JP3317612B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
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Description
品を加工するツールが一体構造となった装置を用いたワ
イヤボンディング方法に関するものである。
のボンディングヘッド部分を示す断面図である。ボンデ
ィングヘッドは一般にリニアモータヘッドと呼ばれてい
る。同図において、1は回転軸で、この回転軸1に装着
するものとして、駆動アーム5、USホーンホルダー枠
体6、US(超音波)ホーン7、第1クランパー取付台
10がある。更に、それぞれに、駆動アーム5には、駆
動アーム5が上下の移動運動を起こすための駆動コイル
2が備えられ、駆動コイル2はマグネット3と併せてモ
ータ30を構成する。また、駆動アーム5の上部には、
駆動アーム2の位置検出用のリニアスケール4が設けら
れ、このリニアスケール4の上下変動をリニアエンコー
ダセンサ11により検出することにより駆動アーム5の
位置(Z位置)を認識することができる。
8が取付けられ、第1クランパー取付台10の先端には
第1クランパー9が取り付けられる。この第1クランパ
ー9の先端部とキャピラリーチップ8を金線12が通
る。
6、駆動アーム5、マグネット3及びリニアエンコーダ
センサ11はヘッド枠体13(波線で示す)の中に配置
され、ヘッド枠体13はXYテーブル14によりX,Y
方向に移動可能である。
ディング装置によるワイヤボンディング方法を示す断面
図である。
ように、キャピラリーチップ8内を挿通する金線12の
先端部をトーチ23により加熱してボール12Aを形成
した後、図10に示すように、キャピラリーチップ8を
降下させて金ボール4をリードフレーム25におけるダ
イスパッド26上に配置された被接合面である半導体素
子27のアルミニウム電極28上に圧接し塑性変形させ
る。このとき、ダイスパッド26はヒートブロック29
上に配置されており、半導体素子27はこのヒートブロ
ック29によって温度230〜280℃に加熱されると
共にキャピラリーチップ8にはUSホーン7により超音
波振動が印加される。これにより、金線12とアルミニ
ウム電極28の両金属元素が相互拡散し、金線12はア
ルミニウム電極28に固着される。
チップ8を上昇させつつその先端部から金線12を繰り
出した後、図12に示すように、リードフレーム25の
インナーリード20上にキャピラリーチップ8を降下さ
せて金線12をインナーリード20の被接合面である金
線接続面21上に圧接して金線12のルーピングを行
う。このとき、インナーリード20はヒートブロック2
9上に配置されて温度230〜280℃に加熱されると
共にキャピラリーチップ8にはUSホーン7により超音
波振動が印加される。これにより、金線12とインナー
リード20のワイヤ接続面21の両金属元素が相互拡散
し、金線2はワイヤ接続面21に固着される。
パー9により金線12を固定しながらキャピラリーチッ
プ8を上昇させて金線12を切断する。
合面に降下して、接合する時(図9→図10及び図11
→図12の工程)の制御、すなわち、下面検出と荷重制
御が品質を左右する。
が降下する時の速度指令CSと実速度動作RSを示した
説明図である。以下、図14を参照して、その制御動作
を説明する。
御域、等速制御域、荷重制御域に分割される。加速制御
域では、速度指令内容を時間変化させて、速度の立上り
あるいは立下りを実施し、等速制御域では、一定内容の
速度指令を与え、この指令に応じてリニアヘッドの駆動
アーム5が揺動運動し、各時間で実速度動作RSと速度
指令CSに偏差が生じる。この偏差を位置偏差としてと
られたものが33である。また、半導体素子27の表面
高さをキャピラリーチップ8の先端位置で測定したもの
がBASE_BOND_LEVELである。
SPEED)によって決まるスレッショルドVthで検出
する。理想は位置偏差33Aで、速度切替時点ではVth
以下で、下面サーチスタート時点でもVth以下で、徐々
に偏差が増加して、BASE_BOND_LEVEL=
0を境界としてはじめてVth以上となる位置偏差であ
る。
となることはなく、正常な位置偏差33Bで、下面サー
チスタート地点でVth以下となり、徐々に偏差が増加し
て、BASE_BOND_LEVEL=0を境界として
Vth以上となって正常検出できる。
下面サーチスタート時点においてもVth以上で入ってく
る場合は、真の下面以前(BASE_BOND_LEV
EL=0となるまで)に異常検出してしまう。この下面
検出後、駆動アームのコイル2には設定荷重の電流が印
