JP3300301B2 - 低域通過フィルタ - Google Patents
低域通過フィルタInfo
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- JP3300301B2 JP3300301B2 JP16410699A JP16410699A JP3300301B2 JP 3300301 B2 JP3300301 B2 JP 3300301B2 JP 16410699 A JP16410699 A JP 16410699A JP 16410699 A JP16410699 A JP 16410699A JP 3300301 B2 JP3300301 B2 JP 3300301B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばバイポーラ
トランジスタ半導体集積回路などに形成される、エミッ
タフォロワと差動増幅器とで構成する低域通過フィルタ
に関し、特に、高域の減衰特性の劣化を改善し、差動増
幅器の利得や雑音特性を改善するものである。
トランジスタ半導体集積回路などに形成される、エミッ
タフォロワと差動増幅器とで構成する低域通過フィルタ
に関し、特に、高域の減衰特性の劣化を改善し、差動増
幅器の利得や雑音特性を改善するものである。
【０００２】
【従来の技術】抵抗、能動素子を用いるフィルタ回路
は、インダクタンスを使用しないため、回路の小型軽量
化、集積化が可能であり、携帯電話などの無線機の低周
波通過フィルタなどに広く用いられる。
は、インダクタンスを使用しないため、回路の小型軽量
化、集積化が可能であり、携帯電話などの無線機の低周
波通過フィルタなどに広く用いられる。
【０００３】この種のフィルタとして、従来から、エミ
ッタフォロワを用いて構成する２次の低域通過フィルタ
回路が知られている。
ッタフォロワを用いて構成する２次の低域通過フィルタ
回路が知られている。
【０００４】この回路は、図７に示すように、入力端子
19及び出力端子18と、トランジスタ11及び電流源15で構
成されるエミッタフォロワ回路と、入力端子19に直列に
接続された抵抗21及び抵抗８と、エミッタフォロワ回路
の出力に直列接続する抵抗10と出力端子11との接続部と
抵抗21及び抵抗８の接続部との間に接続されたコンデン
サ７と、エミッタフォロワ回路の入力と接地との間に接
続されたコンデンサ９とを備えている。
19及び出力端子18と、トランジスタ11及び電流源15で構
成されるエミッタフォロワ回路と、入力端子19に直列に
接続された抵抗21及び抵抗８と、エミッタフォロワ回路
の出力に直列接続する抵抗10と出力端子11との接続部と
抵抗21及び抵抗８の接続部との間に接続されたコンデン
サ７と、エミッタフォロワ回路の入力と接地との間に接
続されたコンデンサ９とを備えている。
【０００５】ここで、抵抗10は、トランジスタ11のｇｍ
の逆数1/gm及びトランジスタのエミッタにおける寄生抵
抗の和を表している。
の逆数1/gm及びトランジスタのエミッタにおける寄生抵
抗の和を表している。
【０００６】この回路を差動増幅器と共に構成した場合
を図６に示す。差動増幅器のトランジスタ13のコレクタ
側のインピーダンスは低周波域ではハイインピーダンス
となるため、図６に示した回路は、図７における抵抗21
を差動増幅器の負荷抵抗として共用することができ、エ
ミッタフォロワ回路が差動増幅器のバッファとフィルタ
回路との両方の役目をするため、差動増幅器とフィルタ
とを簡単な構成で実現できる。
を図６に示す。差動増幅器のトランジスタ13のコレクタ
側のインピーダンスは低周波域ではハイインピーダンス
となるため、図６に示した回路は、図７における抵抗21
を差動増幅器の負荷抵抗として共用することができ、エ
ミッタフォロワ回路が差動増幅器のバッファとフィルタ
回路との両方の役目をするため、差動増幅器とフィルタ
