JP3317384B2 - 集積回路テスト方法 - Google Patents

集積回路テスト方法

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JP3317384B2
JP3317384B2 JP02678496A JP2678496A JP3317384B2 JP 3317384 B2 JP3317384 B2 JP 3317384B2 JP 02678496 A JP02678496 A JP 02678496A JP 2678496 A JP2678496 A JP 2678496A JP 3317384 B2 JP3317384 B2 JP 3317384B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、L状態と判定され
ることを保証するL状態最大入力判定電圧、及びH状態
と判定されることを保証するH状態最小入力判定電圧
で、入力したL状態あるいはH状態の論理状態の判定に
用いる論理閾値が規定されると共に、L状態からH状態
に立ち上がる際の論理状態の判定に用いる論理閾値が、
H状態からL状態に立ち下がる際の論理状態の判定に用
いる論理閾値に比べて高く設定された、入力した論理状
態の判定にヒステリシス特性を備えたシュミット入力回
路を複数有する集積回路の、これら複数の前記シュミッ
ト入力回路の論理閾値が規定通りであるかの入力回路閾
値テストを行う集積回路テスト方法に係り、特に、集積
回路に内蔵するテスト回路の増加を抑えながら、集積回
路が内蔵する複数のシュミット入力回路の論理閾値が規
定通りであるかの入力回路閾値テストに要する時間を削
減することで、これによって、該テストに要するコスト
の削減等を図ることができる集積回路テスト方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】論理回路の入力や出力は、通常、2つの
論理値“0”及び“1”のそれぞれに対応する2種類の
電圧状態で定義され、一方をL状態又他方をH状態と称
している。又、論理回路のうちでも一般的な入力バッフ
ァは、図1のグラフに示されるような入力電圧−出力電
圧特性となっている。この図1に示されるように、入力
バッファの入力電圧がゼロであると出力電圧もゼロとな
る。又入力電圧がゼロから図示されるVil(以降、L
状態最大入力判定電圧Vilと称する)の範囲では、出
力電圧はゼロとなる。一方、入力電圧が図示されるVi
h(以降、H状態最小入力判定電圧Vihと称する)か
ら電源電圧Vddの範囲では、出力電圧はVohとな
り、一般的には出力電圧は電源電圧Vddとなる。
【0003】ここで、L状態最大入力判定電圧Vil
は、L状態と判定されることを保証する限界の電圧と考
えることができる。又、H状態最小入力判定電圧Vih
は、H状態と判定されることを保証する最小の電圧と考
えることができる。
【0004】従って、集積回路のメーカは、L状態最大
入力判定電圧Vilを含めてこれ以下の電圧ではL状態
と判定され、一方、H状態最小入力判定電圧Vihを含
めてこれ以上の電圧ではH状態と判定される集積回路の
み、良品として選別し出荷する。一方、このような集積
回路のユーザは、L状態の信号を入力する場合には、該
信号の電圧がL状態最大入力判定電圧Vil以下となる
ように設計し、H状態の信号を入力する場合には、該信
号の電圧がH状態最小入力判定電圧Vih以上となるよ
うに設計しなければならない。
【0005】従来からシュミット入力回路と称する、入
力した論理状態の判定にヒステリシス特性を備えたもの
が多く用いられている。ここで、論理状態の判定におけ
るヒステリシス特性とは、L状態からH状態に立ち上が
る際(以降、論理状態の立ち上がりと称する)の論理状
態の判定に用いる論理閾値が、H状態からL状態に立ち
下がる際(以降、論理状態の立ち上がりと称する)の論
理状態の判定に用いる論理閾値に比べて高く設定されて
いる。
【0006】このようなシュミット入力回路の入力電圧
−出力電圧特性は、例えば図2のグラフに示す通りであ
る。
【0007】この図2のグラフにおいて、論理状態の立
ち上がりの際では、L状態と判定されることを保証する
電圧はL状態最大入力判定電圧V+minとなってお
り、H状態と判定されることを保証する電圧はH状態最
小入力判定電圧V+maxとなっている。即ち、この論
理状態の立ち上がりでは、グランド電位GNDであった