加されて、荷重制御域に入る。
子を置いて、衝撃荷重をモニタした波形を、正常な位置
偏差33Bで下面検出した場合を図7の(a)に示し、
異常な位置偏差33Cで下面検出した場合を図7の
(b)に示す。
ング装置のリニアヘッドの下面検出は、前述したよう
に、位置偏差で検出している。このため、正常な位置偏
差で検出した場合でも実際の半導体素子の表面位置に接
した後に荷重印加に切替えることになり、図7の(b)
に示すように、衝撃荷重が大きく、かつ、表面でバウン
ドが発生し、設定荷重への収束性が悪く、金ボールとア
ルミパッドの接合不良(ボールはがし、下地クラック、
圧着径ばらつき)、同じく、金線とインナーリードの接
合不良(ステッチはがし、ステッチ幅ばらつき)が発生
するなどの問題点があった。
ためになされたもので、キャピラリーチップが半導体素
子の表面に接する下面検出の精度を上げて、衝撃荷重や
バウンド現象を未然に防ぐとともに、設定荷重を安定的
に収束させるワイヤボンディング方法及びその装置を得
ることを目的とする。
ボンディング方法は、被接合面に対し金線を結線するワ
イヤボンディング装置を用いて行う方法であって、前記
ワイヤボンディング装置は、金線を加工するキャピラリ
ーチップと、荷重電流に基づく荷重を前記キャピラリー
チップに与えるとともに、前記キャピラリーチップと一
体形成され、自身が上下動することにより前記キャピラ
リーチップを上下動させる駆動部と、前記駆動部の上下
動による位置変化をZ位置として検知しエンコード信号
を出力するエンコーダとを備え、前記エンコーダは前記
Z位置が所定レベル以上変化する毎にエンコードパルス
を発生し、前記エンコードパルスに基づき、前記荷重電
流を変更しながら、前記キャピラリーチップが前記被接
合面に接したと判断する下面検出を行う制御部をさらに
備えて構成され、(a) 前記キャピラリーチップが前記被
接合面から所定距離以内の位置に達すると前記エンコー
ドパルスに基づく制御期間とするステップと、(b) 前記
制御期間において、前記制御部の制御下で前記エンコー
ドパルスが発生するごとに、前記荷重電流を第1の期間
中“0”に、その後、所定のサーチ荷重電流に設定する
ことを繰り返すステップと、(c) 前記エンコーダパルス
が直近のエンコードパルス発生から第2の期間発生しな
い場合に前記下面検出を行うステップとを備えている。
方法のように、前記エンコード信号は互いに位相の異な
る第1及び第2のアナログ信号からなり、(d) 前記下面
検出時における前記第1及び第2のアナログ信号の状態
に基づき、前記第1及び第2のアナログ信号のうち一方
の信号を荷重フィードバック信号とするステップと、
(e) 前記下面検出後に、前記荷重フィードバック信号に
基づき、前記Z位置が一定になるように前記荷重電流を
制御するステップとをさらに備えてもよい。
方法のように、前記駆動部は前記キャピラリーチップを
取り付けた超音波ホーンを有し、前記ワイヤボンディン
グ装置は、前記超音波ホーンに生じる歪量を検出して歪
信号を出力する歪検出部をさらに備え、(d) 前記歪信号
に基づき、前記歪量が所定値を超えた場合に前記下面検
出を行うステップをさらに備えてもよい。
グ方法のように、(e) 前記下面検出後に、前記歪信号に
基づき、前記歪量が一定になるように前記荷重電流を制
御するステップをさらに備えてもよい。
るワイヤボンディングにおけるキャピラリーチップの下
面検出方法を示す説明図である。図1は図14と同様、
半導体素子にキャピラリーチップが降下する時の速度指
令CSと実速度動作RSとの関係を示している。なお、
ワイヤボンディング装置のボンディングヘッド部分は図
41で示した従来例と同様の構成である。
明する。実施の形態1では、駆動アーム5のZ位置がB
ASE_BOND_LEVELより400μm上の状態
から速度指令CSを等速指令に切り替えることにより、
150μm上をサーチレベル(S_LEVEL)に設定
して等速制御域にし、BASE_BOND_LEVEL
より100μm上からPWM(Pulse Width Modific
ation)制御を開始する。
PWM制御を行う。すなわち、コントローラは、駆動コ
イル2にサーチ荷重(S_FORCE)に相当するモー
タトルク電流を印加するが、Z位置検出のリニアエンコ
ーダセンサ11からの戻りエンコーダパルス発生ごと
に、サーチスピード(S_SPEED)の時間t1(μ
s)の間は電流値を0mA(0g)に設定し、時間t1
の経過後に、再度サーチ荷重(S_FORCE)を指示
する電流に切替えるように制御する。
戻りエンコーダパルスとは、リニアエンコーダセンサ1
