JP3295475B2 - Ｍｒｉ装置 - Google Patents
Ｍｒｉ装置Info
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- JP3295475B2 JP3295475B2 JP02250993A JP2250993A JP3295475B2 JP 3295475 B2 JP3295475 B2 JP 3295475B2 JP 02250993 A JP02250993 A JP 02250993A JP 2250993 A JP2250993 A JP 2250993A JP 3295475 B2 JP3295475 B2 JP 3295475B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＭＲＩ装置に関し、
さらに詳しくは、選択励起のためのＲＦパルスの波形を
補正することにより、スライスのプロフィールが矩形か
ら外れることを防止したＭＲＩ装置に関する。
さらに詳しくは、選択励起のためのＲＦパルスの波形を
補正することにより、スライスのプロフィールが矩形か
ら外れることを防止したＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲＩ装置においては、矩形状にスライ
スを選択励起するため、ＲＦパルスに、sin(２π・ａ・
ｔ／Ｔ) ／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） なるsinc波形を使用
している。なお、前式中、ａはsinc波形計算に含まれる
２πを１周期としたsinの周期数、ｔは時間変数、Ｔはs
inc波形の時間長、をそれぞれ意味する。このsinc波形を
図９の（ａ）に例示する。なお、このsinc波形は、所定
の周波数のＲＦ信号の包絡線である。ところが、選択励
起におけるスピンのふるまいが非線形であるため、特に
１８０゜パルスにおいてスライスのプロフィールが矩形
にならず、図９の（ｂ）に示すように、中央に突起が出
たり，サイドローブを生じていた。
スを選択励起するため、ＲＦパルスに、sin(２π・ａ・
ｔ／Ｔ) ／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） なるsinc波形を使用
している。なお、前式中、ａはsinc波形計算に含まれる
２πを１周期としたsinの周期数、ｔは時間変数、Ｔはs
inc波形の時間長、をそれぞれ意味する。このsinc波形を
図９の（ａ）に例示する。なお、このsinc波形は、所定
の周波数のＲＦ信号の包絡線である。ところが、選択励
起におけるスピンのふるまいが非線形であるため、特に
１８０゜パルスにおいてスライスのプロフィールが矩形
にならず、図９の（ｂ）に示すように、中央に突起が出
たり，サイドローブを生じていた。
【０００３】そこで、例えば「Ｏptimal Control Solut
ions to the Ｍagnetic ResonanceSelective Excitatio
n Problem ; IEEE TRANSACTIONS ON MEDICAL IMAGING V
OL.MI-5.NO.2.JUNE 1986 ; pp.106-115」において、最
適制御理論を応用して、ＲＦパルスの最適波形を設計す
る方法が提案されている。また、例えば「Ｐarameter R
elations for the Shinnar-Le Roux ＳelectiveExcitat
ion Pulse Design Algorithm ;IEEE TRANSACTIONS ON M
EDICAL IMAGINGVOL.10.NO.1.MARCH 1991 ;pp.53-65」に
おいて、ＦＩＲの設計手法を応用して、ＲＦパルスの最
適波形を設計する方法が提案されている。
ions to the Ｍagnetic ResonanceSelective Excitatio
n Problem ; IEEE TRANSACTIONS ON MEDICAL IMAGING V
OL.MI-5.NO.2.JUNE 1986 ; pp.106-115」において、最
適制御理論を応用して、ＲＦパルスの最適波形を設計す
る方法が提案されている。また、例えば「Ｐarameter R
elations for the Shinnar-Le Roux ＳelectiveExcitat
ion Pulse Design Algorithm ;IEEE TRANSACTIONS ON M