入力電圧が漸次上昇する。このとき、入力電圧がグラン
ド電位GNDからL状態最大入力判定電圧V+minの
範囲にある場合、出力電圧はグランド電位GNDとな
る。更に入力電圧が上昇してH状態最小入力判定電圧V
+max以上となると、出力電圧はVoh(一般には電
源電圧Vdd)となる。このような論理状態の立ち上が
りで入力電圧がH状態最小入力判定電圧V+max以上
となると、出力電圧はVohとなる。
【0008】又、論理状態の立ち下がりの際の、H状態
と判定されることを保証する電圧はH状態最小入力判定
電圧V−maxとなっており、L状態と判定されること
を保証する電圧はL状態最大入力判定電圧V−minと
なっている。入力電圧が電源電圧Vddから漸次下降す
る論理状態の立ち下がりの場合、入力電圧が電源電圧V
ddからH状態最小入力判定電圧V−maxの範囲で
は、出力電圧はVohとなる。入力電圧が更に下降して
L状態最大入力判定電圧V−minとなると、出力電圧
はグランド電位GNDとなる。
【0009】ここで、集積回路の一般的な入力バッファ
において、L状態最大入力判定電圧Vil及びH状態最
小入力判定電圧Vihで示される論理閾値が、その集積
回路の仕様の規定通りであるかのテスト(このような入
力回路の閾値に関するテストを、以降、入力回路閾値テ
ストと称する)を行うための便宜を図った、様々な技術
が知られている。
【0010】又、集積回路の前述のようなシュミット入
力回路においても、従来から入力回路閾値テストが知ら
れている。即ち、L状態最大入力判定電圧V+min及
びH状態最小入力判定電圧V+maxで示される論理状
態の立ち上がり時の論理閾値、及び、L状態最大入力判
定電圧V−min及びH状態最小入力判定電圧V−ma
xで示される論理状態の立ち下がり時の論理閾値が、そ
の集積回路の仕様の規定通りであるかの入力回路閾値テ
ストを行うための様々な技術が知られている。
【0011】例えば図3及び図4では、入力回路閾値テ
ストのためのテスト回路を備えた集積回路の入力バッフ
ァに関する回路が示されている。
【0012】この入力回路閾値テストのためのテスト回
路は、図3ではNAND論理ゲートGNiであり、図4
ではNAND論理ゲートGN0〜GNNである。図3に
示されるNAND論理ゲートGNiは、図4に示される
NAND論理ゲートGN0〜GNNの如く、カスケード
接続され、一般にはNAND論理ゲートツリーと呼ばれ
るものが構成されている。
【0013】ここで、図4に示される複数の入力バッフ
ァの入力回路閾値テストを行う場合、下記の表1に示さ
れるようなテストパターンを、端子P0〜PNに対して
順次入力する。
【0014】
【表1】
【0015】この表1においては、各行が、順次入力す
るテストパターンにおける1ステップに相当する。ここ
で、条件Aは端子P0〜PNの個数(N+1)が偶数の
場合であり、条件Bは個数(N+1)が奇数の場合であ
る。この表1において各行で示される各ステップのテス
トパターンを入力すると、個数(N+1)が偶数の場
合、『条件A POUT(期待)』で図4に示される論
理状態の信号POUTが出力される。一方、このような
各行で示される各ステップのテストパターンを入力した
場合、個数(N+1)が奇数であれば、『条件B PO
UT(期待)』に示される図4の論理状態の信号POU
Tが出力される。ここで、信号POUTは、内部回路及
び出力バッファB0を経て、出力端子PTから集積回路
外部へ出力することができるようになっているのが一般
的である。
【0016】一般的な入力バッファをテストする場合
は、論理値“1”としてVihを、論理値“0”として
Vilを全ピンに同時に入力する。
【0017】この表1に示されるような複数ステップで
構成されるテストパターンは、条件A又はBの表中に示
されるPOUT(期待)が、実際に観測される信号PO
UTと不一致となるまで順次実行される。不一致であれ
ば、その集積回路には入力バッファに不具合があること
となる。一方、不一致となることなく、この表1のすべ
てのステップを終了することができた場合、このような
テストパターンを用いた入力回路閾値テストの対象とな
った入力バッファには不具合がないものとされる。
【0018】以上、図3及び図4又表1を用いて説明し
たような入力バッファの入力回路閾値テストによれば、
入力回路閾値テストの便宜を図るためのテスト回路が備
えられているため、信号POUTを観測しながら能率良
く入力回路閾値テストを行うことができる。又、用いら
