JP3311017B2 - 利得プログラム可能増幅装置 - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 102220128896 rs376207606 Human genes 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 102200126521 rs4498440 Human genes 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 102220605470 Coilin_R15A_mutation Human genes 0.000 claims 2
- 102220605469 Coilin_R16A_mutation Human genes 0.000 claims 1
- 102220465933 Beta-1,3-glucuronyltransferase LARGE2_R15A_mutation Human genes 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 102220473072 Chemerin-like receptor 2_R14Q_mutation Human genes 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003797 telogen phase Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/001—Digital control of analog signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特に空間通信分野で増
幅を適用するためのアナログASIC(Applica
tion Specific Integrated
circuit)型集積回路の形態に製造できるプログ
ラム可能な増幅器に関する。
幅を適用するためのアナログASIC(Applica
tion Specific Integrated
circuit)型集積回路の形態に製造できるプログ
ラム可能な増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】本発明
の装置は、ステップ(pas)2p で2n〜2n−1 の
間の利得の増幅を実現することを目的とする。但し、p
<nであり、nは利得制御ビット数である。
の装置は、ステップ(pas)2p で2n〜2n−1 の
間の利得の増幅を実現することを目的とする。但し、p
<nであり、nは利得制御ビット数である。
【0003】ASIC形態に製造する場合に前述の増幅
を得るための一般的方法は、A.A.Shakhin及
びA−Ya.Stul著“Programmable
attenuator”(1979、Plenum p
ublishing corporation)に記載
のようなプログラム可能な減衰器に接続した増幅器を使
用することからなる。しかしながらこの方法は、抵抗の
精度、通過帯域及び切替え素子に関連した集積回路特有
の様々な問題を伴う。
を得るための一般的方法は、A.A.Shakhin及
びA−Ya.Stul著“Programmable
attenuator”(1979、Plenum p
ublishing corporation)に記載
のようなプログラム可能な減衰器に接続した増幅器を使
用することからなる。しかしながらこの方法は、抵抗の
精度、通過帯域及び切替え素子に関連した集積回路特有
の様々な問題を伴う。
【0004】実際、ASIC型集積回路の分野では抵抗
の値を正確に制御することができない。即ち、個別素子
の抵抗精度が抵抗の絶対値の1%であり得るのに対し、
この分野で得られる精度は約±25%である。また、数
十ピコファラド(pF)を超える容量(キャパシタン
ス)を使用することもできない。
の値を正確に制御することができない。即ち、個別素子
の抵抗精度が抵抗の絶対値の1%であり得るのに対し、
この分野で得られる精度は約±25%である。また、数
十ピコファラド(pF)を超える容量(キャパシタン
ス)を使用することもできない。
【0005】別の方法として、複数の増幅器を縦続接続
することからなる方法もある。第1の増幅器は最良の信
号/ノイズ比を得るために利得が大きい。しかしなが
ら、それでは通過帯域が著しく狭くなる。
することからなる方法もある。第1の増幅器は最良の信
号/ノイズ比を得るために利得が大きい。しかしなが
ら、それでは通過帯域が著しく狭くなる。
【0006】本発明の目的は、通過帯域と雑音指数と減
衰点とトランジスタ間のマッチング(整合)とに関して
極めて優れた特性を有するプログラム可能な増幅器を実
現することにある。
衰点とトランジスタ間のマッチング(整合)とに関して
極めて優れた特性を有するプログラム可能な増幅器を実
現することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、デシベ
ル表現で2 n−1 と2 n の間の最大利得を有し、利得が
ステップ2 p [但し、p<nであり、nは利得制御ビッ
ト数である]で可変である、利得プログラム可能増幅装
置であって、制御ビットにより相互間で選択される2つ
