JP3325993B2 - 酸化物半導体を用いたトランジスタおよびその形成方法 - Google Patents
酸化物半導体を用いたトランジスタおよびその形成方法Info
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- JP3325993B2 JP3325993B2 JP02411794A JP2411794A JP3325993B2 JP 3325993 B2 JP3325993 B2 JP 3325993B2 JP 02411794 A JP02411794 A JP 02411794A JP 2411794 A JP2411794 A JP 2411794A JP 3325993 B2 JP3325993 B2 JP 3325993B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、酸化物半導体を用い
たトランジスタ（以下、酸化物トランジスタとも称す
る）に関する。
たトランジスタ（以下、酸化物トランジスタとも称す
る）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の酸化物半導体を用いたトランジス
タとして、例えば、文献：「沖電気研究開発 １９９４
年１月 第１６１号 Ｖｏｌ．６１，Ｎｏ１，ｐｐ．８
１−８６」の図１に記載されたものがある。このトラン
ジスタでは、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 （ＢＲＢＯ）薄膜
にインジウム（Ｉｎ）を蒸着するとこの界面が整流特性
を示すことを利用して、酸化物半導体（ＮｂドープＳｒ
ＴｉＯ3 （ＳＴＯ））の基板の主表面上にＢＲＢＯのベ
ース層を設け、このベース層上に金（Ａｕ）のベース電
極およびインジウム（Ｉｎ）のコレクタ電極を兼ねるコ
レクタ層を設け、基板上にはエミッタ電極を設けてい
る。
タとして、例えば、文献：「沖電気研究開発 １９９４
年１月 第１６１号 Ｖｏｌ．６１，Ｎｏ１，ｐｐ．８
１−８６」の図１に記載されたものがある。このトラン
ジスタでは、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 （ＢＲＢＯ）薄膜
にインジウム（Ｉｎ）を蒸着するとこの界面が整流特性
を示すことを利用して、酸化物半導体（ＮｂドープＳｒ
ＴｉＯ3 （ＳＴＯ））の基板の主表面上にＢＲＢＯのベ
ース層を設け、このベース層上に金（Ａｕ）のベース電
極およびインジウム（Ｉｎ）のコレクタ電極を兼ねるコ
レクタ層を設け、基板上にはエミッタ電極を設けてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た酸化物半導体を用いたトランジスタでは、エミッタ電
極が酸化物半導体基板上のベース層と同一平面上に設け
てある。ベース層は非常に薄いので、エミッタ電極とベ
ース／コレクタ界面とは実質同じ面上にある。このた
め、エミッタ電極から基板に注入された電子は、基板中
の電界分布が不均一なため、注入されたときの電子の進
行方向から１８０度向きを回転させてコレクタ層に入射
することになる。その結果、エミッタ電極から基板に注
入された電流のうちベース電極へ流れる割合が増えてし
まい、エミッタ電極からコレクタ層へ流れる電子の割合
（エミッタ注入効率）が小さくなる原因となる。
た酸化物半導体を用いたトランジスタでは、エミッタ電
極が酸化物半導体基板上のベース層と同一平面上に設け
てある。ベース層は非常に薄いので、エミッタ電極とベ
ース／コレクタ界面とは実質同じ面上にある。このた
め、エミッタ電極から基板に注入された電子は、基板中
の電界分布が不均一なため、注入されたときの電子の進
行方向から１８０度向きを回転させてコレクタ層に入射
することになる。その結果、エミッタ電極から基板に注
入された電流のうちベース電極へ流れる割合が増えてし
まい、エミッタ電極からコレクタ層へ流れる電子の割合
（エミッタ注入効率）が小さくなる原因となる。
【０００４】一方、酸化物半導体基板の主表面の裏面側
にエミッタ電極を設けた場合、エミッタ電極から基板に
注入された電子は、主表面に到達するまでに厚い基板中