EDICAL IMAGINGVOL.10.NO.1.MARCH 1991 ;pp.53-65」に
おいて、ＦＩＲの設計手法を応用して、ＲＦパルスの最
適波形を設計する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲＩ装置では、種々
の条件に対応して異なるＲＦパルスを使用するが、上記
従来方法は計算が複雑であるため、ＲＦパルスを変える
度に計算することが不可能な問題点がある。一方、予め
ＲＦパルスの最適波形を計算しておきその結果のテーブ
ルを多数実装することも、ハードウエア的な制約等によ
り現実的でない問題点がある。そこで、この発明の目的
は、ＲＦパルスの最適波形を必要時に計算により求める
ことを可能にしたＭＲＩ装置を提供することにある。
の条件に対応して異なるＲＦパルスを使用するが、上記
従来方法は計算が複雑であるため、ＲＦパルスを変える
度に計算することが不可能な問題点がある。一方、予め
ＲＦパルスの最適波形を計算しておきその結果のテーブ
ルを多数実装することも、ハードウエア的な制約等によ
り現実的でない問題点がある。そこで、この発明の目的
は、ＲＦパルスの最適波形を必要時に計算により求める
ことを可能にしたＭＲＩ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、この発
明は、スライスを選択励起するために、ＲＦパルスに、 sin(２π・ａ・ｔ／Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） ；ａはsinc波形計算に含まれる２πを１周期としたsin
の周期数 ；ｔは時間変数 ；Ｔはsinc波形の時間長 なるsinc波形を使用するＭＲＩ装置において、スライス
のプロフィールの中央をフラットにするために前記sinc
波形に、offdc なるＤＣオフセットを加えるＤＣオフセ
ット手段と、前記スライスのプロフィールのサイドロー
ブを除くために前記sinc波形に、 offc１・cos(２π（ａ＋α）・ｔ／Ｔ) …(１) ；offc１は加算するcosに対する振幅係数 ；αは１または１に近い係数 なる第１のｃｏｓオフセットを加える第１ｃｏｓオフセ
ット手段とを具備したことを構成上の特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。
明は、スライスを選択励起するために、ＲＦパルスに、 sin(２π・ａ・ｔ／Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） ；ａはsinc波形計算に含まれる２πを１周期としたsin
の周期数 ；ｔは時間変数 ；Ｔはsinc波形の時間長 なるsinc波形を使用するＭＲＩ装置において、スライス
のプロフィールの中央をフラットにするために前記sinc
波形に、offdc なるＤＣオフセットを加えるＤＣオフセ
ット手段と、前記スライスのプロフィールのサイドロー
ブを除くために前記sinc波形に、 offc１・cos(２π（ａ＋α）・ｔ／Ｔ) …(１) ；offc１は加算するcosに対する振幅係数 ；αは１または１に近い係数 なる第１のｃｏｓオフセットを加える第１ｃｏｓオフセ
ット手段とを具備したことを構成上の特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。
【０００６】第２の観点では、この発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、スライスのプロフィールのサイド
ローブを除くために前記sinc波形に、 offcｉ・cos(２π（ａ＋（２ｉ−１）・αi）・ｔ／Ｔ) …(２) ；offcｉは加算するcosに対する振幅係数 ；ｉ＝２，３，…，ｍ ；ｍは２以上の整数 ；αiは１または１に近い係数 なる第ｉのｃｏｓオフセットをさらに加える第ｉｃｏｓ
オフセット手段をさらに具備したことを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。
ＭＲＩ装置において、スライスのプロフィールのサイド
ローブを除くために前記sinc波形に、 offcｉ・cos(２π（ａ＋（２ｉ−１）・αi）・ｔ／Ｔ) …(２) ；offcｉは加算するcosに対する振幅係数 ；ｉ＝２，３，…，ｍ ；ｍは２以上の整数 ；αiは１または１に近い係数 なる第ｉのｃｏｓオフセットをさらに加える第ｉｃｏｓ