の利得値を有する複数の段と、別個の制御ビットに対応
する少なくとも2つの同じ段とを含むことを特徴とする
増幅装置を提供する。各段は2n−1より小さい最大利
得を有する。
ル表現で2 n−1 と2 n の間の最大利得を有し、利得が
ステップ2 p [但し、p<nであり、nは利得制御ビッ
ト数である]で可変である、利得プログラム可能増幅装
置であって、制御ビットにより相互間で選択される2つ
の利得値を有する複数の段と、別個の制御ビットに対応
する少なくとも2つの同じ段とを含むことを特徴とする
増幅装置を提供する。各段は2n−1より小さい最大利
得を有する。
【0008】本発明の装置は、有利な実施例では、固定
利得を有する入力段と、切替え可能な2つの利得値を有
する増幅段と、出力整合段と、種々の段の利得変化を補
償する電流変化の法則の使用を可能にする2つの電流調
整回路とを含む。これらの回路のうち第1の回路は抑止
されることがなく、第2の回路は始動/停止コマンドに
よって制御される。
利得を有する入力段と、切替え可能な2つの利得値を有
する増幅段と、出力整合段と、種々の段の利得変化を補
償する電流変化の法則の使用を可能にする2つの電流調
整回路とを含む。これらの回路のうち第1の回路は抑止
されることがなく、第2の回路は始動/停止コマンドに
よって制御される。
【0009】有利には、2つの同じ増幅段を、種々の増
幅段からなるチェーンの中央に配置する。入力段は、供
給電圧とアースとの間に並列に配置された2つの分岐を
有する。各分岐は、抵抗と、トランジスタと、第1の電
流調整回路から送出された信号を受け取る2つの並列ト
ランジスタと、相互間に入力点が存在する2つの抵抗と
を直列に含んでいる。
幅段からなるチェーンの中央に配置する。入力段は、供
給電圧とアースとの間に並列に配置された2つの分岐を
有する。各分岐は、抵抗と、トランジスタと、第1の電
流調整回路から送出された信号を受け取る2つの並列ト
ランジスタと、相互間に入力点が存在する2つの抵抗と
を直列に含んでいる。
【0010】利得の切替えが可能な各増幅段は2つの並
列に配置された分岐を有し、各分岐がそれぞれ、抵抗
と、第1のトランジスタと、エミッタを2つ有する第2
のトランジスタとを含んでいる。これら2つの分岐は2
つの抵抗を介して切替え回路の2つの入力に接続されて
いる。この切替え回路は、直流発生器として機能する第
2の電流調整回路から信号を受け取る第3のトランジス
タを介して接地されている。各増幅段は更に、エミッタ
を2つ有する第2の各トランジスタのベースにそれぞれ
接続された、段を相互に縦続接続するためのレベル変換
を行うための入力インタフェース回路と、第1の電流調
整回路から信号を受け取る、段の利得の選択を行うため
の電圧比較回路とを有する。
列に配置された分岐を有し、各分岐がそれぞれ、抵抗
と、第1のトランジスタと、エミッタを2つ有する第2
のトランジスタとを含んでいる。これら2つの分岐は2
つの抵抗を介して切替え回路の2つの入力に接続されて
いる。この切替え回路は、直流発生器として機能する第
2の電流調整回路から信号を受け取る第3のトランジス
タを介して接地されている。各増幅段は更に、エミッタ
を2つ有する第2の各トランジスタのベースにそれぞれ
接続された、段を相互に縦続接続するためのレベル変換
を行うための入力インタフェース回路と、第1の電流調
整回路から信号を受け取る、段の利得の選択を行うため
の電圧比較回路とを有する。
【0011】このような装置は前述の利得、通過帯域及
び雑音指数に関する条件を満たすことができる。特に雑
音指数は低い利得で著しく改善される。1dBのステッ
プで利得の変化を実施させることができる増幅器が得ら
れ、極めて良好な利得帯域幅積(60GHz)が得られ
る。絶縁も良好である(60dB)。
び雑音指数に関する条件を満たすことができる。特に雑
音指数は低い利得で著しく改善される。1dBのステッ
プで利得の変化を実施させることができる増幅器が得ら
れ、極めて良好な利得帯域幅積(60GHz)が得られ
る。絶縁も良好である(60dB)。
【0012】有利なことに、利得を変化させる作用をも
たらすであろうDCフィードバックを使用する必要がな
い。
たらすであろうDCフィードバックを使用する必要がな
い。
【0013】このようなASIC形態の装置を使用する
と温度が極めて良く補償される。なぜなら、総ての回路
が対称形に形成されているからである。
と温度が極めて良く補償される。なぜなら、総ての回路
が対称形に形成されているからである。
【0014】また、総ての段が抵抗を除いて同じ素子を
用いて形成されているため、これらの段が縦続接続にな
っているにもかかわらず、利得が、ある程度のオフセッ
トを有していても、十分に変化する。
用いて形成されているため、これらの段が縦続接続にな
っているにもかかわらず、利得が、ある程度のオフセッ
トを有していても、十分に変化する。
【0015】有利には、より正確な値の抵抗を得るため
に並列−直列構造の抵抗アセンブリを使用し得る。
に並列−直列構造の抵抗アセンブリを使用し得る。
【0016】
【実施例】本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づく
以下の非限定的実施例の説明で明らかにされよう。
以下の非限定的実施例の説明で明らかにされよう。
