JP3303421B2 - インジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法 - Google Patents
インジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜を形成する
に用いる導電インクの導電フィラーに最適なインジウム
−錫酸化物針状粉末の製造方法に関する。
に用いる導電インクの導電フィラーに最適なインジウム
−錫酸化物針状粉末の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜を導電インクの塗布によって
得る塗布法においては、インクの導電フィラーとして、
インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、錫−アンチモン酸化
物（ＡＴＯ）等の酸化物系のフィラーが用いられてい
る。中でもＩＴＯはＡＴＯに比べて抵抗値が低いために
最も優れている。
得る塗布法においては、インクの導電フィラーとして、
インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、錫−アンチモン酸化
物（ＡＴＯ）等の酸化物系のフィラーが用いられてい
る。中でもＩＴＯはＡＴＯに比べて抵抗値が低いために
最も優れている。
【０００３】導電インクにおいては、導電フィラーの含
有量が少ないほど好ましい。その理由は、インクの成分
の一つである透明樹脂に比べて、フィラーである酸化物
の光吸収が遥かに大きいからである。従って、樹脂に対
して出来るだけ少量の酸化物フィラーを用いることによ
り、低抵抗値の膜が得られれば、膜の光線透過率を向上
できる。
有量が少ないほど好ましい。その理由は、インクの成分
の一つである透明樹脂に比べて、フィラーである酸化物
の光吸収が遥かに大きいからである。従って、樹脂に対
して出来るだけ少量の酸化物フィラーを用いることによ
り、低抵抗値の膜が得られれば、膜の光線透過率を向上
できる。
【０００４】このような、導電フィラーとしては、針状
又はりん片状のものが得られれば、球状、粒状の導電フ
ィラーに比べて、少量の添加で低抵抗値の膜が得られ、
コスト面、膜強度、耐候性等の面で優れた膜が得られる
ことになる。
又はりん片状のものが得られれば、球状、粒状の導電フ
ィラーに比べて、少量の添加で低抵抗値の膜が得られ、
コスト面、膜強度、耐候性等の面で優れた膜が得られる
ことになる。
【０００５】しかし、無機酸化物、水酸化物等のコロイ
ド溶液を凍結し、コロイド溶液の溶媒の間に酸化物微粒
子や、水酸化物微粒子を析出させ、乾燥して脱溶媒し、
水酸化物の場合は更に焙焼してりん片状の酸化物を得る
方法（特開昭６２−３００３号公報）、針状の蓚酸錫を
加熱分解して針状錫酸化物を得る方法（特開昭５６−１
２０５１９号公報）があるが、針状で高アスペクト比を
有するＩＴＯ粉末は得られていない。
ド溶液を凍結し、コロイド溶液の溶媒の間に酸化物微粒
子や、水酸化物微粒子を析出させ、乾燥して脱溶媒し、
水酸化物の場合は更に焙焼してりん片状の酸化物を得る
方法（特開昭６２−３００３号公報）、針状の蓚酸錫を
加熱分解して針状錫酸化物を得る方法（特開昭５６−１
２０５１９号公報）があるが、針状で高アスペクト比を
有するＩＴＯ粉末は得られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明導電膜
を得るための導電インクの導電フィラーとして好適なイ
ンジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法を提供すること
にある。
を得るための導電インクの導電フィラーとして好適なイ
ンジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法を提供すること
にある。
【０００７】
(1) インジウムイオンと、硝酸イオンとを含有する水
溶液を、加熱濃縮して高粘度スラリーを生成せしめ、該
スラリーから針状粉末第一中間体を分離し、この針状粉
末第一中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被
覆して仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方
法。 (2) インジウムイオンと、硝酸イオンと、水酸化イン
ジウム及び／又は酸化インジウムとを含有する水溶液
を、加熱濃縮して高粘度スラリーを生成せしめ、該スラ
リーから針状粉末第一中間体を分離し、この針状粉末第
一中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆し
て仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (3) スラリーに多量の水、又はアルカリ分を含む多量