とを簡単な構成で実現できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図７に示した回路の入
力端子19から入力される信号をＶin1［ｄＢｍ］、出力
端子18より出力される信号の振幅をＶo1［ｄＢｍ］、カ
ットオフ周波数をｆclとすると、Ｖo1／Ｖin1で求めら
れる伝達関数は以下の式となる。 Ｖo1／Ｖin1＝{（Ｒ8×Ｒ10×Ｃ7×Ｃ9）Ｓ2＋（Ｒ10＋
Ｃ7）Ｓ＋1}／{Ｃ7×Ｃ9×（Ｒ21×Ｒ8＋Ｒ8×Ｒ10＋Ｒ
21×Ｒ10）Ｓ2＋（Ｒ10×Ｃ7＋Ｒ8×Ｃ9＋Ｒ21×Ｃ9）
Ｓ＋1}
力端子19から入力される信号をＶin1［ｄＢｍ］、出力
端子18より出力される信号の振幅をＶo1［ｄＢｍ］、カ
ットオフ周波数をｆclとすると、Ｖo1／Ｖin1で求めら
れる伝達関数は以下の式となる。 Ｖo1／Ｖin1＝{（Ｒ8×Ｒ10×Ｃ7×Ｃ9）Ｓ2＋（Ｒ10＋
Ｃ7）Ｓ＋1}／{Ｃ7×Ｃ9×（Ｒ21×Ｒ8＋Ｒ8×Ｒ10＋Ｒ
21×Ｒ10）Ｓ2＋（Ｒ10×Ｃ7＋Ｒ8×Ｃ9＋Ｒ21×Ｃ9）
Ｓ＋1}
【０００８】上記式で表される伝達関数は、２次低域通
過フィルタ回路と２次低域通過フィルタ回路の伝達関数
の逆数、即ち、２次高域通過フィルタ回路、とが組み合
わされたものと見ることができる。２次低域通過フィル
タのカットオフ周波数をｆcl1、２次高域通過フィルタ
のカットオフ周波数はｆch1とすると、それぞれ以下の
式で表される。ｆcl1 ＝1/{2π（Ｃ7×Ｃ9×（Ｒ21×Ｒ8＋Ｒ8×Ｒ10＋Ｒ10×Ｒ21）1/2} （1） ｆch1 ＝1/{2π（Ｒ8×Ｒ10×Ｃ7×Ｃ9）} （2）
過フィルタ回路と２次低域通過フィルタ回路の伝達関数
の逆数、即ち、２次高域通過フィルタ回路、とが組み合
わされたものと見ることができる。２次低域通過フィル
タのカットオフ周波数をｆcl1、２次高域通過フィルタ
のカットオフ周波数はｆch1とすると、それぞれ以下の
式で表される。ｆcl1 ＝1/{2π（Ｃ7×Ｃ9×（Ｒ21×Ｒ8＋Ｒ8×Ｒ10＋Ｒ10×Ｒ21）1/2} （1） ｆch1 ＝1/{2π（Ｒ8×Ｒ10×Ｃ7×Ｃ9）} （2）
【０００９】このとき、入力端子19から周波数ｆ［Ｈ
ｚ］の信号Ｖin1［ｄＢｍ］が入力した場合の出力端子1
8より出力される信号の振幅Ｖo1は以下の式で表され
る。 Ｖｏ1＝Ｖin1−40ｌｏｇ（ｆ/ｆcl1）＋40ｌｏｇ（ｆ/
ｆch1）［ｄＢｍ］
ｚ］の信号Ｖin1［ｄＢｍ］が入力した場合の出力端子1
8より出力される信号の振幅Ｖo1は以下の式で表され
る。 Ｖｏ1＝Ｖin1−40ｌｏｇ（ｆ/ｆcl1）＋40ｌｏｇ（ｆ/
ｆch1）［ｄＢｍ］
【００１０】このフィルタの特性を示すと図８のように
なり、フィルタ特性は高域側で劣化してしまう。
なり、フィルタ特性は高域側で劣化してしまう。
【００１１】図６に示したように、差動増幅器と共に構
成する場合には、集積化した時、コンデンサＣ７、Ｃ８
は集積回路の規模を小さくするために、できるだけ小さ
い値に設定する必要がある。そのため、同じカットオフ
周波数を得ようとした場合、抵抗８、21を大きくする必
要がある。
成する場合には、集積化した時、コンデンサＣ７、Ｃ８
は集積回路の規模を小さくするために、できるだけ小さ
い値に設定する必要がある。そのため、同じカットオフ
周波数を得ようとした場合、抵抗８、21を大きくする必
要がある。
【００１２】また、抵抗21は差動増幅器の負荷と共用し
ているため、差動増幅器の利得を考慮して抵抗21の値を
決定しなければならない。例えば、カットオフ周波数ｆ
cl1を低い値に設定したい場合、コンデンサＣ７、Ｃ８
はできるだけ小さい値に設定する必要があるため、抵抗
８、21の値を大きくしてカットオフ周波数を決定する。
ているため、差動増幅器の利得を考慮して抵抗21の値を
決定しなければならない。例えば、カットオフ周波数ｆ
cl1を低い値に設定したい場合、コンデンサＣ７、Ｃ８
はできるだけ小さい値に設定する必要があるため、抵抗