【0017】図1示した本発明の装置は複数の増幅段、
この場合は6つの増幅段A0、A1、A2、A3、A
4、A5、A6を含んでおり、各段が対称モードでの作
動を可能にする2つの入力及び2つの出力を備えてい
る。
この場合は6つの増幅段A0、A1、A2、A3、A
4、A5、A6を含んでおり、各段が対称モードでの作
動を可能にする2つの入力及び2つの出力を備えてい
る。
【0018】これらの段A0〜A6の各々は電圧Vcと
アースとの間で給電される。
アースとの間で給電される。
【0019】段A1〜A6は外部制御Ci、この場合は
ビットC3、C2、C42、C41、C1及びC0によ
って切替えることができる2つの利得値を有する。これ
に対し、初段A0は固定利得を有する。2つの段、例え
ばA3及びA4は利得状態が同じである。
ビットC3、C2、C42、C41、C1及びC0によ
って切替えることができる2つの利得値を有する。これ
に対し、初段A0は固定利得を有する。2つの段、例え
ばA3及びA4は利得状態が同じである。
【0020】段A6の出力の1つは、例えば値50オー
ムの抵抗R7に接続された出力整合段A7に接続されて
いる。
ムの抵抗R7に接続された出力整合段A7に接続されて
いる。
【0021】トランジスタT0〜T6は各々が抵抗R0
〜R6を介して接地されており、段A0〜A6に適当な
電圧を供給することによって各段の利得変化の温度補償
を行う。例えば「バンドギャップ」型の2つの電流調整
回路10及び11は、これら種々の段の利得の前述のよ
うな温度変化補償を実現せしめる電流変化の法則の使用
を可能にする。これら2つの回路のうち第1の回路は
「主回路(maitre)」と称され、第2の回路は
「従回路(esclave)」と称される。主回路10
は、入力段A0の基準電圧V1、並びに図3に示すよう
に段A1〜A6に存在する比較回路12のしきい値電圧
として使用される信号V2を発生する。この回路10は
抑止されることはない。
〜R6を介して接地されており、段A0〜A6に適当な
電圧を供給することによって各段の利得変化の温度補償
を行う。例えば「バンドギャップ」型の2つの電流調整
回路10及び11は、これら種々の段の利得の前述のよ
うな温度変化補償を実現せしめる電流変化の法則の使用
を可能にする。これら2つの回路のうち第1の回路は
「主回路(maitre)」と称され、第2の回路は
「従回路(esclave)」と称される。主回路10
は、入力段A0の基準電圧V1、並びに図3に示すよう
に段A1〜A6に存在する比較回路12のしきい値電圧
として使用される信号V2を発生する。この回路10は
抑止されることはない。
【0022】従回路11は、段A1〜A6の基準電圧と
して使用されると共に図3に示したトランジスタT14
であるこれらの段の電流発生器を制御する信号V3を発
生する。この回路はコマンドM/A(始動/停止)によ
って抑止され得る。その場合は段A1〜A6の給電が停
止され、従ってこれらの段は機能しなくなる。その結
果、入力E1、E2が出力Sから絶縁される。しかしな
がら、段A0及びA7には給電が続けられ、入力及び出
力のインピーダンスは50オームに維持される。
して使用されると共に図3に示したトランジスタT14
であるこれらの段の電流発生器を制御する信号V3を発
生する。この回路はコマンドM/A(始動/停止)によ
って抑止され得る。その場合は段A1〜A6の給電が停
止され、従ってこれらの段は機能しなくなる。その結
果、入力E1、E2が出力Sから絶縁される。しかしな
がら、段A0及びA7には給電が続けられ、入力及び出
力のインピーダンスは50オームに維持される。
【0023】有利な実施例では、この装置をASICの
形態に製造する。その場合は種々の段の利得を下記のよ
うにし得る。A0:18dB、A1:8dB又は0d
B、A2:4dB又は0dB、A3及びA4:13dB
又は−3dB、A5:2dB又は0dB、A6:1dB
又は0dB。
形態に製造する。その場合は種々の段の利得を下記のよ
うにし得る。A0:18dB、A1:8dB又は0d
B、A2:4dB又は0dB、A3及びA4:13dB
又は−3dB、A5:2dB又は0dB、A6:1dB
又は0dB。
【0024】理論的には、これら種々の段A0〜A6が
一連の利得(32dB/0dB);(16dB/0d
B);(8dB/0dB);(4dB/0dB);(2
dB/0dB);(1dB/0dB)を有するように
し、良好な雑音指数を得るために最大利得を冒頭に配置
すべきであろう。しかしながらこのような構造には幾つ
かの欠点がある。第1の欠点は、初段(32dB)の通
過帯域が小さすぎる(100MHz)ことにある。第2
の欠点はこの段の位置0dBでチェーンの入力利得が大
きいという条件が順守されなくなることにある。更に、
発振HFの危険が生じるという問題もある(60dBの
総利得に到達する可能性)。
一連の利得(32dB/0dB);(16dB/0d
B);(8dB/0dB);(4dB/0dB);(2
dB/0dB);(1dB/0dB)を有するように
し、良好な雑音指数を得るために最大利得を冒頭に配置
すべきであろう。しかしながらこのような構造には幾つ
かの欠点がある。第1の欠点は、初段(32dB)の通
過帯域が小さすぎる(100MHz)ことにある。第2