れるテスト回路は、各入力毎に備えられる2入力NAN
D論理ゲートのみであるため、テスト回路の増加を比較
的抑制することもできている。
【0019】なお、従来から行われているシュミット入
力回路の入力回路閾値テストは、これら図3及び図4又
表1を用いて前述した考え方の延長でなされている。
【0020】シュミット入力回路において、まず、前述
のH状態最小入力判定電圧V+max及びL状態最大入
力判定電圧V−minに関する入力回路閾値テストは、
基本的に前述した図4及び図3の一般的な入力バッファ
の入力回路閾値テストと同様に行うことができる。即
ち、これらH状態最小入力判定電圧V+max及びL状
態最大入力判定電圧V−minに関する入力回路閾値テ
ストでは、表1に示される“0”としてL状態最大入力
判定電圧V−minを入力し、“1”としてH状態最小
入力判定電圧V+maxを入力しながら行う。
【0021】次に、シュミット入力回路のH状態最小入
力判定電圧V−maxの入力回路閾値テストでは、複数
のもののうちの検査対象となる1つのシュミット入力回
路のテストパターンについてのみ“0”としてH状態最
小入力判定電圧V−maxを印加し、“1”として電源
電圧Vddを印加する。又、検査対象以外のシュミット
入力回路については、“0”としてグランド電位GND
を印加し、“1”として電源電圧Vddを印加する。こ
のように各シュミット入力回路に対してテストパターン
を実行すると、検査対象バッファが正常であるならば、
必ず期待値と不一致の結果が得られる。一方、故障して
いれば、常に期待値と一致した結果となる。このような
不一致の結果により、検査対象のシュミット入力回路の
H状態最小入力判定電圧V−maxの入力回路閾値テス
トを行うことができる。
【0022】次に、シュミット入力回路のL状態最大入
力判定電圧V+minの入力回路閾値テストについて
は、複数のもののうちの検査対象の1つのシュミット入
力回路に入力するテストパターンで、“0”であればグ
ランド電位GNDを印加し、一方、“1”であればL状
態最大入力判定電圧V+minを印加する。又、検査対
象以外のシュミット入力回路については、“0”であれ
ばグランド電位GNDを印加し、“1”であれば電源電
圧Vddを印加する。このような電圧を印加しながら前
述の表1のテストパターンを実行する。このとき、検査
対象のシュミット入力回路が正常ならば必ず期待値と不
一致の結果が得られる。一方、故障していれば常に期待
値と一致した結果となる。このように不一致の結果によ
りL状態最大入力判定電圧V+minの入力回路閾値テ
ストを行うことができる。
【0023】以上のように、シュミット入力回路のH状
態最小入力判定電圧V−maxの入力回路閾値テストに
おいて、あるいは、シュミット入力回路のL状態最大入
力判定電圧V+minの入力回路閾値テストにおいて
は、いずれも検査対象のシュミット入力回路1つずつに
ついて、表1のテストパターンすべてを用いた入力回路
閾値テストを行う必要がある。
【0024】これは、通常の入力バッファの入力回路閾
値テストや、シュミット入力回路のH状態最小入力判定
電圧V+maxやL状態最大入力判定電圧V−minの
入力回路閾値テストでは、期待値一致で正常であり、期
待値不一致で故障と判定するのに対し、シュミット入力
回路のH状態最小入力判定電圧V−max及びL状態最
大入力判定電圧V+minの入力回路閾値テストでは、
期待値一致で故障となり、期待値不一致で正常と判定す
るためである。シュミット入力回路におけるこれらH状
態最小入力判定電圧V−max及びL状態最大入力判定
電圧V+minの入力回路閾値テストにおいて、複数の
シュミット入力回路の故障を表1に示される一連のテス
トパターンを1回実行するのみで故障判定することがで
きないのは、他の要因で故障したシュミット入力回路が
ある場合にも期待値不一致となることがあるためであ
る。
【0025】例えば図5に示されるように、NAND論
理ゲートツリーを備えた、3個のシュミット入力回路の
場合について考える。前述の表1に対応する下記の表2
のテストパターンを、図5の複数のシュミット入力回路
に対して入力する。ここで、すべてのシュミット入力回
路に対してH状態最小入力判定電圧V−maxの入力回
路閾値テストを同時に行うことを考え、“0”としてH
状態最小入力判定電圧V−maxを印加し、“1”とし
て電源電圧Vddを印加するものとする。下記表2にお
