JP3321397B2 - 拡散接合による排ガス浄化用メタル担体の製造方法 - Google Patents

拡散接合による排ガス浄化用メタル担体の製造方法

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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関の排ガス
浄化装置に用いられるハニカム体をなす触媒装置用メタ
ル担体の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】内燃機関の排ガス浄化装置に用いられる
ハニカム体をなす触媒装置用メタル担体は、図1に示す
ように、耐熱性を有する材質の平板状の金属箔(平箔)
と、同じ耐熱性を有する材質の金属箔をコルゲート加工
して波形とした箔(波箔)とを交互に巻回して製造す
る。平箔と波箔との当接箇所を接合し、形成されたハニ
カム体のハニカム通路表面に触媒を担持させて排気ガス
を浄化する触媒装置を形成する。触媒装置は内燃機関の
排気通路に配設され、排気ガス中のHC、CO、NO2
等を浄化している。
【0003】耐熱性を有する金属としては、Alを含有
したフェライト系ステンレス鋼が最も一般的に使われ
る。これは箔中のAlが表面で選択酸化されたアルミナ
として形成されることによって耐酸化性が向上するから
である。このため金属箔中のAl量がメタル担体の耐久
性に重要な影響を及ぼすことになる。
【0004】平箔と波箔との当接箇所は、従来はろう付
けによって接合されていたが、最近になって、拡散接合
が用いられるようになった。厚みが20μm〜50μm
の平箔と波箔を交互に巻回してハニカム体を構成した
後、巻回しの張力が解除されないように保持したままで
真空炉に装入し、高温高真空の中で拡散接合を行う。拡
散接合で接合された触媒装置用メタル担体は、従来のろ
う付け法に比較して、ろう材が不要となることから、ろ
う材の影響による酸化劣化のない低廉で高強度の担体を
製造することができる。
【0005】拡散接合を行う条件においては、平箔及び
波箔はAlを含有したステンレス鋼が用いられるため、
拡散接合中の雰囲気にわずかでも酸素が存在すると、接
合すべき平箔と波箔の表面にアルミナが形成され、健全
な接合拡散を行うことができない。従って、従来は拡散
接合の工程においては、健全な接合を行うため、真空度
を10-4Torrよりも高真空として製造が行われてい
た。
【0006】一方、特開平5−208140号公報にお
いては、Al含有ステンレス鋼の耐酸化性は、金属の表
面にAl含有材特有の酸化皮膜を形成することによって
得られるとの観点より、真空処理中に酸化皮膜を形成す
るため、真空処理中の真空度を1.5〜10Pa(1.
1×10-2〜7.5×10-2Torr)とする発明が開
示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接合部
表面にアルミナ皮膜が形成されることを防ぐために高真
空で熱処理を行うと、熱処理中にステンレス鋼に含まれ
るAlが減少するという問題が発生した。Alは箔の耐
酸化性を確保するための成分であり、Alが減少したの
ではメタル担体を構成する箔の耐酸化性を維持すること
ができない。本発明者らの研究の結果、高真空で熱処理
を行ったときに鋼中の含有Alが低下するのは、高温に
おけるAlの蒸気圧が高いためにステンレス鋼箔の表面
からAlが蒸発することが原因であると判明した。
【0008】一方、特開平5−208140号公報にあ
るような低い真空度で真空処理を行ったのでは、平箔と
波箔との接合部位にアルミナ皮膜が形成され、拡散接合
部の健全性を確保することができない。その理由は、真
空処理開始直後は平箔と波箔の接触部は未だ点接触ない
し線接触に過ぎず、接触部が健全な接合部を形成するた
めに必要な面接触のメタルタッチが形成されるまでの間
に接合すべき部位にアルミナ皮膜が成長してしまうから
であることが判明した。
【0009】本発明の目的とするところは、Al含有ス
テンレス鋼の平箔と波箔とを巻回し、平箔と波箔の接合
部を拡散接合によって接合する、ハニカム体をなす触媒
装置用メタル担体の製造方法において、拡散接合のため
の真空熱処理でステンレス鋼中のAlが減少することを
防止し、かつ健全な拡散接合を行う製造方法を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の問題を
解決するためになされたものであり、その要旨とすると
ころは、Alを含有するフェライト系ステンレス鋼から