の欠点はこの段の位置0dBでチェーンの入力利得が大
きいという条件が順守されなくなることにある。更に、
発振HFの危険が生じるという問題もある(60dBの
総利得に到達する可能性)。
【0025】これに対し、図1に示すような本発明の装
置では、チェーン全体の雑音指数を改善するために段A
0が固定利得を有する。この段は利得及び周波数が最適
化されている。この段の利得値は、段A3及びA4によ
ってもたらされる減衰(−6dB)、段A6の入力の対
称モードから出力段A7の入力の非対称モードへの変化
に起因して段A6によりもたされる減衰、並びに段A7
と例えば50オームの出力負荷との間のインピーダンス
整合によってもたされる減衰を同時に補償する。
置では、チェーン全体の雑音指数を改善するために段A
0が固定利得を有する。この段は利得及び周波数が最適
化されている。この段の利得値は、段A3及びA4によ
ってもたらされる減衰(−6dB)、段A6の入力の対
称モードから出力段A7の入力の非対称モードへの変化
に起因して段A6によりもたされる減衰、並びに段A7
と例えば50オームの出力負荷との間のインピーダンス
整合によってもたされる減衰を同時に補償する。
【0026】同じ構造を有する段A3及びA4は、この
実施例では、異なる利得のノイズの問題とのバランスを
考慮して、チェーンの中央に配置されている。
実施例では、異なる利得のノイズの問題とのバランスを
考慮して、チェーンの中央に配置されている。
【0027】利得値を前述のようにすると、この種の装
置では、添付の表Iに示すように6つの制御ビットで非
対称的出力の最大利得値が47dBとなる。そこで「5
ビット半」の制御が考えられることになる。なぜなら、
所与の性能を得るために、本発明の装置は、その最大利
得が、5つの外部制御ビットで得られる最大利得よりは
大きいが6ビットで得られる最大利得よりは小さいよう
に構成されているからである。
置では、添付の表Iに示すように6つの制御ビットで非
対称的出力の最大利得値が47dBとなる。そこで「5
ビット半」の制御が考えられることになる。なぜなら、
所与の性能を得るために、本発明の装置は、その最大利
得が、5つの外部制御ビットで得られる最大利得よりは
大きいが6ビットで得られる最大利得よりは小さいよう
に構成されているからである。
【0028】従って本発明の装置は、利得制御ビット数
をnとして、2n〜2n−1の利得を有する。入力段も
含めて各段は2n−1より小さい最大利得を有する。こ
の実施例では、特別な役割を有する段A0を除いて、段
A1〜A6の利得の最大値が13 dBであるため、1
3dBの段の場合は440MHzの通過帯域が得られ
る。
をnとして、2n〜2n−1の利得を有する。入力段も
含めて各段は2n−1より小さい最大利得を有する。こ
の実施例では、特別な役割を有する段A0を除いて、段
A1〜A6の利得の最大値が13 dBであるため、1
3dBの段の場合は440MHzの通過帯域が得られ
る。
【0029】入力段A0の一実施例を図2に示した。こ
の段は、供給電圧Vcとアースとの間に並列に配置され
た2つの分岐を有する。各分岐はそれぞれ、抵抗R8
(R9)と、直流バイアス電圧(tension de
polarisationcontinue)VPを
ベースに受け取るトランジスタT8(T9)と、2つの
並列トランジスタT10、T10’(T11、T1
1’)と、2つの抵抗R10及びR11(R12及びR
13)とを直列に含んでいる。
の段は、供給電圧Vcとアースとの間に並列に配置され
た2つの分岐を有する。各分岐はそれぞれ、抵抗R8
(R9)と、直流バイアス電圧(tension de
polarisationcontinue)VPを
ベースに受け取るトランジスタT8(T9)と、2つの
並列トランジスタT10、T10’(T11、T1
1’)と、2つの抵抗R10及びR11(R12及びR
13)とを直列に含んでいる。
【0030】この構造は、最良の周波数応答(通過帯
域)、最良の雑音指数を得るために、そしてトランジス
タ間の必要なマッチングに起因して段のDCオフセット
に及ぼされる影響を最小限に抑えるために、最適化され
ている。
域)、最良の雑音指数を得るために、そしてトランジス
タ間の必要なマッチングに起因して段のDCオフセット
に及ぼされる影響を最小限に抑えるために、最適化され
ている。
【0031】トランジスタT10及びT11は、抵抗r
bb’が小さく且つエミッタアクセス抵抗REが小さい
という理由で選択されている。これらの値は更に、トラ
ンジスタが2重になっている(並列トランジスタT10
及びT10’;並列トランジスタT11及びT11’)
という事実によっても減少している。これは、トランジ
スタT10及びT11間のマッチングを改善する効果を
も合わせもつ。
bb’が小さく且つエミッタアクセス抵抗REが小さい
という理由で選択されている。これらの値は更に、トラ
ンジスタが2重になっている(並列トランジスタT10
及びT10’;並列トランジスタT11及びT11’)
という事実によっても減少している。これは、トランジ
スタT10及びT11間のマッチングを改善する効果を
も合わせもつ。
【0032】トランジスタT10(T10’)及びT1
1(T11’)は、トランジスタT8及びT9用の直流
電流発生器として機能し、段の利得を一定に維持するの