の水を混合し、固液分離する前記(1)、(2)の何れか一つ
に記載のインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (4) スラリーを濾過して濾過ケーキを得、この濾過ケ
ーキに多量の水又はアルカリ分を含む多量の水を混合し
て固液分離する前記の(1)、(2)の何れか一つに記載のイ
ンジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (5) 前記の(1)〜(4)の何れか一つに記載の方法により
製造された針状粉末第一中間体をアルカリ水溶液と反応
させ針状粉末第二中間体を得、この針状粉末第二中間体
に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆して仮焼す
る前記の(1)ないし(4)の何れか一つに記載のインジウム
−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (6) 前記の(1)〜(4)の何れか一つに記載の方法により
製造された針状粉末第一中間体又は前記の(5)に記載の
方法により製造された針状粉末第二中間体を仮焼してイ
ンジウム酸化物針状粉末を得、このインジウム酸化物針
状粉末に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆して
仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (7) 仮焼を不活性ガス又は真空中で行う前記の(1)ない
し(6)に記載のインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方
法。にある。
溶液を、加熱濃縮して高粘度スラリーを生成せしめ、該
スラリーから針状粉末第一中間体を分離し、この針状粉
末第一中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被
覆して仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方
法。 (2) インジウムイオンと、硝酸イオンと、水酸化イン
ジウム及び／又は酸化インジウムとを含有する水溶液
を、加熱濃縮して高粘度スラリーを生成せしめ、該スラ
リーから針状粉末第一中間体を分離し、この針状粉末第
一中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆し
て仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (3) スラリーに多量の水、又はアルカリ分を含む多量
の水を混合し、固液分離する前記(1)、(2)の何れか一つ
に記載のインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (4) スラリーを濾過して濾過ケーキを得、この濾過ケ
ーキに多量の水又はアルカリ分を含む多量の水を混合し
て固液分離する前記の(1)、(2)の何れか一つに記載のイ
ンジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (5) 前記の(1)〜(4)の何れか一つに記載の方法により
製造された針状粉末第一中間体をアルカリ水溶液と反応
させ針状粉末第二中間体を得、この針状粉末第二中間体
に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆して仮焼す
る前記の(1)ないし(4)の何れか一つに記載のインジウム
−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (6) 前記の(1)〜(4)の何れか一つに記載の方法により
製造された針状粉末第一中間体又は前記の(5)に記載の
方法により製造された針状粉末第二中間体を仮焼してイ
ンジウム酸化物針状粉末を得、このインジウム酸化物針
状粉末に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆して
仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 (7) 仮焼を不活性ガス又は真空中で行う前記の(1)ない
し(6)に記載のインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方
法。にある。
【０００８】
【作用】本発明で用いるインジウムイオン（Ｉｎ3+）と
硝酸イオン（ＮＯ3 -）を含む水溶液は、インジウムメタ
ルを硝酸に溶解して得られるが、酸化インジウム又はイ
ンジウム(III)塩の水溶液にアルカリを加えて生成する
ゲル状の白色の沈澱で溶液中ではＩｎ（ＯＨ）3で表さ
れる水酸化インジウムを硝酸に溶解してもよい。インジ