いて、パターンPA1〜PA3は、それぞれ独立した一
連のテストパターンである。パターンPA1は、シュミ
ット入力回路BS1〜BS3すべてが正常の場合であ
る。パターンPA2は、シュミット入力回路BS1のみ
が故障で、H状態最小入力判定電圧V−maxに問題が
あって、“1”を“0”と認識してしまっている場合で
ある。パターンPA3は、シュミット入力回路BS1が
正常であるがシュミット入力回路BS2及びBS3が共
に故障である可能性がある場合にFAILする例であ
る。以上の様に、全てのシュミット入力回路が正常の場
合と、いずれか1つでも故障している場合との区別がつ
かない。
【0026】
【表2】
【0027】次に、前述の図5の複数のシュミット入力
回路について、下記の表3のテストパターンで入力回路
閾値テストを行う場合を考える。ここで、検査対象のシ
ュミット入力回路をシュミット入力回路BS2とする。
従って、シュミット入力回路BS2に対してはテストパ
ターンとして、“0”であればH状態最小入力判定電圧
V−maxを印加し、“1”であれば電源電圧Vddを
印加する。これ以外のシミュット入力回路BS1及びB
S3については、“0”としてグランド電位GNDを印
加し、“1”として電源電圧Vddを印加する。又、下
記の表3において、パターンPB1及びPB2はいずれ
も独立した一連のテストパターンである。パターンPB
1は、シュミット入力回路BS1〜BS3すべてが正常
の場合である。パターンPB2は、シュミット入力回路
BS2が故障の場合である。下記の表3のように、シュ
ミット入力回路BS2だけ検査対象とした場合、シュミ
ット入力回路BS2が故障しているときには、テストパ
ターン全ステップにおいて期待値と一致した結果を得る
ことで判定できる。
【0028】
【表3】
【0029】
【発明が解決しようとする課題】上記の表2及び表3を
用いて説明したごとく、シュミット入力回路のH状態最
小入力判定電圧V−maxの入力回路閾値テストでは、
検査対象のシュミット入力回路を1つずつ順次定めて行
う必要がある。又、このことは、シュミット入力回路の
L状態最大入力判定電圧V+minについても同様であ
り、検査対象のシュミット入力回路を1つずつ順次定め
て行う必要がある。
【0030】従って、シュミット入力回路において、L
状態最大入力判定電圧V+min、H状態最小入力判定
電圧V+max、L状態最大入力判定電圧V−min及
びH状態最小入力判定電圧V−maxの入力回路閾値テ
ストを行うためには、シュミット入力回路1つについて
合計3回、実質的に通常の入力バッファだけの場合に対
して、2回/個を追加してテストパターンを実行する必
要がある。
【0031】即ち、このようなNAND論理ゲートツリ
ーを用いたシュミット入力回路の入力回路閾値テストで
は、(1+2×n)回だけ、表1にあるようなテストパ
ターンを実行する必要がある。ここで、nは、NAND
論理ゲートツリーで接続されている複数のシュミット入
力回路の個数である。
【0032】このようにNAND論理ゲートツリーを備
えたシュミット入力回路の入力回路閾値テストを行うた
めには、多数回のテストパターンを実行する必要があ
り、シュミット入力回路の個数が多くなればなる程、検
査時間が増大し、出荷テストに要するコストが増大して
しまうという問題がある。
【0033】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、集積回路に内蔵するテスト回路の増
加を抑えながら、集積回路が内蔵する複数のシュミット
入力回路の論理閾値が規定通りであるかの入力回路閾値
テストに要する時間を削減することで、これによって、
該テストに要するコストの削減等を図ることができる
積回路テスト方法を提供することを目的とする。
【0034】
【0035】
【課題を解決するための手段】 本願発明 は、L状態と判
定されることを保証するL状態最大入力判定電圧、及び
H状態と判定されることを保証するH状態最小入力判定
電圧で、入力したL状態あるいはH状態の論理状態の判
定に用いる論理閾値が規定されると共に、L状態からH
状態に立ち上がる際の論理状態の判定に用いる論理閾値
が、H状態からL状態に立ち下がる際の論理状態の判定
に用いる論理閾値に比べて高く設定された、入力した論
理状態の判定にヒステリシス特性を備えたシュミット入
力回路を複数有する集積回路の、これら複数の前記シュ
ミット入力回路の論理閾値が規定通りであるかの入力回