８、21の値を大きくしてカットオフ周波数を決定する。
【００１３】しかし、抵抗21を大きくしてしまうと差動
増幅器の利得が必要以上に大きくなってしまうことが考
えられ、差動増幅器のエミッタ抵抗14を大きくして利得
を調整することが必要になる。
増幅器の利得が必要以上に大きくなってしまうことが考
えられ、差動増幅器のエミッタ抵抗14を大きくして利得
を調整することが必要になる。
【００１４】一般にトランジスタ回路の雑音指数（以
下、ＮＦ）は、トランジスタのベース抵抗及びエミッタ
抵抗に依存する。そのため、エミッタ抵抗14を大きくし
てしまうと差動増幅器の雑音特性、即ち、ＮＦが劣化し
てしまう。
下、ＮＦ）は、トランジスタのベース抵抗及びエミッタ
抵抗に依存する。そのため、エミッタ抵抗14を大きくし
てしまうと差動増幅器の雑音特性、即ち、ＮＦが劣化し
てしまう。
【００１５】また、抵抗８を大きくしてしまうと、抵抗
８はトランジスタ11のベースに直列に挿入されているた
め、エミッタフォロワ回路のＮＦを劣化させてしまうこ
とになる。
８はトランジスタ11のベースに直列に挿入されているた
め、エミッタフォロワ回路のＮＦを劣化させてしまうこ
とになる。
【００１６】このように、従来の回路では、フィルタ特
性が高域側で劣化してしまうことや、集積化可能なコン
デンサの大きさが規模の点で限界があるため、カットオ
フ周波数ｆclが抵抗８、21の値に大きく依存し、そのた
め、差動増幅器の利得や雑音特性が制限されるという問
題点がある。
性が高域側で劣化してしまうことや、集積化可能なコン
デンサの大きさが規模の点で限界があるため、カットオ
フ周波数ｆclが抵抗８、21の値に大きく依存し、そのた
め、差動増幅器の利得や雑音特性が制限されるという問
題点がある。
【００１７】本発明は、こうした従来の問題点を解決す
るものであり、エミッタフォロワと差動増幅器とで構成
する低域通過フィルタにおいて、高域側の減衰量の劣化
を緩和し、カットオフ周波数を設定する抵抗による差動
増幅器の利得、雑音特性への制限を、電流や回路規模を
増大させることなく、緩和することができる低域通過フ
ィルタを提供し、また、それを含む半導体集積回路や携
帯端末、通信システムを提供することを目的としてい
る。
るものであり、エミッタフォロワと差動増幅器とで構成
する低域通過フィルタにおいて、高域側の減衰量の劣化
を緩和し、カットオフ周波数を設定する抵抗による差動
増幅器の利得、雑音特性への制限を、電流や回路規模を
増大させることなく、緩和することができる低域通過フ
ィルタを提供し、また、それを含む半導体集積回路や携
帯端末、通信システムを提供することを目的としてい
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、差
動増幅器と組み合わせるエミッタフォロワ型低域通過フ
ィルタ回路において、エミッタフォロワ型低域通過フィ
ルタの前に、２次フィルタ回路を直列に接続し、さらに
そのフィルタ回路を差動増幅器の負荷として共用してい
る。
動増幅器と組み合わせるエミッタフォロワ型低域通過フ
ィルタ回路において、エミッタフォロワ型低域通過フィ
ルタの前に、２次フィルタ回路を直列に接続し、さらに
そのフィルタ回路を差動増幅器の負荷として共用してい
る。
【００１９】この２次フィルタが、低域通過フィルタ回
路の高域の減衰量の劣化を打ち消す作用をする。また、
この２次フィルタの抵抗は、エミッタフォロワ及び差動
増幅器の負荷として、分割して挿入されるため、差動増
幅器の負荷を小さく保つことができ、差動増幅器の利得
や雑音特性を規定する上での制限を緩和することができ
る。
路の高域の減衰量の劣化を打ち消す作用をする。また、
この２次フィルタの抵抗は、エミッタフォロワ及び差動
増幅器の負荷として、分割して挿入されるため、差動増
幅器の負荷を小さく保つことができ、差動増幅器の利得
や雑音特性を規定する上での制限を緩和することができ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、エミッタフォロワ及び差動増幅器を構成要素に持つ
