JP3295957B2 - ガンダイオードの製造方法 - Google Patents
ガンダイオードの製造方法Info
- Publication number
- JP3295957B2 JP3295957B2 JP9721892A JP9721892A JP3295957B2 JP 3295957 B2 JP3295957 B2 JP 3295957B2 JP 9721892 A JP9721892 A JP 9721892A JP 9721892 A JP9721892 A JP 9721892A JP 3295957 B2 JP3295957 B2 JP 3295957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- cutting
- gunn diode
- etching
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、車載用ミリ波帯レーダ
の発振源などとして利用されるガンダイオードの製造方
法に関するものである。
の発振源などとして利用されるガンダイオードの製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】車載用ミリ波帯レーダの発振源などとし
て利用されるガンダイオードは、ほぼ平行に向き合う２
個の電極間の半導体層内に動作層を形成しこの動作層に
電流を流して動作させる縦型構造（あるいはサンドイッ
チ構造）を呈している。
て利用されるガンダイオードは、ほぼ平行に向き合う２
個の電極間の半導体層内に動作層を形成しこの動作層に
電流を流して動作させる縦型構造（あるいはサンドイッ
チ構造）を呈している。
【０００３】上記縦型構造のガンダイオードを量産する
方法として、まず上述した電極と動作層を有する縦型構
造の半導体基板を作成したのち所望のサイズに細断（ダ
イシング）することにより複数の縦型半導体素子に分離
し、ダイシングによって分離された各素子の切断面直下
のダメージ層をエッチングによって除去することにより
所望個数のガンダイオードを得る方法が採用される。
方法として、まず上述した電極と動作層を有する縦型構
造の半導体基板を作成したのち所望のサイズに細断（ダ
イシング）することにより複数の縦型半導体素子に分離
し、ダイシングによって分離された各素子の切断面直下
のダメージ層をエッチングによって除去することにより
所望個数のガンダイオードを得る方法が採用される。
【０００４】従来、半導体基板のダイシングに際して
は、ダイシングラインを９０o で交差させる正方形のダ
イシングパターンが採用されている（特開昭５１ー２８
２８４号公報）。ダイシングによって互いに分離された
各素子の断面形状は正方形となり、続いて行われるエッ
チングによって矩形の角が多少丸みを帯びるようになっ
ている。すなわち、図６の平面図に例示するように、ダ
イシングパターンを保つ正方形の金属電極と、切断面の
エッチングにより周辺が電極の周辺よりも後退しかつ角
が丸まった形状の半導体層が形成される。
は、ダイシングラインを９０o で交差させる正方形のダ
イシングパターンが採用されている（特開昭５１ー２８
２８４号公報）。ダイシングによって互いに分離された
各素子の断面形状は正方形となり、続いて行われるエッ
チングによって矩形の角が多少丸みを帯びるようになっ
ている。すなわち、図６の平面図に例示するように、ダ
イシングパターンを保つ正方形の金属電極と、切断面の
エッチングにより周辺が電極の周辺よりも後退しかつ角
が丸まった形状の半導体層が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のガンダイオ
ードの製造方法では、正方形のダイシングパターンを採
用しているため、エッチングによって多少丸みを帯びる
ものの素子断面に角部が形成され、特性の劣化を招くと
いう問題がある。すなわち、ガンダイオードのように高
周波で動作する縦型半導体素子では、表皮効果によって
電流が素子周辺部に集中するため、電流通路となる素子
周辺部の形状がいびつになることは性能を劣化させたり
信頼性を損なったりするからである。
ードの製造方法では、正方形のダイシングパターンを採
用しているため、エッチングによって多少丸みを帯びる
ものの素子断面に角部が形成され、特性の劣化を招くと
いう問題がある。すなわち、ガンダイオードのように高
周波で動作する縦型半導体素子では、表皮効果によって
電流が素子周辺部に集中するため、電流通路となる素子
周辺部の形状がいびつになることは性能を劣化させたり
信頼性を損なったりするからである。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明に係わるガンダ
イオードの製造方法によれば、正六角形又は正八角形の
断面形状の素片にダイシングされたのち、結晶面による
異方性が生じにくいエッチングによって円形の断面形状
に近づけられる。
イオードの製造方法によれば、正六角形又は正八角形の
断面形状の素片にダイシングされたのち、結晶面による
異方性が生じにくいエッチングによって円形の断面形状
に近づけられる。
【０００７】
【作用】本発明の製造方法によれば、６角形又は８角形