なる平箔と該平箔にコルゲート加工を施した波箔とを交
互に巻回したハニカム体の該平箔と波箔の接触部を真空
熱処理で拡散接合により接合する排ガス浄化用メタル担
体の製造方法において、該真空熱処理は、該平箔と波箔
の接触部をメタルタッチさせるための真空熱処理を行う
第1の工程と、第1の工程の真空度から真空度を下げ、
該平箔と波箔に含有するAlの蒸発を抑制しながら該平
箔と波箔の接触部を拡散接合により接合する第2の工程
とを有することを特徴とする排ガス浄化用メタル担体の
製造方法である。更に、第1の工程の真空度は10-4
10-6Torrであり、第2の工程の真空度は10-1
10-3Torrであるとすることができる。また、第1
の工程は、真空熱処理炉の昇温が完了して一定温度T
(℃)に達してから第1の工程を終了するまでの時間t
m(分)が、下記式(1)を満足することとすることが
できる。 tm > −0.15×T + 202.5 (1) また、フェライト系ステンレス鋼平箔及び波箔のAl含
有量が4〜8重量%であることとすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1に示すように、Alを含有し
たフェライト系ステンレス鋼からなる平箔と該鋼にコル
ゲート加工を施した波箔とを交互に巻回し、ハニカム体
の形状を形成する。該平箔と波箔の接触部を拡散接合す
るに際しては、該接触部における平箔と波箔との接触圧
力を維持したまま真空熱処理炉に装入する。具体的に
は、ステンレス鋼製の外筒にハニカム体を圧入すること
によって接触圧力を維持することが好ましい。
【0012】以上のように巻回したままのハニカム体で
は、常温においては、接触部における平箔と波箔の曲率
が異なるため、接触は線接触ないしは点接触にすぎず、
強固な接続部を形成するための面接触(メタルタッチ)
は得られていない。真空熱処理炉内においては1100
℃以上まで温度を上昇させるが、このような高温におい
ては平箔と波箔の剛性が低下するため、接触部に作用し
ている押し付け圧力によって箔が変形し、接触部は面接
触となってメタルタッチが達成される。熱処理を開始し
てからメタルタッチが得られるまでを、本発明は第1の
工程と称する。第1の工程においてメタルタッチが完了
するまでには時間がかかるため、第1の工程の進行中に
おいてはメタルタッチすべき部位の平箔と波箔は未だ分
離している。従って、この時点で箔の表面の酸化が進行
すると、次の工程における拡散接合において接合部に酸
化皮膜が存在することとなり、健全な拡散接合を行うこ
とができない。従って、第1の工程においては、箔の表
面の酸化を進行させないよう、従来から行われている高
真空での熱処理が必要となる。
【0013】第1の工程における真空度は、10-4〜1
-6Torrとすることが好ましい。真空度の上限を1
-6Torrとするのは、通常、拡散接合の真空熱処理
炉における真空ポンプには油拡散ポンプが用いられる
が、油拡散ポンプを用いたときの真空炉内の真空到達限
界が10-6Torrだからである。
【0014】真空度の下限を10-4Torrとするの
は、これよりも低い真空度では、雰囲気中に含まれる酸
素ガスによってステンレス鋼箔の酸化が進行し、メタル
タッチが完了する前に接続すべき箇所の箔の表面に酸化
皮膜が生成し、次の工程における拡散接合が良好に行わ
れないからである。
【0015】本発明の真空熱処理においては、図2に示
すように、第1の工程で平箔と波箔の接触部のメタルタ
ッチが完了した後、真空度を下げることにより、拡散接
合のための第2の工程を開始する。真空度を下げる理由
は、第1の工程と同じ高い真空度で第2の工程を行う
と、ステンレス鋼箔中のAlが箔の表面から蒸発し、A
l含有量が低下して本来の耐酸化性が失われるからであ
る。雰囲気の真空度を下げることによって箔が雰囲気と
接触する部位は箔の表面の酸化が進行するが、拡散接合
すべき部位は、既に第1の工程でメタルタッチが完了し
ているので、拡散接合すべき部位は雰囲気との接触がほ
とんどなく雰囲気の真空度を下げても箔の表面の酸化は
進行せず、健全な拡散接合を行うことができる。
【0016】第2の工程における真空度は、10-1〜1
-3Torrとすることが好ましい。真空度の上限を1
-3Torrとするのは、真空度が高く、10-3Tor
rを超えると、第2の工程の拡散接合を行っている間に
箔の表面からのAlの蒸発が進行して箔中のAl含有量
が低下するからである。図3に第2の工程における真空
度と残留Alの関係を示す。Alを5重量%含有する箔
を用い、真空熱処理においては、保持温度Tを1250