路閾値テストを行う集積回路テスト方法において、複数
の前記シュミット入力回路の論理状態判定結果に亘る全
体のAND論理演算結果の信号を、集積回路外部へ出力
するAND論理演算テスト出力回路を前記集積回路に内
蔵し、同じ複数の前記シュミット入力回路の論理状態判
定結果に亘る全体のOR論理演算結果の信号を、集積回
路外部へ出力するOR論理演算テスト出力回路を前記集
積回路に内蔵し、L状態からH状態に立ち上がる際の論
理状態の判定における前記L状態最大入力判定電圧をV
+minと定義し、前記H状態最小入力判定電圧をV+
maxと定義し、H状態からL状態に立ち下がる際の論
理状態の判定における前記H状態最小入力判定電圧をV
−maxと定義し、前記L状態最大入力判定電圧をV−
minと定義し、実際の前記入力閾値テストに際して、
複数の前記シュミット入力回路の全てに、まずグランド
電位GNDを印加し、この後に前記L状態最大入力判定
電圧V+minを印加した際に前記OR論理演算結果信
号がL状態となり、更にこの後に前記H状態最小入力判
定電圧V+maxを印加した際に前記AND論理演算結
果信号がH状態となり、又、実際の前記入力閾値テスト
に際して、複数の前記シュミット入力回路の全てに、ま
ず電源電圧Vddを印加し、この後に前記H状態最小入
力判定電圧V−maxを印加した際に前記AND論理演
算結果信号がH状態となり、更にこの後に前記L状態最
大入力判定電圧V−minを印加した際に前記OR論理
演算結果信号がL状態となる場合には、該前記入力閾値
テストでの集積回路の判定結果を合格とするようにした
ことにより、前記課題を解決することができる集積回路
テスト方法を提供したものである。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施の
形態を詳細に説明する。
【0037】図6は、本発明が適用された第1実施形態
の集積回路の入力部分の回路図である。
【0038】この図6においては、合計(N+1)個の
シュミット入力回路BS0〜BSNが示され、これらが
入力回路閾値テストの対象となっている。これらシュミ
ット入力回路BS0〜BSNそれぞれにはNAND論理
ゲートGN0〜GNNが1つずつ設けられ、これらNA
ND論理ゲートGN0〜GNNは全体としてNAND論
理ゲートツリーを構成している。これらのシュミット入
力回路BS0〜BSNの出力は、信号I0〜INとして
当該集積回路の内部回路へ出力されている。
【0039】又、本実施形態では本発明が適用され、こ
れらシュミット入力回路BS0〜BSNそれぞれが出力
する論理状態すべてのAND論理演算結果を求めるため
に、合計(M+1)個のAND論理ゲートGA0〜GA
Mと、AND論理ゲートGAとが設けられている。又、
これらシュミット入力回路BS0〜BSNそれぞれが出
力する論理状態すべてのOR論理演算結果を得るため
に、合計(M+1)個のOR論理ゲートGR0〜GRM
と、OR論理ゲートGRとが設けられている。
【0040】以下、本実施形態の作用について説明す
る。
【0041】本実施形態において、シュミット入力回路
のL状態最大入力判定電圧V+min、H状態最小入力
判定電圧V+max、L状態最大入力判定電圧V−mi
n及びH状態最小入力判定電圧V−maxの入力回路閾
値テストは、下記のステップSA1〜SA3によって行
われる。
【0042】ステップSA1:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNに対して、前述の表1のテストパタ
ーンを用いた入力回路閾値テストを行う。この際、
“0”ではL状態最大入力判定電圧V−minを印加
し、“1”ではH状態最小入力判定電圧V+maxを印
加する。又、テスト信号POUTについて、全ステップ
で一致であれば正常であり、1ステップでも不一致があ
れば故障となる。
【0043】ステップSA2:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNに対して、すべて“1”のパターン
とすべて“0”のパターンの2パターンを行う。
【0044】このとき、“0”であればH状態最小入力
判定電圧V−maxを印加し、“1”であれば電源電圧
Vddを印加する。このとき、すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNに故障がなければH状態最小入力判
定電圧V−maxで“0”として認識しないので、テス