のダイシングパターンを採用することにより、ダイシン
グ直後の素子断面の角部の角度が従来の９０o からそれ
ぞれ１２０o と１３５o へと増加し、周辺部全体の形状
としてはより理想的な真円に近づく。
のダイシングパターンを採用することにより、ダイシン
グ直後の素子断面の角部の角度が従来の９０o からそれ
ぞれ１２０o と１３５o へと増加し、周辺部全体の形状
としてはより理想的な真円に近づく。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例のガンダイオード
の製造方法において採用するダイシングパターンを説明
するため平面図である。図１において、ガンダイオード
の縦型構造が形成された半導体基板１からハッチングを
付して示す多数のガンダイオード２がダイシングによっ
て分離される。このダイシングパターンとしては、６角
形が採用される。
の製造方法において採用するダイシングパターンを説明
するため平面図である。図１において、ガンダイオード
の縦型構造が形成された半導体基板１からハッチングを
付して示す多数のガンダイオード２がダイシングによっ
て分離される。このダイシングパターンとしては、６角
形が採用される。
【０００９】すなわち、図２（Ａ）に示すように、ま
ず、平行なダイシングライン５ａ，５ｂを等間隔に形成
することにより１回目のダイシングが行われる。次に、
図２（Ｂ）に示すように、平行なダイシングライン６
ａ，６ｂを等間隔に形成することにより２回目のダイシ
ングが行われる。ダイシングライン６ａ，６ｂは、ダイ
シングライン５ａ，５ｂと６０゜の角度で交差する。更
に、図２（Ｃ）に示すように、平行なダイシングライン
７ａ，７ｂを等間隔に形成することにより３回目のダイ
シングが行われる。ダイシングライン７ａ，７ｂは、ダ
イシングライン６ａ，６ｂと５ａ，５ｂといずれに対し
ても６０゜の角度で交差する。
ず、平行なダイシングライン５ａ，５ｂを等間隔に形成
することにより１回目のダイシングが行われる。次に、
図２（Ｂ）に示すように、平行なダイシングライン６
ａ，６ｂを等間隔に形成することにより２回目のダイシ
ングが行われる。ダイシングライン６ａ，６ｂは、ダイ
シングライン５ａ，５ｂと６０゜の角度で交差する。更
に、図２（Ｃ）に示すように、平行なダイシングライン
７ａ，７ｂを等間隔に形成することにより３回目のダイ
シングが行われる。ダイシングライン７ａ，７ｂは、ダ
イシングライン６ａ，６ｂと５ａ，５ｂといずれに対し
ても６０゜の角度で交差する。
【００１０】図３は、上記６角形のダイシングパターン
を採用したガンダイオードの製造方法を示す断面図であ
る。まず、ほぼ均一な厚みを有するＧａＡｓ基板の内部
にその表面とほぼ平行に動作層を形成しかつこの基板の
表面と裏面のそれぞれに１対の電極の一方と他方とを形
成することにより縦型構造の半導体基板を形成する。す
なわち、図３（Ａ）に示すように、ｎ+ ＧａＡｓ層１１
上にエピタキシャル成長によりｎＧａＡｓの動作層１２
とｎ+ ＧａＡｓのコンタクト層１３とを順次形成し、上
下のｎ+ ＧａＡｓ層の表面にそれぞれ電極１４，１５を
形成する。
を採用したガンダイオードの製造方法を示す断面図であ
る。まず、ほぼ均一な厚みを有するＧａＡｓ基板の内部
にその表面とほぼ平行に動作層を形成しかつこの基板の
表面と裏面のそれぞれに１対の電極の一方と他方とを形
成することにより縦型構造の半導体基板を形成する。す
なわち、図３（Ａ）に示すように、ｎ+ ＧａＡｓ層１１
上にエピタキシャル成長によりｎＧａＡｓの動作層１２
とｎ+ ＧａＡｓのコンタクト層１３とを順次形成し、上
下のｎ+ ＧａＡｓ層の表面にそれぞれ電極１４，１５を
形成する。
【００１１】次に、図３（Ｂ）に示すように、半導体基
板ををワックス層１６によってガラスの保持体１７上に
接着固定し、上面側にエッチングに対するレジスト層１
８を形成する。このワックス層１６としては適宜なもの
を使用できるが、例えば、日化精工社から「ＣＢワック
ス」の商品名で市販されているものなどが好適である。
板ををワックス層１６によってガラスの保持体１７上に
接着固定し、上面側にエッチングに対するレジスト層１
８を形成する。このワックス層１６としては適宜なもの
を使用できるが、例えば、日化精工社から「ＣＢワック
ス」の商品名で市販されているものなどが好適である。
【００１２】続いて、図３（Ｃ）に示すように、ガラス
の保持体１７上に接着固定された半導体基板をその表面
のレジスト層１８と共に接着剤層１６まで回転式のダイ
ヤモンドカッタ１９を用いて所定の間隔でダイシングし
てゆく。このダイシングは、図１の平面図に示すように
３種類のダイシングライン群どうしがそれぞれ６０oで
交差するように行われる。これにより、保持体１７上へ
の接着固定状態を保ったまま６角形の断面形状を有する
小面積のガンダイオード群に分離される。
の保持体１７上に接着固定された半導体基板をその表面
のレジスト層１８と共に接着剤層１６まで回転式のダイ
ヤモンドカッタ１９を用いて所定の間隔でダイシングし
てゆく。このダイシングは、図１の平面図に示すように
３種類のダイシングライン群どうしがそれぞれ６０oで
交差するように行われる。これにより、保持体１７上へ
