JP3326190B2 - 半導体ウエーハの鏡面面取り方法 - Google Patents
半導体ウエーハの鏡面面取り方法Info
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- JP3326190B2 JP3326190B2 JP28225591A JP28225591A JP3326190B2 JP 3326190 B2 JP3326190 B2 JP 3326190B2 JP 28225591 A JP28225591 A JP 28225591A JP 28225591 A JP28225591 A JP 28225591A JP 3326190 B2 JP3326190 B2 JP 3326190B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハの円弧
状周縁の砥石により面取りされた側面、すなわちウエー
ハの主面に対する傾斜側面、垂直側面または断面が曲線
状の側面を鏡面面取りする改良された方法に関する。
状周縁の砥石により面取りされた側面、すなわちウエー
ハの主面に対する傾斜側面、垂直側面または断面が曲線
状の側面を鏡面面取りする改良された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハは脆いものであるから、
取扱中に周縁に欠け、割れ等の損傷を起こし易いので、
これを防止するため研磨材によって周縁に面取り、すな
わちウエーハ周縁の側面に、ウエーハの主面に対する傾
斜側面、または断面が曲線状の側面を形成している。例
えば図３に示すように、ウエーハ１の周縁側面を、垂直
側面２を中央に残し、両側にウエーハの主面３に対する
傾斜側面４を形成している。
取扱中に周縁に欠け、割れ等の損傷を起こし易いので、
これを防止するため研磨材によって周縁に面取り、すな
わちウエーハ周縁の側面に、ウエーハの主面に対する傾
斜側面、または断面が曲線状の側面を形成している。例
えば図３に示すように、ウエーハ１の周縁側面を、垂直
側面２を中央に残し、両側にウエーハの主面３に対する
傾斜側面４を形成している。
【０００３】ウエーハの周縁を面取り加工するには、図
４（ａ）に示すように、ウエーハの主面３に対し所定角
度傾斜させて研磨する回転砥石５をウエーハの周縁を周
回させるか、ウエーハ１を自転させる。ウエーハ１の直
線状周縁すなわちオリエンテーションフラット６を面取
り加工するには、図４（ｂ）に示すように、従来どおり
回転砥石５またはウエーハ１をオリエンテーションフラ
ット６に沿って直線移動させる。
４（ａ）に示すように、ウエーハの主面３に対し所定角
度傾斜させて研磨する回転砥石５をウエーハの周縁を周
回させるか、ウエーハ１を自転させる。ウエーハ１の直
線状周縁すなわちオリエンテーションフラット６を面取
り加工するには、図４（ｂ）に示すように、従来どおり
回転砥石５またはウエーハ１をオリエンテーションフラ
ット６に沿って直線移動させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし近年、電子装置
例えばコンピュータ等の高性能化により、半導体ウエー
ハの一面に形成するＩＣ回路の密度はいちじるしく増大
した。そのため半導体ウエーハの直径を６インチ、８イ
ンチと大型化するだけでなく、ウエーハの主面と周縁の
面取りの精密仕上げを要求され、バフによる鏡面面取り
仕上げを必要とするにいたった。
例えばコンピュータ等の高性能化により、半導体ウエー
ハの一面に形成するＩＣ回路の密度はいちじるしく増大
した。そのため半導体ウエーハの直径を６インチ、８イ
ンチと大型化するだけでなく、ウエーハの主面と周縁の
面取りの精密仕上げを要求され、バフによる鏡面面取り
仕上げを必要とするにいたった。
【０００５】従来、ロールに研磨布を取り付け、ウエー
ハの円弧状周縁の側面をなす傾斜側面、垂直側面等に押
し当て鏡面面取りするか、回転円板にバフを貼付してウ
エーハ側面に一定圧力で当接し、６インチのウエーハの
場合約１０分かけて鏡面面取りしているが、いずれも常
に研磨布またはバフ面の同じ位置を使用するので消耗が
激しく経済的でないだけでなく、良好な鏡面面取りを行
うことができず、面取りの自動化も進められなかった。
ハの円弧状周縁の側面をなす傾斜側面、垂直側面等に押
し当て鏡面面取りするか、回転円板にバフを貼付してウ
エーハ側面に一定圧力で当接し、６インチのウエーハの
場合約１０分かけて鏡面面取りしているが、いずれも常
に研磨布またはバフ面の同じ位置を使用するので消耗が
激しく経済的でないだけでなく、良好な鏡面面取りを行
うことができず、面取りの自動化も進められなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
し、バフの耐久性を高め、高精度の鏡面仕上げが可能な
方法を提供するもので、これは半導体ウエーハの円弧状
周縁側面に、回転するバフを当接させ鏡面面取りする半
導体ウエーハの鏡面面取り方法において、バフをウエー
ハの円弧状周縁に直角方向でかつバフ面に平行方向に移
動させ、常にバフ面の異なる位置をウエーハの側面に当
接させながら、ウエーハを自転させるかバフを円弧状周