オフセット手段をさらに具備したことを特徴とするＭＲ
Ｉ装置を提供する。
【０００７】第３の観点では、この発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、ＤＣオフセット，第１のｃｏｓオ
フセットまたは第２のｃｏｓオフセットの少なくとも１
つに対して、sinc波形の中央で１となり，端で１より小
さくなるようなウィンドウを掛けるウィンドウ処理手段
をさらに具備したことを特徴とするＭＲＩ装置を提供す
る。
ＭＲＩ装置において、ＤＣオフセット，第１のｃｏｓオ
フセットまたは第２のｃｏｓオフセットの少なくとも１
つに対して、sinc波形の中央で１となり，端で１より小
さくなるようなウィンドウを掛けるウィンドウ処理手段
をさらに具備したことを特徴とするＭＲＩ装置を提供す
る。
【０００８】
【作用】上記第１の観点によるこの発明のＭＲＩ装置で
は、元となるsinc波形に対して、offdc なるＤＣオフセ
ットを加えると共に，上記(１)式の第１のｃｏｓオフセ
ットを加える。この計算は簡単であるから、必要時に容
易にＲＦパルスの最適波形を計算で求めることが出来
る。また、この計算のパラメータは、offdc とoffc１と
αとであり、容易に保持しておける。なお、これらパラ
メータは、シミュレーションあるいは実測により得るこ
とが出来る。
は、元となるsinc波形に対して、offdc なるＤＣオフセ
ットを加えると共に，上記(１)式の第１のｃｏｓオフセ
ットを加える。この計算は簡単であるから、必要時に容
易にＲＦパルスの最適波形を計算で求めることが出来
る。また、この計算のパラメータは、offdc とoffc１と
αとであり、容易に保持しておける。なお、これらパラ
メータは、シミュレーションあるいは実測により得るこ
とが出来る。
【０００９】上記第２の観点によるこの発明のＭＲＩ装
置では、さらに上記(２)式の第２のｃｏｓオフセット，
第３のｃｏｓオフセット，…，第ｍのｃｏｓオフセット
を加える。この計算も簡単であるから、必要時に容易に
ＲＦパルスの最適波形を計算で求めることが出来る。ま
た、この計算のパラメータであるoffcｉとαiも、シミ
ュレーションあるいは実測により得て、容易に保持して
おける。
置では、さらに上記(２)式の第２のｃｏｓオフセット，
第３のｃｏｓオフセット，…，第ｍのｃｏｓオフセット
を加える。この計算も簡単であるから、必要時に容易に
ＲＦパルスの最適波形を計算で求めることが出来る。ま
た、この計算のパラメータであるoffcｉとαiも、シミ
ュレーションあるいは実測により得て、容易に保持して
おける。
【００１０】上記第３の観点によるこの発明のＭＲＩ装
置では、さらにオフセットに対してウィンドウ処理を行
う。この計算も簡単であるから、必要時に容易にＲＦパ
ルスの最適波形を計算で求めることが出来る。また、こ
の計算のパラメータであるウィンドウ関数も簡単なもの
で十分であり、シミュレーションあるいは実測により得
て、容易に保持しておける。
置では、さらにオフセットに対してウィンドウ処理を行
う。この計算も簡単であるから、必要時に容易にＲＦパ
ルスの最適波形を計算で求めることが出来る。また、こ
の計算のパラメータであるウィンドウ関数も簡単なもの
で十分であり、シミュレーションあるいは実測により得
て、容易に保持しておける。
【００１１】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
【００１２】図１は、この発明の一実施例のＭＲＩ装置
１を示すブロック図である。計算機２は、操作卓１３か
らの指示に基づき、全体の作動を制御する。シーケンス
コントローラ３は、記憶しているシーケンスに基づい
て、磁場駆動回路４を作動させ、マグネットアセンブリ
５の勾配磁場コイルで勾配磁場を発生させる。また、ゲ
ート変調回路７を制御し、ＲＦ発振回路６で発生したＲ
Ｆ信号を変調して、sinc波形に基づく波形のＲＦパルス
とし、ＲＦ電力増幅器８からマグネットアセンブリ５の
送信コイルに加える。マグネットアセンブリ５の受信コ
イルで得られたＮＭＲ信号は、前置増幅器９を介して位
相検波器１０に入力され、さらにＡＤ変換器１１を介し
て計算器２に入力される。計算機２は、ＡＤ変換器１１
から得たＮＭＲ信号のデータに基づき、画像データを算
出し、表示装置１２に画像を表示する。
１を示すブロック図である。計算機２は、操作卓１３か
らの指示に基づき、全体の作動を制御する。シーケンス
コントローラ３は、記憶しているシーケンスに基づい
