JP3295493B2 - 光変調素子及びその製造方法 - Google Patents
光変調素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶・高分子複合膜を
利用する光変調素子及びその製造方法に関するものであ
り、電界や熱に対して応答性を有し、各種の情報の表示
や記録を行うことが出来る調光パネル、ディスプレイ、
記録媒体等に幅広く応用することが出来る光変調素子及
びその製造方法を提供する。
利用する光変調素子及びその製造方法に関するものであ
り、電界や熱に対して応答性を有し、各種の情報の表示
や記録を行うことが出来る調光パネル、ディスプレイ、
記録媒体等に幅広く応用することが出来る光変調素子及
びその製造方法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を利用した光変調素子、例えば、液
晶ディスプレイは、低消費電力、軽量、薄型等の特徴を
有している為、文字や画像の表示媒体として、腕時計、
電卓、パソコン、テレビ等に幅広く用いられている。一
般的な、ＴＮ−及びＳＴＮ−液晶ディスプレイには、透
明電極を有する２枚のガラス板間に所定のシール等が施
された液晶セル中に液晶を封入し、更に両面から偏光板
でサンドイッチしたものが利用されている。
晶ディスプレイは、低消費電力、軽量、薄型等の特徴を
有している為、文字や画像の表示媒体として、腕時計、
電卓、パソコン、テレビ等に幅広く用いられている。一
般的な、ＴＮ−及びＳＴＮ−液晶ディスプレイには、透
明電極を有する２枚のガラス板間に所定のシール等が施
された液晶セル中に液晶を封入し、更に両面から偏光板
でサンドイッチしたものが利用されている。
【０００３】しかしながら、この種の液晶ディスプレイ
は、 （１）２枚の偏光板が必要な為、視野角が狭く、又、輝
度が不足している為、高消費電力のバックライトが必要
である、 （２）セル厚依存性が大きく、大面積化が困難である、 （３）構造が複雑で、セルへの液晶の封入が困難な為、
製造コストが高い、等の種々の問題があり、液晶ディス
プレイの軽量化、薄型化、大面積化、低消費電力化、低
コスト化に限界がある。この様な問題点を解決する液晶
表示媒体として、液晶を高分子マトリックスに分散させ
た液晶・高分子複合膜の応用が期待され、その研究開発
が活発化してきている。既に、液晶・高分子複合膜を利
用する光変調素子及びその製造方法が多数開示されてお
り、その１つとして、液晶をポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）水溶液で分散したエマルジョンによって液晶・高
分子複合膜を作製する方法（特公平３−５２８４３号公
報）が提案されている。この液晶・高分子複合膜を利用
する光変調素子は、二色性染料を添加することによって
コントラスト比を向上させることが可能であり、しか
も、電圧ＯＦＦ時の透過率が低い等の特徴を有してい
る。
は、 （１）２枚の偏光板が必要な為、視野角が狭く、又、輝
度が不足している為、高消費電力のバックライトが必要
である、 （２）セル厚依存性が大きく、大面積化が困難である、 （３）構造が複雑で、セルへの液晶の封入が困難な為、
製造コストが高い、等の種々の問題があり、液晶ディス
プレイの軽量化、薄型化、大面積化、低消費電力化、低
コスト化に限界がある。この様な問題点を解決する液晶
表示媒体として、液晶を高分子マトリックスに分散させ
た液晶・高分子複合膜の応用が期待され、その研究開発
が活発化してきている。既に、液晶・高分子複合膜を利
用する光変調素子及びその製造方法が多数開示されてお
り、その１つとして、液晶をポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）水溶液で分散したエマルジョンによって液晶・高
分子複合膜を作製する方法（特公平３−５２８４３号公
報）が提案されている。この液晶・高分子複合膜を利用
する光変調素子は、二色性染料を添加することによって
コントラスト比を向上させることが可能であり、しか
も、電圧ＯＦＦ時の透過率が低い等の特徴を有してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】ところで、前述の
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）に代表される水溶性高
分子溶液で液晶を分散させたエマルジョンによって作製
