JP3314097B2 - 光ディスク及びそれを収容するカートリッジ - Google Patents

光ディスク及びそれを収容するカートリッジ

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JP3314097B2
JP3314097B2 JP03870093A JP3870093A JP3314097B2 JP 3314097 B2 JP3314097 B2 JP 3314097B2 JP 03870093 A JP03870093 A JP 03870093A JP 3870093 A JP3870093 A JP 3870093A JP 3314097 B2 JP3314097 B2 JP 3314097B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂などから成る基板
に光記録層を形成した光ディスクと、この光ディスクを
収容するカートリッジに関する。
【0002】
【従来の技術とその問題点】従来、CD−ROM、追記
型光ディスク、及び書き換え可能型光ディスク等のカー
トリッジは、シェル内に収容した光ディスクを保護する
ため、シャッタはシェルに形成した開口窓を開閉可能に
設けられ、カートリッジが挿入されるディスクドライブ
装置によってこれが開閉動作され、開口窓において光デ
ィスクに書き込まれた情報を読み出したり、光ディスク
へ情報の書き込みを行ったりする。
【0003】すなわち、図7に示すように偏平形状の上
シェル1aと下シェル1bとを接合した構造のカートリ
ッジ1には、基板2aに光記録層2bを形成した構造の
光ディスク2を収容しており、カートリッジ1の接合面
3は、一般に図示のごとくカートリッジ1の面に平行な
平面であって、外面から内面にかけて外周部を直線状に
横切っており、ここには数μm の隙間が生じている。光
記録層2bはその表面に紫外線硬化型や熱硬化型等の樹
脂による保護樹脂層2cが設けられているが、これは非
常に薄いものであり、上述のように接合面3の内外に通
じた隙間があると、帯電した人や物、すなわち帯電体4
がカートリッジ1の周面に接触した場合に、隙間を通じ
て内部の光ディスク1との間で微小なアーク放電が発生
する。このため、保護樹脂層2cがあるにもかかわらず
光記録層2bが損傷を受けてピンホールが生じ、この箇
所が欠陥部となることがあった。
【0004】
【発明の目的】そこで、本発明は上述した問題点に着目
し、カートリッジの接合面の隙間を通じてのアーク放電
による欠陥発生を防止する信頼性の高いカートリッジ及
び光ディスクを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、基板の主面上に少なくとも光記録層とこれを覆う
樹脂保護層とを設けた光ディスクにおいて、前記光記録
層の周縁部での前記樹脂保護層を、その内側の樹脂保護
層より高く形成して、半径42mmの位置での光記録層
上にある樹脂保護層の厚さを20μm以上にしたことを
特徴とする。また、本発明のカートリッジは、偏平な上
シェルと下シェルとを接合してその内部にかかる本発明
の光ディスクを収容してなることを特徴とする。
【0006】
【0007】
【0008】
【0009】
【作用】本発明によれば、光記録層の外周端縁での樹脂
保護層が他の部分よりも厚くなっているため、仮に放電
が生じても欠陥となるような損傷を光記録層が受けにく
くなり、欠陥発生が防止される。
【0010】
【実施例】本発明に係る実施例を図面に基づき詳細に説
明する。参考例として、まず、第1及び第2の発明の実
施例について説明する。なお、図7と同一部分は同一符
号で示し、主として異なる点について述べる。図1はV
字状とした実施例であり、上シェル1aと下シェル1b
の外周部の一方にV字状の凸部3aを形成し、これに対
応して他方にはV字状の凹部3bを形成してこれらを互
いに組み合わせてV字状の接合面3を構成している。
【0011】ここで、上述した形状はほんの一例であっ
て、接合面3をカートリッジ1の面に平行な単純な平面
とならないような適切な形状とし、外面から内面にかけ
て接合面3が屈曲した状態となるようしたりすればよ
い。このようにすることで、両シェル間に収容された光
ディスク2の上下移動範囲内で、接合面3を含む平面上
に光記録層2bが位置しないようにすることができる。
図2〜図5はそのような他の形状を例示したものであ
り、図2は上シェル1aと下シェル1bの外周部の一方
に突起壁3cを設けて接合面3をL字状とした例、図3
は上シェル1aと下シェル1bのいずれもL字状とした
例、図4は光記録層2bが形成されていない主面より下
方に接合面3を設けた例、図5は図2と図4とを組み合
わせた例である。また、図6は比較例であり、光記録層
2bが形成された主面より上方に接合面を設けた例であ
り、光ディスク2の移動範囲内において、光記録層2b
が接合面3を含む平面上に位置することがあるものであ
る。
【0012】このように、放電経路を長くしてアーク放
電を生じにくくすることにより欠陥が防止されるのであ
り、図8のように導体板5の上にカートリッジ1を立て
て置き、外周部に静電試験器のプローブ6(330Ω、
150pF、15kV)を当てて静電耐圧試験を行った
結果を表1に示す。
【0013】
【表1】
【0014】ここで、アーク放電が生じると、放電の入
口と出口になった2箇所が破壊されて光記録層にピンホ
ールが発生するが、表1から明らかなように、それぞれ
多数個の試料について試験を行ったが、図6の比較例で
は約50%、図7の従来例では約80%の試料にピンホ
ールが発生したのに対して、図1〜図5の実施例1〜5