て、磁場駆動回路４を作動させ、マグネットアセンブリ
５の勾配磁場コイルで勾配磁場を発生させる。また、ゲ
ート変調回路７を制御し、ＲＦ発振回路６で発生したＲ
Ｆ信号を変調して、sinc波形に基づく波形のＲＦパルス
とし、ＲＦ電力増幅器８からマグネットアセンブリ５の
送信コイルに加える。マグネットアセンブリ５の受信コ
イルで得られたＮＭＲ信号は、前置増幅器９を介して位
相検波器１０に入力され、さらにＡＤ変換器１１を介し
て計算器２に入力される。計算機２は、ＡＤ変換器１１
から得たＮＭＲ信号のデータに基づき、画像データを算
出し、表示装置１２に画像を表示する。
【００１３】図２は、ＲＦパルスの波形を決定する処理
のフロー図である。なお、この実施例では、（２）式の
ｍ＝２とする。ステップＳ１では、sin(２π・ａ・ｔ／
Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） なるsinc波形を取得する。
ステップＳ２では、ＲＦパルスの波形を補正するか否か
をユーザに指定させる。ユーザは、例えば９０゜パルス
では補正なしを指定し、１８０゜パルスでは第１補正ま
たは第２補正を指定する。補正なしなら、ステップＳ３
に進む。第１補正なら、ステップＳ４に進む。第２補正
なら、ステップＳ５に進む。
のフロー図である。なお、この実施例では、（２）式の
ｍ＝２とする。ステップＳ１では、sin(２π・ａ・ｔ／
Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） なるsinc波形を取得する。
ステップＳ２では、ＲＦパルスの波形を補正するか否か
をユーザに指定させる。ユーザは、例えば９０゜パルス
では補正なしを指定し、１８０゜パルスでは第１補正ま
たは第２補正を指定する。補正なしなら、ステップＳ３
に進む。第１補正なら、ステップＳ４に進む。第２補正
なら、ステップＳ５に進む。
【００１４】ステップＳ３では、オフセット係数offs，
offsc1，offsc2 を全て０にする。
offsc1，offsc2 を全て０にする。
【００１５】ステップＳ４では、オフセット係数offs
を、シミュレーションあるいは実測により得て保持して
いたパラメータ値offdc にする。また、オフセット係数
offsc1を、シミュレーションあるいは実測により得て保
持していたパラメータ値offc１にする。また、オフセッ
ト係数offsc2 を０にする。
を、シミュレーションあるいは実測により得て保持して
いたパラメータ値offdc にする。また、オフセット係数
offsc1を、シミュレーションあるいは実測により得て保
持していたパラメータ値offc１にする。また、オフセッ
ト係数offsc2 を０にする。
【００１６】ステップＳ５では、オフセット係数offs
を、シミュレーションあるいは実測により得て保持して
いたパラメータ値offdc にする。また、オフセット係数
offsc1を、シミュレーションあるいは実測により得て保
持していたパラメータ値offc１にする。オフセット係数
offsc2を、シミュレーションあるいは実測により得て保
持していたパラメータ値offc２にする。
を、シミュレーションあるいは実測により得て保持して
いたパラメータ値offdc にする。また、オフセット係数
offsc1を、シミュレーションあるいは実測により得て保
持していたパラメータ値offc１にする。オフセット係数
offsc2を、シミュレーションあるいは実測により得て保
持していたパラメータ値offc２にする。
【００１７】ステップＳ６では、次式によりオフセット
ｏｆｆを計算する。 ｏｆｆ＝offs・Ｗ0(t) ＋offsc1・cos(２π（ａ＋α）・ｔ／Ｔ)・Ｗ1(t) ＋offsc2・cos(２π（ａ＋３・α2）・ｔ／Ｔ)・Ｗ2(t) ここで、Ｗ0(t)，Ｗ1(t)，Ｗ2(t)は、ウィンドウ関数で
あり、sinc波形の中央で１となり，端で１より小さくな
るような任意の関数である。シミュレーションあるいは
実測により適当な関数を選択して保持しておけばよい。
なお、ウィンドウを掛けないときは、Ｗ0(t)＝１，Ｗ1
(t)＝１，Ｗ2(t)＝１とすればよい。また、α，α2
は、１または１に近い係数であり、シミュレーションあ
るいは実測により適当な値を得て保持しておけばよい。
補正なしのときは、第１項〜第３項が全て０になるか
ら、ｏｆｆ＝０となる。第１補正のときは、第３項のみ
０になる。