で広がってしまう。このため、この場合も、エミッタ注
入効率が小さくなる原因となる。
にエミッタ電極を設けた場合、エミッタ電極から基板に
注入された電子は、主表面に到達するまでに厚い基板中
で広がってしまう。このため、この場合も、エミッタ注
入効率が小さくなる原因となる。
【０００５】エミッタ注入効率が小さくなると、トラン
ジスタの増幅率が小さくなってしまうという問題があ
る。このため、エミッタ注入効率の良い、酸化物半導体
を用いたトランジスタの実現が望まれていた。
ジスタの増幅率が小さくなってしまうという問題があ
る。このため、エミッタ注入効率の良い、酸化物半導体
を用いたトランジスタの実現が望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の酸化物半導体
を用いたトランジスタによれば、エミッタ層を兼ねる、
ニオブ（Ｎｂ）またはバナジウム（Ｖ）がドープされた
ＳｒＴｉＯ3 の酸化物半導体基板（以下、ＳＴＯ基板と
も略称する）の主表面上に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3
（以下、ＢＲＢＯとも略称する）または（Ｂａ，Ｋ）Ｂ
ｉＯ3 （以下、ＢＫＢＯとも略称する）のベース層を具
え、このベース層上に、ベース電極と、アルミニウム
（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）またはクロム（Ｃｒ）の
コレクタ層とを具えてなるトランジスタであって、この
主表面上のベース層の非形成領域であって、ベース電極
よりもコレクタ層に近い領域に、エッチピットが設けて
ある。また、このエッチピットの斜面のうちベース層側
の斜面上にエミッタ電極が設けてあることを特徴とす
る。
を用いたトランジスタによれば、エミッタ層を兼ねる、
ニオブ（Ｎｂ）またはバナジウム（Ｖ）がドープされた
ＳｒＴｉＯ3 の酸化物半導体基板（以下、ＳＴＯ基板と
も略称する）の主表面上に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3
（以下、ＢＲＢＯとも略称する）または（Ｂａ，Ｋ）Ｂ
ｉＯ3 （以下、ＢＫＢＯとも略称する）のベース層を具
え、このベース層上に、ベース電極と、アルミニウム
（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）またはクロム（Ｃｒ）の
コレクタ層とを具えてなるトランジスタであって、この
主表面上のベース層の非形成領域であって、ベース電極
よりもコレクタ層に近い領域に、エッチピットが設けて
ある。また、このエッチピットの斜面のうちベース層側
の斜面上にエミッタ電極が設けてあることを特徴とす
る。
【０００７】また、この発明の酸化物半導体を用いたト
ランジスタの形成方法によれば、トランジスタのエミッ
タ層となる、ＮｂまたはＶがドープされたＳｒＴｉＯ3
の酸化物半導体基板の主表面にエッチピットを形成する
工程と、このエッチピットが形成された酸化物半導体の
主表面上に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 または（Ｂａ，
Ｋ）ＢｉＯ3 の予備ベース層を形成する工程と、この予
備ベース層上に、Ａｌ、ＩｎまたはＣｒのコレクタ層と
ベース電極とを、このコレクタ層がこのベース電極より
もエッチピットに近くなるように形成する工程と、この
予備ベース層に対してエッチングを行なって、エッチピ
ットの近傍にベース層を画成する工程と、エッチピット
の斜面のうちベース層側の斜面上にエミッタ電極を形成
する工程とを含むことを特徴とする。
ランジスタの形成方法によれば、トランジスタのエミッ
タ層となる、ＮｂまたはＶがドープされたＳｒＴｉＯ3
の酸化物半導体基板の主表面にエッチピットを形成する
工程と、このエッチピットが形成された酸化物半導体の
主表面上に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 または（Ｂａ，
Ｋ）ＢｉＯ3 の予備ベース層を形成する工程と、この予
備ベース層上に、Ａｌ、ＩｎまたはＣｒのコレクタ層と
ベース電極とを、このコレクタ層がこのベース電極より