ウム、硝酸の濃度に特別の制限はないが、インジウム濃
度があまり低いと、つまり硝酸及び水が多いと、加熱し
て濃縮するときに時間とエネルギーを多く必要とするの
で好ましくない。
硝酸イオン（ＮＯ3 -）を含む水溶液は、インジウムメタ
ルを硝酸に溶解して得られるが、酸化インジウム又はイ
ンジウム(III)塩の水溶液にアルカリを加えて生成する
ゲル状の白色の沈澱で溶液中ではＩｎ（ＯＨ）3で表さ
れる水酸化インジウムを硝酸に溶解してもよい。インジ
ウム、硝酸の濃度に特別の制限はないが、インジウム濃
度があまり低いと、つまり硝酸及び水が多いと、加熱し
て濃縮するときに時間とエネルギーを多く必要とするの
で好ましくない。
【０００９】水溶液中のインジウムと硝酸のモル比は、
硝酸がインジウムに比べて過剰に存在すると、濃縮工程
で硝酸の揮発に時間がかかり好ましくない。従って、そ
の比率は硝酸インジウム〔Ｉｎ（ＮＯ3）3〕のモル比の
硝酸／インジウム＝３程度がよい。
硝酸がインジウムに比べて過剰に存在すると、濃縮工程
で硝酸の揮発に時間がかかり好ましくない。従って、そ
の比率は硝酸インジウム〔Ｉｎ（ＮＯ3）3〕のモル比の
硝酸／インジウム＝３程度がよい。
【００１０】本発明に用いる仮焼してＳｎＯ2となる錫
化合物としては、２価の錫又は４価の錫のハロゲン化
物、ハロゲン化物の水和物、水酸化第一錫等、酸素含有
雰囲気や不活性ガス、真空中での加熱によりＳｎＯ2と
なる錫塩類を用いることが出来る。
化合物としては、２価の錫又は４価の錫のハロゲン化
物、ハロゲン化物の水和物、水酸化第一錫等、酸素含有
雰囲気や不活性ガス、真空中での加熱によりＳｎＯ2と
なる錫塩類を用いることが出来る。
【００１１】インジウムイオンと、硝酸イオンとを溶解
含有する水溶液を、加熱濃縮して行くと、液温が１３０
〜１５０℃程度まで上昇して行く過程で、系内から水及
び硝酸が蒸発し次第に濃厚なスラリーとなり、塩基性硝
酸塩と考えられる微細な針状結晶が水溶液中に生成して
くる。この針状結晶の分析値は、通常、Ｉｎ ５５〜６
８重量％、ＮＯ3 - ５〜２３重量％程度である。本発明
ではこのものの正確な化学組成を確定出来ないので針状
粉末第一中間体と称する。
含有する水溶液を、加熱濃縮して行くと、液温が１３０
〜１５０℃程度まで上昇して行く過程で、系内から水及
び硝酸が蒸発し次第に濃厚なスラリーとなり、塩基性硝
酸塩と考えられる微細な針状結晶が水溶液中に生成して
くる。この針状結晶の分析値は、通常、Ｉｎ ５５〜６
８重量％、ＮＯ3 - ５〜２３重量％程度である。本発明
ではこのものの正確な化学組成を確定出来ないので針状
粉末第一中間体と称する。
【００１２】水酸化インジウム及び／又は酸化インジウ
ムを加えた水溶液の濃縮においても同様であって、系内
から水及び硝酸が加熱濃縮により除去されると、インジ
ウムが飽和に達し、更に濃縮を行うと針状粉末第一中間
体が析出してくる。
ムを加えた水溶液の濃縮においても同様であって、系内
から水及び硝酸が加熱濃縮により除去されると、インジ
ウムが飽和に達し、更に濃縮を行うと針状粉末第一中間
体が析出してくる。
【００１３】以上の様にして、加熱濃縮により、濃厚液
中に針状粉末第一中間体を析出させることができるが、
濃厚液はシロップ状であり、特に室温まで冷却すると、
高粘度となる。スラリーの固形分濃度は５〜３０重量％
程度が適当である。濃縮し過ぎて、スラリー濃度を高く
し過ぎると、針状形が失われ、アスペクト比が小さくな
るので好ましくない。
中に針状粉末第一中間体を析出させることができるが、
濃厚液はシロップ状であり、特に室温まで冷却すると、
高粘度となる。スラリーの固形分濃度は５〜３０重量％
程度が適当である。濃縮し過ぎて、スラリー濃度を高く
し過ぎると、針状形が失われ、アスペクト比が小さくな
るので好ましくない。
【００１４】得られる針状粉末第一中間体の粒子の大き
さは、長径５μｍ以上、アスペクト比５以上、条件によ
っては３０以上のものも得られる。長径、アスペクト比
は濃縮条件で変化する。
さは、長径５μｍ以上、アスペクト比５以上、条件によ
っては３０以上のものも得られる。長径、アスペクト比
は濃縮条件で変化する。
【００１５】針状粉末第一中間体を含む高粘度スラリー
を多量の水、又はアルカリを含む多量の水に入れ、該ス
ラリーの濃厚液だけを希釈した後、濾別し洗浄、乾燥し
て針状粉末第一中間体を得る。
を多量の水、又はアルカリを含む多量の水に入れ、該ス
ラリーの濃厚液だけを希釈した後、濾別し洗浄、乾燥し
て針状粉末第一中間体を得る。
【００１６】又、高粘度スラリーを加圧濾過、遠心濾過
等によってスラリーから濃厚液をできるだけ分離してか
ら、濾過ケーキを多量の水、又はアルカリを含む多量の
水に入れ、濾過ケーキに付着している濃厚液を希釈した
後、濾別し、洗浄し、乾燥して針状粉末第一中間体を得
ても良い。濾過を速やかに行うためには、７０℃以上の