ｏｆｆを計算する。 ｏｆｆ＝offs・Ｗ0(t) ＋offsc1・cos(２π（ａ＋α）・ｔ／Ｔ)・Ｗ1(t) ＋offsc2・cos(２π（ａ＋３・α2）・ｔ／Ｔ)・Ｗ2(t) ここで、Ｗ0(t)，Ｗ1(t)，Ｗ2(t)は、ウィンドウ関数で
あり、sinc波形の中央で１となり，端で１より小さくな
るような任意の関数である。シミュレーションあるいは
実測により適当な関数を選択して保持しておけばよい。
なお、ウィンドウを掛けないときは、Ｗ0(t)＝１，Ｗ1
(t)＝１，Ｗ2(t)＝１とすればよい。また、α，α2
は、１または１に近い係数であり、シミュレーションあ
るいは実測により適当な値を得て保持しておけばよい。
補正なしのときは、第１項〜第３項が全て０になるか
ら、ｏｆｆ＝０となる。第１補正のときは、第３項のみ
０になる。
【００１８】ステップＳ７では、次式により最適波形ｒ
ｆ(ｔ)を計算する。 ｒｆ(t)＝｛sin(２π・ａ・ｔ／Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ）
＋ｏｆｆ｝÷（１＋offs＋offsc1＋offsc2） そして、この最適波形ｒｆ(ｔ)をＲＦパルスの波形とし
てそのまま使用するか、又は、各パラメータを変更した
り，元になるsinc波形中のｓｉｎ波のサイクル数を変更
するなどして微調した波形をＲＦパルスの波形として使
用する。このような微調は、ＲＦのパワーや振幅をモニ
タしながら行うことが出来る。
ｆ(ｔ)を計算する。 ｒｆ(t)＝｛sin(２π・ａ・ｔ／Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ）
＋ｏｆｆ｝÷（１＋offs＋offsc1＋offsc2） そして、この最適波形ｒｆ(ｔ)をＲＦパルスの波形とし
てそのまま使用するか、又は、各パラメータを変更した
り，元になるsinc波形中のｓｉｎ波のサイクル数を変更
するなどして微調した波形をＲＦパルスの波形として使
用する。このような微調は、ＲＦのパワーや振幅をモニ
タしながら行うことが出来る。
【００１９】なお、ハードウエア的には、計算機２とシ
ーケンスコントローラ３とゲート変調回路７とが、ＤＣ
オフセット手段および第１ｃｏｓオフセット手段および
第２ｃｏｓオフセット手段およびウィンドウ処理手段に
相当する。また、ソフトウエア的には、上記ステップＳ
１，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７がＤＣオフセット手段および第１
ｃｏｓオフセット手段に相当する。また、上記ステップ
Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７が第２ｃｏｓオフセット手段に相当す
る。また、上記ステップＳ６がウィンドウ処理手段に相
当する。
ーケンスコントローラ３とゲート変調回路７とが、ＤＣ
オフセット手段および第１ｃｏｓオフセット手段および
第２ｃｏｓオフセット手段およびウィンドウ処理手段に
相当する。また、ソフトウエア的には、上記ステップＳ
１，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７がＤＣオフセット手段および第１
ｃｏｓオフセット手段に相当する。また、上記ステップ
Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７が第２ｃｏｓオフセット手段に相当す
る。また、上記ステップＳ６がウィンドウ処理手段に相
当する。
【００２０】図３の（ａ）において、破線は、元になる
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３
％の負のＤＣオフセットoffdc を加えて補正した波形で
ある（但し、９７％を再度規格化している）。図３の
（ｂ）において、破線は、図３の（ａ）の破線の波形を
使用したときのスライスのプロフィールである。実線
は、図３の（ａ）の実線の波形を使用したときのスライ
スのプロフィールである。スライスのプロフィールの中
央がフラットになってるが、サイドローブが大きくなっ
ている。
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３
％の負のＤＣオフセットoffdc を加えて補正した波形で
ある（但し、９７％を再度規格化している）。図３の
（ｂ）において、破線は、図３の（ａ）の破線の波形を
使用したときのスライスのプロフィールである。実線
は、図３の（ａ）の実線の波形を使用したときのスライ
