JP3325095B2 - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Description
次元的に観測ための検査装置に関するもので、特に、試
料表面に形成された指標を検出するのに適した検査装置
に関するものである。
ウェーハ等の表面状態(うねり、ディンプル、突起、洗
浄不良またはバフダメージなど)を検出する検査装置と
して、従来、シュリーレン光学系を用いた検査装置が知
られている。
学系は、試料表面の凹凸による屈折率変化や反射率変化
を明暗の差として表す代表的な光学系の1つである。こ
の光学系は、点光源からの出射光を光学素子(レンズ)
によって平行光にし、試料表面にその法線方向から照射
し、その反射光を光学素子(レンズ)によって集束し、
その後像空間焦平面に設置されたナイフエッジによって
散乱光の一部を遮断するようにしているとともに、その
後方において肉眼やカメラ等によって反射像を観測する
ようにしたものである。
るとその部分で光が散乱されるが、この散乱光のうちナ
イフエッジに当たった部分は遮断される。その結果、ナ
イフエッジの後方では、そのナイフエッジで遮られた散
乱光に対応する部分は暗くなり、それ以外の部分は明る
くなる。この明暗パターンは試料の表面状態に対応して
いるので、その明暗パターンから試料の表面状態が観測
できることになる。
光学系において、ナイフエッジを用いず散乱光成分を全
く遮断しないものでは、光量が大きいと全体が明るくな
ってしまうため、光量を小さくして明暗パターンを現出
させて観測を行うようになっているが、この明暗パター
ンでは若干のコントラストしか得られないために明暗パ
ターンが極めて見にくいという問題がある。
ナイフエッジを設置しないで、ピントを僅かにずらすこ
とにより(ピントがあっている場合は、シュリーレン光
学系でナイフエッジを設けないときと同じとなる。)、
比較的コントラストの高い場所で試料の表面状態を観測
するようにした検査装置も知られている。
検査装置にあっては下記のような問題があった。
いた検査装置では、ナイフエッジ後方では、試料の表面
状態に応じた明暗パターンはできるものの、この明暗パ
ターンにはナイフエッジによって遮断されなかった散乱
光成分が多く含まれるため、コントラストが低い。ま
た、ナイフエッジ後方で観測できる範囲は試料表面の一
部であって試料表面全体ではないことから、試料表面全
体の状態を観測するためには、試料を光軸を中心に1回
転しなければならない。
軸方向に動かすものでは、散乱光がほとんど遮断されな
いことから、コントラストが極めて低く、しかも、凹凸
が生じているエリアをおおよそは判別できるものの、そ
れがどれだけの深さ・高さを持っているのかの判別がで
きないという問題があった。
で、試料表面の状態が実時間でしかも正確に観測できる
検査装置を提供することを目的としている。
源からの照射光を平行光にして試料表面にその法線方向
から照射するとともに、前記試料表面から戻ってきた反
射光を集束する光学素子と、所定の微小角をなす2平面
を有し、前記試料表面からの前記反射光を照射光の光路
から分岐するハーフミラーと、前記ハーフミラーの後段
で、且つ前記光学素子の後像空間焦平面に対応する位置
またはその近傍に配設された開口絞りとを備えることを
特徴とする。
のうち、入射方向と逆方向に反射される戻り光は、光学
素子の後像空間焦平面に対応する位置またはその近傍に
配設された開口絞りを通過し、それ以外の方向に反射さ
れる散乱光は、この開口絞りによってそのほとんどが遮
断される。したがって、開口絞りの後方には、試料表面
からの反射光のうちの戻り光によって2次元的な明暗パ
ターンが形成される。この明暗パターンは、試料表面の
凹凸、反射率等の状態を反映しており、この明暗パター
ンの測定により試料表面の2次元的状態を一時に観測す
ることができる。この場合、試料にピントを合わせて観
測できる上、開口絞りによって散乱光のほとんどが除去
できるため、得られる明暗パターンの鮮明度が著しく向
上されることになる。さらに、ハーフミラーの2平面間
に所定の微小角が設けられているので、ハーフミラーの
2平面の一方で形成される不要なゴースト光の光路を開