もエッチピットに近くなるように形成する工程と、この
予備ベース層に対してエッチングを行なって、エッチピ
ットの近傍にベース層を画成する工程と、エッチピット
の斜面のうちベース層側の斜面上にエミッタ電極を形成
する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】この発明の酸化物半導体を用いたトランジスタ
およびその形成方法によれば、酸化物半導体の基板の主
表面にエッチピットを設け、このエッチピットのコレク
タ層側の斜面にエミッタ電極を形成している。このた
め、エミッタ電極をベース層と同一の平面上に設けた場
合に比べて、エミッタ電極およびベース電極間の距離に
対して、エミッタ電極およびベース電極間の距離が小さ
くなる。また、エッチピットの斜面にエミッタ電極を形
成するので電界分布の不均一さが改善され、エミッタ電
極から基板に注入された電子は、コレクタ層に入射する
までに向きを回転する角度が１８０度よりも少なくて済
む。その結果、エミッタ注入効率を向上させることがで
きる。
およびその形成方法によれば、酸化物半導体の基板の主
表面にエッチピットを設け、このエッチピットのコレク
タ層側の斜面にエミッタ電極を形成している。このた
め、エミッタ電極をベース層と同一の平面上に設けた場
合に比べて、エミッタ電極およびベース電極間の距離に
対して、エミッタ電極およびベース電極間の距離が小さ
くなる。また、エッチピットの斜面にエミッタ電極を形
成するので電界分布の不均一さが改善され、エミッタ電
極から基板に注入された電子は、コレクタ層に入射する
までに向きを回転する角度が１８０度よりも少なくて済
む。その結果、エミッタ注入効率を向上させることがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の酸化物半
導体を用いたトランジスタおよびその形成方法の実施例
について説明する。尚、図面は、この発明が理解できる
程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略
的に示してあるに過ぎない。従って、この発明はこの図
示例にのみ限定されるものでないことは明らかである。
導体を用いたトランジスタおよびその形成方法の実施例
について説明する。尚、図面は、この発明が理解できる
程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略
的に示してあるに過ぎない。従って、この発明はこの図
示例にのみ限定されるものでないことは明らかである。
【００１０】１．第１実施例 第１実施例では、この発明の酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタの構造の一例について説明する。図１の第１実
施例の酸化物半導体を用いたトランジスタの構造の説明
に供する構造図である。図面の上側には、主表面の上方
から見た平面図を示し、下側には平面図のＩ−Ｉでの切
り口に沿った断面図を示している。
ンジスタの構造の一例について説明する。図１の第１実
施例の酸化物半導体を用いたトランジスタの構造の説明
に供する構造図である。図面の上側には、主表面の上方
から見た平面図を示し、下側には平面図のＩ−Ｉでの切
り口に沿った断面図を示している。
【００１１】この実施例の酸化物半導体を用いたトラン
ジスタは、エミッタ層を兼ね、ＮｂがドープされたＳｒ
ＴｉＯ3 の酸化物半導体基板（以下、ＳＴＯ基板とも称
する）１０の（００１）主表面１０ａ上に、ＢＲＢＯの
ベース層１２を具えている。また、このベース層１２上
に、金（Ａｕ）のベース電極１４と、Ｉｎのコレクタ層
１６とを具えている。この実施例では、コレクタ層１６
はコレクタ電極を兼ねている。
ジスタは、エミッタ層を兼ね、ＮｂがドープされたＳｒ
ＴｉＯ3 の酸化物半導体基板（以下、ＳＴＯ基板とも称
する）１０の（００１）主表面１０ａ上に、ＢＲＢＯの
ベース層１２を具えている。また、このベース層１２上
に、金（Ａｕ）のベース電極１４と、Ｉｎのコレクタ層
１６とを具えている。この実施例では、コレクタ層１６
はコレクタ電極を兼ねている。
【００１２】ベース層１２としてＢＲＢＯまたはＢＫＢ
