JP3328586B2 - 気密高周波窓 - Google Patents
気密高周波窓Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、進行波管
やクライストロン等のマイクロ波導波管や、これらのマ
イクロ波導波管のマイクロ波電力を利用する機器におい
て、真空部と外部導波管との間に設けられる気密性の高
周波窓に関するものである。
やクライストロン等のマイクロ波導波管や、これらのマ
イクロ波導波管のマイクロ波電力を利用する機器におい
て、真空部と外部導波管との間に設けられる気密性の高
周波窓に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】進行波管やクライストロンのようなマイ
クロ波導波管は、電子ビームを照射する電子銃，電子ビ
ームを補足するコレクタ，マイクロ波増幅部と外部導波
管との接続部となる入出力結合部などから構成されてい
る。この入出力結合部においては、マイクロ波導波管内
部の気密性を保持し、更に、マイクロ波を損失なく透過
させるための気密窓が用いられている。マイクロ波を反
射させることなく透過させるためには、この気密高周波
窓において、マイクロ波のインピーダンス整合が取れて
いる必要がある。
クロ波導波管は、電子ビームを照射する電子銃，電子ビ
ームを補足するコレクタ，マイクロ波増幅部と外部導波
管との接続部となる入出力結合部などから構成されてい
る。この入出力結合部においては、マイクロ波導波管内
部の気密性を保持し、更に、マイクロ波を損失なく透過
させるための気密窓が用いられている。マイクロ波を反
射させることなく透過させるためには、この気密高周波
窓において、マイクロ波のインピーダンス整合が取れて
いる必要がある。
【０００３】図３は、例えば、特開昭５４−１４６５６
１号公報に記載された従来の気密高周波窓の構成を示す
図で、１は方形導波管、２はこの方形導波管１の間に形
成された円形導波管、３は上記円形導波管２の中間部に
設けられた誘電体円板で、この誘電体円板３は上記円形
導波管２に気密ろう付けされている。このような構造の
気密高周波窓はピルボックス型と呼ばれ、以下のような
特徴を持つ。 （１）．誘電体円板３は、方形導波管１に比べて導波管
断面積が大きいので、電界強度が緩和され、そのため、
誘電体の局所発熱による誘電体の応力割れを抑えること
ができる。このため、許容マイクロ波電力が大きい。 （２）．マイクロ波インピーダンス整合は、誘電体円板
３の厚さや円形導波管２の直径，長さの組み合わせを調
整することにより行うことができるので、マイクロ波反
射の小さな気密高周波窓を構成することができる。 （３）．誘電体円板３は円板の円周部をろう付けするよ
うな構造となっているため、ろう付けを均一に行うこと
ができ、ろう付け強度が高い。また、誘電体板として誘
電体円板３を用いているので、均一性が良く、強度も高
いだけでなく内部欠陥等も少ないので、信頼性の高い気
密高周波窓を作製することができる。
１号公報に記載された従来の気密高周波窓の構成を示す
図で、１は方形導波管、２はこの方形導波管１の間に形
成された円形導波管、３は上記円形導波管２の中間部に
設けられた誘電体円板で、この誘電体円板３は上記円形
導波管２に気密ろう付けされている。このような構造の
気密高周波窓はピルボックス型と呼ばれ、以下のような
特徴を持つ。 （１）．誘電体円板３は、方形導波管１に比べて導波管
断面積が大きいので、電界強度が緩和され、そのため、
誘電体の局所発熱による誘電体の応力割れを抑えること
ができる。このため、許容マイクロ波電力が大きい。 （２）．マイクロ波インピーダンス整合は、誘電体円板
３の厚さや円形導波管２の直径，長さの組み合わせを調
整することにより行うことができるので、マイクロ波反
射の小さな気密高周波窓を構成することができる。 （３）．誘電体円板３は円板の円周部をろう付けするよ
うな構造となっているため、ろう付けを均一に行うこと
ができ、ろう付け強度が高い。また、誘電体板として誘
電体円板３を用いているので、均一性が良く、強度も高
いだけでなく内部欠陥等も少ないので、信頼性の高い気
密高周波窓を作製することができる。
【０００４】ところで、この気密高周波窓に更に大きな
電力のマイクロストリップ波を通した場合には、誘電体
円板３の表面に小さな穴が開き、気密性が破られてしま
うという問題点があった。この小さな穴のは、図４の斜
線部に示すように、方形導波管１の方形の長辺中央部１
０と対面する位置９に多く見られるという特徴がある。
これらの穴は、主に、高周波電界によって加速された電
子の衝突（高周波放電）により発生するものと考えられ
る。すなわち、上記ピルボックス型構造の気密高周波窓
における高周波電界分布は、図５（ａ），（ｂ）に示す
ような、誘電体円板３に水平な高周波電界８や、図６
（ａ），（ｂ）に示すようにな、方形導波管１と円形導
波管２の変換部１１から誘電体円板３に垂直に入る高周