した液晶・高分子複合膜を利用する光変調素子は、液晶
を分散するマトリックスポリマーとなる水溶性高分子の
分子運動性が高く、剛直性が不足している為に、「印加
電圧−光透過率曲線」での昇圧時における光透過率曲線
と降圧時における光透過率曲線とが不一致になるヒステ
リシス現象が発生するという欠点がある。このヒステリ
シス現象の発生は、光変調素子をディスプレイとして駆
動させる際のトラブルの発生に繋るものである。従って
本発明の目的は、水溶性高分子溶液で液晶を分散させた
エマルジョンによって作製した液晶・高分子複合膜を利
用する光変調素子において、昇圧時における光透過率曲
線と降圧時における光透過率曲線とが不一致になるヒス
テリシス現象の発生の無い光変調素子を提供することで
ある。
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）に代表される水溶性高
分子溶液で液晶を分散させたエマルジョンによって作製
した液晶・高分子複合膜を利用する光変調素子は、液晶
を分散するマトリックスポリマーとなる水溶性高分子の
分子運動性が高く、剛直性が不足している為に、「印加
電圧−光透過率曲線」での昇圧時における光透過率曲線
と降圧時における光透過率曲線とが不一致になるヒステ
リシス現象が発生するという欠点がある。このヒステリ
シス現象の発生は、光変調素子をディスプレイとして駆
動させる際のトラブルの発生に繋るものである。従って
本発明の目的は、水溶性高分子溶液で液晶を分散させた
エマルジョンによって作製した液晶・高分子複合膜を利
用する光変調素子において、昇圧時における光透過率曲
線と降圧時における光透過率曲線とが不一致になるヒス
テリシス現象の発生の無い光変調素子を提供することで
ある。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明に
よって達成される。即ち、本発明は、高分子マトリック
ス中に液晶が分散して存在する液晶・高分子複合膜が、
少なくとも一方の導電性基材が透明である２枚の導電性
基材で挟持されてなる光変調素子において、液晶を分散
させる高分子マトリックスが、重合性二重結合基を１５
〜５０ｍｏｌ％有するポリビニルアルコール（以下ポリ
ビニルアルコールを「ＰＶＡ」という）を架橋させた樹
脂からなることを特徴とする光変調素子及びその製造方
法である。
よって達成される。即ち、本発明は、高分子マトリック
ス中に液晶が分散して存在する液晶・高分子複合膜が、
少なくとも一方の導電性基材が透明である２枚の導電性
基材で挟持されてなる光変調素子において、液晶を分散
させる高分子マトリックスが、重合性二重結合基を１５
〜５０ｍｏｌ％有するポリビニルアルコール（以下ポリ
ビニルアルコールを「ＰＶＡ」という）を架橋させた樹
脂からなることを特徴とする光変調素子及びその製造方
法である。
【０００６】
【作用】本発明の光変調素子は、該光変調素子における
液晶・高分子複合膜の高分子マトリックスが、重合性二
重結合基を１５〜５０ｍｏｌ％有するＰＶＡを架橋させ
た樹脂からなるものである為、高分子マトリックスの分
子運動性が低く抑えられており、「印加電圧−光透過率
曲線」におけるヒステリシス現象の発生が無い。
液晶・高分子複合膜の高分子マトリックスが、重合性二
重結合基を１５〜５０ｍｏｌ％有するＰＶＡを架橋させ
た樹脂からなるものである為、高分子マトリックスの分
子運動性が低く抑えられており、「印加電圧−光透過率
曲線」におけるヒステリシス現象の発生が無い。
【０００７】
【好ましい実施態様】次に好ましい実施態様を挙げて本
発明の光変調素子及びその製造方法を更に詳しく説明す
る。本発明の光変調素子及びその製造方法に利用される
２枚の導電性基材のうちの透明な導電性基材は、例え
ば、ガラス板或はポリエチレンテレフタレートフイルム
等に透明導電性膜を形成したもの等である。導電性基材
のうちの一方に不透明のものを使用する場合には、該導
電性基材として、例えば、アルミニウム蒸着フイルムや
鏡面ステンレススチール板の様な反射電極を兼備するも
のが好ましい。
発明の光変調素子及びその製造方法を更に詳しく説明す
る。本発明の光変調素子及びその製造方法に利用される
２枚の導電性基材のうちの透明な導電性基材は、例え
ば、ガラス板或はポリエチレンテレフタレートフイルム
等に透明導電性膜を形成したもの等である。導電性基材
のうちの一方に不透明のものを使用する場合には、該導
電性基材として、例えば、アルミニウム蒸着フイルムや