℃とし、第2の工程の真空熱処理時間を90分とした。
図3より明らかなとおり、第2の工程の真空度を10-3
Torr以下とすれば良好な残留Alを得ることができ
る。
【0017】真空度の下限を10-1Torrとする理由
は下記の通りである。炉内のガス中には外部からの空気
の浸入などにより酸素が含まれている。また、第2の工
程の開始時点において、拡散接合されるべき部位は、メ
タルタッチといっても完全に接触しているわけではな
く、若干の隙間が生じている。この間隙に第2の工程中
に炉内雰囲気の酸素が入り込むと接続すべき部位の酸化
が進行し、健全な接合部の形成を阻害するが、炉内の酸
素分圧が十分に低ければ第2の工程におけるメタルタッ
チ部内の酸化の進行が起こらない。また、箔中のAl含
有量に影響を及ぼさない程度のわずかなAl蒸発を起す
程度の真空度があれば、接合されるべき部位の間隙に雰
囲気の酸素ガスが浸入することを防止する働きを期待で
きる。真空度が10-1Torr以上であれば、Alの蒸
発による上記効果が得られ、かつ炉内の酸素分圧が十分
に低いので酸化の進行が押さえられる。炉内の酸素分圧
を下げるためには炉内にアルゴン等の不活性ガスを導入
する事も有効である。真空度の下限は10-2Torrと
することがより好ましい。これにより、炉内不活性ガス
導入がなくても酸素分圧が十分に低く、接合部の酸化を
確実に防止することができる。
【0018】第2の工程は、上記真空度を確保した上で
1100℃を超える温度で90分程度の時間の熱処理を
行い、平箔と波箔の接合部の拡散接合を完了する。
【0019】第1の工程は平箔と波箔の接合部のメタル
タッチが完了するまで行う。第1の工程の保持温度が高
いほどメタルタッチ完了までの時間は短縮される。第1
の工程の昇温が完了して一定温度T(℃)に達してから
第1の工程を終了するまでの時間tm(分)が、下記式
(1)を満足する十分な時間であれば、次の第2の工程
の拡散接合を開始できることが確認できた。
【0020】 tm > −0.15×T + 202.5 (1) ただし、第1の工程は高真空で行うので、式(1)を満
足しても大幅にtmを長くすると箔中のAlが蒸発して
Al含有量が低下するので好ましくない。式(1)を経
過したら速やかに第2の工程に移行して真空度を下げる
ことが好ましい。
【0021】上記tmの確認は、以下のようにして行っ
た。第1の工程の保持温度を任意の温度T(℃)とし、
任意の時間の保持が完了した後に真空処理を終了し、炉
から抽出する。しかる後に平箔と波箔の接触部を強制的
に引き剥がして接触部を観察すると、両者が接触してい
た幅を確認することができる。接触幅が一定以上存在し
てメタルタッチが完成した時間を保持温度Tの関数とし
て表現した結果、図4に示す結果が得られ、この結果か
ら式(1)を得ることができた。箔の厚み20μm〜5
0μmの範囲で式(1)が成立することを確認した。
【0022】Al含有フェライト系ステンレス鋼のAl
含有量は、4〜8重量%であることが好ましい。Al含
有量の上限を8%としたのは、実用上圧延可能なAl含
有量の上限が8%だからである。Al含有量の下限を4
%としたのは、本発明を採用した場合の真空熱処理中の
Al蒸発を考慮して、箔のAl含有量が4%未満である
と950℃エンジン耐久試験で合格する耐酸化性を確保
できなくなるからである。
【0023】
【実施例】Crを20重量%、Alを5重量%含有する
フェライト系ステンレス鋼を用い、箔の厚みを20、3
0、50μmとしてハニカム体を形成し、ステンレス鋼
製の外筒に圧入した上で、表1に示す条件で拡散接合の
ための真空熱処理を行った。昇温開始から保持温度に到
達するまでの昇温時間は60分とした。
【0024】ハニカム体の良否の判定は、製造したハニ
カム体を用いてハニカム体の入口のガス温度950℃の
エンジン冷熱耐久試験を行い、900サイクルの後に破
損が生じるか否かによって判断した。○は破損が発生し
なかったもの、▲は微小な破損が発生したもの、●は顕
著な破損が発生したものである。
【0025】箔中の残留Alは、真空熱処理が完了した
ハニカム体の箔の断面サンプルを作成し、断面の厚み中
央部を1μm角の範囲のEDAX分析を行って測定し
た。
【0026】
【表1】
【0027】No.1〜9は本発明例である。箔厚2
0、30、50μmにおいて、第1の工程の真空度を1
-4〜10-6Torrの範囲で3種類実施し、第2の工
程の真空度はすべて10-2Torrとしたが、いずれも
拡散接合部の強度の判定結果は良好であり、残留Al量
も良好であった。
【0028】No.10〜21は比較例である。No.