の接着固定状態を保ったまま６角形の断面形状を有する
小面積のガンダイオード群に分離される。
【００１３】次に、図３（Ｄ）に示すように、分離され
た小面積のガンダイオード群を保持体１７上に固定した
ままエッチング液（ＥＣ）に浸してそれぞれの側面をエ
ッチングすることにより、機械的切断によって生じた側
方表面のダメージ層を除去する。この際使用するエッチ
ング液としては、結晶面による異方性を生じにくいも
の、例えば、燐酸と過酸化水素と水の混合系などが使用
される。
た小面積のガンダイオード群を保持体１７上に固定した
ままエッチング液（ＥＣ）に浸してそれぞれの側面をエ
ッチングすることにより、機械的切断によって生じた側
方表面のダメージ層を除去する。この際使用するエッチ
ング液としては、結晶面による異方性を生じにくいも
の、例えば、燐酸と過酸化水素と水の混合系などが使用
される。
【００１４】このエッチングの終了後にワックス層１６
を融解除去するなどの方法により小面積のガンダイオー
ド群を保持体１７上から取り外すと、図４の平面図に示
すような、半導体層がほぼ円柱形状の断面を有し、電極
が６角形のダイシングパターンを持つ所望サイズのガン
ダイオードを得る。また、表面側に浅い溝を形成したの
ち表面側からエッチングを行うメサエッチングの場合と
異なり、エッチングの対象となる面が側面だけとなるた
め、元の切断面にほぼ平行にエッチングが進行し、ほぼ
垂直な側面が得られる。
を融解除去するなどの方法により小面積のガンダイオー
ド群を保持体１７上から取り外すと、図４の平面図に示
すような、半導体層がほぼ円柱形状の断面を有し、電極
が６角形のダイシングパターンを持つ所望サイズのガン
ダイオードを得る。また、表面側に浅い溝を形成したの
ち表面側からエッチングを行うメサエッチングの場合と
異なり、エッチングの対象となる面が側面だけとなるた
め、元の切断面にほぼ平行にエッチングが進行し、ほぼ
垂直な側面が得られる。
【００１５】このように、機械的にフルカットしたガン
ダイオード群を保持体上への接着固定状態を保ったまま
エッチングすることにより切断によって生じた側方のダ
メージ層を除去する構成とすれば、分離したガンダイオ
ード群のそれぞれについてエッチングを行う方法に比べ
て、労力と時間が大幅に節減できると共に、寸法がそろ
った素子群を量産できるという利点がある。
ダイオード群を保持体上への接着固定状態を保ったまま
エッチングすることにより切断によって生じた側方のダ
メージ層を除去する構成とすれば、分離したガンダイオ
ード群のそれぞれについてエッチングを行う方法に比べ
て、労力と時間が大幅に節減できると共に、寸法がそろ
った素子群を量産できるという利点がある。
【００１６】図５は、本発明によるガンダイオードの製
造方法において、８角形のダイシングパターンを採用す
る例を説明するためのものである。ダイシングパターン
として８角形を採用したことに伴い、エッチング後の半
導体層の断面は一層真円に近づく。ただし、６角形の場
合に比較して、半導体基板から切り出されるガンダイオ
ードの個数が減少すると共に、ダイシングラインの本数
が増加する。
造方法において、８角形のダイシングパターンを採用す
る例を説明するためのものである。ダイシングパターン
として８角形を採用したことに伴い、エッチング後の半
導体層の断面は一層真円に近づく。ただし、６角形の場
合に比較して、半導体基板から切り出されるガンダイオ
ードの個数が減少すると共に、ダイシングラインの本数
が増加する。
【００１７】例えば、１８０ｍｍ×２５０ｍｍの寸法の
半導体基板についてダイシングラインの間隔を３０ｍｍ
とすれば、６角形のダイシングパターンの場合、得られ
るガンダイオードの総数は３９個、ダイシングラインの
本数は２７本であるのに対して、８角形のダイシングパ
ターンの場合、得られるガンダイオードの総数は２０個
に減少すると共に、ダイシングラインの本数は３６本に
増加する。
半導体基板についてダイシングラインの間隔を３０ｍｍ
とすれば、６角形のダイシングパターンの場合、得られ
るガンダイオードの総数は３９個、ダイシングラインの
本数は２７本であるのに対して、８角形のダイシングパ
ターンの場合、得られるガンダイオードの総数は２０個
に減少すると共に、ダイシングラインの本数は３６本に
増加する。
【００１８】すなわち、多角形の角数を増加すれば素子
断面形状はより真円に近づくという利点があるが、得ら
れる素子個数が減少しダイシングの回数が増加するとい
う欠点がある。従って、ダイシングパターンとしては６
角形程度が適当である。
断面形状はより真円に近づくという利点があるが、得ら
れる素子個数が減少しダイシングの回数が増加するとい
う欠点がある。従って、ダイシングパターンとしては６
角形程度が適当である。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わるガンダイオードの製造方法によれば、断面形状が正
六角形又は正八角形のダイシングパターンを採用するこ
とにより、ダイシング直後の素子断面の角部の角度が従
来の９０°からそれぞれ１２０°と１３５°へと増加す
る。このため、周辺部全体の形状が真円に近づき、特性
の向上が図られるという効果が奏される。また、本願発