ト信号AOUTは常に“1”のままとなる。一方、シュ
ミット入力回路BS0〜BSNに1つでも故障があれ
ば、H状態最小入力判定電圧V−maxで“0”として
認識するものが存在することになり、テスト信号AOU
Tは“0”となり、これによって故障を発見することが
できる。
【0045】ステップSA3:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNに対して、すべてが“0”のパター
ンとすべてが“1”のパターンの2パターンを実行す
る。このとき、“0”であればグランド電位GNDを印
加し、“1”であればL状態最大入力判定電圧V+mi
nを印加する。すべてのシュミット入力回路BS0〜B
SNに故障がなければ、L状態最大入力判定電圧V+m
inを“1”として認識しないので、常にテスト信号B
OUTは“0”のままである。一方、シュミット入力回
路BS0〜BSNで1つでも故障があって、L状態最大
入力判定電圧V+minを“1”として認識してしまう
ものがあればテスト信号BOUTは“1”となり、これ
によって故障を発見することができる。
【0046】ここで、上記のステップSA1によって、
シュミット入力回路BS0〜BSNのH状態最小入力判
定電圧V+max及びL状態最大入力判定電圧V−mi
nの入力回路閾値テストを行うことができる。ステップ
SA2によって、H状態最小入力判定電圧V−maxの
入力回路閾値テストを行うことができる。ステップSA
3によって、L状態最大入力判定電圧V+minの入力
回路閾値テストを行うことができる。従って、本実施形
態では、合計3回のテストパターンの実行で入力回路閾
値テストを行うことができ、前述した従来例の(1+2
×n)回に比べテストパターン数を抑えることができて
いる。
【0047】従って、本実施形態によれば本発明を適用
して、集積回路に内蔵するテスト回路の増加を抑えなが
ら、集積回路が内蔵する複数のシュミット入力回路の論
理閾値が規定通りであるかの入力回路閾値テストに要す
る時間を削減することで、これによって、該テストに要
するコストの削減等を図ることができるという優れた効
果を得ることができる。
【0048】図7は、本発明が適用された第2実施形態
の集積回路の入力部分の回路図である。
【0049】この図7において、合計(N+1)個のシ
ュミット入力回路BS0〜BSNが入力回路閾値テスト
の対象とされ、そのL状態最大入力判定電圧V+mi
n、H状態最小入力判定電圧V+max、L状態最大入
力判定電圧V−min及びH状態最小入力判定電圧V−
maxの入力回路閾値テストがなされる。
【0050】又、本実施形態では本発明が適用され、こ
れらシュミット入力回路BS0〜BSNそれぞれには、
AND論理ゲートGA0〜GANが1つずつ設けられて
いる。これらAND論理ゲートGA0〜GANは、カス
ケード接続され、全体としてAND論理ゲートツリー構
成となっている。該AND論理ゲートツリーの出力はテ
スト信号AOUTとなっている。該テスト信号AOUT
は、シュミット入力回路BS0〜BSNそれぞれが出力
する論理状態すべてのAND論理演算結果となってい
る。
【0051】更に、本実施形態では本発明が適用され、
それぞれのシュミット入力回路BS0〜BSNに対して
1つずつ、OR論理ゲートGR0〜GRNが設けられて
いる。これらOR論理ゲートGR0〜GRNは相互にカ
スケード接続され、全体としてOR論理ゲートツリーが
構成されている。該OR論理ゲートツリーの出力はテス
ト信号BOUTとなっている。該テスト信号BOUT
は、シュミット入力回路BS0〜BSNそれぞれが出力
する論理状態すべてのOR論理演算結果となっている。
【0052】以下、本実施形態の作用について説明す
る。
【0053】本実施形態におけるシュミット入力回路B
S0〜BSNのL状態最大入力判定電圧V+min、H
状態最小入力判定電圧V+max、L状態最大入力判定
電圧V−min及びH状態最小入力判定電圧V−max
の入力回路閾値テストは、下記のステップSB1〜SB
6を行いながら、テスト信号AOUT及びBOUTから
出力される信号を集積回路外部から観測することによっ
てなされる。
【0054】ステップSB1:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNの入力に、端子P0〜PNを経てグ
ランド電位GNDを印加する。このとき、テスト信号B
OUTが“1”であれば、故障した少なくとも1つのシ