10〜18においては、tmはすべて15分で同一とし
たが、第1の工程と第2の工程の真空度が等しく、10
-4〜10-6Torrの範囲で3種類実施した。箔の厚さ
は20、30、50μmの3種類である。いずれも、第
2の工程における真空度が高すぎるためAlの蒸発が起
こり、残留Alが低下した。このため、ハニカム体の高
温耐酸化性が劣化し、耐久試験結果がいずれも▲ないし
●という悪い結果となった。
【0029】No.19はtmを0分としたため、メタ
ルタッチが完了する前に第2の工程に入り、第2の工程
は真空度が10-2Torrという低い値なので接合すべ
き部位に酸化皮膜が成長して拡散接合に失敗した。
【0030】No.20、21はtmが長すぎたため、
第1の工程においてAlの蒸発が進行し、残留Alが低
下して耐久試験結果が▲、●という結果となった。
【0031】
【発明の効果】Al含有ステンレス鋼の平箔と波箔とを
巻回し、平箔と波箔の接合部を拡散接合によって接合す
る触媒装置用メタル担体の製造方法において、拡散接合
のための真空熱処理でステンレス鋼中のAlが減少する
ことを防止し、かつ健全な拡散接合を行うことができ
た。
【図面の簡単な説明】
【図1】平箔と波箔を交互に巻回してハニカム体を製造
する状況を示す図である。
【図2】本発明の拡散接合のための真空熱処理の工程を
示す図である。
【図3】本発明の第2の工程の真空度と熱処理後の箔中
の残留Alの関係を示す図である。
【図4】本発明の第1の工程の保持時間tmと保持温度
Tによるメタルタッチ完了有無の関係を示す図である。
【符号の説明】
1 平箔 2 波箔 3 ハニカム体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−197171(JP,A) 特開 平6−71184(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B23K 20/00 - 20/14

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Alを含有するフェライト系ステンレス
    鋼からなる平箔と該平箔にコルゲート加工を施した波箔
    とを交互に巻回したハニカム体の該平箔と波箔の接触部
    を真空熱処理で拡散接合により接合する排ガス浄化用メ
    タル担体の製造方法において、該真空熱処理は、該平箔
    と波箔の接触部をメタルタッチさせるための真空熱処理
    を行う第1の工程と、第1の工程の真空度から真空度を
    下げ、該平箔と波箔に含有するAlの蒸発を抑制しなが
    ら該平箔と波箔の接触部を拡散接合により接合する第2
    の工程とを有することを特徴とする排ガス浄化用メタル
    担体の製造方法。
  2. 【請求項2】 第1の工程の真空度は10-4〜10-6
    orrであり、第2の工程の真空度は10-1〜10-3
    orrであることを特徴とする請求項1記載の排ガス浄
    化用メタル担体の製造方法。
  3. 【請求項3】 第1の工程は、真空熱処理炉の昇温が完
    了して一定温度T(℃)に達してから第1の工程を終了
    するまでの時間tm(分)が、下記式(1)を満足する
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の排ガス浄化用メ
    タル担体の製造方法。 tm > −0.15×T + 202.5 (1)
  4. 【請求項4】 フェライト系ステンレス鋼平箔及び波箔
    のAl含有量が4〜8重量%であることを特徴とする請
    求項1乃至3記載の排ガス浄化用メタル担体の製造方
    法。
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