口絞り側の光軸から十分に外すことができ、開口絞りの
後方に形成された明暗パターンからゴースト光を除去す
ることができる。
て説明する。
る。この装置について簡単に説明すれば、光源装置2か
ら出射する照射光は、コリメートレンズ3によって一旦
平行にされた後、平板状の試料4の表面(以下試料表面
と称す)4aにその法線方向から照射される。この試料
表面4aからの反射光は、照射光とは逆方向に進んでコ
リメートレンズ3によって集束され、ウェッジタイプの
ハーフミラー5で照射光側の光路から分岐された後、検
出装置6で画像として検出される。なお、この検出装置
6は、コリメートレンズ3の後像空間焦平面に対応する
位置に開口絞り61を備える。
と、検出装置6内の開口絞り61の存在によって、試料
表面4aでその法線方向に反射されなかった散乱光のほ
とんどが遮断されるので、開口絞り61の後方に、試料
表面4aでその法線方向に反射された戻り光(正反射
光)の鮮明な画像が形成されることとなる。この画像の
明暗パターンは、試料表面4aの凹凸等の状態を反映し
たものとなっているので、検出装置6の画像出力を観察
することにより、試料表面4aの状態の微小な変化の2
次元的分布を観測することができる。また、ハーフミラ
ー5がウェッジタイプであるので、このハーフミラー5
の透過面で形成される不要なゴースト光を光軸外に外す
ことができる。
明する。
ハロゲンランプ21を発光源として用いている。ハロゲ
ンランプ21は、DC電源22によってその出力が制御
されている。このハロゲンランプ21からの出射光は、
熱線吸収フィルタ23を透過した後、コンデンサレンズ
24を経て直径2mmのピンホール25に集光される。
ハロゲンランプ21の後方からの出射光も、ダイクロイ
ックミラーからなる楕円リフレクタ26で反射された
後、コンデンサレンズ24を通過してピンホール25に
投影される。このピンホール25は、試料表面4aを照
明するため照射光の点光源となる。ピンホール25の下
面の近接した位置には、各種干渉フィルタを備えるター
レット状の波長選択フィルタ27が設けられており、試
料表面を照明する照射光の波長を適宜変更することを可
能にする。この波長選択フィルタ10は検査装置の光学
系部分の感度調節に用いられ、試料表面4aの凹凸のピ
ークツーバレーが小さい場合には波長の短い領域が選択
される。
プのハーフミラー5で一部反射され、適当なレンズ(図
示せず)によってフォトダイオード28に導かれる。フ
ォトダイオード28のドライバ29で検出された光電流
は、DC電源22の制御信号としてフィードバックさ
れ、このハロゲンランプ21の輝度を一定に保つために
用いられる。
タイプのハーフミラー5を透過したものは、アパーチャ
31を通過した後コリメートレンズ3に入射する。この
コリメートレンズ3は、光源装置2のピンホール25か
らの照射光を平行光束に変換して試料表面4aに入射さ
せる。すなわち、このコリメートレンズ3は、その前像
空間焦平面の位置にピンホール25が位置するように設
置されている。コリメートレンズ3は、特殊低分散ガラ
スを用いた3枚玉のアポクロマートであり、観測領域の
広さ等に応じて直径4インチ(F9.5)、6インチ
(F7.1)、8インチ(F8.0)の3タイプが使用
可能となっている。
する試料4は、チルトステージ32上に載置されてい
る。このチルトステージ32は、照射光の平行光束が試
料表面4aに垂直に入射するように、試料4の傾きを微
調整する。試料表面4aで反射された反射光は、再度コ
リメートレンズ3に入射してビーム径を絞られる。この
際、アパーチャ31によって、試料表面4aからの大き
な散乱角の反射光がカットされる。アパーチャ31の直
径は、4インチ、6インチおよび8インチのコリメート
レンズ3に対して、それぞれ96mm、144mmおよ
び190mmとしている。コリメートレンズ3上端から
アパーチャ31までの距離hは、4インチ、6インチお
よび8インチのコリメートレンズ3に対して、それぞれ
117mm、118mmおよび154mmとしている。
反射光は、ハーフミラー5に入射して、直角方向に偏向
され、入射光の光路から分岐される。ハーフミラー5
は、平板ビームスプリッタであるが、その2平面間に所