鏡面ステンレススチール板の様な反射電極を兼備するも
のが好ましい。
【０００８】液晶・高分子複合膜のマトリックスとなる
水溶性高分子としては、ＰＶＡである。
水溶性高分子としては、ＰＶＡである。
【０００９】ＰＶＡへの重合性二重結合基の導入は、例
えば、ＰＶＡの側鎖である水酸基に（メタ）アクリロイ
ル基等を化学的に導入することによって行われ、例え
ば、ＰＶＡに、カルボキシル基、酸クロライド、グリシ
ジル基等を具備する（メタ）アクリレートを反応させる
方法等を利用し得る。
えば、ＰＶＡの側鎖である水酸基に（メタ）アクリロイ
ル基等を化学的に導入することによって行われ、例え
ば、ＰＶＡに、カルボキシル基、酸クロライド、グリシ
ジル基等を具備する（メタ）アクリレートを反応させる
方法等を利用し得る。
【００１０】ＰＶＡへの重合性二重結合基の導入量は、
該ＰＶＡによる液晶を分散する能力と、該ＰＶＡが架橋
することによって「印加電圧−光透過率曲線」でのヒス
テリシス現象を解消する能力とを満足する範囲のもので
なければならなく、１５〜５０ｍｏｌ％の範囲内であ
る。即ち、ＰＶＡへの重合性二重結合基の導入量が１５
ｍｏｌ％未満の場合には、液晶を分散する能力と「印加
電圧−光透過率曲線」でのヒステリシス現象を解消する
能力とのいずれもが十分ではなく、又、５０ｍｏｌ％を
超えると、ヒステリシス現象を解消する能力は十分では
あるが、液晶を分散する能力が不十分になる。本発明で
使用される液晶は常温付近で液晶状態を示す有機混合物
であって、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメ
クチック液晶が含まれ、用途に応じて使い分ける必要が
ある。
該ＰＶＡによる液晶を分散する能力と、該ＰＶＡが架橋
することによって「印加電圧−光透過率曲線」でのヒス
テリシス現象を解消する能力とを満足する範囲のもので
なければならなく、１５〜５０ｍｏｌ％の範囲内であ
る。即ち、ＰＶＡへの重合性二重結合基の導入量が１５
ｍｏｌ％未満の場合には、液晶を分散する能力と「印加
電圧−光透過率曲線」でのヒステリシス現象を解消する
能力とのいずれもが十分ではなく、又、５０ｍｏｌ％を
超えると、ヒステリシス現象を解消する能力は十分では
あるが、液晶を分散する能力が不十分になる。本発明で
使用される液晶は常温付近で液晶状態を示す有機混合物
であって、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメ
クチック液晶が含まれ、用途に応じて使い分ける必要が
ある。
【００１１】液晶は、液晶を内包するマイクロカプセル
として使用することができる。液晶のマイクロカプセル
化方法、即ち、液晶のマイクロカプセルを得る方法とし
ては、化学的作製法及び物理化学的作製法のいずれをも
利用することが出来る。化学的作成法については合成反
応を用いる界面重合法、ｉｎ ｓｉｔｕ重合法及び高分
子物性変化を生じさせる液中硬化被覆法がある。界面重
合法は重縮合或いは重付加反応する様な二種のモノマー
として、水溶性のものと油溶性のものとを選択し、いず
れかを分散させてその界面で反応させる方法である。ｉ
ｎ ｓｉｔｕ重合法は核材の内、又は外の一方からリア
クタント（モノマー及び開始剤）を供給し、カプセル壁
膜表面で反応させる方法である。
として使用することができる。液晶のマイクロカプセル
化方法、即ち、液晶のマイクロカプセルを得る方法とし
ては、化学的作製法及び物理化学的作製法のいずれをも
利用することが出来る。化学的作成法については合成反
応を用いる界面重合法、ｉｎ ｓｉｔｕ重合法及び高分
子物性変化を生じさせる液中硬化被覆法がある。界面重
合法は重縮合或いは重付加反応する様な二種のモノマー
として、水溶性のものと油溶性のものとを選択し、いず
れかを分散させてその界面で反応させる方法である。ｉ
ｎ ｓｉｔｕ重合法は核材の内、又は外の一方からリア
クタント（モノマー及び開始剤）を供給し、カプセル壁
膜表面で反応させる方法である。
【００１２】物理化学的作成法としては、相分離を利用
したコアセルベーション法、界面沈殿法、液中濃縮法、
液中乾燥法及び二次エマルジョン法等がある。溶解性の
減少により相分離を生じさせる単純コアセルベーション
法、電気的相互作用により相分離を生じさせる複合コア
セルベーション法も用いることが出来る。界面沈殿法は
激しい反応や急激なｐＨ変化等が伴わない、温和な条件
でカプセル化が可能な方法であり、例えば、液晶核材を