に適した形で温度に対して変化する電流を供給する。そ
のためには、1.2ボルトの「バンドギャップ」電圧を
トランジスタT10及びT11のベースに印加する。
1(T11’)は、トランジスタT8及びT9用の直流
電流発生器として機能し、段の利得を一定に維持するの
に適した形で温度に対して変化する電流を供給する。そ
のためには、1.2ボルトの「バンドギャップ」電圧を
トランジスタT10及びT11のベースに印加する。
【0033】トランジスタT10(T10’)及びT1
1(T11’)は、電圧制御される共通ベースを有する
ように配置されている。これは、周波数応答にとって最
適の配置である。実際、周波数制限は本質的に、抵抗r
bb’(ベースアクセス抵抗)とコレクタ−基板容量C
js及びコレクタ−ベース容量Cjcとに由来する。こ
れらのトランジスタの負荷はトランジスタT8及びT9
の動的抵抗reであり、この抵抗は小さい(例えば24
オーム)。従って、その効果は限定されている。
1(T11’)は、電圧制御される共通ベースを有する
ように配置されている。これは、周波数応答にとって最
適の配置である。実際、周波数制限は本質的に、抵抗r
bb’(ベースアクセス抵抗)とコレクタ−基板容量C
js及びコレクタ−ベース容量Cjcとに由来する。こ
れらのトランジスタの負荷はトランジスタT8及びT9
の動的抵抗reであり、この抵抗は小さい(例えば24
オーム)。従って、その効果は限定されている。
【0034】電圧制御される共通ベースを有するように
配置した場合はノイズが大きい。なぜなら、抵抗rb
b’及びREとコレクタ電流ICとによって発生したノ
イズがソースを通る経路を見いだすからである。しかし
ながら、トランジスタT10(T10’)及びT11
(T11’)には、やはり共通ベースを有するように配
置されたトランジスタT8及びT9が接続されている。
これらのトランジスタの負荷抵抗R8及びR9はより大
きい値を有し(例えば567オーム)、段の利得を得る
のに必要なものである。容量Cjs及びCjcの周波数
効果はより大きく、より高速のトランジスタ、例えば添
付の表IIに示した特性を有するQN1型トランジスタ
の使用を必要とする。これらのトランジスタの制御は電
流制御であり、従ってソースの内部抵抗が大きくなる。
抵抗rbb’及びREとコレクタ電流とによって生じる
ノイズはもはや経路を見いだせず、不活状態を維持す
る。ベース電流だけが出力ノイズを発生するに過ぎな
い。
配置した場合はノイズが大きい。なぜなら、抵抗rb
b’及びREとコレクタ電流ICとによって発生したノ
イズがソースを通る経路を見いだすからである。しかし
ながら、トランジスタT10(T10’)及びT11
(T11’)には、やはり共通ベースを有するように配
置されたトランジスタT8及びT9が接続されている。
これらのトランジスタの負荷抵抗R8及びR9はより大
きい値を有し(例えば567オーム)、段の利得を得る
のに必要なものである。容量Cjs及びCjcの周波数
効果はより大きく、より高速のトランジスタ、例えば添
付の表IIに示した特性を有するQN1型トランジスタ
の使用を必要とする。これらのトランジスタの制御は電
流制御であり、従ってソースの内部抵抗が大きくなる。
抵抗rbb’及びREとコレクタ電流とによって生じる
ノイズはもはや経路を見いだせず、不活状態を維持す
る。ベース電流だけが出力ノイズを発生するに過ぎな
い。
【0035】トランジスタT10(T10’)及びT1
1(T11’)のエミッタアクセス抵抗RE及び動的抵
抗reに接続されている抵抗R10及びR12は、50
オームの入力インピーダンスを実現せしめると共に入力
段の直線性を改善する。この段の利得は、第1の近似で
は、負荷抵抗R8(又はR9)と、抵抗R10(R1
2)並びにトランジスタT10及びT11の(RE+r
e+(rbb’/BETA))の和との比である。この
ようにして、約820MHzの通過帯域と7.9dBの
雑音指数とが得られる。これに対し、共通ベースを有す
るように配置されたQN1型トランジスタは通過帯域が
560MHz、雑音指数が11dBである。 図2に示
した該回路は、コレクタ/基板寄生容量を減少させるこ
とにより、トランジスタT8及びT9のノイズを除去す
る。集積回路当たりのノイズが小さく、減衰点が大きく
(従って直線性が良く)且つ通過帯域の広い増幅器が得
られる。
1(T11’)のエミッタアクセス抵抗RE及び動的抵
抗reに接続されている抵抗R10及びR12は、50
オームの入力インピーダンスを実現せしめると共に入力
段の直線性を改善する。この段の利得は、第1の近似で
は、負荷抵抗R8(又はR9)と、抵抗R10(R1
2)並びにトランジスタT10及びT11の(RE+r
e+(rbb’/BETA))の和との比である。この
ようにして、約820MHzの通過帯域と7.9dBの
雑音指数とが得られる。これに対し、共通ベースを有す
るように配置されたQN1型トランジスタは通過帯域が
560MHz、雑音指数が11dBである。 図2に示
した該回路は、コレクタ/基板寄生容量を減少させるこ
とにより、トランジスタT8及びT9のノイズを除去す
る。集積回路当たりのノイズが小さく、減衰点が大きく
(従って直線性が良く)且つ通過帯域の広い増幅器が得
られる。
【0036】可変利得を有する段A1〜A6の実施例を