Ｏを用いた場合は、ベース層１２とエミッタ層のＳＴＯ
基板１０との界面のバリアハイトに比べて、ベース層１
２とＩｎのコレクタ層１６との界面のバリアハイトが低
くなり、エミッタ層１０からコレクタ層１６へ電子を注
入することができる。
Ｏを用いた場合は、ベース層１２とエミッタ層のＳＴＯ
基板１０との界面のバリアハイトに比べて、ベース層１
２とＩｎのコレクタ層１６との界面のバリアハイトが低
くなり、エミッタ層１０からコレクタ層１６へ電子を注
入することができる。
【００１３】また、主表面１０ａのベース層１２の非形
成領域であって、ベース電極１４よりもコレクタ層１６
に近い領域に、エッチピット１８が設けてある。そし
て、このエッチピット１８の斜面のうちベース層側の斜
面１８ａ上に、Ｉｎのエミッタ電極２０が設けてある。
尚、例えば、エミッタ電極２０でエッチピット１８を埋
めても良い。
成領域であって、ベース電極１４よりもコレクタ層１６
に近い領域に、エッチピット１８が設けてある。そし
て、このエッチピット１８の斜面のうちベース層側の斜
面１８ａ上に、Ｉｎのエミッタ電極２０が設けてある。
尚、例えば、エミッタ電極２０でエッチピット１８を埋
めても良い。
【００１４】尚、この実施例でベース層として用いるＢ
ＲＢＯは、臨界温度２８Ｋの超電導酸化物であり、室温
では金属として扱える。このため、この発明のトランジ
スタは常温ではメタルベーストランジスタとなり、ま
た、臨界温度以下の極低温では超電導トランジスタとな
る。
ＲＢＯは、臨界温度２８Ｋの超電導酸化物であり、室温
では金属として扱える。このため、この発明のトランジ
スタは常温ではメタルベーストランジスタとなり、ま
た、臨界温度以下の極低温では超電導トランジスタとな
る。
【００１５】２．第２実施例 第２実施例では、この発明の酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタの形成方法の一例について説明する。
ンジスタの形成方法の一例について説明する。
【００１６】図２の（Ａ）〜（Ｃ）は、第２実施例の説
明に供する前半の工程図である。図３の（Ａ）および
（Ｂ）は、図２の（Ｃ）に続く後半の工程図である。図
２の（Ａ）〜（Ｃ）および図３の（Ａ）および（Ｂ）の
上側には、主表面の上方から見た平面図を示し、下側に
は、平面図のII−IIでの切り口に沿った断面図を示して
いる。
明に供する前半の工程図である。図３の（Ａ）および
（Ｂ）は、図２の（Ｃ）に続く後半の工程図である。図
２の（Ａ）〜（Ｃ）および図３の（Ａ）および（Ｂ）の
上側には、主表面の上方から見た平面図を示し、下側に
は、平面図のII−IIでの切り口に沿った断面図を示して
いる。
【００１７】先ず、ＮｂがドープされたＳｒＴｉＯ3 の
酸化物半導体基板（ＳＴＯ基板）１０の主表面１０ａに
エッチピット１８を形成する。Ｎｂのドープ量は、多く
ても５ｗｔ％が望ましい。エッチピット１８の形成にあ
たっては、１０％程度の希フッ酸にＳＴＯ基板１０を１
０秒間程度浸漬する。エッチピット１８の深さおよび大
きさは、フッ酸の濃度および浸漬時間によって制御する
ことができる（図２の（Ａ））。
酸化物半導体基板（ＳＴＯ基板）１０の主表面１０ａに
エッチピット１８を形成する。Ｎｂのドープ量は、多く
ても５ｗｔ％が望ましい。エッチピット１８の形成にあ
たっては、１０％程度の希フッ酸にＳＴＯ基板１０を１
０秒間程度浸漬する。エッチピット１８の深さおよび大
きさは、フッ酸の濃度および浸漬時間によって制御する
ことができる（図２の（Ａ））。
【００１８】ＳＴＯ基板１０の主表面１０ａに形成され
たエッチピット１８の様子を図４の（Ａ）〜（Ｃ）に示
す。図４の（Ａ）は、ＳＴＯ基板１０の（００１）主表
面１０ａに形成されたエッチピット１８の斜視図であ
る。図４の（Ｂ）は、真上から見たエッチピット１８の
平面図である。このエッチピット１８の平面での大きさ
は、最大でＬ＝３μｍ四方程度である。また、図４の
（Ｃ）は、図４の（Ｂ）のIII-III での切り口に沿った
断面図である。このエッチピット１８の深さは、最大で
Ｄ＝２μｍ程度である。尚、このＳＴＯ基板１０は、ト
ランジスタのエミッタ層となる。
たエッチピット１８の様子を図４の（Ａ）〜（Ｃ）に示