縁に沿って公転させ、複数個のバフを用いてウエーハの
円弧状周縁の全側面を同時に鏡面面取りすることを特徴
とする半導体ウエーハの鏡面面取り方法を要旨とする。
し、バフの耐久性を高め、高精度の鏡面仕上げが可能な
方法を提供するもので、これは半導体ウエーハの円弧状
周縁側面に、回転するバフを当接させ鏡面面取りする半
導体ウエーハの鏡面面取り方法において、バフをウエー
ハの円弧状周縁に直角方向でかつバフ面に平行方向に移
動させ、常にバフ面の異なる位置をウエーハの側面に当
接させながら、ウエーハを自転させるかバフを円弧状周
縁に沿って公転させ、複数個のバフを用いてウエーハの
円弧状周縁の全側面を同時に鏡面面取りすることを特徴
とする半導体ウエーハの鏡面面取り方法を要旨とする。
【０００７】このようにバフ面の異なる位置を、ウエー
ハの円弧状周縁の傾斜側面、垂直側面等に当接して鏡面
面取りする結果、バフの全面を使用することになり、局
部的な摩耗を防ことができるので、面取り途中でバフの
ドレッシングをする必要がなく、バフの長寿命化を果た
し、高精度の鏡面面取りを行うことができる。またバフ
は１個に限らず複数個設け、ウエーハの円弧状周縁の各
傾斜側面、垂直側面等に当接させてすべての側面を同時
に鏡面面取りすれば、作業効率は飛躍的に向上し、自動
化もきわめて容易となる。
ハの円弧状周縁の傾斜側面、垂直側面等に当接して鏡面
面取りする結果、バフの全面を使用することになり、局
部的な摩耗を防ことができるので、面取り途中でバフの
ドレッシングをする必要がなく、バフの長寿命化を果た
し、高精度の鏡面面取りを行うことができる。またバフ
は１個に限らず複数個設け、ウエーハの円弧状周縁の各
傾斜側面、垂直側面等に当接させてすべての側面を同時
に鏡面面取りすれば、作業効率は飛躍的に向上し、自動
化もきわめて容易となる。
【０００８】以下図によって本発明を説明する。図１
（ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−１）は、本発明を説明
するもので、傾斜側面４に回転円板７に貼付したバフ８
を一定圧力で当接させ、矢印で示すように、ウエーハの
円弧状周縁に直角方向でかつバフ面に平行方向、いいか
えるとバフの回転軸９に直角方向に、移動させて面取り
仕上げするときの部分平面図で、（ａ−２），（ｂ−
２），（ｃ−２）は各場合に相当した部分側面図であ
る。バフのウエーハに当接する位置は、バフの回転中心
から周縁までとすれば、バフの全面を使用して鏡面仕上
げしたことになる。バフは自転しながら、ウエーハの全
円弧状周縁を公転するか、ウエーハをゆっくりと自転さ
せ、ウエーハの全円弧状周縁の側面を鏡面面取りするこ
とができる。これらの移動を図示しない駆動装置によっ
て自動的に繰り返すようにすれば、効率よくかつ高精度
の鏡面面取り仕上げを行うことができる。
（ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−１）は、本発明を説明
するもので、傾斜側面４に回転円板７に貼付したバフ８
を一定圧力で当接させ、矢印で示すように、ウエーハの
円弧状周縁に直角方向でかつバフ面に平行方向、いいか
えるとバフの回転軸９に直角方向に、移動させて面取り
仕上げするときの部分平面図で、（ａ−２），（ｂ−
２），（ｃ−２）は各場合に相当した部分側面図であ
る。バフのウエーハに当接する位置は、バフの回転中心
から周縁までとすれば、バフの全面を使用して鏡面仕上
げしたことになる。バフは自転しながら、ウエーハの全
円弧状周縁を公転するか、ウエーハをゆっくりと自転さ
せ、ウエーハの全円弧状周縁の側面を鏡面面取りするこ
とができる。これらの移動を図示しない駆動装置によっ
て自動的に繰り返すようにすれば、効率よくかつ高精度
の鏡面面取り仕上げを行うことができる。
【０００９】図２の（ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−
１）は、ウエーハ１をオリエンテーションフラット６に
沿って直線移動させ鏡面研磨する場合の部分平面図であ
るが、この場合は、バフに自転と直線移動させるだけ
で、バフの全面を使用して鏡面面取りすることができ
る。ただしバフの直径が直線状周縁より長い場合はバフ
をこの周縁方向に往復移動させてバフの全面を使用する
のが好ましい。
１）は、ウエーハ１をオリエンテーションフラット６に
沿って直線移動させ鏡面研磨する場合の部分平面図であ
るが、この場合は、バフに自転と直線移動させるだけ
で、バフの全面を使用して鏡面面取りすることができ
る。ただしバフの直径が直線状周縁より長い場合はバフ
をこの周縁方向に往復移動させてバフの全面を使用する
のが好ましい。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、バフの全面を有効に使用する
ことにより、バフの寿命を長くすることができる。さら
に、複数個のバフを用いてウエーハの円弧状周縁の全側
面を同時に鏡面面取りすることで面取り効率を上げるこ
とができるとともに、高精度の鏡面面取り仕上げを行う
ことができ、品質の向上とコストの低下に大きな効果を
もたらす。
ことにより、バフの寿命を長くすることができる。さら
に、複数個のバフを用いてウエーハの円弧状周縁の全側
面を同時に鏡面面取りすることで面取り効率を上げるこ
とができるとともに、高精度の鏡面面取り仕上げを行う
ことができ、品質の向上とコストの低下に大きな効果を
もたらす。
【図１】 本発明の方法の説明図で、（ａ−１），（ｂ
−１），（ｃ−１）は、ウエーハの円弧状周縁に沿って
バフを移動させる場合の部分平面図、（ａ−２），（ｂ
−２），（ｃ−２）は各場合の部分側面図である。
−１），（ｃ−１）は、ウエーハの円弧状周縁に沿って
バフを移動させる場合の部分平面図、（ａ−２），（ｂ
−２），（ｃ−２）は各場合の部分側面図である。
【図２】 （ａ−１），（ｂ−１），（ｃ−１）は、オ
リエンテーションフラットを鏡面面取りするためバフを
直線移動させた場合の部分平面図である。
リエンテーションフラットを鏡面面取りするためバフを
直線移動させた場合の部分平面図である。
【図３】 従来のウエーハの縦断面図である。
【図４】 （ａ）はウエーハの円弧状周縁を回転砥石て
面取りする説明図、（ｂ）はオリエンテーションフラッ
トを面取りする説明図である。
面取りする説明図、（ｂ）はオリエンテーションフラッ
トを面取りする説明図である。
１ ウエーハ ２ 垂直側面 ３ 主面 ４ 傾斜側面 ５ 回転砥石 ６ オリエンテーションフラット ７ 回転円板 ８ バフ ９ バフの回転軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−301135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−199344（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−303759（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−129656（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−170945（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 9/00 601 B24B 29/00
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエーハの円弧状周縁側面に、回
転するバフを当接させて行う半導体ウエーハの鏡面面取
り方法において、バフをウエーハの円弧状周縁に直角方
向でかつバフ面に平行方向に移動させ、常にバフ面の異
なる位置をウエーハの側面に当接させながら、ウエーハ
を自転させるかバフを円弧状周縁に沿って公転させ、複
数個のバフを用いてウエーハの円弧状周縁の全側面を同
時に鏡面面取りすることを特徴とする半導体ウエーハの
鏡面面取り方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28225591A JP3326190B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体ウエーハの鏡面面取り方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28225591A JP3326190B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体ウエーハの鏡面面取り方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102111A JPH05102111A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3326190B2 true JP3326190B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=17650072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28225591A Expired - Fee Related JP3326190B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体ウエーハの鏡面面取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3326190B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110593A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Sony Corp | ウエハエッジ部の残膜除去方法及び除去装置 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP28225591A patent/JP3326190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102111A (ja) | 1993-04-23 |
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