図3に示した。これらの段は2つの並列に配置された分
岐を有し、各分岐がそれぞれ、抵抗R14A(R14
B)と、トランジスタT12A(T12B)と、エミッ
タを2つ有するトランジスタT13A(T13B)とを
含んでいる。これら2つの分岐は2つの抵抗R15A及
びR16A(R15B及びR16B)を介して切替え回
路13の2つの入力に接続されている。この切替え回路
は、直流発生器として機能するトランジスタT14を介
して接地されている。
図3に示した。これらの段は2つの並列に配置された分
岐を有し、各分岐がそれぞれ、抵抗R14A(R14
B)と、トランジスタT12A(T12B)と、エミッ
タを2つ有するトランジスタT13A(T13B)とを
含んでいる。これら2つの分岐は2つの抵抗R15A及
びR16A(R15B及びR16B)を介して切替え回
路13の2つの入力に接続されている。この切替え回路
は、直流発生器として機能するトランジスタT14を介
して接地されている。
【0037】入力インタフェース回路14、15、は段
を互いに縦続接続するためのレベル変換を提供する。回
路12は段の利得を選択するための電圧比較器である。
トランジスタT14は、段の利得の温度安定化を実現す
る。
を互いに縦続接続するためのレベル変換を提供する。回
路12は段の利得を選択するための電圧比較器である。
トランジスタT14は、段の利得の温度安定化を実現す
る。
【0038】トランジスタT13A及びT13B、抵抗
R15A、R15B及びR16A及びR16Bは、回路
13による電流供給の切替えによって選択される2つの
異なる利得値を与える。例えば、素子T13A、T13
B、R15A、R15Bでは利得の最小値が得られ、素
子T13A、T13B、R16A、R16Bでは利得の
最大値が得られる。
R15A、R15B及びR16A及びR16Bは、回路
13による電流供給の切替えによって選択される2つの
異なる利得値を与える。例えば、素子T13A、T13
B、R15A、R15Bでは利得の最小値が得られ、素
子T13A、T13B、R16A、R16Bでは利得の
最大値が得られる。
【0039】トランジスタT12A及びT12Bはトラ
ンジスタT13A及びT13Bの容量効果(Cjs及び
Cjc)を制限する。これらのトランジスタT12A及
びT12Bは段の雑音指数の改善には寄与しない。
ンジスタT13A及びT13Bの容量効果(Cjs及び
Cjc)を制限する。これらのトランジスタT12A及
びT12Bは段の雑音指数の改善には寄与しない。
【0040】段の利得、負荷抵抗R14A及びR14B
間の比、抵抗R15A、R15B(又はR16A、R1
6B)とトランジスタT13A又はT13Bの(RE+
re+(rbb’)/BETA))との和、エミッタア
クセス抵抗REより大きい抵抗R15A、R15B及び
R16A、R16Bの値は、DCオフセットの問題をよ
り良く解決する。
間の比、抵抗R15A、R15B(又はR16A、R1
6B)とトランジスタT13A又はT13Bの(RE+
re+(rbb’)/BETA))との和、エミッタア
クセス抵抗REより大きい抵抗R15A、R15B及び
R16A、R16Bの値は、DCオフセットの問題をよ
り良く解決する。
【0041】本発明の装置は、図1、図2及び図3に示
した実施例では、バイポーラ技術を用いてアナログAS
ICの形態にレイアウトされている。抵抗は、各段の利
得がセミカスタムレイアウト技術の限定された選択に応
じて最高の精度を示すように選択されている。全体で1
81個のトランジスタと、316個の抵抗と1つの容量
とが使用される。このレイアウトでは、抵抗と接続線の
自己誘導とに起因する再ループ化(rebouclag
e)を防止するために入力段のアースと出力段のアース
とを分離し、供給電圧VC及びVCSを分離した。抵抗
の「ケーソン(caisson)」は総て電圧VCに接
続し、電圧VCSには接続しなかった。これは、ライン
VCS上に存在する信号がケーソン−基板容量と接続線
とに起因してアース方向に再ループ化されるのを防止す
るためである。さもないと、利得が大きい場合に発振H
Fが生じ、且つ休止段階の入力−出力絶縁が不十分にな
る。
した実施例では、バイポーラ技術を用いてアナログAS
ICの形態にレイアウトされている。抵抗は、各段の利
得がセミカスタムレイアウト技術の限定された選択に応
じて最高の精度を示すように選択されている。全体で1
81個のトランジスタと、316個の抵抗と1つの容量
とが使用される。このレイアウトでは、抵抗と接続線の
自己誘導とに起因する再ループ化(rebouclag
e)を防止するために入力段のアースと出力段のアース
とを分離し、供給電圧VC及びVCSを分離した。抵抗
の「ケーソン(caisson)」は総て電圧VCに接
続し、電圧VCSには接続しなかった。これは、ライン
VCS上に存在する信号がケーソン−基板容量と接続線
とに起因してアース方向に再ループ化されるのを防止す
るためである。さもないと、利得が大きい場合に発振H
Fが生じ、且つ休止段階の入力−出力絶縁が不十分にな
る。
【0042】利得の値が大きいにもかかわらず、DCフ
ィードバックシステムは使用しない。良好な特性HFを
保持するために、且つ値の大きい抵抗をトランジスタの
エミッタに導入したという理由で、このようにするとマ
ッチングが改善される。実際、使用電流値(例えば1.