波電界１２とが交互に現れる。この上記誘電体円板３に
垂直に入る高周波電界１２は、特に、方形導波管１の方
形長辺部（図４参照）から入射される。電子は、これら
の高周波電界によって加速・衝突し、二次電子を発生さ
せ、この二次電子がまた加速・衝突をし次の二次電子を
発生するといった繰り返しにより、高周波放電に至ると
考えられている。この高周波放電の発生は、上記高周波
電界８，１２の強度と方向及び電子衝突に伴う誘電体円
板３による二次電子放出の割合の多少によって決まる。
そこで、誘電体円板３の表面からの二次電子放出を減少
させるために、図７に示すように、誘電体円板３の表面
全体に、窒化チタン，酸化チタン，酸化クロム等の薄膜
１３をコーティングして高周波放電の発生を抑制してい
た。
電力のマイクロストリップ波を通した場合には、誘電体
円板３の表面に小さな穴が開き、気密性が破られてしま
うという問題点があった。この小さな穴のは、図４の斜
線部に示すように、方形導波管１の方形の長辺中央部１
０と対面する位置９に多く見られるという特徴がある。
これらの穴は、主に、高周波電界によって加速された電
子の衝突（高周波放電）により発生するものと考えられ
る。すなわち、上記ピルボックス型構造の気密高周波窓
における高周波電界分布は、図５（ａ），（ｂ）に示す
ような、誘電体円板３に水平な高周波電界８や、図６
（ａ），（ｂ）に示すようにな、方形導波管１と円形導
波管２の変換部１１から誘電体円板３に垂直に入る高周
波電界１２とが交互に現れる。この上記誘電体円板３に
垂直に入る高周波電界１２は、特に、方形導波管１の方
形長辺部（図４参照）から入射される。電子は、これら
の高周波電界によって加速・衝突し、二次電子を発生さ
せ、この二次電子がまた加速・衝突をし次の二次電子を
発生するといった繰り返しにより、高周波放電に至ると
考えられている。この高周波放電の発生は、上記高周波
電界８，１２の強度と方向及び電子衝突に伴う誘電体円
板３による二次電子放出の割合の多少によって決まる。
そこで、誘電体円板３の表面からの二次電子放出を減少
させるために、図７に示すように、誘電体円板３の表面
全体に、窒化チタン，酸化チタン，酸化クロム等の薄膜
１３をコーティングして高周波放電の発生を抑制してい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の気密高周波窓では、誘電体の表面に薄膜をコ
ーティングした場合でも、誘電体表面からの二次電子の
放出は低減できるものの、放電の元となる電子の発生を
抑制したり、電子の加速を防ぐことができないので、誘
電体表面の穴の発生をなくすことができず、したがっ
て、気密性を十分に保つことができないという問題点が
あった。また、特開昭６３−１５８７２８号公報では、
図８に示すように、入力側の導波管５１の外周側に棒状
の永久磁石５２を配置し、放電の元となる電子の加速を
防ぐ技術が開示されている。なお、同図において、５３
はセラミックス誘電体から成る気密窓、５４は出力側導
波管である。これは、磁界により入力側の導波管５１内
におえるマルチパスタ放電の電子の軌道を変えることに
より、放電条件を変え、入力側の導波管５１内のマルチ
パスタ放電を抑制し、その結果として気密窓５３での放
電を抑制しようとするものである。しかしながら、気密
窓５３における放電は、主に、方形導波管１と円形導波
管２の変換部１１から誘電体円板３に至る部位において
発生する電子の加速によるものが大部分ため、上記例の
ように入力側導波管５１側に磁石５３を配置しても高周
波放電の発生を十分抑制することは困難である。また、
上記例では、磁界の強度や印加方向については言及して
いないが、電界方向に磁界を印加する場合、その磁界強
度によっては、かえって電子を加速し放電を誘発する場
合があるので、印加磁界の大きさは、上記放電を誘発す
るような値を避けるような大きさに設定する必要があ
る。
うな従来の気密高周波窓では、誘電体の表面に薄膜をコ
ーティングした場合でも、誘電体表面からの二次電子の
放出は低減できるものの、放電の元となる電子の発生を
抑制したり、電子の加速を防ぐことができないので、誘
電体表面の穴の発生をなくすことができず、したがっ
て、気密性を十分に保つことができないという問題点が
あった。また、特開昭６３−１５８７２８号公報では、
図８に示すように、入力側の導波管５１の外周側に棒状
の永久磁石５２を配置し、放電の元となる電子の加速を
防ぐ技術が開示されている。なお、同図において、５３
はセラミックス誘電体から成る気密窓、５４は出力側導
波管である。これは、磁界により入力側の導波管５１内
におえるマルチパスタ放電の電子の軌道を変えることに
より、放電条件を変え、入力側の導波管５１内のマルチ
パスタ放電を抑制し、その結果として気密窓５３での放
電を抑制しようとするものである。しかしながら、気密
窓５３における放電は、主に、方形導波管１と円形導波
管２の変換部１１から誘電体円板３に至る部位において
