JP4357410B2 - 電子顕微鏡による測定条件決定方法 - Google Patents
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Description
図3は、測定条件決定の実施例を示す図である。本実施例ではシュリンク量を示す指標として繰り返し測定における1回目及び2回目の測定値の差分を用いた。また、測定再現性に関しては、繰り返し測定における1回目から20回目までの測定値を用いて近似曲線を作成し、各測定値と近似曲線との差分のばらつきを測定再現性とした。図2のステップ1で示す評価基準値をシュリンク量2.0nm、測定再現性1.0nmと設定した。
Claims (6)
- 電子線照射によって形状が変化する試料を、電子顕微鏡を用いて測定する際の測定条件決定方法において、
試料上の同一箇所に対して同じ測定条件で複数回の測定を行うステップと、
前記試料上の同一箇所に対する同じ測定条件によって得られる測定値の変化量が、予め設定された基準値を満たしているかどうかを判定する第1の判定ステップと、
当該第1の判定ステップにおいて判定の対象となった複数の測定値を得るときと同じ測定条件によって得られる測定値の測定再現性が、予め設定された基準値を満たしているかどうかを判定する第2の判定ステップとを有し、
前記第1の判定で測定値の変化量が予め設定された基準値を満たしていない場合には、試料上の新しい測定箇所に移動し、ドーズ量を少なくするように測定条件を変更して前記ステップを反復し、
前記第2の判定で測定再現性が予め設定された基準値を満たしていない場合には、試料上の新しい測定箇所に移動し、ドーズ量を多くするように測定条件を変更して前記ステップを反復して、
測定値の変化量及び測定再現性が、前記第1の判定と前記第2の判定における前記予め設定された基準値を、いずれも満たす測定条件を探索することを特徴とする測定条件決定方法。 - 請求項1記載の測定条件決定方法において、
測定条件の変更は、電子線の加速電圧、倍率、試料照射電流、画像積算数の少なくとも1つを変更することによって行うことを特徴とする測定条件決定方法。 - 前記複数回の測定により得られる測定値に基づいて近似曲線を作成し、各測定値と近似曲線との差分のばらつきから前記測定再現性を求めることを特徴とする請求項1に記載の測定条件決定方法。
- 電子線照射によって形状が変化する試料を、電子顕微鏡を用いて測定する際の測定条件決定装置において、
試料上の同一箇所に対して同じ測定条件で複数回の測定を行い、前記試料上の同一箇所に対する同じ測定条件によって得られる測定値の変化量が、予め設定された基準値を満たしているかどうかを判定する第1の判定部と、
当該第1の判定部において判定の対象となった複数の測定値を得るときと同じ測定条件によって得られる測定値の測定再現性が、予め設定された基準値を満たしているかどうかを判定する第2の判定部とを有し、
前記第1の判定部で測定値の変化量が予め設定された基準値を満たしていない場合には、試料上の新しい測定箇所に移動させ、ドーズ量を少なくするように測定条件を変更して前記第1の判定部と前記第2の判定部における処理を反復し、
前記第2の判定部における判定で測定再現性が予め設定された基準値を満たしていない場合には、試料上の新しい測定箇所に移動させ、ドーズ量を多くするように測定条件を変更して前記第1の判定部と前記第2の判定部における処理を反復し、測定値の変化量及び測定再現性が、前記第1の判定部の判定と前記第2の判定部の判定における前記予め設定された基準値を、いずれも満たす測定条件を探索することを特徴とする測定条件決定装置。 - 請求項4記載の測定条件決定装置において、
測定条件の変更は、電子線の加速電圧、倍率、試料照射電流、画像積算数の少なくとも1つを変更することによって行うことを特徴とする測定条件決定装置。 - 前記複数回の測定により得られる測定値に基づいて近似曲線を作成し、各測定値と近似曲線との差分のばらつきから前記測定再現性を求めることを特徴とする請求項4に記載の測定条件決定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004367015A JP4357410B2 (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | 電子顕微鏡による測定条件決定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006170924A JP2006170924A (ja) | 2006-06-29 |
JP4357410B2 true JP4357410B2 (ja) | 2009-11-04 |
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ID=36671833
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4357410B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6500055B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2019-04-10 | 株式会社ホロン | 電子ビーム画像取得装置および電子ビーム画像取得方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2607652B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1997-05-07 | 日本電信電話株式会社 | 荷電ビームを用いた測定装置における照射条件決定方法およびそれに用いる評価パタン |
IL156419A0 (en) * | 2001-08-29 | 2004-01-04 | Hitachi Ltd | Sample dimension measuring method and scanning electron microscope |
JP3823117B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2006-09-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測長方法及び走査電子顕微鏡 |
JP4263556B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2009-05-13 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4111908B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2008-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP4223979B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2009-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡装置及び走査型電子顕微鏡装置における装置としての再現性能評価方法 |
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JP2006170924A (ja) | 2006-06-29 |
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