２次低域通過フィルタ回路において、低域通過フィルタ
回路の前段に、抵抗とコンデンサとで構成された２次の
フィルタを差動増幅器の負荷として接続し、この抵抗を
エミッタフォロワのベース入力部と差動増幅器の負荷と
に分割して挿入したものであり、２次フィルタを構成す
るＲＣ回路の接続により、高域の減衰量の劣化が打ち消
され、また、そのＲの一部だけが差動増幅器の負荷とな
るため、差動増幅器の利得や雑音特性を規定する上での
制限が緩和される。
は、エミッタフォロワ及び差動増幅器を構成要素に持つ
２次低域通過フィルタ回路において、低域通過フィルタ
回路の前段に、抵抗とコンデンサとで構成された２次の
フィルタを差動増幅器の負荷として接続し、この抵抗を
エミッタフォロワのベース入力部と差動増幅器の負荷と
に分割して挿入したものであり、２次フィルタを構成す
るＲＣ回路の接続により、高域の減衰量の劣化が打ち消
され、また、そのＲの一部だけが差動増幅器の負荷とな
るため、差動増幅器の利得や雑音特性を規定する上での
制限が緩和される。
【００２１】請求項２に記載の発明は、請求項１の低域
通過フィルタ回路を内蔵させた半導体集積回路であり、
回路の小型軽量化、集積化が可能である。
通過フィルタ回路を内蔵させた半導体集積回路であり、
回路の小型軽量化、集積化が可能である。
【００２２】請求項３に記載の発明は、請求項２の半導
体集積回路を組み込んだ携帯端末であり、端末の小型軽
量化を図ることができる。
体集積回路を組み込んだ携帯端末であり、端末の小型軽
量化を図ることができる。
【００２３】請求項４に記載の発明は、請求項３の携帯
端末とこれに繋がる基地局とからなる通信システムであ
り、小型軽量な携帯端末を使用する通信システムを構築
することができる。
端末とこれに繋がる基地局とからなる通信システムであ
り、小型軽量な携帯端末を使用する通信システムを構築
することができる。
【００２４】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００２５】本発明の実施形態における低域通過フィル
タ回路は、図１に示すように、従来例のエミッタフォロ
ワ型低域通過フィルタ（図６）の前段に抵抗６を接続
し、差動増幅器の負荷として抵抗１、３及び５を接続
し、抵抗１と抵抗３の接続部の間にコンデンサ２を、ま
た、抵抗３と抵抗５の接続部の間にコンデンサ４を接続
している。
タ回路は、図１に示すように、従来例のエミッタフォロ
ワ型低域通過フィルタ（図６）の前段に抵抗６を接続
し、差動増幅器の負荷として抵抗１、３及び５を接続
し、抵抗１と抵抗３の接続部の間にコンデンサ２を、ま
た、抵抗３と抵抗５の接続部の間にコンデンサ４を接続
している。
【００２６】このように、差動増幅器のトランジスタ13
のコレクタ側のインピーダンスをハイインピーダンスに
設定した場合には、差動増幅器が平衡動作を行うとする
と、コンデンサ２及び４の両端には、常にそれぞれ位相
が１８０度異なる同一の信号の電圧が印加されることに
なるので、コンデンサ２及び４の中点は交流的に接地さ
れているとみなせる。したがって、図１は、図２の回路
で表すことができる。ここで、図２の回路のコンデンサ
Ｃ22はＣ2/Ｃ2、コンデンサＣ23はＣ4/Ｃ2、Ｒ20はＲ5
＋Ｒ6である。
のコレクタ側のインピーダンスをハイインピーダンスに
設定した場合には、差動増幅器が平衡動作を行うとする
と、コンデンサ２及び４の両端には、常にそれぞれ位相
が１８０度異なる同一の信号の電圧が印加されることに
なるので、コンデンサ２及び４の中点は交流的に接地さ
れているとみなせる。したがって、図１は、図２の回路
で表すことができる。ここで、図２の回路のコンデンサ
Ｃ22はＣ2/Ｃ2、コンデンサＣ23はＣ4/Ｃ2、Ｒ20はＲ5
＋Ｒ6である。
【００２７】図２に示した回路の入力端子19から入力さ