ュミット入力回路BS0〜BSNが存在する。
【0055】ステップSB2:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNの入力にL状態最大入力判定電圧V
+minを印加する。このとき、テスト信号BOUTが
“1”であれば、少なくとも1つの故障したシュミット
入力回路BS0〜BSNが存在する。
【0056】ステップSB3:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNの入力に、H状態最小入力判定電圧
V+maxを印加する。このとき、テスト信号AOUT
が“0”であれば、少なくとも1つの故障したシュミッ
ト入力回路BS0〜BSNが存在する。
【0057】ステップSB4:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNの入力に、電源電圧Vddを印加す
る。このとき、テスト信号AOUTが“0”であれば、
少なくとも1つの故障したシュミット入力回路BS0〜
BSNが存在する。
【0058】ステップSB5:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNの入力にH状態最小入力判定電圧V
−maxを印加する。このとき、テスト信号AOUTが
“0”であれば、少なくとも1つの故障したシュミット
入力回路BS0〜BSNが存在する。
【0059】ステップSB6:すべてのシュミット入力
回路BS0〜BSNの入力に、L状態最大入力判定電圧
V−minを印加する。このとき、テスト信号BOUT
が“1”であれば、少なくとも1つの故障したシュミッ
ト入力回路BS0〜BSNが存在する。
【0060】ここで、ステップSB2は、L状態最大入
力判定電圧V+minについての入力回路閾値テストを
行うためのものである。ステップSB3は、H状態最小
入力判定電圧V+maxについての入力回路閾値テスト
を行うためのものである。ステップSB5は、H状態最
小入力判定電圧V−maxについての入力回路閾値テス
トを行うためのものである。ステップSB6は、L状態
最大入力判定電圧V−minの入力回路閾値テストを行
うためのものである。
【0061】又、これらステップSB1〜SB6のすべ
てで故障が見出されなかった場合に、入力回路閾値テス
トの対象とした集積回路を良品、即ち正常なものとして
判定することができる。
【0062】なお、ステップSB1〜SB3はこのステ
ップ番号順に行う必要がある。又、ステップSB4〜S
B6はこのステップ番号順に行う必要がある。しかしな
がら、ステップSB1〜SB3とステップSB4〜SB
6とは独立している。従って、ステップSB4〜SB6
の後に、ステップSB1〜SB3を行ってもよい。
【0063】なお、ステップSB1〜SB6を続けて行
う場合、ステップSB4は行わなくてもよい。又、以上
のステップSB1〜SB6を第1実施形態の集積回路に
適用することにより、更にテスト時間の短縮を図ること
ができる。
【0064】このように本実施形態についても本発明を
適用し、集積回路に内蔵するテスト回路の増加を抑えな
がら、集積回路が内蔵する複数のシュミット入力回路の
論理閾値が規定通りであるかの入力回路閾値テストに要
する時間を削減することで、これによって、該テストに
要するコストの削減等を図ることができるという優れた
効果を得ることができる。
【0065】なお、本実施形態の前述したステップSB
3及びSB6を、前述した第1実施形態のステップSA
1に置き換えることもできる。また、ステップSA1〜
SA3のパターンに完全に置き換えることもできる。な
お、本実施形態と前述の第1実施形態とを比べた場合、
本実施形態ではNAND論理ゲートツリーを省くことが
できているため、集積回路に内蔵するテスト回路をより
減少させることができている。
【0066】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、集
積回路に内蔵するテスト回路の増加を抑えながら、集積
回路が内蔵する複数のシュミット入力回路の論理閾値が
規定通りであるかの入力回路閾値テストに要する時間を
削減することで、これによって、該テストに要するコス
トの削減等を図ることができるという優れた効果を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な入力バッファの入力電圧−出力電圧特