温度で行うのが良く、温度が低いと、濃厚液の粘度が高
いために濾過に時間がかかる。
等によってスラリーから濃厚液をできるだけ分離してか
ら、濾過ケーキを多量の水、又はアルカリを含む多量の
水に入れ、濾過ケーキに付着している濃厚液を希釈した
後、濾別し、洗浄し、乾燥して針状粉末第一中間体を得
ても良い。濾過を速やかに行うためには、７０℃以上の
温度で行うのが良く、温度が低いと、濃厚液の粘度が高
いために濾過に時間がかかる。
【００１７】この場合、高粘度スラリーの濾過により得
られる濃厚濾液をそのまま繰り返し使用できるので都合
がよい。濃厚濾液を水で希釈した液は、アルカリで中和
して水酸化インジウムの沈澱として回収し硝酸に溶解す
るか、そのままで工程に繰り返すことが出来る。
られる濃厚濾液をそのまま繰り返し使用できるので都合
がよい。濃厚濾液を水で希釈した液は、アルカリで中和
して水酸化インジウムの沈澱として回収し硝酸に溶解す
るか、そのままで工程に繰り返すことが出来る。
【００１８】スラリー中の濃厚液は、例えばＩｎ ３６
重量％、ＮＯ3 - ４２重量％、Ｈ2Ｏ２２重量％のように
非常に濃厚なシロップ状で、濃縮、冷却後長時間放置し
たり、超音波等の刺激を与えると、Ｉｎ（ＮＯ3）3・３
Ｈ2Ｏと考えられる結晶が生ずるため、針状粉末第一中
間体の回収は、濃縮、冷却直後に行う必要がある。
重量％、ＮＯ3 - ４２重量％、Ｈ2Ｏ２２重量％のように
非常に濃厚なシロップ状で、濃縮、冷却後長時間放置し
たり、超音波等の刺激を与えると、Ｉｎ（ＮＯ3）3・３
Ｈ2Ｏと考えられる結晶が生ずるため、針状粉末第一中
間体の回収は、濃縮、冷却直後に行う必要がある。
【００１９】スラリー、又は濾過ケーキに多量の水を入
れるのは、少量の水では針状粉末第一中間体が液に溶解
してしまうからである。スラリー、又は濾過ケーキに対
して４０重量倍程度以上の水であれば溶解を防ぐことが
できる。水の代わりにアルカリを含む水、例えばアンモ
ニアを含む水を用いると、水に比べて用いる液量を少な
くできるが、あまり濃いアルカリ水を用いると、濃厚液
が中和され、水酸化物様のものが析出し、針状粉末第一
中間体との分離が出来なくなるので、析出しない程度の
濃度に限定される。
れるのは、少量の水では針状粉末第一中間体が液に溶解
してしまうからである。スラリー、又は濾過ケーキに対
して４０重量倍程度以上の水であれば溶解を防ぐことが
できる。水の代わりにアルカリを含む水、例えばアンモ
ニアを含む水を用いると、水に比べて用いる液量を少な
くできるが、あまり濃いアルカリ水を用いると、濃厚液
が中和され、水酸化物様のものが析出し、針状粉末第一
中間体との分離が出来なくなるので、析出しない程度の
濃度に限定される。
【００２０】濾別後の洗浄は水で行うが、この後にアン
モニア水等のアルカリ水で洗浄しても良い。例えばアン
モニア水で洗浄すると、針状粉末第一中間体中の硝酸が
除去され、ＩｎとＯＨ及び又はＨ2Ｏの組成になる水酸
化インジウムと考えられる針状粉末となるため、後で仮
焼する時にＮＯxの発生がなく好ましい。又アルカリ水
による洗浄によっても、針状形態は全く変化せず長径５
μｍ以上、アスペクト比５以上の針状粉末が得られる。
本発明ではこの針状粉末を針状粉末第二中間体と呼ぶ。
モニア水等のアルカリ水で洗浄しても良い。例えばアン
モニア水で洗浄すると、針状粉末第一中間体中の硝酸が
除去され、ＩｎとＯＨ及び又はＨ2Ｏの組成になる水酸
化インジウムと考えられる針状粉末となるため、後で仮
焼する時にＮＯxの発生がなく好ましい。又アルカリ水
による洗浄によっても、針状形態は全く変化せず長径５
μｍ以上、アスペクト比５以上の針状粉末が得られる。
本発明ではこの針状粉末を針状粉末第二中間体と呼ぶ。
【００２１】これら針状粉末第一中間体、針状粉末第二
中間体への錫化合物の被覆は、例えばハロゲン化錫（Ｓ
ｎＣｌ2、ＳｎＣｌ4）の水溶液にこれらの中間体を入
れ、中和して固液分離し乾燥して水酸化錫をこれらの中
間体の内部及び表面に析出付着させてもよいし、錫化合
物の水溶液、アルコール溶液にこれらの中間体を入れた
後、水やアルコールを蒸発させて被覆してもよい。
中間体への錫化合物の被覆は、例えばハロゲン化錫（Ｓ
ｎＣｌ2、ＳｎＣｌ4）の水溶液にこれらの中間体を入
れ、中和して固液分離し乾燥して水酸化錫をこれらの中
間体の内部及び表面に析出付着させてもよいし、錫化合
物の水溶液、アルコール溶液にこれらの中間体を入れた
後、水やアルコールを蒸発させて被覆してもよい。
【００２２】錫化合物を被覆した針状粉末第一中間体、
針状粉末第二中間体は、仮焼によって針状の形態を完全
に保ったままで、長径５μｍ以上で短径に対する長径の
比が５以上のインジウム−錫酸化物針状粉末に変化す
る。針状粉末第一中間体では、その熱分析結果から２３
０〜２５０℃で急激にＮＯxを放ち、インジウム−錫酸
化物針状粉末へと変化して行く。先に述べた通り、アル
カリ水で洗浄したものは、この急激な変化がなく、仮焼