定の微小角αが設けられた特殊なものである。したがっ
て、その上側の透過面5aでの反射によって生じるゴー
スト光(図1中の点線)は、その下側の反射面5bで反
射される必要な反射光の光路から外れる。この結果、ゴ
ースト光は、検出装置6内で検出されなくなる。ハーフ
ミラー5に設けられる微小角αは、ゴースト光が検出装
置6に入射しないように(例えば、ゴースト光が検出装
置6に設けられたカメラレンズ62の入射瞳によって遮
られるように)設定する。もっとも、ハーフミラー5に
設けられる微小角αが大きくなってくると誤差要因が増
大するので、ゴースト光が検出装置6内の開口絞り61
によって十分遮断される限り、この微小角αはなるべく
小さいことが好ましい。これらの事情を考慮して、実施
例のハーフミラー5では、この微小角αを1°としてい
る。
装置6に設けられたカメラレンズ62に入射する。この
カメラレンズ62は、ズームレンズとなっていて、必要
に応じて焦点距離10〜100mm(F/1.4)と
9.5〜152mm(F/1.8)との2タイプの使用
が可能となっている。カメラレンズ62内部の集光位置
には、開口絞り61が配置されている。すなわち、開口
絞り61はコリメートレンズ3の後像空間焦平面に対応
する位置に配置されていることになる。したがって、試
料表面4aで散乱された散乱光のほとんどがこの開口絞
り61で遮断される。この開口絞り61は10枚羽根か
らなるアイリス絞りで、可動調節部を動かすことにより
その円形開口の直径を連続的に変化できるようになって
いる。この円形開口の直径を変化させることにより、検
査の種別(うねりの検査、ディンプルの検査、傷の検査
など)に適した光像が得られる。
のエクステンダレンズ63を経て41万画素のCCD6
4上に投影される。CCD64からの画像信号は、一旦
電気信号に変換され、適当な信号処理装置で処理された
後、再構成された画像としてモニター(図示せず)に逐
次表示される。CCD64上に投影される画像は、試料
表面4aの状態に対応する2次元的な明暗パターンとな
っている。
れる画像の明暗パターンは、試料表面4aからの反射光
のうち、開口絞り61を通過したもののみによって構成
される。すなわち、試料表面4aでその法線方向に反射
されなかった散乱光のほとんどは、開口絞り61によっ
て遮断され、試料表面4aでその法線方向に反射された
戻り光は、この開口絞り61を通過する。しかも、かか
る戻り光によって構成される明暗パターン中の各位置に
投影される光は、試料表面4aの各位置に1対1で対応
したものとなっている。したがって、CCD64上に投
影される画像の明暗パターンは試料表面4aの凹凸等の
微小な変化を反映したものとなっており、検出装置6の
画像出力を観察することにより、試料表面4aの状態の
微小な変化の2次元的分布を正確に観測することができ
る。
べく、単純化したモデルを用いて理論的な解析を行って
みた。
に示すように、一様な反射率の試料表面4aの一部に
は、断面が山形の欠陥が形成されているものとする。こ
の欠陥の大きさをlとし、その高さをxとし、その勾配
をθ/2とする。この欠陥が検出限界の欠陥であるとす
ると、試料表面の法線に対してθの角度でこの試料表面
から出射する欠陥からの反射光が開口絞り61の縁部分
を通過することとなるので、 θ=w/f・・・(1) と表される。ここで、開口絞り61の径を2wとし、コ
リメートレンズ3の焦点距離をfとした。また、コリメ
ートレンズ3と試料表面4aとは、近接した位置に配置
されているものとする。式(1)から、欠陥の高さxお
よび大きさlを用いてθを除去すると、 x=wl/2f となる。したがって、微小な領域においては、 Δx=Δw・Δl/2f・・・(2) となる。
とし、解像力をNとすると、その分解能(解像力)ψ
は、 ψ=1/N=1.22λ/2nNA・・・(3) と表される。ただし、屈折率をnとし、検査光波長をλ
とした。ここで、θは微小角であるからψはほぼΔlと
みなせることから、欠陥の微小な高さはΔx、式(2)
(3)から、 Δx=η・(1.22λ/4fNA)・Δw・・・(4) と表すことができる。ただし、n=1とし、照明分布誤
差をηとした。ここで、開口絞り61の径をφと書き改
めると、 Δx=η・(1.22λ/8fNA)・Δφ・・・(5) となる。
ーション結果の表を示す。シミュレーションでは、以下
の3条件で、絞り径Δφを変化させつつ欠陥の微小高さ
Δx、すなわち検出限界の高さ(単位はオングストロー
ム)を計算した。条件1では、コリメートレンズ3の直
径を100mm、その焦点距離fを640mmとした。
条件2では、コリメートレンズ3の直径を152mm、
その焦点距離fを1368mmとした。条件3では、コ
リメートレンズ3の直径を203mm、その焦点距離f
を1624mmとした。なお、全ての条件に共通して、
検査光波長λを550nm、照明分布誤差ηを1/2
(50%)とした。
れに比例して検出限界高さが低くなることが分かる。ま
た、コリメートレンズ3の口径を大きくすればこれに反
比例して検出限界高さが低くなることが分かる。
は、絞り径Δφが4〜5mmの範囲で、シミュレーショ
ンの結果を反映した検出が可能であることが確かめられ
た。
したが、本発明は、かかる実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を変更しない範囲で種々の変形が可能で
あることはいうまでもない。
関係は置き換えることができる。すなわち、光源装置2
からの照射光を、ウェッジタイプのハーフミラー5で偏
向してコリメートレンズ3に導き、試料表面4aで反射
されてコリメートレンズ3によって集束される反射光
を、ウェッジタイプのハーフミラー5を透過させた後、
開口絞り61を備える検出装置6に導く構成としてもよ
い。
ミラー5を光源装置2とコリメートレンズ3との間に配
置する場合について説明したが、ハーフミラー5をコリ
メートレンズ3と試料4との間に配置することもでき
る。この場合、ハーフミラー5で偏向された反射光を検
出装置6中の開口絞り61の位置に集束させる別のコリ
メートレンズが必要となる。
装置2の発光源としてハロゲンランプ21を用いる場合
について説明したが、発光源としてキセノンランプなど
を用いることもできる。発光源として何を用いるかは、
検査対象物(試料4)の性質によって決定される。例え
ば、半導体ウェーハなどのように反射率の比較的高いも
のを検査する場合には、ハロゲンランプまたはキセノン
ランプのいずれを用いることとしても良いが、ガラス基
板のように反射率の比較的低いものを検査する場合に
は、輝度の大きいキセノンランプを用いることが好まし
い。したがって、検査対象物の性質によって発光源を適
宜変更できるような構成にしておいてもよい。
装置2にコンデンサレンズ24を組み込んだ場合につい
て説明したが、コンデンサレンズ24を除いた構成とす
ることもできる。この場合、楕円リフレクタ26の一方
の焦点にハロゲンランプ21が設置され、楕円リフレク
タ26の他方の焦点にピンホール25が設置される。そ
の結果、楕円の性質から楕円リフレクタ26で反射され
た光はピンホール25の所で集束され、この集束点に点
光源を置いたのと同じ状態となる。なお、楕円リフレク
タ26の代わりにパラボラリフレクタを用いても良い。
この場合には、パラボラリフレクタを出た光はその光軸
に平行に進むので、コリメートレンズを別途設け、この
コリメートレンズによりピンホールの所に集束するよう
にすれば良い。
124、224とライトガイドファイバ324とを用い
て光源装置2を構成することもできる。この場合、楕円
リフレクタ26の一方の焦点にハロゲンランプ21が設
置され、楕円リフレクタ26の他方の焦点にロッドレン
ズ124の端面が配置される。ハロゲンランプ21から
の出射光は、ロッドレンズ124を介してライトガイド
ファイバ324に結合され、ライトガイドファイバ32
4中を伝送してその他端のロッドレンズ224に結合さ
れる。ロッドレンズ224からの出射光は、点光源とな
るべき絞り125の開口に集光される。絞り125の開
口からの照射光の広がり角βは、コリメートレンズ3の
レンズ画角に合わせる必要があるが、これは、ロッドレ
ンズ224と絞り125との間隔を調整することによっ
て行う。
いないで、ライトガイドファイバ324のコアと同じ硝
材を円形断面のロッド状に固めた光導波ロッド棒を用い
ることもできる。この光導波ロッド棒をライトガイドフ
ァイバ324の入出射端に配置することにより、ハロゲ
ンランプ21からの出射光をライトガイドファイバ32
4に結合することができるとともに、ライトガイドファ
イバ324を伝送した後に絞り125の開口を通過した
照射光を十分大きな広がり角で発散させることができ
る。
レンズ224を円錐ミラー424に置き換えた構成も可
能である。この場合、ライトガイドファイバ324から
の出射光は、円錐ミラー424によって絞り125の開
口に集光される。円錐ミラー424の開き角γは、戻り
光を防止するため、ライトガイドファイバ324から出
射する光の画角に基づいて決定される。実際には、円錐
ミラー424の開き角γを9°前後とすることになる。
ッドレンズ224を用いないで、ライトガイドファイバ
324の出射端側からコリメートレンズ3に直接照射す
るタイプのものも使用可能である。
源形成のためにピンホール25を用いたが、これをスリ
ットとすることもできる。この場合、光源からの照射光
の出射角度を広くとることができる。
選択フィルタ27として干渉フィルタを用いる場合につ
いて説明したが、波長選択フィルタ27として例えば色
ガラスフィルタを用いることもできる。また、波長選択
フィルタ27は不可欠の要素ではなく、その設置場所は
ハーフミラー5の下側であってもよい。
選択フィルタ27のみを用いる場合について説明した
が、波長選択フィルタ27とともに、或いは波長選択フ
ィルタ27の代わりに、NDフィルタを設置してもよ
い。NDフィルタは入射光の分光特性を変化させずに減
光する目的で使用されるものである。この場合の減光
は、例えば試料表面4aのうねりなどの検出において必
要となる。うねりなどなだらかな表面の形状変化の場合
には、光の正反射成分が極めて多くなることから試料表
面4aの輝度が高過ぎて、減光しないと反射像全体が明
るくなり過ぎ観測しにくくなるからである。なおこの場
合、ハロゲンランプ21を輝度の小さいものに代えても
よいが、NDフィルタを用いる方が作業が簡単である。
メートレンズ3としてアポクロマートレンズを用いる場
合について説明したが、コリメートレンズ3としてアク
ロマートレンズを用いることもできる。もっとも、狭帯
域の単色光を用いて検査する場合、色消しは必ずしも要
しない。ただし、コリメートレンズ3は、光のロスを可
及的に防止するため収差の小さいものを使用することが
好ましい。
メートレンズ3の口径及び焦点距離を3種に限定した
が、これに限定されるものではなく、検査装置の用途に
応じて各種口径及び焦点距離のコリメートレンズ3を用
いることができる。ただし、半導体ウェーハなどの表面
に形成された指標等を検出する用途では、一般にF4〜
F15の範囲で用いることが好ましい。
状の試料4を検査する場合を説明したが、円柱などの表
面検査の場合にはシリンドリカルレンズを用いて、ま
た、球体などの表面検査の場合には平凸レンズを用い
て、試料表面に法線方向から光を照射するようにすれば
良い。また、場合によっては、平板状の試料4のときで
もシリンドリカルレンズを用い、ある方向の凹凸状態を
強調させて観測するようにすることも可能である。
ッジタイプのハーフミラー5として平板ビームスプリッ
タを用いる場合を説明したが、平板状或いは薄膜状の各
種ハーフミラーを用いることができる。例えば、ハーフ
ミラー5として、ペリクルミラーを用いることもでき
る。
2中の開口絞り61との間に格子状フィルタを設けるこ
とができる。この格子状フィルタは縞格子状の溝が形成
されたものであって、光を回折する働きをする。この格
子状フィルタによって比較的大きな散乱角をもって散乱
された光が開口絞り61の開口に導かれることになる。
同様の目的を達成するため、格子状フィルタを用いず
に、開口絞り61および必要ならばCCD64を光軸に
対して偏心させるようにしてもよい。
2との間に、図6に示したような周辺透過型フィルタ1
62を設けることができる。この周辺透過型フィルタ1
62は、中央にND部162aを備え、周辺に透過部1
62bを備える。カメラレンズ62に入射する光の中に
は、試料4からの反射光のみならず、コリメートレンズ
3上面の反射などで形成された光点が含まれる場合があ