性を示すグラフ
【図2】一般的なシュミット入力回路の入力電圧−出力
電圧特性を示すグラフ
【図3】従来の入力回路閾値テストのテスト回路を備え
た入力バッファの回路図
【図4】従来の入力回路閾値テストのためのテスト回路
を有する入力バッファを複数備えた集積回路の入力部分
の回路図
【図5】従来の入力回路閾値テストのためのテスト回路
を備えたシュミット入力回路を3つ有する集積回路の入
力部分の回路図
【図6】本発明が適用された第1実施形態の集積回路の
入力部分の回路図
【図7】本発明が適用された第2実施形態の集積回路の
入力部分の回路図
【符号の説明】
BI0〜BIi〜BIN…入力バッファ BO…出力バッファ BS0〜BSi〜BSN…シュミット入力回路 GN0〜GNi〜GNN…NAND論理ゲート GA、GA0〜GAi〜GAN、GA0〜GAj〜GA
M…AND論理ゲート GR、GR0〜GRi〜GRN、GR0〜GRj〜GR
M…OR論理ゲート P0〜Pi〜PN、PT…端子 I0〜Ii〜IN…入力信号 POUT、AOUT、BOUT…テスト信号 Ui…出力信号 Vil…L状態最大入力判定電圧 Vih…H状態最小入力判定電圧 V+min…L状態最大入力判定電圧(論理状態の立ち
上がり) V+max…H状態最小入力判定電圧(論理状態の立ち
上がり) V−min…L状態最大入力判定電圧(論理状態の立ち
下がり) V−max…H状態最小入力判定電圧(論理状態の立ち
下がり) Vdd…電源電圧 GND…グランド電位
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 H03K 19/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】L状態と判定されることを保証するL状態
    最大入力判定電圧、及びH状態と判定されることを保証
    するH状態最小入力判定電圧で、入力したL状態あるい
    はH状態の論理状態の判定に用いる論理閾値が規定され
    ると共に、L状態からH状態に立ち上がる際の論理状態
    の判定に用いる論理閾値が、H状態からL状態に立ち下
    がる際の論理状態の判定に用いる論理閾値に比べて高く
    設定された、入力した論理状態の判定にヒステリシス特
    性を備えたシュミット入力回路を複数有する集積回路
    の、これら複数の前記シュミット入力回路の論理閾値が
    規定通りであるかの入力回路閾値テストを行う集積回路
    テスト方法において、 複数の前記シュミット入力回路の論理状態判定結果に亘
    る全体のAND論理演算結果の信号を、集積回路外部へ
    出力するAND論理演算テスト出力回路を前記集積回路
    に内蔵し、 同じ複数の前記シュミット入力回路の論理状態判定結果
    に亘る全体のOR論理演算結果の信号を、集積回路外部
    へ出力するOR論理演算テスト出力回路を前記集積回路
    に内蔵し、 L状態からH状態に立ち上がる際の論理状態の判定にお
    ける前記L状態最大入力判定電圧をV+minと定義
    し、前記H状態最小入力判定電圧をV+maxと定義
    し、 H状態からL状態に立ち下がる際の論理状態の判定にお
    ける前記H状態最小入力判定電圧をV−maxと定義
    し、前記L状態最大入力判定電圧をV−minと定義
    し、 実際の前記入力閾値テストに際して、複数の前記シュミ
    ット入力回路の全てに、まずグランド電位GNDを印加
    し、この後に前記L状態最大入力判定電圧V+minを
    印加した際に前記OR論理演算結果信号がL状態とな
    り、更にこの後に前記H状態最小入力判定電圧V+ma
    xを印加した際に前記AND論理演算結果信号がH状態
    となり、 又、実際の前記入力閾値テストに際して、複数の前記シ
    ュミット入力回路の全てに、まず電源電圧Vddを印加
    し、この後に前記H状態最小入力判定電圧V−maxを
    印加した際に前記AND論理演算結果信号がH状態とな
    り、更にこの後に前記L状態最大入力判定電圧V−mi
    nを印加した際に前記OR論理演算結果信号がL状態と
    なる場合には、 該前記入力閾値テストでの集積回路の判定結果を合格と
    するようにしたことを特徴とする集積回路テスト方法。
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