分散したエマルジョンを疎水性高分子の溶剤溶液中に分
散させた後、更に保護コロイド水溶液に再分散させるも
のである。上記液晶中にコントラスト或いは色調を改善
させる為に色素を含有させることも出来る。二色性色素
を添加した場合には、散乱−透過型の光変調素子として
ばかりでなく、色素のゲスト−ホスト効果により、光吸
収（着色）−透明状態でスイッチングする光変調素子と
して使用することも出来る。
したコアセルベーション法、界面沈殿法、液中濃縮法、
液中乾燥法及び二次エマルジョン法等がある。溶解性の
減少により相分離を生じさせる単純コアセルベーション
法、電気的相互作用により相分離を生じさせる複合コア
セルベーション法も用いることが出来る。界面沈殿法は
激しい反応や急激なｐＨ変化等が伴わない、温和な条件
でカプセル化が可能な方法であり、例えば、液晶核材を
分散したエマルジョンを疎水性高分子の溶剤溶液中に分
散させた後、更に保護コロイド水溶液に再分散させるも
のである。上記液晶中にコントラスト或いは色調を改善
させる為に色素を含有させることも出来る。二色性色素
を添加した場合には、散乱−透過型の光変調素子として
ばかりでなく、色素のゲスト−ホスト効果により、光吸
収（着色）−透明状態でスイッチングする光変調素子と
して使用することも出来る。
【００１３】これらの液晶の使用量としては、マトリッ
クス樹脂／液晶の混合比（重量比）が５／９５〜５０／
５０である。液晶の使用量が少なすぎると、電圧ＯＮ時
の透明性が不足するだけでなく、膜を透明状態にする為
に多大の電圧を必要とする等の点で不十分であり、一
方、液晶の使用量が多すぎると、電圧ＯＦＦ時の散乱
（濁度）が不足するだけでなく、膜の強度が低下した
り、又、適当な基材に塗工液を塗布するときに弾きの原
因になるので好ましくない。重合性二重結合基を有する
ＰＶＡ溶液に液晶を分散させる方法としては、機械的分
散法、超音波分散法等の一般的な分散法を利用すること
ができる。尚、電気光学特性上から液晶粒子の大きさを
揃える方が好ましく、膜乳化法を利用するのが良い。
クス樹脂／液晶の混合比（重量比）が５／９５〜５０／
５０である。液晶の使用量が少なすぎると、電圧ＯＮ時
の透明性が不足するだけでなく、膜を透明状態にする為
に多大の電圧を必要とする等の点で不十分であり、一
方、液晶の使用量が多すぎると、電圧ＯＦＦ時の散乱
（濁度）が不足するだけでなく、膜の強度が低下した
り、又、適当な基材に塗工液を塗布するときに弾きの原
因になるので好ましくない。重合性二重結合基を有する
ＰＶＡ溶液に液晶を分散させる方法としては、機械的分
散法、超音波分散法等の一般的な分散法を利用すること
ができる。尚、電気光学特性上から液晶粒子の大きさを
揃える方が好ましく、膜乳化法を利用するのが良い。
【００１４】導電性基材上に、重合性二重結合基を有す
るＰＶＡで液晶を分散させた溶液を塗布する方法として
は、グラビアコーティング法、ブレードコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法等の一般的な塗布方法
も利用し得るが、電着塗布方法が最も好適である。ここ
で云う電着塗布方法とは、塗布液中に塗布基板となる主
電極と対向電極とを配置して通電し、塗布液中の固形分
（マトリックス樹脂＋液晶粒子）を電気的に基板上に吸
着若しくは沈着させる方法であり、次いで塗布基板を取
り出して溶剤を除去することにより、液晶粒子が重合性
二重結合基を有するＰＶＡによるマトリックス中に分散
した液晶・高分子複合膜を得ることが出来る。
るＰＶＡで液晶を分散させた溶液を塗布する方法として
は、グラビアコーティング法、ブレードコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法等の一般的な塗布方法
も利用し得るが、電着塗布方法が最も好適である。ここ
で云う電着塗布方法とは、塗布液中に塗布基板となる主
電極と対向電極とを配置して通電し、塗布液中の固形分
（マトリックス樹脂＋液晶粒子）を電気的に基板上に吸
着若しくは沈着させる方法であり、次いで塗布基板を取
り出して溶剤を除去することにより、液晶粒子が重合性
二重結合基を有するＰＶＡによるマトリックス中に分散
した液晶・高分子複合膜を得ることが出来る。
【００１５】対向電極と液晶・高分子複合膜との間に空
気が入るのを防止する為に、液晶・高分子複合膜と対向
電極とのラミネートを良好に行なう必要があり、この
為、液晶・高分子複合膜の上に中間層を形成し、ラミネ
ート界面の平滑性を高めるか、或は、対向電極上に流動
性のある中間層を設けて置くのが良い。尚、この中間層
としては、硬化性の材料を利用し、対向電極とのラミネ
ート後に所定の手段により硬化させてもよい。重合性二
重結合基を有するＰＶＡを架橋させる方法としては、熱
架橋法と電離性放射線による架橋法とのいずれの方法を
も利用することができるが、熱架橋法の場合には不純物
となる重合開始剤を必要とし、しかも、熱による構造破
壊の問題もある為、電離性放射線による架橋の方が好ま
しい。
気が入るのを防止する為に、液晶・高分子複合膜と対向
電極とのラミネートを良好に行なう必要があり、この
為、液晶・高分子複合膜の上に中間層を形成し、ラミネ
ート界面の平滑性を高めるか、或は、対向電極上に流動
性のある中間層を設けて置くのが良い。尚、この中間層
としては、硬化性の材料を利用し、対向電極とのラミネ
ート後に所定の手段により硬化させてもよい。重合性二
重結合基を有するＰＶＡを架橋させる方法としては、熱
架橋法と電離性放射線による架橋法とのいずれの方法を
も利用することができるが、熱架橋法の場合には不純物
となる重合開始剤を必要とし、しかも、熱による構造破
壊の問題もある為、電離性放射線による架橋の方が好ま
しい。
【００１６】又、電離性放射線による架橋方法として
は、γ−線、電子線、紫外線による架橋方法を利用し得
るが、重合開始剤を必要としないγ−線や電子線による
方法が好ましく、電子線による架橋方法としては、例え
ば、コックロフトワルトン型、バンデグラフ型、共振変
圧型、絶縁コア変圧器型、直線型、ダイナミトロン型、
高周波型等の各種電子線加速機から放出される５０〜
１，０００ＫｅＶ、好ましくは１００〜３００ＫｅＶの
エネルギーを有する電子線が使用される。電離性放射線
の照射工程は、重合性二重結合基を有するＰＶＡで液晶
を分散させた溶液を一方の導電性基材に塗布及び乾燥し
た後であれば、対向する他方の導電性基材を貼り合わせ
る前であっても、或は、貼り合わせた後であってもよい
が、対向する他方の導電性基材を貼り合わせる前の方が
好ましい。
は、γ−線、電子線、紫外線による架橋方法を利用し得
るが、重合開始剤を必要としないγ−線や電子線による
方法が好ましく、電子線による架橋方法としては、例え
ば、コックロフトワルトン型、バンデグラフ型、共振変
圧型、絶縁コア変圧器型、直線型、ダイナミトロン型、
高周波型等の各種電子線加速機から放出される５０〜
１，０００ＫｅＶ、好ましくは１００〜３００ＫｅＶの
エネルギーを有する電子線が使用される。電離性放射線
の照射工程は、重合性二重結合基を有するＰＶＡで液晶
を分散させた溶液を一方の導電性基材に塗布及び乾燥し
た後であれば、対向する他方の導電性基材を貼り合わせ
る前であっても、或は、貼り合わせた後であってもよい
が、対向する他方の導電性基材を貼り合わせる前の方が
好ましい。
【００１７】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に
具体的に説明する。 実施例１ （１）「側鎖に重合性二重結合基を有するＰＶＡの製
造」 ＰＶＡ（日本合成化学工業 (株) 製：ＫＰ−０６、重合
度＝約６００、鹸化度＝７１．０〜７５．０ｍｏｌ％）
１２．１ｇとピリジン１１０ｍｌとをセパラブルフラス
コに入れ、メカニカルスタラーで撹拌しながら５ｍｌの
メタクリル酸クロライドをゆっくりと室温で添加した。
メタクリル酸クロライドの滴下と共に反応液が薄黄色に
変化し、不均一溶液から均一溶液に変化した。その後、
室温で２時間の撹拌を続けた後、反応混合物をヘキサン
中に投入し、黄色の液状沈殿物を回収し、これをアセト
ンに投入し、白色の沈殿物を得た。続いて、この白色の
沈殿物をエタノールに溶かした後に再度アセトンに投入
して精製し、側鎖に重合性二重結合基を有するＰＶＡた
る反応性ＰＶＡを得た。
具体的に説明する。 実施例１ （１）「側鎖に重合性二重結合基を有するＰＶＡの製
造」 ＰＶＡ（日本合成化学工業 (株) 製：ＫＰ−０６、重合
度＝約６００、鹸化度＝７１．０〜７５．０ｍｏｌ％）
１２．１ｇとピリジン１１０ｍｌとをセパラブルフラス
コに入れ、メカニカルスタラーで撹拌しながら５ｍｌの
メタクリル酸クロライドをゆっくりと室温で添加した。
メタクリル酸クロライドの滴下と共に反応液が薄黄色に
変化し、不均一溶液から均一溶液に変化した。その後、
室温で２時間の撹拌を続けた後、反応混合物をヘキサン
中に投入し、黄色の液状沈殿物を回収し、これをアセト
ンに投入し、白色の沈殿物を得た。続いて、この白色の
沈殿物をエタノールに溶かした後に再度アセトンに投入
して精製し、側鎖に重合性二重結合基を有するＰＶＡた
る反応性ＰＶＡを得た。
【００１８】 （２）「重合性二重結合基を有するＰＶＡで液晶を分散
させた乳化液の製造」 前述の側鎖に重合性二重結合基を有するＰＶＡ（反応性
ＰＶＡ）の５重量％水溶液を調整した後、該水溶液中に
液晶（メルク社製：Ｅ−４４）を、反応性ＰＶＡ／Ｅ−
４４＝５／９５（ｗ／ｗ）となる様に超音波分散させ
た。更に、得られた分散液に、ＰＶＡ（日本合成化学工
業 (株) 製：ＫＨ−１７、重合度＝約１７００、鹸化度
＝７８．５〜８１．５ｍｏｌ％）の１０重量％水溶液を
添加し、（反応性ＰＶＡ＋ＫＨ−１７）／Ｅ−４４＝２
０／８０（ｗ／ｗ）の液晶の分散水溶液を得た。
させた乳化液の製造」 前述の側鎖に重合性二重結合基を有するＰＶＡ（反応性
ＰＶＡ）の５重量％水溶液を調整した後、該水溶液中に
液晶（メルク社製：Ｅ−４４）を、反応性ＰＶＡ／Ｅ−
４４＝５／９５（ｗ／ｗ）となる様に超音波分散させ
た。更に、得られた分散液に、ＰＶＡ（日本合成化学工
業 (株) 製：ＫＨ−１７、重合度＝約１７００、鹸化度
＝７８．５〜８１．５ｍｏｌ％）の１０重量％水溶液を
添加し、（反応性ＰＶＡ＋ＫＨ−１７）／Ｅ−４４＝２
０／８０（ｗ／ｗ）の液晶の分散水溶液を得た。
【００１９】（３）「光変調素子の製造」 ５０ｍｍ×５０ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ付きガラス基
板のＩＴＯ側に、前記液晶の分散水溶液をワイヤーバー
コーティングで塗布及び乾燥後、電子線１０Ｍｒａｄを
照射し、続いてその上に透明導電膜付ＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）フイルムを透明導電性膜が向き合
う様にして貼り合わせ、目的とする光変調素子を得た。
得られた光変調素子における液晶・高分子複合膜の電気
光学特性を、毎分４Ｖの速度で０Ｖから８０Ｖまで周波
数１ＫＨｚの短形波電圧を印加し、「印加電圧−光透過
率曲線」によって測定したところ、電圧昇圧時と降圧時
のヒステリシス現象は発生しなかった。
板のＩＴＯ側に、前記液晶の分散水溶液をワイヤーバー
コーティングで塗布及び乾燥後、電子線１０Ｍｒａｄを
照射し、続いてその上に透明導電膜付ＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）フイルムを透明導電性膜が向き合
う様にして貼り合わせ、目的とする光変調素子を得た。
得られた光変調素子における液晶・高分子複合膜の電気
光学特性を、毎分４Ｖの速度で０Ｖから８０Ｖまで周波
数１ＫＨｚの短形波電圧を印加し、「印加電圧−光透過
率曲線」によって測定したところ、電圧昇圧時と降圧時
のヒステリシス現象は発生しなかった。
【００２０】比較例１ 実施例１において、ＫＰ−０６のＰＶＡの変性工程を省
略し、又、液晶の分散水溶液をワイヤーバーコーティン
グで塗布及び乾燥後の電子線の照射工程を省略し、それ
以外の手順は全て実施例１に準じて行ない、比較の為の
光変調素子を得た。得られた光変調素子における液晶・
高分子複合膜の電気光学特性を、実施例１と同一条件で
行ない、「印加電圧−光透過率曲線」によって測定した
ところ、電圧昇圧時と降圧時のヒステリシス現象が発生
した。
略し、又、液晶の分散水溶液をワイヤーバーコーティン
グで塗布及び乾燥後の電子線の照射工程を省略し、それ
以外の手順は全て実施例１に準じて行ない、比較の為の
光変調素子を得た。得られた光変調素子における液晶・
高分子複合膜の電気光学特性を、実施例１と同一条件で
行ない、「印加電圧−光透過率曲線」によって測定した
ところ、電圧昇圧時と降圧時のヒステリシス現象が発生
した。
【００２１】
【発明の効果】本発明の光変調素子には、ヒステリシス
現象の発生が無く、該光変調素子をディスプレイとして
駆動させる際のトラブルの発生が抑えられる。又、本発
明の光変調素子は、該光変調素子における液晶・高分子
複合膜の機械的強度が高く、安定した電気光学特性が得
られる。更に、本発明の製造方法によれば、前記特性を
有する光変調素子を、的確にかつ容易に得られる。
現象の発生が無く、該光変調素子をディスプレイとして
駆動させる際のトラブルの発生が抑えられる。又、本発
明の光変調素子は、該光変調素子における液晶・高分子
複合膜の機械的強度が高く、安定した電気光学特性が得
られる。更に、本発明の製造方法によれば、前記特性を