スのプロフィールである。スライスのプロフィールの中
央がフラットになってるが、サイドローブが大きくなっ
ている。
【００２１】図４の（ａ）において、破線は、元になる
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３
％の負のＤＣオフセットを加えると共にα＝１とし且つ
元になるsinc波形の振幅の１０％のoffc１として第１の
ｃｏｓオフセットを加えて補正した波形である。図４の
（ｂ）において、破線は、図４の（ａ）の破線の波形を
使用したときのスライスのプロフィールである。実線
は、図４の（ａ）の実線の波形を使用したときのスライ
スのプロフィールである。スライスのプロフィールの中
央がフラットになり且つサイドローブも小さくなってい
る。
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３
％の負のＤＣオフセットを加えると共にα＝１とし且つ
元になるsinc波形の振幅の１０％のoffc１として第１の
ｃｏｓオフセットを加えて補正した波形である。図４の
（ｂ）において、破線は、図４の（ａ）の破線の波形を
使用したときのスライスのプロフィールである。実線
は、図４の（ａ）の実線の波形を使用したときのスライ
スのプロフィールである。スライスのプロフィールの中
央がフラットになり且つサイドローブも小さくなってい
る。
【００２２】図５の（ａ）において、破線は、元になる
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３
％の負のＤＣオフセットを加えると共にα＝１とし且つ
元になるsinc波形の振幅の１０％のoffc１として第１の
ｃｏｓオフセットを加え，さらにα2 ＝１とし且つ元に
なるsinc波形の振幅の２．５％のoffc２として第２のｃ
ｏｓオフセットを加えて補正した波形である。図５の
（ｂ）において、破線は、図５の（ａ）の破線の波形を
使用したときのスライスのプロフィールである。実線
は、図５の（ａ）の実線の波形を使用したときのスライ
スのプロフィールである。スライスのプロフィールの中
央がフラットになり且つサイドローブは略なくなってい
る。
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３
％の負のＤＣオフセットを加えると共にα＝１とし且つ
元になるsinc波形の振幅の１０％のoffc１として第１の
ｃｏｓオフセットを加え，さらにα2 ＝１とし且つ元に
なるsinc波形の振幅の２．５％のoffc２として第２のｃ
ｏｓオフセットを加えて補正した波形である。図５の
（ｂ）において、破線は、図５の（ａ）の破線の波形を
使用したときのスライスのプロフィールである。実線
は、図５の（ａ）の実線の波形を使用したときのスライ
スのプロフィールである。スライスのプロフィールの中
央がフラットになり且つサイドローブは略なくなってい
る。
【００２３】図６は、三角波のウィンドウ関数の例であ
る。図７の（ａ）において、破線は、元になるsinc波形
である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３％の負の
ＤＣオフセットを加えると共にα＝１とし且つ元になる
sinc波形の振幅の１２％のoffc１として第１のｃｏｓオ
フセットを加え，さらにα2 ＝１とし且つ元になるsinc
波形の振幅の２．５％のoffc２として第２のｃｏｓオフ
セットを加え，さらに図６の三角波をウィンドウ関数Ｗ
0(t)，Ｗ1(t)，Ｗ2(t)として用いて補正した波形であ
る。図７の（ｂ）において、破線は、図７の（ａ）の破
線の波形を使用したときのスライスのプロフィールであ
る。実線は、図７の（ａ）の実線の波形を使用したとき
のスライスのプロフィールである。スライスのプロフィ
ールの中央がフラットになり且つサイドローブは略なく
なっている。また、スライス厚も元のスライス厚に近く
なっている。
る。図７の（ａ）において、破線は、元になるsinc波形
である。実線は、元になるsinc波形の振幅の３％の負の
ＤＣオフセットを加えると共にα＝１とし且つ元になる
sinc波形の振幅の１２％のoffc１として第１のｃｏｓオ
フセットを加え，さらにα2 ＝１とし且つ元になるsinc
波形の振幅の２．５％のoffc２として第２のｃｏｓオフ
セットを加え，さらに図６の三角波をウィンドウ関数Ｗ
0(t)，Ｗ1(t)，Ｗ2(t)として用いて補正した波形であ