によっても重量減少も少ないが、得られる酸化物は同様
である。
針状粉末第二中間体は、仮焼によって針状の形態を完全
に保ったままで、長径５μｍ以上で短径に対する長径の
比が５以上のインジウム−錫酸化物針状粉末に変化す
る。針状粉末第一中間体では、その熱分析結果から２３
０〜２５０℃で急激にＮＯxを放ち、インジウム−錫酸
化物針状粉末へと変化して行く。先に述べた通り、アル
カリ水で洗浄したものは、この急激な変化がなく、仮焼
によっても重量減少も少ないが、得られる酸化物は同様
である。
【００２３】針状粉末第一中間体や、針状粉末第二中間
体は仮焼によりインジウム酸化物針状粉末に変化する。
このインジウム酸化物針状粉末に仮焼によってＳｎＯ2
となる錫化合物を前記と同様にして被覆して仮焼するこ
とによりインジウム−錫酸化物針状粉末とすることもで
きる。
体は仮焼によりインジウム酸化物針状粉末に変化する。
このインジウム酸化物針状粉末に仮焼によってＳｎＯ2
となる錫化合物を前記と同様にして被覆して仮焼するこ
とによりインジウム−錫酸化物針状粉末とすることもで
きる。
【００２４】仮焼は、大気中、不活性ガス中、真空中の
何れでも可能である。不活性ガス中、真空中であれば、
仮焼による熱分解と同時に、酸素空孔が酸化インジウム
中に取り込まれるので、低抵抗のインジウム−錫酸化物
針状粉末が得られる。大気中で仮焼した後に、この低抵
抗化処理をしても良い。仮焼温度は約５００℃以上、好
ましくは７００℃以上が必要である。この仮焼によって
被覆された錫化合物が水酸化錫の場合は加熱するだけ
で、ＳｎＯ2となり、ＳｎＣｌ2の場合は酸素含有雰囲気
で仮焼することでＳｎＯ2となってＩｎ2Ｏ3の結晶中に
固溶しＩＴＯが形成される。
何れでも可能である。不活性ガス中、真空中であれば、
仮焼による熱分解と同時に、酸素空孔が酸化インジウム
中に取り込まれるので、低抵抗のインジウム−錫酸化物
針状粉末が得られる。大気中で仮焼した後に、この低抵
抗化処理をしても良い。仮焼温度は約５００℃以上、好
ましくは７００℃以上が必要である。この仮焼によって
被覆された錫化合物が水酸化錫の場合は加熱するだけ
で、ＳｎＯ2となり、ＳｎＣｌ2の場合は酸素含有雰囲気
で仮焼することでＳｎＯ2となってＩｎ2Ｏ3の結晶中に
固溶しＩＴＯが形成される。
【００２５】
実施例１ インジウムメタルを硝酸に溶解して得たＩｎ ２００ｇ
／ｌ、ＮＯ3 - ３０４ｇ／ｌ、液比重１.２３の液８.５
ｋｇを、撹拌しながらホットスターラー上で加熱し濃縮
した。濃縮に伴い液温が上昇し、白煙が発生して液量が
減少して行き、液温約１４４℃まで加熱した時点で液は
濁り始め、非常に濃いスラリーとなった。スラリーの温
度が約１４７℃となった時点で濃縮を止めた。
／ｌ、ＮＯ3 - ３０４ｇ／ｌ、液比重１.２３の液８.５
ｋｇを、撹拌しながらホットスターラー上で加熱し濃縮
した。濃縮に伴い液温が上昇し、白煙が発生して液量が
減少して行き、液温約１４４℃まで加熱した時点で液は
濁り始め、非常に濃いスラリーとなった。スラリーの温
度が約１４７℃となった時点で濃縮を止めた。
【００２６】このときのスラリーの重量は２２９０ｇ
で、６２１０ｇの硝酸及び水等が濃縮中に揮発除去され
た。スラリーをゆっくり冷却し、約１１０℃になった所
で、スラリー全量に２００ｌの水を加えて撹拌し、スラ
リー中の濃厚液を希釈した後、直ちに濾別し、純水及び
エタノールで順次に洗浄し、１２０℃で乾燥して針状粉
末第一中間体１８１ｇを得た。得られた針状粉末の分析
値はＩｎ ６３.５重量％、ＮＯ3 - ９.６重量％であっ
た。
で、６２１０ｇの硝酸及び水等が濃縮中に揮発除去され
た。スラリーをゆっくり冷却し、約１１０℃になった所
で、スラリー全量に２００ｌの水を加えて撹拌し、スラ
リー中の濃厚液を希釈した後、直ちに濾別し、純水及び
エタノールで順次に洗浄し、１２０℃で乾燥して針状粉
末第一中間体１８１ｇを得た。得られた針状粉末の分析
値はＩｎ ６３.５重量％、ＮＯ3 - ９.６重量％であっ
た。
【００２７】この針状粉末２０ｇを、塩化錫水和物（Ｓ
ｎＣｌ4・ｘＨ2Ｏ、ＳｎＣｌ4 ７６重量％）１.１ｇ、
水４００ｇ、針状粉末の加水分解を抑えるための２５％
アンモニア水５ｇからなる水溶液に入れ、均一に分散さ
せた。これに２５％アンモニア水３５ｇを加えて中和し
ｐＨを８以上にして加熱煮沸した。次いで濾過して水酸
化錫でコーティングされた針状粉末を液と分離した。こ
れを大気中で１０００℃にて１時間仮焼し、更にエタノ
ールガスを含有する窒素ガス中で３４０℃に３０分間加
熱還元処理してインジウム−錫酸化物針状粉末を得た。
ｎＣｌ4・ｘＨ2Ｏ、ＳｎＣｌ4 ７６重量％）１.１ｇ、
水４００ｇ、針状粉末の加水分解を抑えるための２５％
アンモニア水５ｇからなる水溶液に入れ、均一に分散さ
せた。これに２５％アンモニア水３５ｇを加えて中和し
ｐＨを８以上にして加熱煮沸した。次いで濾過して水酸