す。図４の（Ａ）は、ＳＴＯ基板１０の（００１）主表
面１０ａに形成されたエッチピット１８の斜視図であ
る。図４の（Ｂ）は、真上から見たエッチピット１８の
平面図である。このエッチピット１８の平面での大きさ
は、最大でＬ＝３μｍ四方程度である。また、図４の
（Ｃ）は、図４の（Ｂ）のIII-III での切り口に沿った
断面図である。このエッチピット１８の深さは、最大で
Ｄ＝２μｍ程度である。尚、このＳＴＯ基板１０は、ト
ランジスタのエミッタ層となる。
【００１９】次に、このエッチピット１８が形成された
主表面１０ａ上全面に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 （ＢＲ
ＢＯ）の予備ベース層２２を形成する。予備ベース層２
２の形成にあっては、分子線エピタキシー法で、基板温
度３７０度の条件で３０分間、数１００Åの膜厚に成膜
する。また、スパッタ法を用いて予備ベース層２２を形
成しても良い（図２の（Ｂ））。
主表面１０ａ上全面に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 （ＢＲ
ＢＯ）の予備ベース層２２を形成する。予備ベース層２
２の形成にあっては、分子線エピタキシー法で、基板温
度３７０度の条件で３０分間、数１００Åの膜厚に成膜
する。また、スパッタ法を用いて予備ベース層２２を形
成しても良い（図２の（Ｂ））。
【００２０】次に、この予備ベース層２２上に、メタル
マスク（図示せず）を介して、厚さ７０００ÅのＩｎの
コレクタ層１６と厚さ３５００ÅのＡｕのベース電極１
４とを室温で蒸着する。この際、このコレクタ層１６が
このベース電極１４よりもエッチピット１８に近くなる
ように形成する（図２の（Ｃ））。
マスク（図示せず）を介して、厚さ７０００ÅのＩｎの
コレクタ層１６と厚さ３５００ÅのＡｕのベース電極１
４とを室温で蒸着する。この際、このコレクタ層１６が
このベース電極１４よりもエッチピット１８に近くなる
ように形成する（図２の（Ｃ））。
【００２１】次に、この予備ベース層２２に対してドラ
イエッチングを行なって、エッチピット１８の近傍にベ
ース層１２を画成する。ドライエッチングにあたって
は、東京応化工業株式会社製のＯＦＰＲ８６００−３０
ｃｐ（商品名）のレジストを用いてエッチングマスク
（図示せず）を形成し、１００Ｗ、１ｋＶ、０．５ｍＡ
／ｃｍ2 の条件で５分程度Ａｒイオンミリングを行なう
（図３の（Ａ））。
イエッチングを行なって、エッチピット１８の近傍にベ
ース層１２を画成する。ドライエッチングにあたって
は、東京応化工業株式会社製のＯＦＰＲ８６００−３０
ｃｐ（商品名）のレジストを用いてエッチングマスク
（図示せず）を形成し、１００Ｗ、１ｋＶ、０．５ｍＡ
／ｃｍ2 の条件で５分程度Ａｒイオンミリングを行なう
（図３の（Ａ））。
【００２２】次に、エッチピット１８の斜面のうちベー
ス層１２側の斜面１８ａ上にエミッタ電極２０を形成す
る。エミッタ電極２０の形成にあたっては、ベース層１
２側の斜面１８ａ上に開口部を有するメタルマスク（図
示せず）を介して、室温で４０００Å以下の厚さのＩｎ
を蒸着する（図３の（Ｂ））。
ス層１２側の斜面１８ａ上にエミッタ電極２０を形成す
る。エミッタ電極２０の形成にあたっては、ベース層１
２側の斜面１８ａ上に開口部を有するメタルマスク（図
示せず）を介して、室温で４０００Å以下の厚さのＩｎ
を蒸着する（図３の（Ｂ））。
【００２３】このようにして、第１実施例の構成と同様
のトランジスタを得ることができる。尚、通常は、以上
の工程に続いて、トランジスタの主表面側にレジストを
パターニングして、エミッタ、ベースおよびコレクタ電
極上に開口部を設けた中間絶縁膜を形成した後、各電極
から引き出し用にＩｎやＡｕを蒸着する。さらにＳＴＯ
基板のダイシングを行なった後に、トランジスタの特性
の電気測定を行なう。このように、この発明の酸化物半
導体基板を用いたトランジスタの形成方法によれば、酸
化物半導体基板にエッチピットを設けることにより、容
易にエミッタ注入効率の良いトランジスタを形成するこ
とができる。
のトランジスタを得ることができる。尚、通常は、以上