れる信号の振幅をＶin［ｄＢｍ］、出力端子18から出力
される信号の振幅をＶo［ｄＢｍ］とし、伝達関数Ｖo／
Ｖinを求める。ここで、例えば、計算を簡略化するた
め、図２の回路において、Ｃ＝Ｃ22＝Ｃ23＝Ｃ7＝Ｃ9、
Ｒ＝Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ20＝Ｒ8＝Ｒ10の条件で伝達関数を求
めると以下の式になる。 Ｖo／Ｖin＝{（Ｃ2×Ｒ2）Ｓ2＋（Ｃ×Ｒ）Ｓ＋1}／
{（2×Ｃ4×Ｒ4）Ｓ4＋（12×Ｃ3×Ｒ3）Ｓ3＋（15×Ｃ
2×Ｒ2）Ｓ2＋（20×Ｃ×Ｒ）Ｓ＋1}
れる信号の振幅をＶin［ｄＢｍ］、出力端子18から出力
される信号の振幅をＶo［ｄＢｍ］とし、伝達関数Ｖo／
Ｖinを求める。ここで、例えば、計算を簡略化するた
め、図２の回路において、Ｃ＝Ｃ22＝Ｃ23＝Ｃ7＝Ｃ9、
Ｒ＝Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ20＝Ｒ8＝Ｒ10の条件で伝達関数を求
めると以下の式になる。 Ｖo／Ｖin＝{（Ｃ2×Ｒ2）Ｓ2＋（Ｃ×Ｒ）Ｓ＋1}／
{（2×Ｃ4×Ｒ4）Ｓ4＋（12×Ｃ3×Ｒ3）Ｓ3＋（15×Ｃ
2×Ｒ2）Ｓ2＋（20×Ｃ×Ｒ）Ｓ＋1}
【００２８】この伝達関数Ｖo／Ｖinは、４次の低域通
過フィルタ回路と２次の高域通過フィルタが組み合わさ
ったものである。４次低域通過フィルタ回路のカットオ
フ周波数をｆcl、２次高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｆchとすると、ｆcl、ｆchは以下のように表され
る。 ｆcl＝1/{2π（2×Ｃ4×Ｒ4）1/4} （3） ｆch＝1/{2π（Ｒ2×Ｃ2）1/2} （4）
過フィルタ回路と２次の高域通過フィルタが組み合わさ
ったものである。４次低域通過フィルタ回路のカットオ
フ周波数をｆcl、２次高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｆchとすると、ｆcl、ｆchは以下のように表され
る。 ｆcl＝1/{2π（2×Ｃ4×Ｒ4）1/4} （3） ｆch＝1/{2π（Ｒ2×Ｃ2）1/2} （4）
【００２９】このとき、入力端子19から周波数ｆ［Ｈ
ｚ］の信号Ｖin［ｄＢｍ］が入力した場合の出力端子18
より出力される信号の振幅Ｖoは以下の式で表される。 Ｖo1＝Ｖin1-80ｌｏｇ（ｆ／ｆcl）＋40ｌｏｇ（ｆ／ｆ
ch）［ｄＢｍ］
ｚ］の信号Ｖin［ｄＢｍ］が入力した場合の出力端子18
より出力される信号の振幅Ｖoは以下の式で表される。 Ｖo1＝Ｖin1-80ｌｏｇ（ｆ／ｆcl）＋40ｌｏｇ（ｆ／ｆ
ch）［ｄＢｍ］
【００３０】このフィルタの特性を示すと図３のように
なり、フィルタ特性は高域側では、12ｄＢ／ｏｃｔで減
衰することになる。
なり、フィルタ特性は高域側では、12ｄＢ／ｏｃｔで減
衰することになる。
【００３１】また、ここで、例えば、 Ｒ＝Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒ8＝Ｒ10、 Ｃ7、Ｃ9≫Ｃ2
2、Ｃ23 とすると、低周波域では、Ｃ23、Ｃ24のインピーダンス
は大きくなり、図１において、抵抗１と抵抗３の接続部
の間及び、抵抗３と抵抗５の接続部の間は開放とみなせ
るので、図１の回路は図４のように表すことができる。
従って、図２の回路は、図５のように表せる。図４、図
５に示した回路は、Ｒ21＝Ｒ1＋Ｒ3＋Ｒ5＋Ｒ6とすれ
ば、図６、図７と等価となる。
2、Ｃ23 とすると、低周波域では、Ｃ23、Ｃ24のインピーダンス
は大きくなり、図１において、抵抗１と抵抗３の接続部
の間及び、抵抗３と抵抗５の接続部の間は開放とみなせ
るので、図１の回路は図４のように表すことができる。
従って、図２の回路は、図５のように表せる。図４、図
５に示した回路は、Ｒ21＝Ｒ1＋Ｒ3＋Ｒ5＋Ｒ6とすれ
ば、図６、図７と等価となる。