化錫でコーティングされた針状粉末を液と分離した。こ
れを大気中で１０００℃にて１時間仮焼し、更にエタノ
ールガスを含有する窒素ガス中で３４０℃に３０分間加
熱還元処理してインジウム−錫酸化物針状粉末を得た。
【００２８】このインジウム−錫酸化物針状粉末の結晶
構造を示す電子顕微鏡写真を図１に、針状粉末第一中間
体の結晶構造を示す電子顕微鏡写真を図２に示す。この
インジウム−錫酸化物針状粉末の錫含有量は２.３重量
％であった。この粉末の１００ｋｇｆ／ｃｍ2の加圧下
での抵抗値（以下圧粉抵抗という）は０.０３Ω・ｃｍで
あった。又Ｘ線回折により同定したところ図３に示すよ
うに、１〜２１で示すＩｎ2Ｏ3のピークが現れ、Ｓｎの
殆どはＩｎ2Ｏ3に固溶してピークを示さなかったが、固
溶しないＳｎＯ2のピークが一部現れていた。
構造を示す電子顕微鏡写真を図１に、針状粉末第一中間
体の結晶構造を示す電子顕微鏡写真を図２に示す。この
インジウム−錫酸化物針状粉末の錫含有量は２.３重量
％であった。この粉末の１００ｋｇｆ／ｃｍ2の加圧下
での抵抗値（以下圧粉抵抗という）は０.０３Ω・ｃｍで
あった。又Ｘ線回折により同定したところ図３に示すよ
うに、１〜２１で示すＩｎ2Ｏ3のピークが現れ、Ｓｎの
殆どはＩｎ2Ｏ3に固溶してピークを示さなかったが、固
溶しないＳｎＯ2のピークが一部現れていた。
【００２９】実施例２ インジウムメタルを硝酸に溶解して得たＩｎ ５００ｇ
／ｌ、ＮＯ3 - ７６０ｇ／ｌ、液比重１.９３の液４０
０.４ｇに、ゲル状の水酸化インジウム〔Ｉｎ（Ｏ
Ｈ）3：３３重量％、Ｈ2Ｏ：６７重量％〕２０.０ｇを
加え、撹拌しながらホットスターラー上で加熱し濃縮し
た。濃縮に伴い液は次第に透明となり、液温約１３７℃
で液が透明となった時点で加熱を止め、ホットスターラ
ー上に置いたまま非常にゆっくり冷却した。冷却に伴
い、液は次第に白濁し、液中に針状粉末の析出が認めら
れた。
／ｌ、ＮＯ3 - ７６０ｇ／ｌ、液比重１.９３の液４０
０.４ｇに、ゲル状の水酸化インジウム〔Ｉｎ（Ｏ
Ｈ）3：３３重量％、Ｈ2Ｏ：６７重量％〕２０.０ｇを
加え、撹拌しながらホットスターラー上で加熱し濃縮し
た。濃縮に伴い液は次第に透明となり、液温約１３７℃
で液が透明となった時点で加熱を止め、ホットスターラ
ー上に置いたまま非常にゆっくり冷却した。冷却に伴
い、液は次第に白濁し、液中に針状粉末の析出が認めら
れた。
【００３０】得られたスラリーの重量は１５８.８ｇ
で、６１.２ｇの硝酸及び水が濃縮中に揮発除去され
た。得られたスラリー全量に８ｌの水を加えて撹拌し、
スラリー中の濃厚液を水で希釈した後、直ちに濾別し、
純水及びエタノールで順次洗浄後、１２０℃で乾燥し
て、針状粉末第一中間体１０ｇを得た。このもののＩｎ
及び硝酸イオンの含有量はそれぞれ５７.４重量％、２
１.８重量％であった。
で、６１.２ｇの硝酸及び水が濃縮中に揮発除去され
た。得られたスラリー全量に８ｌの水を加えて撹拌し、
スラリー中の濃厚液を水で希釈した後、直ちに濾別し、
純水及びエタノールで順次洗浄後、１２０℃で乾燥し
て、針状粉末第一中間体１０ｇを得た。このもののＩｎ
及び硝酸イオンの含有量はそれぞれ５７.４重量％、２
１.８重量％であった。
【００３１】この針状粉末第一中間体５ｇを、二塩化錫
（ＳｎＣｌ2）０.３８ｇをエタノール８０ｇに溶解した
溶液に入れ、撹拌しながら加熱しエタノールを揮発させ
た。スラリー濃度が高くなり、クリーム状となった所
で、時計皿に移し、乾燥して塩化錫で被覆された針状粉
末を得た。これを大気中１０００℃で１時間仮焼した
後、更にエタノールガスを含有する窒素ガス中で３４０
℃に３０分間加熱還元処理してインジウム−錫酸化物針
状粉末を得た。このものの錫含有量は６.１重量％、圧
粉抵抗は０.０３Ω・ｃｍであった。
（ＳｎＣｌ2）０.３８ｇをエタノール８０ｇに溶解した
溶液に入れ、撹拌しながら加熱しエタノールを揮発させ
た。スラリー濃度が高くなり、クリーム状となった所
で、時計皿に移し、乾燥して塩化錫で被覆された針状粉
末を得た。これを大気中１０００℃で１時間仮焼した
後、更にエタノールガスを含有する窒素ガス中で３４０
℃に３０分間加熱還元処理してインジウム−錫酸化物針
状粉末を得た。このものの錫含有量は６.１重量％、圧
粉抵抗は０.０３Ω・ｃｍであった。
【００３２】実施例３ インジウムメタルを硝酸に溶解して得たＩｎ ５００ｇ
／ｌ、ＮＯ3 - ７６０ｇ／ｌ、液比重１.９３の液２００
ｇに、ゲル状の水酸化インジウム〔Ｉｎ（ＯＨ）3：３
３重量％、Ｈ2Ｏ：６７重量％〕４０ｇを加え、撹拌し
ながらホットスターラー上で加熱し濃縮を行った。濃縮
に伴い液は次第に透明となり、液温約１３６℃で加熱を
止め、ホットスターラーから降ろして徐却した。最終的
にスラリー重量は１７９.６ｇで６０.４ｇの硝酸、水等
が濃縮中に揮発除去された。得られたスラリー１３７.