発生する電子の加速によるものが大部分ため、上記例の
ように入力側導波管５１側に磁石５３を配置しても高周
波放電の発生を十分抑制することは困難である。また、
上記例では、磁界の強度や印加方向については言及して
いないが、電界方向に磁界を印加する場合、その磁界強
度によっては、かえって電子を加速し放電を誘発する場
合があるので、印加磁界の大きさは、上記放電を誘発す
るような値を避けるような大きさに設定する必要があ
る。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たもので、高周波電界による電子加速を阻害し、高エネ
ルギー電子の衝突による二次電子の発生や誘電体の加熱
を抑制することで高周波放電を抑止することのできる気
密高周波窓を提供することを目的としている。
たもので、高周波電界による電子加速を阻害し、高エネ
ルギー電子の衝突による二次電子の発生や誘電体の加熱
を抑制することで高周波放電を抑止することのできる気
密高周波窓を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の気密高周波窓は、方形導波管の間に設けられた円形導
波管の中間に配置された誘電体円板に、上記誘電体円板
の表面に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加す
るように構成したものである。
の気密高周波窓は、方形導波管の間に設けられた円形導
波管の中間に配置された誘電体円板に、上記誘電体円板
の表面に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加す
るように構成したものである。
【０００８】請求項２に記載の気密高周波窓は、方形導
波管の間に設けられた誘電体板に、上記誘電体板の表面
に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加するよう
に構成したものである。
波管の間に設けられた誘電体板に、上記誘電体板の表面
に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加するよう
に構成したものである。
【０００９】請求項３に記載の気密高周波窓は、印加す
る磁界の強度Ｂを、式Ｂ0＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆから
求められる磁界強度Ｂ0の整数倍または半整数倍の値
（Ｂ＝（ｎ／２）・Ｂ0；ｎは自然数）を避けるような
大きさに設定したものである。ここで、ｆは導波管内の
マイクロ波の周波数、（ｍ／ｅ）は、電子の比電荷量で
ある。
る磁界の強度Ｂを、式Ｂ0＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆから
求められる磁界強度Ｂ0の整数倍または半整数倍の値
（Ｂ＝（ｎ／２）・Ｂ0；ｎは自然数）を避けるような
大きさに設定したものである。ここで、ｆは導波管内の
マイクロ波の周波数、（ｍ／ｅ）は、電子の比電荷量で
ある。
【００１０】請求項４に記載の気密高周波窓は、印加す
る磁界の強度Ｂを、上記磁界強度Ｂ0の７０％〜８０％
の値になるように設定したものである。
る磁界の強度Ｂを、上記磁界強度Ｂ0の７０％〜８０％
の値になるように設定したものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づき説明する。 実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係わるピ
ルボックス型構造の気密高周波窓の構成を示す図で、１
は方形導波管、２はこの方形導波管１の間に形成された
円形導波管、３は上記円形導波管２の中間部に設けられ
た誘電体円板で、この誘電体円板３は上記円形導波管２
に気密ろう付けされている。また、４は上記円形導波管
２の外周に両極が対向するように配置された永久磁石
で、５はこの永久磁石を保持するホルダである。上記永
久磁石４は、上記誘電体円板３の周囲に、同図の矢印に
示すような、上記誘電体円板３の表面に平行で、かつ、
電界方向に垂直な磁界強度がＢの磁界６を印加する。こ
のとき、上記磁界（外部印加磁界）６の強度は、式Ｂ0
＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆから求められる磁界強度Ｂ0の
７０％〜８０％の値になるように設定した。ここで、磁
界強度Ｂの単位を（Ｔ）、マイクロ波の周波数ｆの単位
を（ＧＨｚ）としたときは、Ｂ0（Ｔ）≒０．０３５７
・ｆ（ＧＨｚ）で与えられる。
て、図面に基づき説明する。 実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係わるピ
ルボックス型構造の気密高周波窓の構成を示す図で、１
は方形導波管、２はこの方形導波管１の間に形成された
円形導波管、３は上記円形導波管２の中間部に設けられ