の工程に続いて、トランジスタの主表面側にレジストを
パターニングして、エミッタ、ベースおよびコレクタ電
極上に開口部を設けた中間絶縁膜を形成した後、各電極
から引き出し用にＩｎやＡｕを蒸着する。さらにＳＴＯ
基板のダイシングを行なった後に、トランジスタの特性
の電気測定を行なう。このように、この発明の酸化物半
導体基板を用いたトランジスタの形成方法によれば、酸
化物半導体基板にエッチピットを設けることにより、容
易にエミッタ注入効率の良いトランジスタを形成するこ
とができる。
【００２４】上述した実施例では、特定の材料を使用
し、特定の条件でこの発明を形成した例について説明し
たが、この発明は多くの変更および変形を行なうことが
できる。例えば、上述した実施例では、ＳＴＯ基板にＮ
ｂをドープしたが、この発明ではＶをドープしても良
い。
し、特定の条件でこの発明を形成した例について説明し
たが、この発明は多くの変更および変形を行なうことが
できる。例えば、上述した実施例では、ＳＴＯ基板にＮ
ｂをドープしたが、この発明ではＶをドープしても良
い。
【００２５】上述した実施例では、ベース層としてＢＲ
ＢＯを用いたが、この発明では、ＢＫＢＯを用いて良
い。また、上述した実施例では、コレクタ層として、Ｉ
ｎを用いたが、この発明では、ＡｌまたはＣｒを用いて
も良い。また、上述した実施例では、ベース電極として
Ａｕを用いたが、この発明では、ベース層とオーミック
接触となる材料、例えばＡｇを用いても良い。また、上
述した実施例では、エミッタ電極としてＩｎを用いた
が、この発明では、ＳＴＯ基板とオーミック接触となる
材料、例えばＡｌまたはＣｒを用いても良い。
ＢＯを用いたが、この発明では、ＢＫＢＯを用いて良
い。また、上述した実施例では、コレクタ層として、Ｉ
ｎを用いたが、この発明では、ＡｌまたはＣｒを用いて
も良い。また、上述した実施例では、ベース電極として
Ａｕを用いたが、この発明では、ベース層とオーミック
接触となる材料、例えばＡｇを用いても良い。また、上
述した実施例では、エミッタ電極としてＩｎを用いた
が、この発明では、ＳＴＯ基板とオーミック接触となる
材料、例えばＡｌまたはＣｒを用いても良い。
【００２６】
【発明の効果】この発明の酸化物半導体を用いたトラン
ジスタおよびその形成方法によれば、酸化物半導体の基
板の主表面にエッチピットを設け、このエッチピットの
コレクタ層側の斜面にエミッタ電極を形成している。そ
の結果、エミッタ注入効率を向上させることができる。
ジスタおよびその形成方法によれば、酸化物半導体の基
板の主表面にエッチピットを設け、このエッチピットの
コレクタ層側の斜面にエミッタ電極を形成している。そ
の結果、エミッタ注入効率を向上させることができる。
【図１】第１実施例の酸化物半導体を用いたトランジス
タの構造の説明に供する構造図である。
タの構造の説明に供する構造図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第２実施例の説明に供する
前半の工程図である。
前半の工程図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、図２の（Ｃ）に続く後
半の工程図である。
半の工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、ＳＴＯ基板に形成されたエ
ッチピットの様子を示す説明図である。
ッチピットの様子を示す説明図である。
１０：ＳＴＯ基板（エミッタ層） １０ａ：主表面 １２：ベース層 １４：ベース電極 １６：コレクタ層 １８：エッチピット １８ａ：エッチピットのベース側の斜面 ２０：エミッタ電極 ２２：予備ベース層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−275760（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102543（ＪＰ，Ａ) 山田朋幸 他，Ｓｉ基板上へのペロブ スカイト酸化物超電導体薄膜の形成，沖 電気研究開発，日本，1994年 １月 １ 日，第161号 ｖｏｌ．61 ｎｏ．１, ｐｐ．81−86 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/22 - 39/24 H01L 39/00