る。図７の（ｂ）において、破線は、図７の（ａ）の破
線の波形を使用したときのスライスのプロフィールであ
る。実線は、図７の（ａ）の実線の波形を使用したとき
のスライスのプロフィールである。スライスのプロフィ
ールの中央がフラットになり且つサイドローブは略なく
なっている。また、スライス厚も元のスライス厚に近く
なっている。
【００２４】図８の（ａ）において、破線は、元になる
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形中のｓｉｎ
波のサイクル数を１．０４倍に変更し，且つ，そのsinc
波形の振幅の３．５％の負のＤＣオフセットを加えると
共にα＝１とし且つ元になるsinc波形の振幅の１２％の
offc１として第１のｃｏｓオフセットを加え，さらにα
2 ＝１とし且つ元になるsinc波形の振幅の２．５％のof
fc２として第２のｃｏｓオフセットを加え，さらに図６
の三角波をウィンドウ関数Ｗ0(t)，Ｗ1(t)，Ｗ2(t)とし
て用いて補正した波形である。図８の（ｂ）において、
破線は、図８の（ａ）の破線の波形を使用したときのス
ライスのプロフィールである。実線は、図８の（ａ）の
実線の波形を使用したときのスライスのプロフィールで
ある。スライスのプロフィールの中央がフラットになり
且つサイドローブは略なくなっている。また、スライス
厚も元のスライス厚と等しくなっている。
sinc波形である。実線は、元になるsinc波形中のｓｉｎ
波のサイクル数を１．０４倍に変更し，且つ，そのsinc
波形の振幅の３．５％の負のＤＣオフセットを加えると
共にα＝１とし且つ元になるsinc波形の振幅の１２％の
offc１として第１のｃｏｓオフセットを加え，さらにα
2 ＝１とし且つ元になるsinc波形の振幅の２．５％のof
fc２として第２のｃｏｓオフセットを加え，さらに図６
の三角波をウィンドウ関数Ｗ0(t)，Ｗ1(t)，Ｗ2(t)とし
て用いて補正した波形である。図８の（ｂ）において、
破線は、図８の（ａ）の破線の波形を使用したときのス
ライスのプロフィールである。実線は、図８の（ａ）の
実線の波形を使用したときのスライスのプロフィールで
ある。スライスのプロフィールの中央がフラットになり
且つサイドローブは略なくなっている。また、スライス
厚も元のスライス厚と等しくなっている。
【００２５】なお、上記ＭＲＩ装置１は、ＳＥ法やＩＲ
法などを実施する場合にも、１８０゜パルスの波形を補
正する。さらに、上記ＭＲＩ装置１は、ＲＦのパワーや
振幅にシステムからの制約がある場合には、各パラメー
タを調節して、スライスのプロフィールを矩形から適度
に外すことも行う。
法などを実施する場合にも、１８０゜パルスの波形を補
正する。さらに、上記ＭＲＩ装置１は、ＲＦのパワーや
振幅にシステムからの制約がある場合には、各パラメー
タを調節して、スライスのプロフィールを矩形から適度
に外すことも行う。
【００２６】
【発明の効果】この発明のＭＲＩ装置によれば、ＲＦパ
ルスの最適波形を必要時に計算により求めることが可能
となる。従って、きれいな矩形波のスライスを選択励起
することを実現できる。
ルスの最適波形を必要時に計算により求めることが可能
となる。従って、きれいな矩形波のスライスを選択励起
することを実現できる。
【図１】この発明の一実施例のＭＲＩ装置のブロック図
である。
である。
【図２】図１のＭＲＩ装置における波形決定処理のフロ
ー図である。
ー図である。
【図３】ＤＣオフセットを加えて補正した波形とスライ
スのプロフィールの例示図である。
スのプロフィールの例示図である。
【図４】ＤＣオフセットおよび第１のｃｏｓオフセット
を加えて補正した波形とスライスのプロフィールの例示
図である。
を加えて補正した波形とスライスのプロフィールの例示
図である。
【図５】ＤＣオフセットおよび第１のｃｏｓオフセット
および第２のｃｏｓオフセットを加えて補正した波形と
スライスのプロフィールの例示図である。
および第２のｃｏｓオフセットを加えて補正した波形と
スライスのプロフィールの例示図である。
【図６】ウィンドウ関数の例示図である。
【図７】ＤＣオフセットおよび第１のｃｏｓオフセット
および第２のｃｏｓオフセットを加え且つウィンドウ処
理して補正した波形とスライスのプロフィールの例示図
である。
および第２のｃｏｓオフセットを加え且つウィンドウ処
理して補正した波形とスライスのプロフィールの例示図
である。
【図８】ＤＣオフセットおよび第１のｃｏｓオフセット