た誘電体円板で、この誘電体円板３は上記円形導波管２
に気密ろう付けされている。また、４は上記円形導波管
２の外周に両極が対向するように配置された永久磁石
で、５はこの永久磁石を保持するホルダである。上記永
久磁石４は、上記誘電体円板３の周囲に、同図の矢印に
示すような、上記誘電体円板３の表面に平行で、かつ、
電界方向に垂直な磁界強度がＢの磁界６を印加する。こ
のとき、上記磁界（外部印加磁界）６の強度は、式Ｂ0
＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆから求められる磁界強度Ｂ0の
７０％〜８０％の値になるように設定した。ここで、磁
界強度Ｂの単位を（Ｔ）、マイクロ波の周波数ｆの単位
を（ＧＨｚ）としたときは、Ｂ0（Ｔ）≒０．０３５７
・ｆ（ＧＨｚ）で与えられる。
【００１２】方形導波管１と円形導波管２の変換部１１
から誘電体円板３に至る部位において発生する電子は、
図５，図６に示すようなピルボックス型構造の気密高周
波窓における高周波電界分布に沿って加速されようとす
るが、磁界６は上記電界方向に垂直方向に作用するの
で、上記電子の軌道は電子の速度方向と磁界方向の双方
に垂直な力（ローレンツ力）を受けて変化する。このた
め、上記電子は上記高周波電界より一定加速度を受ける
ことがないので（エネルギーを得難くできるので）、減
速される。但し、上記外部印加磁界６の強度Ｂが、以下
に示す電子サイクロトロン共鳴条件に一致するように設
定された場合には、上記電子の回転運動と高周波電界の
方向変化のタイミングが一致してしまうため、上記電子
は常に加速されるようになるので、磁界を印加すること
でかえって電子を加速し放電を誘発することになってし
まう。また、外部印加磁界６の強度Ｂが、上記電子サイ
クロトロン共鳴条件の半分の大きさに設定された場合に
も、反転した電子が加速されて衝突を起こす、いわゆる
一面性のマルチパクタ条件を満たすため、電子を加速し
放電を誘発することになる。したがって、外部印加磁界
６の強度Ｂとしては、上記各共振条件（Ｂ＝（ｎ／２）
・Ｂ0；ｎは自然数）の近傍を避け、電子が減速される
ような大きさに設定する必要がある。本実施の形態１で
は、上述したように、上記磁界６の強度Ｂを、上記各共
振条件の近傍を避けてＢ0の７０％〜８０％の値になる
ように設定し、放電を誘発するような値を避けるととも
に高周波放電の発生を十分抑制できるようにした。
から誘電体円板３に至る部位において発生する電子は、
図５，図６に示すようなピルボックス型構造の気密高周
波窓における高周波電界分布に沿って加速されようとす
るが、磁界６は上記電界方向に垂直方向に作用するの
で、上記電子の軌道は電子の速度方向と磁界方向の双方
に垂直な力（ローレンツ力）を受けて変化する。このた
め、上記電子は上記高周波電界より一定加速度を受ける
ことがないので（エネルギーを得難くできるので）、減
速される。但し、上記外部印加磁界６の強度Ｂが、以下
に示す電子サイクロトロン共鳴条件に一致するように設
定された場合には、上記電子の回転運動と高周波電界の
方向変化のタイミングが一致してしまうため、上記電子
は常に加速されるようになるので、磁界を印加すること
でかえって電子を加速し放電を誘発することになってし
まう。また、外部印加磁界６の強度Ｂが、上記電子サイ
クロトロン共鳴条件の半分の大きさに設定された場合に
も、反転した電子が加速されて衝突を起こす、いわゆる
一面性のマルチパクタ条件を満たすため、電子を加速し
放電を誘発することになる。したがって、外部印加磁界
６の強度Ｂとしては、上記各共振条件（Ｂ＝（ｎ／２）
・Ｂ0；ｎは自然数）の近傍を避け、電子が減速される
ような大きさに設定する必要がある。本実施の形態１で
は、上述したように、上記磁界６の強度Ｂを、上記各共
振条件の近傍を避けてＢ0の７０％〜８０％の値になる
ように設定し、放電を誘発するような値を避けるととも
に高周波放電の発生を十分抑制できるようにした。
【００１３】なお、上記実施の形態１では、永久磁石４
により磁界６を印加するようにしたが、電磁石を用いて
上記磁界を印加するようにしても良い。また、上記磁界
６の強度Ｂは大きければ電子加速の抑止効果が大きい
が、例えばＢ0の１２０％以上では、高飽和磁束密度を
有する永久磁石を使用するか、あるいは大きな磁界発生
装置が必要となるので、磁界６の強度はＢ0の７０％〜
８０％の値が望ましい。
により磁界６を印加するようにしたが、電磁石を用いて
上記磁界を印加するようにしても良い。また、上記磁界
６の強度Ｂは大きければ電子加速の抑止効果が大きい
が、例えばＢ0の１２０％以上では、高飽和磁束密度を
有する永久磁石を使用するか、あるいは大きな磁界発生
装置が必要となるので、磁界６の強度はＢ0の７０％〜
８０％の値が望ましい。
【００１４】実施の形態２．上記実施の形態１では、ピ
ルボックス型構造の気密高周波窓において、誘電体円板
３の表面に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加
したが、図２に示すように、方形導波管１の間に誘電体
板７を配置した構造の気密高周波窓においても、上記誘
電体板７に、誘電体板７の表面に平行で、かつ、電界方
向に垂直な磁界を印加することにより、上記誘電体板７
近傍の電子の加速を抑制し、高周波放電の発生を防ぐこ
とができる。
ルボックス型構造の気密高周波窓において、誘電体円板
３の表面に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加
したが、図２に示すように、方形導波管１の間に誘電体
板７を配置した構造の気密高周波窓においても、上記誘
電体板７に、誘電体板７の表面に平行で、かつ、電界方
向に垂直な磁界を印加することにより、上記誘電体板７
近傍の電子の加速を抑制し、高周波放電の発生を防ぐこ
とができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、方形導波管の間に設けられた円形導波管の
中間に配置された誘電体円板に、上記誘電体円板の表面
に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加するよう
にしたので、気密高周波窓近傍での高周波電界による電
子加速を阻害し高周波放電を十分抑止することのできる
とともに、高エネルギー電子の衝突による二次電子の発
生や誘電体の加熱を抑制することができ、耐電力の高い
気密高周波窓を得ることができる。
明によれば、方形導波管の間に設けられた円形導波管の
中間に配置された誘電体円板に、上記誘電体円板の表面
に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加するよう
にしたので、気密高周波窓近傍での高周波電界による電
子加速を阻害し高周波放電を十分抑止することのできる
とともに、高エネルギー電子の衝突による二次電子の発
生や誘電体の加熱を抑制することができ、耐電力の高い
気密高周波窓を得ることができる。
【００１６】請求項２に記載の発明によれば、方形導波
管の間に設けられた誘電体板に、上記誘電体板の表面に
平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加するように
したので、誘電体板近傍の電子の加速を抑制することが
でき、高周波放電の発生を防ぐことができる。
管の間に設けられた誘電体板に、上記誘電体板の表面に
平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界を印加するように
したので、誘電体板近傍の電子の加速を抑制することが
でき、高周波放電の発生を防ぐことができる。
【００１７】請求項３に記載の発明によれば、印加する
磁界の強度Ｂを、式Ｂ0＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆから求
められる磁界強度Ｂ0の整数倍または半整数倍の値（Ｂ
＝（ｎ／２）・Ｂ0；ｎは自然数）を避けるような大き
さに設定したので、磁界強度の大きさとして、電子サイ
クロトロン共鳴条件やあるいは一面性のマルチパクタ条
件等の共振条件近傍の値を避けることができ、磁界印加
による放電の誘発を防ぐことができる。
磁界の強度Ｂを、式Ｂ0＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆから求
められる磁界強度Ｂ0の整数倍または半整数倍の値（Ｂ
＝（ｎ／２）・Ｂ0；ｎは自然数）を避けるような大き
さに設定したので、磁界強度の大きさとして、電子サイ
クロトロン共鳴条件やあるいは一面性のマルチパクタ条
件等の共振条件近傍の値を避けることができ、磁界印加
による放電の誘発を防ぐことができる。
【００１８】請求項４に記載の気密高周波窓は、印加す
る磁界の強度Ｂを、上記磁界強度Ｂ0の７０％〜８０％
の値になるように設定したので、高周波電界による電子
加速を効率良く抑制することができる。
る磁界の強度Ｂを、上記磁界強度Ｂ0の７０％〜８０％
の値になるように設定したので、高周波電界による電子
加速を効率良く抑制することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係わる気密高周波窓
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係わる気密高周波窓
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 従来の気密高周波窓を示す図である。
【図４】 誘電体円板表面の状態を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】 気密高周波窓内部の電界分布の一例を示す図
である。
である。
【図６】 図５に対して位相が９０度ずれたときの気密
高周波窓内部の電界分布例を示す図である。
高周波窓内部の電界分布例を示す図である。