Claims (2)
- 【請求項１】 エミッタ層を兼ねる、ＮｂまたはＶがド
ープされたＳｒＴｉＯ3 の酸化物半導体基板の主表面上
に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 または（Ｂａ，Ｋ）ＢｉＯ
3 のベース層を具え、 該ベース層上に、ベース電極と、Ａｌ、ＩｎまたはＣｒ
のコレクタ層とを具えてなるトランジスタであって、 前記主表面上の前記ベース層の非形成領域であって、前
記ベース電極よりも前記コレクタ層に近い領域に、エッ
チピットが設けてあり、 該エッチピットの斜面のうちベース層側の斜面上にエミ
ッタ電極が設けてあることを特徴とする酸化物半導体を
用いたトランジスタ。 - 【請求項２】 トランジスタのエミッタ層となる、Ｎｂ
またはＶがドープされたＳｒＴｉＯ3 の酸化物半導体基
板の主表面にエッチピットを形成する工程と、 該エッチピットが形成された前記酸化物半導体の前記主
表面上に、（Ｂａ，Ｒｂ）ＢｉＯ3 または（Ｂａ，Ｋ）
ＢｉＯ3 の予備ベース層を形成する工程と、 該予備ベース層上に、Ａｌ、ＩｎまたはＣｒのコレクタ
層とベース電極とを、該コレクタ層が該ベース電極より
も前記エッチピットに近くなるように形成する工程と、 該予備ベース層に対してエッチングを行なって、前記エ
ッチピットの近傍にベース層を画成する工程と、 前記エッチピットの斜面のうち前記ベース層側の斜面上
にエミッタ電極を形成する工程とを含むことを特徴とす
る酸化物半導体を用いたトランジスタの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02411794A JP3325993B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 酸化物半導体を用いたトランジスタおよびその形成方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02411794A JP3325993B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 酸化物半導体を用いたトランジスタおよびその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235702A JPH07235702A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3325993B2 true JP3325993B2 (ja) | 2002-09-17 |
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ID=12129385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02411794A Expired - Fee Related JP3325993B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 酸化物半導体を用いたトランジスタおよびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3325993B2 (ja) |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP02411794A patent/JP3325993B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 山田朋幸 他，Ｓｉ基板上へのペロブスカイト酸化物超電導体薄膜の形成，沖電気研究開発，日本，１９９４年 １月 １日，第１６１号 ｖｏｌ．６１ ｎｏ．１，ｐｐ．８１−８６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07235702A (ja) | 1995-09-05 |
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