2mA)では、エミッタアクセス抵抗REがトランジス
タのマッチングを決定する。この抵抗はまた、利得の値
にも作用する。利得の良い回路はDCオフセットも良
い。
ィードバックシステムは使用しない。良好な特性HFを
保持するために、且つ値の大きい抵抗をトランジスタの
エミッタに導入したという理由で、このようにするとマ
ッチングが改善される。実際、使用電流値(例えば1.
2mA)では、エミッタアクセス抵抗REがトランジス
タのマッチングを決定する。この抵抗はまた、利得の値
にも作用する。利得の良い回路はDCオフセットも良
い。
【0043】抵抗は総て1キロオーム以下である。これ
らの抵抗はマッチングの問題を最適化するように選択さ
れる。
らの抵抗はマッチングの問題を最適化するように選択さ
れる。
【0044】この種の装置は、1dBのステップで0d
B〜47dBの間でプログラム可能な利得で、VHF領
域での増幅機能を有利に実施する。雑音指数と、出力信
号/入力信号伝達関数が理想的直線性の直線に対して下
方へ1dBずれたことを表す減衰点とは極めて良好であ
る。入力インピーダンス及び出力インピーダンスは50
オームであり、制御入力はTTL及びCMOSと適合す
る。また、この回路は十分な入力−出力絶縁をもって休
止段階におくことができる。入力−出力アクセスインピ
ーダンスは初期値を維持する。
B〜47dBの間でプログラム可能な利得で、VHF領
域での増幅機能を有利に実施する。雑音指数と、出力信
号/入力信号伝達関数が理想的直線性の直線に対して下
方へ1dBずれたことを表す減衰点とは極めて良好であ
る。入力インピーダンス及び出力インピーダンスは50
オームであり、制御入力はTTL及びCMOSと適合す
る。また、この回路は十分な入力−出力絶縁をもって休
止段階におくことができる。入力−出力アクセスインピ
ーダンスは初期値を維持する。
【0045】電気的部分についてはフルカスタム型の設
計技術が使用され、レイアウトについてはセミカスタム
型の設計技術が使用される。
計技術が使用され、レイアウトについてはセミカスタム
型の設計技術が使用される。
【0046】得られた結果を添付の表IIIに示し、利
得−周波数応答曲線を図4に示した。
得−周波数応答曲線を図4に示した。
【0047】通過帯域は利得の値に関係なく実質的に一
定である。第1のラン試験の試料については、下記のよ
うな極めて良好な結果が得られた。
定である。第1のラン試験の試料については、下記のよ
うな極めて良好な結果が得られた。
【0048】− 最大利得47dBで通過帯域が270
MHzであり、従って利得帯域幅積が約60GHzであ
る。
MHzであり、従って利得帯域幅積が約60GHzであ
る。
【0049】− 最大利得での雑音指数が約10dBで
ある。
ある。
【0050】− 減衰点が約0dBMである。
【0051】勿論、本発明は前述の好適実施例には限定
されず、その範囲を逸脱せずに前記構成素子の代わりに
他の同等の素子を使用することができる。
されず、その範囲を逸脱せずに前記構成素子の代わりに
他の同等の素子を使用することができる。
【0052】前記実施例では本発明の装置をVHF周波
数で機能するようにバイポーラ技術を用いてアナログA
SICの形態に製造したが、この装置はAsGa型のモ
ノリシック技術で数十GHzまでの周波数で設置するこ
ともできる。
数で機能するようにバイポーラ技術を用いてアナログA
SICの形態に製造したが、この装置はAsGa型のモ
ノリシック技術で数十GHzまでの周波数で設置するこ
ともできる。
【0053】
【表1】
【0054】
【表2】
【0055】
【表3】
【図1】本発明の装置の実施例を示す説明図である。
【図2】本発明の装置の回路の実施例を示す説明図であ
る。
る。
【図3】本発明の装置の回路の別の実施例を示す説明図
である。
である。
【図4】本発明の装置の一組の応答曲線を示すグラフで
ある。
ある。
A0 入力段 A1〜A6 増幅段 A7 出力整合段 10、11 電流調製回路 12 電圧比較回路
Claims (7)
- 【請求項1】 利得制御ビット数をnとし且つp<nと
して、デシベル表現で2 n−1 と2 n の間の最大利得を
有し、利得がステップ2 p で可変である、利得プログラ
ム可能増幅装置であって、 制御ビットにより相互間で選択される2つの利得値を有
する複数の段(A1〜A6)と、別個の 制御ビットに対応する少なくとも2つの同じ段
(A3、A4)とを含み、 各段が2n−1より小さい最大利得を有し、 装置が更に、種々の段の利得変化を補償する電流変化の
法則の使用を可能にする2つの電流調整回路(10、1
1)を含んでおり、第1の回路が抑止されることがな
く、第2の回路が始動/停止コマンドよって制御される
ことを特徴とする利得プログラム可能増幅装置。 - 【請求項2】 ASIC型の集積回路の形態に形成され
ていることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項3】 固定利得を有する入力段(A0)と、切
替え可能な2つの利得値を有する増幅段(A1〜A6)
とを含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載
の装置。 - 【請求項4】 出力整合段(A7)を含んでいることを
特徴とする請求項3に記載の装置。 - 【請求項5】 前記2つの同じ段(A3、A4)が、前
記複数の段の中央に配置されていることを特徴とする請
求項1から4のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項6】 入力段(A0)が、供給電圧(VC)と
アースとの間に並列に配置された2つの分岐を有し、各
分岐が、抵抗(R8、R9)と、トランジスタ(T8、
T9)と、第1の電流調整回路(10)から送出された
信号を受け取る2つの並列トランジスタ(T10、T1
0´、T11、T11´)と、相互間に入力点が存在す
る2つの抵抗(R10、R11、R12、R13)とを
直列に含んでいることを特徴とする請求項3から5のい
ずれか一項に記載の装置。 - 【請求項7】 利得の切替えが可能な各増幅段が2つの
並列に配置された分岐を有し、各分岐が、抵抗(R14
A、R14B)と、第1のトランジスタ(T12A、T
12B)と、エミッタを2つ有する第2のトランジスタ
(T13A、T13B)とを含んでおり、これら2つの
分岐が2つの抵抗(R15A、R16A、R15B、R
16B)を介して切替え回路(13)の2つの入力に接
続されており、この切替え回路が、直流発生器として機