有する光変調素子を、的確にかつ容易に得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−86724（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−824（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−242427（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−196917（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−75206（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−303842（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1334 G02F 1/13 101
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子マトリックス中に液晶が分散して
存在する液晶・高分子複合膜が、少なくとも一方の導電
性基材が透明である２枚の導電性基材で挟持されてなる
光変調素子において、液晶を分散させる高分子マトリッ
クスが、重合性二重結合基を１５〜５０ｍｏｌ％有する
ポリビニルアルコールを架橋させた樹脂からなることを
特徴とする光変調素子。 - 【請求項２】 高分子マトリックス中に液晶が分散して
存在する液晶・高分子複合膜を、少なくとも一方の導電
性基材が透明である２枚の導電性基材で挟持することか
らなる光変調素子の製造方法において、一方の導電性基
材上に、側鎖に重合性二重結合基を１５〜５０ｍｏｌ％
有するポリビニルアルコールで液晶を分散させた乳化液
を塗布及び乾燥する工程と、これに電離性放射線を照射
する工程と、該照射前又は後に他方の導電性基材を貼り
合わせる工程とを有することを特徴とする光変調素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19163693A JP3295493B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 光変調素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19163693A JP3295493B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 光変調素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720442A JPH0720442A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3295493B2 true JP3295493B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=16277957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19163693A Expired - Fee Related JP3295493B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 光変調素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295493B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036937A (en) * | 1989-08-04 | 1991-08-06 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Exercise vehicle |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP19163693A patent/JP3295493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0720442A (ja) | 1995-01-24 |
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