1からの出力信号(アナログ信号)に対し所定の電圧間
隔でパルス発生電圧を設定し、リニアエンコーダセンサ
11からの出力信号がパルス発生電圧を超える(上回る
/下回る)毎に生成するパルス(“L”に立ち下がるパ
ルス)である。したがって、キャピラリーチップ8の被
接合面への着地後は戻りエンコードパルスは発生しなく
なる。
ルク電流と駆動コイルの特性から決まる実電流が常時印
加されることになり、半導体素子の表面位置にキャピラ
リーチップが着地した時には、この電流で駆動コイル2
に発生する荷重が印加される(衝撃荷重の立上りに相当
する)。その結果、キャピラリーチップ8が半導体素子
27のアルミニウム電極28の表面等の被接合面に到達
する下面到達時の衝撃は、サーチ荷重(S_FORC
E)より十分低く抑えることができ、半導体素子27の
品質を安定させることができる。
ニアエンコーダセンサ11からの戻りエンコーダパルス
が、直近の戻りエンコーダパルスの発生からDET_T
IME=t2(μs)期間を越えて発生しないと下面に
到達(下面検出)したと判断し、荷重設定値(FORC
E)を指示する電流にモータトルク電流を切替える。な
お、種々の実験結果から、DET_TIME=t2=3
・t3に設定することにより、ほぼ正確に下面を検出す
ることができる。また、図1の例では下面検出時点(t
=0)より時間t2前にキャピラリーチップ8が着地し
ている例を示しているが、その誤差はせいぜい数十μm
であるため、十分許容範囲である。
用いられるワイヤボンディング装置の下面検出制御部の
構成を示すブロック図である。コントローラ15は、P
WM制御期間において、リニアエンコーダセンサ11の
戻りエンコーダパルスを検出し、戻りエンコーダパルス
発生ごとに、所定のサーチスピード(S_SPEED)
の時間t1(μs)の間は電流値が0mA(0g)を指
示し、時間t1の経過後に、再度サーチ荷重(S_FO
RCE)に切替えを指示するデジタル指令をD/A変換
器16に出力する。
コーダセンサ11からの戻りエンコーダパルスが、DE
T_TIME=t2(μs)期間を越えて発生しないと
下面に到達したと判断(下面検出)し、荷重設定値(F
ORCE)を指示するデジタル指令をD/A変換器16
に出力する。
ーダセンサ11からのA相状態信号,B相状態信号を受
け、下面検出時のA相状態信号及びB相状態信号の組合
せに基づき、荷重フィードバック情報を後述する荷重フ
ィードバック制御部の微分器41に出力する。
A変換してアナログ指令をアンプ17に出力する。アン
プ17はアナログ指令を増幅(積算)して得られる駆動
コイル2にモータトルク電流を流す。そして、駆動コイ
ル2を流れるモータトルク電流によりモータ30が駆動
し、駆動アーム5が上下に変動し、そのZ位置がリニア
エンコーダセンサ11により検知される。
の戻りエンコーダパルスに基づき、戻りエンコーダパル
スが、DET_TIME=t2(μs)期間を越えて発
生しない場合に下面検出を行うことにより、正確な下面
検出が行える。
ニアエンコーダセンサ11の出力信号を利用するため、
ワイヤボンディング装置の構成は簡単で安価となる。
であるワイヤボンディング方法における荷重制御方法を
示す説明図である。図2において、アナログ信号A相,
B相はエンコーダからの出力信号で、互いに90゜の位
相ずれをもっている。2相は、それぞれのゼロクロスと
ゼロクロスの区間で、他相の信号がほぼ直線とみなせる
区間を指定するA相状態信号及びB相状態信号をそれぞ
れ生成している。また、この直線区間とは、2相の振幅
をそれぞれAとすると、上限界線UL及び下限界線DL
はそれぞれ次の数1で表現され、
れ、
る。
時におけるA相状態信号とB相状態信号の“L”,
“H”の組合せと、その時適用される、各相の直線区間
を表1及び図2の直線部で示す(A↑:A相の立上り直
線部、A↓:A相の立下り直線部、B↑:B相の立上り
直線部、B↓:B相の立下り直線部)。
より荷重フィードバック相を決定する。この荷重フィー
ドバック相の決定は、A相状態信号及びB相状態信号を
受けるコントローラ15により行われ、A相アナログ信
号及びB相アナログ信号のうちいずれの信号を荷重フィ
ードバック信号とするのかを指示する荷重フィードバッ
ク情報を出力する。
フィードバック制御部の構成を示すブロック図である。
同図に示すように、リニアエンコーダセンサ11からの
出力信号(A相,B相アナログ信号)が微分器41に出
力される。微分器41はコントローラ15からA相,B
相アナログ信号を受け、コントローラ15から得られる
荷重フィードバック情報に基づき、一方のアナログ信号
を荷重フィードバック信号として認識する。そして、微