８ｇを遠心濾過にかけ、濾過ケーキ５１.４ｇと濃厚液
８６.４ｇを得た。
／ｌ、ＮＯ3 - ７６０ｇ／ｌ、液比重１.９３の液２００
ｇに、ゲル状の水酸化インジウム〔Ｉｎ（ＯＨ）3：３
３重量％、Ｈ2Ｏ：６７重量％〕４０ｇを加え、撹拌し
ながらホットスターラー上で加熱し濃縮を行った。濃縮
に伴い液は次第に透明となり、液温約１３６℃で加熱を
止め、ホットスターラーから降ろして徐却した。最終的
にスラリー重量は１７９.６ｇで６０.４ｇの硝酸、水等
が濃縮中に揮発除去された。得られたスラリー１３７.
８ｇを遠心濾過にかけ、濾過ケーキ５１.４ｇと濃厚液
８６.４ｇを得た。
【００３３】遠心濾過は遠心濾過器を約８０℃に余熱し
た後、約７０℃のスラリーに対して行い、３０００ｒｐ
ｍ、１５００Ｇで４分間行った。得られた濾過ケーキの
全量に水２ｌを加え撹拌し、濾過ケーキに付着している
濃厚液を希釈した後、直ちに濾別し、純水、エタノール
で順次に洗浄し、１２０℃で乾燥して、針状粉末第一中
間体３.６ｇを得た。この針状粉末のＩｎ及び硝酸イオ
ンの含有量はそれぞれ６２.６重量％、９.８重量％であ
った。
た後、約７０℃のスラリーに対して行い、３０００ｒｐ
ｍ、１５００Ｇで４分間行った。得られた濾過ケーキの
全量に水２ｌを加え撹拌し、濾過ケーキに付着している
濃厚液を希釈した後、直ちに濾別し、純水、エタノール
で順次に洗浄し、１２０℃で乾燥して、針状粉末第一中
間体３.６ｇを得た。この針状粉末のＩｎ及び硝酸イオ
ンの含有量はそれぞれ６２.６重量％、９.８重量％であ
った。
【００３４】この針状粉末２.０ｇに実施例１と同様に
水酸化錫をコーティングし、同様に仮焼し、実施例２と
同様にして還元処理してインジウム−錫酸化物針状粉末
を得た。この針状粉末の錫含有量は２.１重量％で圧粉
抵抗は０.０３Ω・ｃｍであった。
水酸化錫をコーティングし、同様に仮焼し、実施例２と
同様にして還元処理してインジウム−錫酸化物針状粉末
を得た。この針状粉末の錫含有量は２.１重量％で圧粉
抵抗は０.０３Ω・ｃｍであった。
【００３５】実施例４ 実施例１で得られた針状粉末第一中間体を、アンモニア
水で洗浄し、針状粉末第二中間体を得た。これを実施例
１と同様にして水酸化錫でコーティングした後、大気中
１０００℃１時間、窒素中７００℃３０分間仮焼しイン
ジウム−錫酸化物針状粉末を得た。このものの錫含有量
は２.１重量％で、圧粉抵抗は０.０３Ω・ｃｍであっ
た。
水で洗浄し、針状粉末第二中間体を得た。これを実施例
１と同様にして水酸化錫でコーティングした後、大気中
１０００℃１時間、窒素中７００℃３０分間仮焼しイン
ジウム−錫酸化物針状粉末を得た。このものの錫含有量
は２.１重量％で、圧粉抵抗は０.０３Ω・ｃｍであっ
た。
【００３６】実施例５ 実施例１で得られた針状粉末第一中間体を５００℃で１
時間大気中で仮焼してインジウム酸化物針状粉末を得
た。これを実施例１と同様にして水酸化錫を被覆した
後、同様に仮焼し、還元処理してインジウム−錫酸化物
針状粉末を得た。このものの錫含有量は２.５重量％、
圧粉抵抗は０.０３Ω・ｃｍであった。
時間大気中で仮焼してインジウム酸化物針状粉末を得
た。これを実施例１と同様にして水酸化錫を被覆した
後、同様に仮焼し、還元処理してインジウム−錫酸化物
針状粉末を得た。このものの錫含有量は２.５重量％、
圧粉抵抗は０.０３Ω・ｃｍであった。
【００３７】比較例 実施例１で得られた針状粉末第一中間体をそのまま大気
中、１０００℃で１時間仮焼した後、還元雰囲気中で処
理して酸化インジウム針状粉末を得た。得られた針状粉
末の圧粉抵抗は０.３６Ω・ｃｍであった。
中、１０００℃で１時間仮焼した後、還元雰囲気中で処
理して酸化インジウム針状粉末を得た。得られた針状粉
末の圧粉抵抗は０.３６Ω・ｃｍであった。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、透明導電膜を得るため
の導電インクの導電フィラーとして好適な高いアスペク
ト比を有し低抵抗なインジウム−錫酸化物針状粉末を提
供できる。
の導電インクの導電フィラーとして好適な高いアスペク
ト比を有し低抵抗なインジウム−錫酸化物針状粉末を提
供できる。
【図１】実施例１によって得られたインジウム−錫酸化
物針状粉末の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
物針状粉末の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
【図２】実施例１によって得られた針状粉末第一中間体
の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
【図３】実施例１によって得られたインジウム−錫酸化
物針状粉末のＸ線回折図である。
物針状粉末のＸ線回折図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 19/00 H01B 1/00 C09K 11/08 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (7)
- 【請求項１】 インジウムイオンと、硝酸イオンとを含
有する水溶液を、加熱濃縮して高粘度スラリーを生成せ
しめ、該スラリーから針状粉末第一中間体を分離し、こ
の針状粉末第一中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化
合物を被覆して仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末
の製造方法。 - 【請求項２】 インジウムイオンと、硝酸イオンと、水
酸化インジウム及び／又は酸化インジウムとを含有する
水溶液を、加熱濃縮して高粘度スラリーを生成せしめ、
該スラリーから針状粉末第一中間体を分離し、この針状
粉末第一中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を
被覆して仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造
方法。 - 【請求項３】 スラリーに多量の水、又はアルカリ分を