【００３２】例えば、図６において、Ｒ21＝Ｒaとした
とき、図４において、Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒa/4とす
れば、差動増幅器の負荷抵抗は（3×Ｒa）/4となり、図
６の回路と同様の利得を得ようとした時、エミッタ抵抗
Ｒ14を小さくでき、差動増幅器のＮＦを改善できる。
とき、図４において、Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒa/4とす
れば、差動増幅器の負荷抵抗は（3×Ｒa）/4となり、図
６の回路と同様の利得を得ようとした時、エミッタ抵抗
Ｒ14を小さくでき、差動増幅器のＮＦを改善できる。
【００３３】この際、エミッタフォロワのベースに直列
にＲa/4の抵抗が挿入されることになり、エミッタフォ
ロワのＮＦが劣化するが、抵抗値はＲa/4と小さく、ま
た、回路全体のＮＦは、一般に初段の差動増幅器の利得
が高ければ、差動増幅器のＮＦが支配的となるため、回
路全体のＮＦに対して、エミッタフォロワのＮＦの劣化
は無視できる。
にＲa/4の抵抗が挿入されることになり、エミッタフォ
ロワのＮＦが劣化するが、抵抗値はＲa/4と小さく、ま
た、回路全体のＮＦは、一般に初段の差動増幅器の利得
が高ければ、差動増幅器のＮＦが支配的となるため、回
路全体のＮＦに対して、エミッタフォロワのＮＦの劣化
は無視できる。
【００３４】このように、本発明の差動増幅器と組み合
わせたエミッタフォロワ型低域通過フィルタ回路は、差
動増幅器の負荷としてＲＣ回路を挿入し、抵抗Ｒを差動
増幅器の負荷とエミッタフォロワのベース入力とに分割
することにより、高域の減衰量の劣化を緩和すると同時
に、差動増幅器の利得や雑音特性を規定する上での制限
を、電流や回路規模を増大させることなく緩和すること
ができる。
わせたエミッタフォロワ型低域通過フィルタ回路は、差
動増幅器の負荷としてＲＣ回路を挿入し、抵抗Ｒを差動
増幅器の負荷とエミッタフォロワのベース入力とに分割
することにより、高域の減衰量の劣化を緩和すると同時
に、差動増幅器の利得や雑音特性を規定する上での制限
を、電流や回路規模を増大させることなく緩和すること
ができる。
【００３５】また、この半導体集積回路を携帯電話など
の無線機に組み込むことによって、無線機の小型軽量化
を図ることができる。また、この無線機を使用する通信
システムの利便性の向上を図ることができる。
の無線機に組み込むことによって、無線機の小型軽量化
を図ることができる。また、この無線機を使用する通信
システムの利便性の向上を図ることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の差動増幅器と組み合わせたエミッタフォロワ型低域通
過フィルタ回路は、高域の減衰量の劣化を緩和すると同
時に、差動増幅器の利得や雑音特性を規定する上での定
数の制限を、電流や回路規模を増大させることなく緩和
することができる。
の差動増幅器と組み合わせたエミッタフォロワ型低域通
過フィルタ回路は、高域の減衰量の劣化を緩和すると同
時に、差動増幅器の利得や雑音特性を規定する上での定
数の制限を、電流や回路規模を増大させることなく緩和
することができる。
【００３７】また、このフィルタ回路は他の回路と集積
化して集積回路を構成することができ、この集積回路を
無線機に組み込むことにより、無線機の小型・軽量化を
図ることができる。
化して集積回路を構成することができ、この集積回路を
無線機に組み込むことにより、無線機の小型・軽量化を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における低域通過フィルタの
回路図、
回路図、
【図２】図１における本発明の低域通過フィルタの等価
回路図、
回路図、
【図３】本発明の低域通過フィルタの周波数特性図、
【図４】コンデンサＣ7、Ｃ9≫Ｃ2、Ｃ4としたときの低
周波域での図１の等価回路図、