るが、かかるND部162aによってこのような光点を
消すことができる。
万画素のCCD64で観測するものとしたが、スクリー
ンやカメラあるいは肉眼で観測するような光学系として
もよい。さらに、CCD64のかわりにフォトマルなど
の光電管を用いてもよい。
号に含まれる映像信号(原映像信号)を微分し、得られ
た微分信号と原映像信号とを加算して新たな映像信号と
するなどの微分処理によって、微弱なコントラスト差を
強調して映像表示することができる。さらに、加算され
た新たな映像信号の輝度を任意に設定可能な輝度調整回
路を設けることもできる。この輝度調整により、例えば
凹凸部等の輪郭部分の内側の状態や輪郭部分自体を観察
する場合、映像を見易い輝度で観察することができるこ
ととなる。
絞り61としてアイリス絞りを用いたが、固定的な円形
開口部が設けられた開口絞りを設け、この開口絞りを光
軸方向に移動させるようにして使用するようにしてもよ
い。
空間焦平面対応する位置に開口絞り61を設けたが、そ
の設置位置は後像空間焦平面に対応する位置の近傍であ
ればよい。
ムタイプのカメラレンズ62を使用する場合について説
明したが、かわりに固定焦点レンズを用いることもでき
る。例えば、市販の一眼レフ用カメラレンズの使用が可
能である。
のうち、入射方向と逆方向に反射される戻り光は、光学
素子の後像空間焦平面に対応する位置またはその近傍に
配設された開口絞りを通過し、それ以外の方向に反射さ
れる散乱光は、この開口絞りによってそのほとんどが遮
断される。したがって、開口絞りの後方には、試料表面
からの反射光のうちの戻り光よって2次元的な明暗パタ
ーンが形成される。この明暗パターンは、試料表面の凹
凸、反射率等の状態を反映しており、この明暗パターン
の測定により試料表面の2次元的状態を一時に観測する
ことができる。この場合、試料にピントを合わせて観測
できる上、開口絞りによって散乱光のほとんどが除去で
きるため、得られる明暗パターンの鮮明度が著しく向上
されることになる。さらに、ハーフミラーの2平面間に
所定の微小角が設けられているので、ハーフミラーの2
平面の一方で形成される不要なゴースト光の光路を開口
絞り側の光軸から十分に外すことができ、開口絞りの後
方に形成された明暗パターンからゴースト光を除去する
ことができる。この結果、試料表面の状態が実時間でし
かも正確に観測できることとなる。
断面モデルを示す図である。
ン結果を示す図表である。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 光源からの照射光を平行光にして試料表
面にその法線方向から照射するとともに、前記試料表面
から戻ってきた反射光を集束する光学素子と、所定の微
小角をなす2平面を有し、前記試料表面からの前記反射
光を照射光の光路から分岐するハーフミラーと、前記ハ
ーフミラーの後段で、且つ前記光学素子の後像空間焦平
面に対応する位置またはその近傍に配設された開口絞り
とを備えることを特徴とする検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25495693A JP3325095B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 検査装置 |
KR1019940001664A KR100372322B1 (ko) | 1993-09-17 | 1994-01-29 | 검사장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25495693A JP3325095B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0783845A JPH0783845A (ja) | 1995-03-31 |
JP3325095B2 true JP3325095B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=17272202
Family Applications (1)
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