明の製造方法は、最初から円形の断面形状にダイシング
するのではなく、一旦正六角形又は正八角形の断面形状
にダイシングし、引き続き、ダメージ層の除去に必須の
エッチングをそのまま利用して断面形状を円形に近づけ
る構成であるから、ダイシングの工程が容易・迅速にな
るという利点がある。
わるガンダイオードの製造方法によれば、断面形状が正
六角形又は正八角形のダイシングパターンを採用するこ
とにより、ダイシング直後の素子断面の角部の角度が従
来の９０°からそれぞれ１２０°と１３５°へと増加す
る。このため、周辺部全体の形状が真円に近づき、特性
の向上が図られるという効果が奏される。また、本願発
明の製造方法は、最初から円形の断面形状にダイシング
するのではなく、一旦正六角形又は正八角形の断面形状
にダイシングし、引き続き、ダメージ層の除去に必須の
エッチングをそのまま利用して断面形状を円形に近づけ
る構成であるから、ダイシングの工程が容易・迅速にな
るという利点がある。
【図１】本発明の一実施例で採用される６角形のダイシ
ングパターンを示す平面図である。
ングパターンを示す平面図である。
【図２】図１のダイシングパターンの形成方法を説明す
るための平面図である。
るための平面図である。
【図３】上記実施例によるガンダイオードの製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図４】上記実施例によって作成されるガンダイオード
の断面形状を例示する平面図である。
の断面形状を例示する平面図である。
【図５】本発明の他の実施例において採用される８角形
のダイシングパターンを示す平面図である。
のダイシングパターンを示す平面図である。
【図６】従来の正方形のダイシングパターンを経て作成
されるガンダイオードの断面形状を説明するための平面
図である。
されるガンダイオードの断面形状を説明するための平面
図である。
５ａ，５ｂ ダイシングライン ６ａ，６ｂ ダイシングライン ７ａ，７ｂ ダイシングライン
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板の内部にその表面とほぼ平行に
動作層を形成しかつこの基板の表面と裏面のそれぞれに
電極を形成したのち、厚み方向に切断することにより複
数の素片に分離し、次いで各素片の切断面をエッチング
することにより複数のガンダイオードを製造する方法に
おいて、 前記切断によって相互に分離される各素片の断面形状を
正六角形又は正八角形にし、この相互に分離された各素
片の切断面に対する前記エッチングとして結晶面による
異方性を生じにくいものを行うことにより円形の断面形
状に近づけることを特徴とするガンダイオードの製造方
法。 - 【請求項２】前記切断は、所定の角度で交差する３種類
の平行線群から成る切断線を前記基板の表面と裏面のそ
れぞれに形成された前記電極の表面に形成しながら行わ
れることを特徴とする請求項１のガンダイオードの製造
方法。 - 【請求項３】 前記切断によって相互に分離される各素片
の断面形状は正六角形であり、 前記３種類の平行線群のそれぞれは単一の間隔で配列さ
れる平行線群から成ることを特徴とする請求項２記載の
ガンダイオードの製造方法 。 - 【請求項４】前記切断に先立って前記半導体基板を接着
剤層を介して保持体上に保持させ、前記エッチングの終
了後に前記ガンダイオードとして前記保持体から取り外
すことを特徴とする請求項１乃至３のそれぞれに記載の
ガンダイオードの製造方法。 - 【請求項５】前記保持体はガラスから成り、前記接着剤
層はワックスから成ることを特徴とする請求項４記載の
ガンダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9721892A JP3295957B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | ガンダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9721892A JP3295957B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | ガンダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275530A JPH05275530A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3295957B2 true JP3295957B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=14186494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9721892A Expired - Fee Related JP3295957B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | ガンダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295957B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7915697B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-03-29 | Panasonic Corporation | Sensor device and fabrication method for the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6167019B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2017-07-19 | シチズンファインデバイス株式会社 | 基板の加工方法、及びそれを用いた液晶表示パネルの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP9721892A patent/JP3295957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7915697B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-03-29 | Panasonic Corporation | Sensor device and fabrication method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05275530A (ja) | 1993-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5182233A (en) | Compound semiconductor pellet, and method for dicing compound semiconductor wafer | |
| KR960005047B1 (ko) | 화합물 반도체 웨이퍼의 다이싱방법 | |
| JPH0888201A (ja) | サファイアを基板とする半導体素子 | |
| US5780320A (en) | Method of manufacturing a semiconductor laser including two sets of dicing grooves | |
| US20080199983A1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor laser | |
| JPH0611071B2 (ja) | 化合物半導体基板の分割方法 | |
| JP3295957B2 (ja) | ガンダイオードの製造方法 | |
| JP3338360B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法 | |
| US4692927A (en) | Light emitting device with improved electrode structure to minimize short circuiting | |
| JP2000173952A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3305399B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11238705A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62105446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0279480A (ja) | Ｌｅｄチツプ装置の分断方法 | |
| JPH0144030B2 (ja) | ||
| US8216868B2 (en) | Method of fabricating semiconductor laser | |
| JPH08111563A (ja) | 半導体レーザーの作製方法及びチップ | |
| JP3272766B2 (ja) | ガンダイオードの製造方法 | |
| JP4046645B2 (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JPS58138086A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| CN113410355A (zh) | 微型发光元件 | |
| JP2000196186A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物レ―ザダイオ―ドおよびその製造方法 | |
| JP3856639B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH02305207A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP2022108406A (ja) | 半導体チップ、半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |