビーム2
を加速するための加速電圧や、倍率レンズ4を制御する
倍率レンズ電流値、画像信号を画像メモリ11に記憶す
る際の重ね合わせの枚数(フレーム数)等である。
【0023】観察条件のみを変化させて複数のモデルを
登録する場合は、エリアカーソル32の位置を固定し、
観察条件を変えて画像を取り込み直し、上述の手順でモ
デルを登録し、オフセット、観察条件と共にホストコン
ピュータ13に記憶する。このとき、観察倍率は変更し
ていないので、オフセット34は一定である。通常は、
最も製造条件のよいガイドパターンの画像を最も画像状
態の良い観察条件で取り込んで基準モデル35として登
録し、次に同じパターンの画像を観察条件を少しずつ変
化させて取り込み、それを別のモデル36,37として
登録する操作を繰り返す。基準モデルは、登録した複数
のモデルの中から、最も画像状態のよい観察条件のモデ
ルや最も製造条件のよいモデルなどを、あとでマウス1
4又はキーボード15からの入力信号によって選択する
ことで決定してもよい。この基準モデル35の選択後、
基準モデル35とその他のモデル37,36との類似度
を求め、類似度の高いモデルから順位を付け(ここでは
モデル35,36,37の順)、登録モデルごとの観察
条件やオフセットと共にホストコンピュータ13にすべ
て記憶する。もちろん観察倍率も記憶する。
【0024】異なる位置のパターンをガイドとしてモデ
ル登録する場合は、図4に示すように、測定パターンの
位置43をクロスカーソルで指定し、その位置情報を保
存した後、エリアカーソルでガイドとなる複数のパター
ン(図4ではパターン40,41,42)を指定し登録
モデル(47,48,49)とする。クロスカーソルと
エリアカーソルの登録モデルごとのオフセット(44,
45,46)もそれぞれホストコンピュータ13に記憶
する。このとき、それぞれの登録モデルの観察条件は同
じになる。
【0025】複数の登録モデルを用いて目的の測定パタ
ーンの位置を決定する手順を、図3の登録モデル(3
5,36,37)を用いて図7のフローチャートにより
説明する。ホストコンピュータ13は、自動測定が実行
されると登録したすべての又は任意の数のモデルを画像
処理装置16に転送する(S901)と同時に、それぞ
れの登録モデルに対して記憶されている観察倍率及び観
察条件を再現し(S902)、画像を取り込むための信
号を偏向信号発生器8に送る。偏向信号発生器8からの
画像を表示するためのタイミング信号によって、A/D
変換器10、画像メモリ11、D/A変換器12の順に
画像を取り込み(S903)、画像信号はCRT20及
び画像処理装置16に送られる。画像処理装置16は画
像メモリ17に画像データを取り込み、まず1つの登録
モデル(例えば基準モデル35)を用いてパターン検出
を実行する(S904)。
【0026】全てのモデルによる検出が終了していない
場合には(S905)、次の登録モデル36を選択し
(S906)、その観察倍率及び観察条件を再現してパ
ターン検出を実行する。同様の操作を全てのモデルによ
る検出が終了するまで反復する。観察倍率及び観察条件
が同じモデルの場合は画像の再取込みは行わない。その
後、検出されたパターンと登録モデルとの類似度をそれ
ぞれ比較して、最も類似度の高いモデルを決定し(S9
07)、そのモデルのオフセットによって測定位置を決
定する(S908)。
【0027】ここで類似度とは正規化相関によって求め
られる相関係数を意味し、図8に示すような画素数Nの
画像80上の位置(X,Y)におけるモデル82との対
応部分81の相関係数r(X,Y)は、次の(数1)に
よって求められる。式中、Pijは画像上の点(X+i,
Y+j)における濃度値、Mijはモデル内の点(i,
j)における濃度値である。
【0028】
【数1】
【0029】図3に示した複数の登録モデルを用いて目
的の測定パターンの位置を決定する手順の他の例を、図
10のフローチャートにより説明する。ホストコンピュ
ータ13は、自動測定が実行されると登録したすべての
又は任意のモデルを画像処理装置16に転送する(S1
001)と同時に、それぞれの登録モデルに対して記憶
されている観察倍率及び観察条件を再現し(S100
2)、画像を取り込むための信号を偏向信号発生器8に
送る。偏向信号発生器8からの画像を表示するためのタ
イミング信号によって、A/D変換器10、画像メモリ
11、D/A変換器12の順に画像を取り込み(S10
03)、画像信号はCRT20及び画像処理装置16に
送られる。画像処理装置16は画像メモリ17に画像デ
ータを取り込み、まず基準モデル35を用いてパターン
検出を実行する(S1004)。基準モデル35によっ
てガイドとなるパターンが検出されると(S100
5)、ホストコンピュータ13は記憶されているオフセ
ット34を用いて目的の測定パターン22の位置を決定
する(S1006)。
【0030】ステップ1005でパターンが検出されな
かった場合、ホストコンピュータ13は画像処理装置1
6に転送された全ての登録モデルによるパターン検出が
終了したかどうかを判定し(S1007)、まだモデル
が残っている場合には次に基準モデルと類似度の高い登
録モデル36を選択し(S1008)、その観察倍率及
び観察条件を再現する(S1002)。その後、同様に
して画像を取り込み(S1003)、再び取り込まれた
画像内でパターンを検出を実行する(S1004)。観
察倍率及び観察条件が同じモデルの場合は、画像の再取
込みは行わない。
【0031】以上の手順を繰り返し、パターンが検出さ
れた時点で検出処理を打ち切ることにより、検出処理の
高速化を図る。ステップ1007で全てのモデルによる
パターン検出が終了してもガイドパターンと一致したパ
ターンが検出されなかった場合は警報を出して(S10
09)、終了する。この方法によるとまた、半導体製造
ラインの製造条件を求めるためのテスト用ウェーハ(条
件出しウェーハ)の形状変化の大きいパターンでも、条
件ごとのパターンを複数登録することによって、モデル
による自動測定が可能となる。
【0032】製造条件又は観察条件等によってガイドパ
ターンが登録時と若干異なるパターンとして観察された
場合のパターン検出手順を、図3及び図5を用いて説明
する。パターン31をガイドパターンとして登録を行う
が、製造条件又は観察条件を変えた複数のモデル35〜
37を登録する。このとき、製造条件又は観察条件が最
適なモデル35を基準モデルとして選択しておく。自動
測定実行時、登録したガイドパターンが製造条件の変化
によって、パターン50(図5)のように変化して観察
されたとする。このとき登録モデル35ではパターン5
0は検出できない場合があるが、モデル36によって再
びパターン検出を実行し、パターン50が検出されれば
測定位置53を決定することができる。また、このとき
登録モデル36によって検出したパターン50の位置
で、基準モデル35を用いて類似度を求める。この類似
度に対して予め閾値を決めておき、この閾値以下であれ
ばパターン50は異常パターンであることを判定するこ
とができる。
【0033】次に、倍率を変えて複数のモデルを登録し
た例を、図3と図6を用いて説明する。前記のように図
3の低い観察倍率M1でパターン31をモデル35して
登録し、このときの観察倍率M1をオフセット34と共
にホストコンピュータ13に記憶する。次に、マウス1
4又はキーボード15より倍率変更命令を受けたホスト
コンピュータ13は、倍率レンズ制御回路21に倍率変
更信号を出す。倍率レンズ制御回路21は倍率レンズ4
の電流値の変更し、観察倍率M2に設定する。このとき
の画像を図6に示す。この画像でモデル60とオフセッ
ト61、観察倍率M2をホストコンピュータ13に記憶
する。測定位置62は、図3の測定位置33とウェーハ
上で同じ位置である。
【0034】自動測定が実行されるとホストコンピュー
タ13は記憶されている観察倍率M1を前記の手順で再
現し、画像処理装置16はモデル35を用いてパターン
31を検出する。パターン31の位置情報とオフセット
34より測定位置33を決定し、偏向コイル3によって
測定位置33が画像の中心となるように視野を移動す
る。次に、再現された観察倍率M2の画像上でモデル6
0によってパターン検出し、オフセット61を用いて測
定位置62が決定される。
【0035】モデルとして複数の異なる位置のパターン
を登録し、そのモデルを用いて目的の測定パターンの位
置を決定する手順を図4、図5、図7及び図11のフロ
ーチャートを用いて説明する。図4に示すように、測定
パターンの位置43に対して異なる位置の形状の異なる
パターン40,41,43がモデル47,48,49と
して登録されているとして、図5のような観察視野で登
録モデルをモデル47,48,49の順に用いてパター
ン検出を行う。
【0036】ホストコンピュータ13は、自動測定が実
行されると、登録されているモデル47,48,49を
画像処理装置16に転送する(S1101)と同時に、
記憶されている観察倍率及び観察条件を再現し、画像を
取り込むための信号を偏向信号発生器8に送る。偏向信
号発生器8からの画像を表示するためのタイミング信号
によって、A/D変換器10、画像メモリ11、D/A
変換器12の順に画像を取り込み(S1102)、画像
信号はCRT20及び画像処理装置16に送られる。画
像処理装置16は画像メモリ17に画像データを取り込
み、まず登録モデル47を選択し(S1103)、パタ
ーン検出を実行する(S1104)。
【0037】パターン50が変形していたりして登録モ
デル47によってガイドとなるパターンが検出されない
場合(S1105)、次の位置のモデル48を選択し
(S1106)、そのモデル48によってパターン検出
を実行する(S1104)。モデル48によってガイド
となるパターン51が検出されると、そのオフセット5
5より測定パターンの位置53を決定する。このよう
に、1つの位置の登録モデルでパターン検出ができなか
った場合でも、その他の位置の登録モデル48,49で
ガイドとなるパターン51,52が検出されれば、オフ
セット55,56より測定位置53を決定することがで
きる。
【0038】また、ステージ6の駆動によって観察視野
に移動された試料ウェーハ5の観察視野は、図7に示す
ように登録時の観察視野(図4)とずれたものとなる場
合がある。この観察視野70でも、登録モデル47,4
8でガイドパターンを検出することはできないが、登録
モデル49を用いるとガイドパターン71が検出され、
検出位置72とホストコンピュータ13に保存されてい
るオフセット46によって目的の測定パターンの位置7
3を決定することができる。このとき画像の取り込みは
一度でよく、登録した全ての又は任意のモデルによって
パターン検出を実行することが可能であり、パターンが
検出された時点で検出処理を打ち切る。従来の方法によ
ると、図7のように観察視野がずれた場合、登録モデル
47のみでガイドパターンを検出しようとしても初期視
野70ではパターンが検出されず、周辺に視野移動して
パターンを視野に入れないと検出されない。
【0039】以上説明した例では、登録モデル、クロス
カーソルの位置情報、エリアカーソルと測定位置のオフ
セット、観察倍率、観察条件等を走査電子顕微鏡のホス
トコンピュータ13に記憶した。しかし、複数の走査電
子顕微鏡をネットワーク接続したシステムにおいては、
これらの情報をネットワーク上の記憶装置に記憶してお
き、複数の走査電子顕微鏡で共通に利用するようにする
ことも可能である。
【0040】図12は、複数の走査電子顕微鏡をネット
ワークで接続したシステムの概念図である。この例で
は、走査電子顕微鏡92,93,94がネットワーク9
0で接続されている。ネットワーク90に接続された記
憶媒体91上の情報は、それぞれの走査電子顕微鏡9
2,93,94から読み出したり書き込んだりすること
ができる。登録モデル、クロスカーソルの位置、エリア
カーソルと測定位置のオフセット、観察倍率、観察条件
等を記録したファイルは記憶媒体91に格納され、各走
査電子顕微鏡のホストコンピュータ13は必要に応じて
ファイルの内容をダウンロードして利用することができ
る。なお、登録モデルの画像が個々の走査電子顕微鏡の
機差を反映して各々の走査電子顕微鏡ごとに少しずつ異
なる場合には、登録モデルは個々の走査電子顕微鏡によ
って取り込まれたものを、それぞれの走査電子顕微鏡に
内蔵されている記憶媒体92a,93a,94aに記憶
して利用し、クロスカーソルの位置、エリアカーソルと
測定位置のオフセット、観察倍率、観察条件等の情報の
みを共通化して記憶媒体91に格納するようにしてもよ
い。
【0041】
【発明の効果】本発明によると、複数の登録モデルによ
って検出を実行することで、登録時とわずかに異なって
観察されるパターンでも安定して検出することができ、
半導体製造ラインで検査装置として使用される走査電子
顕微鏡による自動測定の信頼性を向上させることができ
る。
【0042】また、異なった位置のガイドとなるパター
ンを含むモデルを複数登録することで、ステージ移動
後、初期視野に目的のパターンが含まれる可能性が高く
なり、測定パターンを高倍率で観察することが可能にな
る。また、周辺に観察視野を移動して画像を取り直す回
数も減り、自動測定処理能力を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】走査電子顕微鏡のブロック図。
【図2】クロスカーソルによる測定パターン指定例を示
す説明図。
【図3】エリアカーソルによるガイドパターン指定例と
登録した複数のモデルを示す説明図。
【図4】エリアカーソルによる異なる位置のガイドパタ
ーン指定例と複数の登録モデルを示す説明図。
【図5】測定パターンの検出例を示す説明図。
【図6】高倍率での測定パターンの検出例を示す説明
図。
【図7】初期視野の例を示す図。
【図8】パターン類似度を説明する図。
【図9】複数の観察条件の登録モデルによるパターン検
出の一例のフローチャート。
【図10】複数の観察条件の登録モデルによるパターン
検出の他の例のフローチャート。
【図11】複数の異なる位置の登録モデルによるパター