および第２のｃｏｓオフセットを加え且つウィンドウ処
理し更に元のsinc波形のサイクル数を調整して補正した
波形とスライスのプロフィールの例示図である。
および第２のｃｏｓオフセットを加え且つウィンドウ処
理し更に元のsinc波形のサイクル数を調整して補正した
波形とスライスのプロフィールの例示図である。
【図９】通常のsinc波形とスライスのプロフィールの例
示図である。
示図である。
１ ＭＲＩ装置 ２ 計算機 ３ シーケンスコントローラ ６ ＲＦ発振回路 ７ ゲート変調回路 ８ ＲＦ電力増幅器
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) A61B 5/055
Claims (3)
- 【請求項１】 スライスを選択励起するために、ＲＦパ
ルスに、 sin(２π・ａ・ｔ／Ｔ)／（２π・ａ・ｔ／Ｔ） ；ａはsinc波形の計算に含まれる、２πを１周期とした
sinの周期数 ；ｔは時間変数 ；Ｔはsinc波形の時間長 なるsinc波形を使用するＭＲＩ装置において、 スライスのプロフィールの中央をフラットにするために
前記sinc波形に、 offdc なるＤＣオフセットを加えるＤＣオフセット手段と、 前記スライスのプロフィールのサイドローブを除くため
に前記sinc波形に、 offc１・cos(２π（ａ＋α）・ｔ／Ｔ) ；offc１は加算するcosに対する振幅係数 ；αは１または１に近い係数 なる第１のｃｏｓオフセットを加える第１ｃｏｓオフセ
ット手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＭＲＩ装置において、 スライスのプロフィールのサイドローブを除くために前
記sinc波形に、 offcｉ・cos(２π（ａ＋（２ｉ−１）・αi）・ｔ／Ｔ) ；offcｉは加算するcosに対する振幅係数 ；ｉ＝２，３，…，ｍ ；ｍは２以上の整数 ；αiは１または１に近い係数 なる第ｉのｃｏｓオフセットをさらに加える第ｉｃｏｓ
オフセット手段をさらに具備したことを特徴とするＭＲ
Ｉ装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のＭＲＩ
装置において、ＤＣオフセット，第１のｃｏｓオフセッ
トまたは第ｉのｃｏｓオフセットの少なくとも１つに対
して、sinc波形の中央で１となり，端で１より小さくな
るようなウィンドウを掛けるウィンドウ処理手段をさら
に具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02250993A JP3295475B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | Ｍｒｉ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02250993A JP3295475B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | Ｍｒｉ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06233748A JPH06233748A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3295475B2 true JP3295475B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=12084730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02250993A Expired - Lifetime JP3295475B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | Ｍｒｉ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295475B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP02250993A patent/JP3295475B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06233748A (ja) | 1994-08-23 |
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