能する第2の電流調整回路(11)から信号を受け取る
第3のトランジスタ(T14)を介して接地されてお
り、各増幅段が更に、エミッタを2つ有する第2の各ト
ランジスタのベースにそれぞれ接続された、段を相互に
縦続接続するためのレベル変換を行うための入力インタ
フェース回路(14、15)と、第1の電流調整回路か
ら信号を受け取る、段の利得の選択を行うための電圧比
較回路(12)とを有することを特徴とする請求項3か
ら6のいずれか一項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9106276 | 1991-05-24 | ||
FR9106276A FR2676875B1 (fr) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Dispositif amplificateur programmable. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05218770A JPH05218770A (ja) | 1993-08-27 |
JP3311017B2 true JP3311017B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=9413099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13107192A Expired - Fee Related JP3311017B2 (ja) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | 利得プログラム可能増幅装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5216384A (ja) |
EP (1) | EP0514818B1 (ja) |
JP (1) | JP3311017B2 (ja) |
CA (1) | CA2069123A1 (ja) |
DE (1) | DE69224677T2 (ja) |
FR (1) | FR2676875B1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0691735B1 (de) * | 1994-07-08 | 2000-11-29 | Infineon Technologies AG | Verstärkeranordnung und Empfängerschaltung, die die Verstärkeranordnung enthält |
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GB2307806A (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-04 | Plessey Semiconductors Ltd | Automatic gain control using a cascade of amplifiers and feed-forward |
DE69717348T2 (de) * | 1996-06-14 | 2003-09-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Verstärker mit digital gesteuerter Verstärkung und Kamera mit einem solchen Verstärker |
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US7542133B2 (en) * | 2003-12-22 | 2009-06-02 | Searete, Llc | Photo-detector filter |
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FR2965130B1 (fr) * | 2010-09-17 | 2013-05-24 | Thales Sa | Generateur de courant, notamment de l'ordre des nano-amperes et regulateur de tension utilisant un tel generateur |
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-
1991
- 1991-05-24 FR FR9106276A patent/FR2676875B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-18 DE DE69224677T patent/DE69224677T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-18 EP EP92108371A patent/EP0514818B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-21 CA CA002069123A patent/CA2069123A1/fr not_active Abandoned
- 1992-05-21 US US07/886,162 patent/US5216384A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-22 JP JP13107192A patent/JP3311017B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2676875B1 (fr) | 1997-01-03 |
EP0514818B1 (fr) | 1998-03-11 |
CA2069123A1 (fr) | 1992-11-25 |
DE69224677D1 (de) | 1998-04-16 |
FR2676875A1 (fr) | 1992-11-27 |
US5216384A (en) | 1993-06-01 |
DE69224677T2 (de) | 1998-07-02 |
EP0514818A1 (fr) | 1992-11-25 |
JPH05218770A (ja) | 1993-08-27 |
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