ではピンホールが全く発生せず、この発明の顕著な効果
を確認することができた。
【0015】前述した参考である第1の発明に対し、本
願請求項に基づいて、第2の発明の実施例について説明
する。図9は実施例の光ディスク2の周縁部の拡大図で
ある。基板2は例えば直径約86mmのポリカーボネート
等の樹脂からなる円盤であって、その主面に光記録層2
bとして例えば窒化珪素、磁性層、窒化珪素及びアルミ
ニウム反射層を順次スパッタリングで積層した光磁気記
録層を形成し、その上に例えばウレタンアクリル系の紫
外線硬化樹脂をスピンコーティング法によって積層して
保護樹脂層2cを形成してあり、周縁部には内側の部分
よりも厚い周縁保護層2dが形成されている。
【0016】具体的には、周縁保護層2dの厚さが異な
る数種類の試料をそれぞれ複数ずつ作製し、図7に示し
た構造の従来型のカートリッジに組み込んで図8と同じ
容量で静電耐圧試験を行った。すなわち、粘度500c
psのウレタンアクリル系の紫外線硬化型樹脂を用い
て、半径r=42mmの位置で周縁保護層2dの厚さtが
23μm 及び20μm の試料A及びBを実施例として作
製し、同様にr=42mmの位置で周縁保護層2dの厚さ
tが6μm の試料Dを、また周縁保護層2dを含めて保
護樹脂層2cが形成されていない試料Eをそれぞれ比較
例として作製した。
【0017】
【表2】
【0018】表2はこれら試料の静電耐圧試験の結果を
示したものである。表2から明らかなように、試料A及
びBではピンホールが全く発生していないのに対して、
試料C〜Dでは厚さtが薄いものほど発生率が高くなっ
ており、特に試料Eでは100%の発生率となってお
り、第1の発明のカートリッジではなくて従来型のカー
トリッジであっても、周縁保護層2dの厚さが20μm
以上であればピンホールの発生を極力防止できることが
確認された。なお、この第2の発明の光ディスクを第1
の発明のカートリッジと組み合わせれば、より確実にピ
ンホールの発生を防止でき、周縁保護層2dの厚さを2
0μm より薄くすることも可能である。
【0019】なお、他の部分よりも厚い周縁保護層2d
を形成するには、上述のようなスピンコーティング法が
適しており、また紫外線硬化型などの樹脂を塗布する場
合には、その粘度を100〜500cps程度とするこ
とが望ましく、粘度がこれより低くても高くでも再現性
のよい塗布は困難であった。また、基板2aの形状とし
ては外周端を残したものや外周端が隆起した形状が好ま
しく、外周端を切除したものでは再現性の良い塗布が困
難であった。なお、全面ではなく周縁部の樹脂保護層を
厚くするだけであるため、光ディスクの機械特性(Ti
lt;チルト)に悪影響が及ぶことはなかった。
【0020】
【発明の効果】上述の実施例から明らかなように、第1
及び第2の発明のカートリッジは、上シェルと下シェル
との接合面に屈曲部を有するようにしたりして、両シェ
ル間に収容された光ディスクの移動範囲内で、接合面を
含む平面上に光記録層の形成面が一致しないようにした
ものである。したがって、帯電体が周面に接触した場合
の光ディスクまでの放電経路が長くなり、アーク放電が
生じにくくなって欠陥発生が防止される。
【0021】また、第3の発明の光ディスクは、光記録
層の周縁部での樹脂保護層を他の部分より厚くしたもの
であり、カートリッジの形状を変えなくても帯電体がカ
ートリッジの周面に接触した場合のアーク放電による欠
陥発生が防止され、特に膜厚を20μm 以上とすれば効
果は確実である。また、第1の発明のカートリッジとの
組み合わせにより、いっそう確実に欠陥発生を防止する
こともできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明に係る実施例1の要部断面図であ
る。
【図2】同じく実施例2の要部断面図である。
【図3】同じく実施例3の要部断面図である。
【図4】第2の発明に係る実施例4の要部断面図であ
る。
【図5】同じく実施例5の要部断面図である。
【図6】比較例の要部断面図である。
【図7】従来例の要部断面図である。
【図8】静電耐圧試験を説明する斜視図である。
【図9】第3の発明の一実施例の要部拡大断面図であ
る。
【符号の説明】
1 ・・・ カートリッジ 1a・・・ 上シェル 1b・・・ 下シェル 2 ・・・ 光ディスク 2a・・・ 基板 2b・・・ 光記録層 2c・・・ 保護樹脂層 2d・・・ 周縁保護層 3 ・・・ 接合面 4 ・・・ 帯電体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−250725(JP,A) 実開 昭60−3976(JP,U) 実開 昭62−42173(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 23/03 G11B 7/24 535 G11B 7/24 571

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の主面上に少なくとも光記録層とこれ
    を覆う樹脂保護層とを設けた光ディスクにおいて、前記
    光記録層の周縁部での前記樹脂保護層を、その内側の樹
    脂保護層より高く形成して、半径42mmの位置での光
    記録層上にある樹脂保護層の厚さを20μm以上にした
    ことを特徴とする光ディスク。
  2. 【請求項2】偏平な上シェルと下シェルとを接合してそ
    の内部に請求項1の光ディスクを収容してなるカートリ
    ッジ。
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