分器41は位置情報である荷重フィードバック信号を微
分して速度情報を減算器42に出力する。
度情報を減算して得られる加速度情報をアンプ43に出
力する。アンプ43は加速情報を増幅(積算)して得ら
れる制御電流を加算器44に出力する。
される設定荷重値(FORSE)に相当する電流に制御
電流を加算した電流をモータトルク電流として駆動コイ
ル2に供給する。そして、駆動コイル2を流れるモータ
トルク電流によりモータ30が駆動し、駆動アーム5が
上下に変動し、そのZ位置がリニアエンコーダセンサ1
1により検知される。
は、荷重フィードバック制御部による制御下で、フィー
ドバック相に基づき、リニアエンコーダセンサ11で検
知されるZ位置が常に一定に保つように、駆動コイル2
に供給するモータトルク電流を制御することにより、Z
位置を一定にしながら設定荷重を安定収束させることが
できる。
及びB相状態信号に基づき、表1を参照して、A相アナ
ログ信号及びB相アナログ信号のうち最適な信号を荷重
フィードバック信号とするため、精度のよい制御を行う
ことができる。
子を置いて、衝撃荷重をモニタした波形を図7(c)に
示す。このように従来技術に比較して、衝撃荷重も小さ
く収まり、バウンド現象の発生もない。しかも、荷重フ
ィードバック制御により、設定荷重も安定収束している
結果となった。
面検出と荷重フィードバック制御にZ位置を検出するリ
ニアエンコーダセンサ11を使用したが、USホーン7
に歪ゲージ18を貼り付けて歪ゲージ18を利用しても
よい。
を検出して歪信号をを出力する。そこで、USホーン7
に歪が開始する時点、すなわち、歪信号の指示する歪量
が所定値を超えた時に下面検出を行い、さらに歪ゲージ
18で検出された歪信号の指示する歪量から速度及び加
速度に変換後、フィードバックGAIN(G)をかけ
て、モータトルク電流に加算することで、荷重フィード
バック制御を実施する。
いられるワイヤボンディング装置の下面検出制御部の構
成を示すブロック図である。コントローラ15′は、図
3で示した実施の形態1のコントローラ15の機能に加
え、歪ゲージ18より受ける歪信号の指示する歪量が所
定以上である場合に下面に到達したと判断(下面検出)
し、荷重設定値(FORCE)を指示するデジタル指令
をD/A変換器16に出力する。なお、他の構成は図3
で示した実施の形態1の下面検出制御部と同様であるた
め説明は省略する。
は、リニアエンコーダセンサ11の戻りエンコーダパル
スに加え、歪ゲージ18で検出される歪量に基づき、下
面検出を行うことにより、より一層正確な下面検出が行
える。
ク制御部の構成を示すブロック図である。同図に示すよ
うに、歪ゲージ18は歪信号を微分器41に出力する。
微分器41は歪信号の指示する歪量を微分して速度情報
を減算器42に出力する。
度情報を減算して得られる加速度情報をアンプ43に出
力する。アンプ43は加速情報を増幅(積算)して得ら
れる制御電流を加算器44に出力する。
される設定荷重値(FORSE)に相当する電流に制御
電流を加算した電流をモータトルク電流として駆動コイ
ル2に供給する。
バック制御部による荷重制御方法は、荷重フィードバッ
ク制御部による制御下で、歪量に基づき、歪ゲージ18
で検知される歪量が常に一定に保つように、すなわち、
歪量との相関が高いZ位置を一定に保つように設定荷重
を制御して、設定荷重を安定収束させることができる。
請求項1記載のワイヤボンディング方法のステップ(b)
は、エンコードパルスが発生するごとに、荷重電流を第
1の期間中“0”に、その後、所定のサーチ荷重電流に
設定することを繰り返すため、キャピラリーチップが電
極に与える衝撃は、上記所定のサーチ荷重電流の指示す
る荷重を下回った荷重で与えられ、半導体素子の品質を
安定させることができる。
スが直近のエンコードパルス発生から第2の期間発生し
ない場合に下面検出を行うため、第2の期間を適切に設
定することにより正確な下面検出を行うことができる。
方法は、ステップ(e)で、下面検出後に、荷重フィード
バック信号に基づき、Z位置が一定になるように荷重電
流を制御するため、Z位置を一定にしながらキャピラリ
ーチップの設定荷重を安定収束させることができる。
ける第1及び第2のアナログ信号の状態に基づき、第1
及び第2のアナログ信号のうち一方の信号を荷重フィー
ドバック信号とすることにより、最適な信号を荷重フィ
ードバック信号とするため、精度のよい制御を行うこと
ができる。
方法は、ステップ(d) で、超音波ホーンに生じる歪量を
指示する歪信号に基づき、歪量が所定値を超えた場合に
下面検出を行うため、より一層、正確な下面検出を行う
ことができる。
グ方法は、ステップ(e)で、下面検出後に、歪信号に基
づき、歪量が一定になるように荷重電流を制御するた
め、歪量との相関が高いZ位置を一定にしながらキャピ
ラリーチップの設定荷重を安定収束させることができ
る。
を示す説明図である。
を示す説明図である。
ブロック図である。
構成を示すブロック図である。
ブロック図である。
構成を示すブロック図である。
である。
ド部分を示す説明図である。
る。
る。
る。
る。
る。
コントローラ、16D/A変換器、17 アンプ、1
8 歪ゲージ。
Claims (4)
- 【請求項1】 被接合面に対し金線を結線するワイヤボ
ンディング装置を用いて行うワイヤボンディング方法で
あって、 前記ワイヤボンディング装置は、 金線を加工するキャピラリーチップと、 荷重電流に基づく荷重を前記キャピラリーチップに与え
るとともに、前記キャピラリーチップと一体形成され、
自身が上下動することにより前記キャピラリーチップを
上下動させる駆動部と、 前記駆動部の上下動による位置変化をZ位置として検知
しエンコード信号を出力するエンコーダとを備え、前記
エンコーダは前記Z位置が所定レベル以上変化する毎に
エンコードパルスを発生し、 前記エンコードパルスに基づき、前記荷重電流を変更し
ながら、前記キャピラリーチップが前記被接合面に接し
たと判断する下面検出を行う制御部をさらに備えて構成
され、 (a) 前記キャピラリーチップが前記被接合面から所定距
離以内の位置に達すると前記エンコードパルスに基づく
制御期間とするステップと、 (b) 前記制御期間において、前記制御部の制御下で前記
エンコードパルスが発生するごとに、前記荷重電流を第
1の期間中“0”に、その後、所定のサーチ荷重電流に
設定することを繰り返すステップと、 (c) 前記エンコーダパルスが直近のエンコードパルス発
生から第2の期間発生しない場合に前記下面検出を行う
ステップとを備える、ワイヤボンディング方法。 - 【請求項2】 前記エンコード信号は互いに位相の異な
る第1及び第2のアナログ信号からなり、 (d) 前記下面検出時における前記第1及び第2のアナロ
グ信号の状態に基づき、前記第1及び第2のアナログ信
号のうち一方の信号を荷重フィードバック信号とするス
テップと、 (e) 前記下面検出後に、前記荷重フィードバック信号に
基づき、前記Z位置が一定になるように前記荷重電流を
制御するステップとをさらに備える、請求項1記載のワ
イヤボンディング方法。 - 【請求項3】 前記駆動部は前記キャピラリーチップを
取り付けた超音波ホーンを有し、前記ワイヤボンディン
グ装置は、前記超音波ホーンに生じる歪量を検出して歪
信号を出力する歪検出部をさらに備え、 (d) 前記歪信号に基づき、前記歪量が所定値を超えた場
合に前記下面検出を行うステップをさらに備える、請求
項1記載のワイヤボンディング方法。 - 【請求項4】 (e) 前記下面検出後に、前記歪信号に基
づき、前記歪量が一定になるように前記荷重電流を制御
するステップをさらに備える、請求項3記載のワイヤボ
ンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18580195A JP3317612B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18580195A JP3317612B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0936160A JPH0936160A (ja) | 1997-02-07 |
JP3317612B2 true JP3317612B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2000183101A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Kaijo Corp | ボンディング装置 |
JP4521099B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-08-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ボンディング方法及び装置 |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP18580195A patent/JP3317612B2/ja not_active Expired - Fee Related
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