【図７】 誘電体円板表面のコーティング状態を示す図
である。
である。
【図８】 従来の気密高周波窓の他の例を示す図であ
る。
る。
１ 方形導波管、２ 円形導波管、３ 誘電体円板、４
永久磁石、５ ホルダ、６ 外部磁界、７ 誘電体
板、８ 誘電体円板に平行な電界、９ （誘電体表面
の）方形導波管の長辺中央部と対面する部位、１０ 方
形導波管の長辺中央部、１１ 方形・円形導波管変換
部、１２ 誘電体円板に垂直な電界。
永久磁石、５ ホルダ、６ 外部磁界、７ 誘電体
板、８ 誘電体円板に平行な電界、９ （誘電体表面
の）方形導波管の長辺中央部と対面する部位、１０ 方
形導波管の長辺中央部、１１ 方形・円形導波管変換
部、１２ 誘電体円板に垂直な電界。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/08 H01J 23/40 H05H 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 方形導波管の間に設けられた円形導波管
の中間に誘電体円板を配置し、この誘電体円板の円周部
と上記円形導波管壁面とを封着し、導波管内部を気密封
止した気密高周波窓において、上記誘電体円板周辺に誘
電体円板の表面に平行で、かつ、電界方向に垂直な磁界
を印加したことを特徴とする気密高周波窓。 - 【請求項２】 方形導波管の間に誘電体板を配置し、上
記誘電体板の外周部と上記方形導波管壁面とを封着し、
導波管内部を気密封止した気密高周波窓において、上記
誘電体板周辺に誘電体板の表面に平行で、かつ、電界方
向に垂直な磁界を印加したことを特徴とする気密高周波
窓。 - 【請求項３】 ｆを導波管内のマイクロ波の周波数と
し、（ｅ／ｍ）を電子の比電荷量としたとき、上記印加
する磁界の強度Ｂを、式Ｂ0＝２π・（ｍ／ｅ）・ｆか
ら求められる磁界強度Ｂ0の整数倍または半整数倍の値
を避けるような大きさに設定したことを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の気密高周波窓。 - 【請求項４】 上記印加する磁界の強度Ｂを、上記磁界
強度Ｂ0の７０％〜８０％の値になるように設定したこ
とを特徴とする請求項３に記載の気密高周波窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17342798A JP3328586B2 (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 気密高周波窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17342798A JP3328586B2 (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 気密高周波窓 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000013102A JP2000013102A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3328586B2 true JP3328586B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=15960262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17342798A Expired - Fee Related JP3328586B2 (ja) | 1998-06-19 | 1998-06-19 | 気密高周波窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3328586B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101307270B1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-09-11 | 엘아이지넥스원 주식회사 | Ｗ대역 광대역 라디오 주파수 윈도우 장치에 적용되는 내부 장치 |
-
1998
- 1998-06-19 JP JP17342798A patent/JP3328586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101307270B1 (ko) | 2012-05-25 | 2013-09-11 | 엘아이지넥스원 주식회사 | Ｗ대역 광대역 라디오 주파수 윈도우 장치에 적용되는 내부 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000013102A (ja) | 2000-01-14 |
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