含む多量の水を混合し、固液分離する請求項１、２の何
れか一つに記載のインジウム−錫酸化物針状粉末の製造
方法。 - 【請求項４】 スラリーを濾過して濾過ケーキを得、こ
の濾過ケーキに多量の水又はアルカリ分を含む多量の水
を混合して固液分離する請求項１、２の何れか一つに記
載のインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れか一つに記載の方法
により製造された針状粉末第一中間体をアルカリ水溶液
と反応させ針状粉末第二中間体を得、この針状粉末第二
中間体に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆して
仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４の何れか一つに記載の方法
により製造された針状粉末第一中間体又は請求項５に記
載の方法により製造された針状粉末第二中間体を仮焼し
てインジウム酸化物針状粉末を得、このインジウム酸化
物針状粉末に仮焼により二酸化錫となる錫化合物を被覆
して仮焼するインジウム−錫酸化物針状粉末の製造方
法。 - 【請求項７】 仮焼を不活性ガス又は真空中で行う請求
項１ないし６に記載のインジウム−錫酸化物針状粉末の
製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10197293A JP3303421B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | インジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法 |
| US08/222,280 US5580496A (en) | 1993-04-05 | 1994-04-04 | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting |
| US08/659,821 US5833941A (en) | 1993-04-05 | 1996-06-07 | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting electroconductive film |
| US08/662,150 US5849221A (en) | 1993-04-05 | 1996-06-12 | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting electroconductive film |
| US08/662,145 US5820843A (en) | 1993-04-05 | 1996-06-12 | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting electroconductive film |
| US09/199,443 US6511614B1 (en) | 1993-04-05 | 1999-02-19 | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting electroconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10197293A JP3303421B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | インジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293517A JPH06293517A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3303421B2 true JP3303421B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=14314787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10197293A Expired - Fee Related JP3303421B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | インジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303421B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56120519A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Needlelike tin oxide and its manufacture |
| JPS623003A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 鱗片状の無機酸化物およびその製造方法 |
| KR900003954B1 (ko) * | 1987-08-05 | 1990-06-05 | 니혼 엑스란 고오교오 가부시끼가이샤 | 주석산 무수물 |
| JPH0324188A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Sumitomo Seika Chem Co Ltd | 蛍光体組成物 |
| JP3314388B2 (ja) * | 1991-04-26 | 2002-08-12 | 東ソー株式会社 | 水酸化インジウム、酸化インジウム及びｉｔｏ焼結体の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP10197293A patent/JP3303421B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06293517A (ja) | 1994-10-21 |
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