周波域での図１の等価回路図、
【図５】図４の等価回路図、
【図６】従来の差動増幅器を組み合わせたエミッタフォ
ロワ型低域通過フィルタの回路図、
ロワ型低域通過フィルタの回路図、
【図７】従来のエミッタフォロワ型低域通過フィルタの
回路図、
回路図、
【図８】従来のエミッタフォロワ型低域通過フィルタの
周波数特性である。
周波数特性である。
１、３、５、６、８、10、14、20、21 抵抗 ２、４、７、９、22、23 コンデンサ 11、12、13 NPNトランジスタ 15 定電流源 18 出力端子 19 入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 11/04 H03F 1/22
Claims (4)
- 【請求項１】 エミッタフォロワ及び差動増幅器を構成
要素に持つ２次低域通過フィルタ回路において、 前記低域通過フィルタ回路の前段に、抵抗とコンデンサ
とで構成された２次のフィルタを差動増幅器の負荷とし
て接続し、前記抵抗を前記エミッタフォロワのベース入
力部と前記差動増幅器の負荷とに分割して挿入すること
を特徴とする低域通過フィルタ回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の低域通過フィルタ回路を
内蔵する半導体集積回路。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体集積回路が組み込
まれた携帯端末。 - 【請求項４】 請求項３記載の携帯端末とこれに繋がる
基地局とからなる通信システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16410699A JP3300301B2 (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 低域通過フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16410699A JP3300301B2 (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 低域通過フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353936A JP2000353936A (ja) | 2000-12-19 |
| JP3300301B2 true JP3300301B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=15786881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16410699A Expired - Fee Related JP3300301B2 (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 低域通過フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3300301B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5524678B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-06-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 再帰型フィルタ回路 |
-
1999
- 1999-06-10 JP JP16410699A patent/JP3300301B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000353936A (ja) | 2000-12-19 |
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