ン検出のフローチャート。
【図12】複数の走査電子顕微鏡をネットワーク接続し
たシステムの概念図。
【符号の説明】
1…電子銃、2…電子ビーム、3…偏向コイル、4…倍
率レンズ、5…試料ウェーハ、6…ステージ、7…偏向
増幅器、8…偏向信号発生器、9…二次電子検出器、1
0…A/D変換器、11…画像メモリ、12…D/A変
換器、13…ホストコンピュータ、14…マウス、15
…キーボード、16…画像処理装置、17…画像メモ
リ、18…偏向増幅器、19…偏向コイル、20…CR
T、21…倍率レンズ制御回路、25…画像、26…測
定パターン、27…クロスカーソル、30…画像、31
…ガイドとなるパターン、32…エリアカーソル、33
…測定位置、34…オフセット、35,36,37…登
録モデル、40,41,42…ガイドとなる複数のパタ
ーン、43…測定位置、44,45,46…オフセッ
ト、47,48,49…登録モデル、50,51,52
…検出パターン、53…測定位置、55,56…オフセ
ット、60…登録モデル、61…オフセット、62…測
定位置、70…初期視野、71…ガイドパターン、72
…検出位置、73…測定位置、80…画像、82…モデ
ル、90…ネットワーク、91…記憶媒体、92,9
3,94…走査電子顕微鏡、92a,93a,94a…
記憶媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 37/22

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子線によって試料を走査する手段と、
    試料から放出された二次電子信号により試料像を形成す
    る手段と、モデルを記憶する手段と、前記試料像の中か
    ら前記モデルに類似するパターンを検出する手段と、検
    出された前記パターンとの間の既知の位置関係を用いて
    前記試料像中の目的位置を検出する手段とを備える走査
    電子顕微鏡において、 前記モデルとして同一のパターンを示す複数の像、ある
    いはそれぞれ異なる位置を示す複数の像を記憶している
    ことを特徴とする走査電子顕微鏡。
  2. 【請求項2】 電子線によって試料を走査する手段と、
    試料から放出された二次電子信号により試料像を形成す
    る手段と、前記試料像中の同一のパターンを示す複数の
    像、あるいはそれぞれ異なる位置を示す複数の像を各々
    モデルとして登録する登録手段と、試料像の中から前記
    モデルに類似するパターンを検出する手段と、検出され
    た前記パターンとの間の既知の位置関係を用いて前記試
    料像中の目的位置を検出する手段とを備えることを特徴
    とする走査電子顕微鏡。
  3. 【請求項3】 電子線によって試料を走査する手段と、
    試料から放出された二次電子信号により試料像を形成す
    る手段と、前記試料像中の同一のパターンを示す複数の
    像、あるいはそれぞれ異なる位置を示す複数の像を各々
    モデルとして観察倍率、観察条件及び前記試料像中の目
    的位置に対するオフセットとともに登録する登録手段
    と、前記登録された観察倍率及び観察条件を再現する手
    段と、試料像の中から前記モデルに類似するパターンを
    検出する手段と、検出された前記パターンの位置と前記
    オフセットを用いて前記試料像中の目的位置を検出する
    手段とを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
  4. 【請求項4】 前記試料像中で前記複数のモデルの各々
    に対して最も類似したパターンの位置及びその類似度を
    求める手段を備え、前記類似度が最も高いパターンの位
    置及びそれに対応するオフセットを用いて前記試料像中
    の目的位置を検出することを特徴とする請求項3記載の
    走査電子顕微鏡。
  5. 【請求項5】 前記登録手段によって登録された試料像
    中の所定のパターンに対する異なるモデルのうちの1つ
    を基準モデルとして、該基準モデルと他のモデルとの間
    の類似度を求め、各モデルを前記類似度が高い順に順位
    付けする手段を備え、 最初前記試料像の中から前記基準モデルに類似するパタ
    ーンの検出を行い、前記基準モデルに類似するパターン
    を検出できないとき、前記順位付けされた順番で前記モ
    デルを用い、前記試料像の中から該モデルに類似するパ
    ターンの検出を行うことを特徴とする請求項3記載の走
    査電子顕微鏡。
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