JP3439845B2 - Ｍｒｉ用ランプドｒｆパルスの生成方法およびｍｒｉ装置 - Google Patents
Ｍｒｉ用ランプドｒｆパルスの生成方法およびｍｒｉ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＭＲＩ（Magnetic R
esonance Imaging）用ランプドＲＦパルス（Ramped Rad
io Frequency Pulse）の生成方法およびＭＲＩ装置に関
する。さらに詳しくは、スライス軸方向に徐々に変化す
るフリップ角（flip angle）でスライス領域を励起する
ためのＭＲＩ用ランプドＲＦパルスを高速に生成できる
ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成方法およびＭＲＩ装
置に関する。
esonance Imaging）用ランプドＲＦパルス（Ramped Rad
io Frequency Pulse）の生成方法およびＭＲＩ装置に関
する。さらに詳しくは、スライス軸方向に徐々に変化す
るフリップ角（flip angle）でスライス領域を励起する
ためのＭＲＩ用ランプドＲＦパルスを高速に生成できる
ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成方法およびＭＲＩ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のＭＲＩ装置におけるラン
プドＲＦパルスの生成処理のフローチャートである。ス
テップＢ１では、図９の（ａ）に示すような基になるＲ
ＦパルスＧ（ｔ）（スライス軸方向に一定のフリップ角
θでスライス領域を励起するためのＲＦパルスであり、
予め記憶している）に対してフーリエ変換を行い、図９
の（ｂ）に示すような周波数プロファイルＳ（ω）を求
める。ステップＢ２では、図１０の（ａ）に示すような
線形窓関数Ｗ（ω）を周波数プロファイルＳ（ω）に乗
算し、図１０の（ｂ）に示すような周波数プロファイル
Ｔ（ω）を求める。所望のフリップ角θの変化率に合せ
てパラメータσを調整することにより、所望の周波数プ
ロファイルＴ（ω）を得ることが出来る。ステップＢ３
では、周波数プロファイルＴ（ω）に対して逆フーリエ
変換を行い、ランプドＲＦパルスＬ（ｔ）を求める。こ
のランプドＲＦパルスＬ（ｔ）は、図１１の（ａ）に示
すような実数部Ｒｅ（ｔ）と図１１の（ｂ）に示すよう
なと虚数部Ｉｍ（ｔ）からなっている。すなわち、 Ｌ（ｔ）＝Ｒｅ（ｔ）＋ｉ・Ｉｍ（ｔ） である。
プドＲＦパルスの生成処理のフローチャートである。ス
テップＢ１では、図９の（ａ）に示すような基になるＲ
ＦパルスＧ（ｔ）（スライス軸方向に一定のフリップ角
θでスライス領域を励起するためのＲＦパルスであり、
予め記憶している）に対してフーリエ変換を行い、図９
の（ｂ）に示すような周波数プロファイルＳ（ω）を求
める。ステップＢ２では、図１０の（ａ）に示すような
線形窓関数Ｗ（ω）を周波数プロファイルＳ（ω）に乗
算し、図１０の（ｂ）に示すような周波数プロファイル
Ｔ（ω）を求める。所望のフリップ角θの変化率に合せ
てパラメータσを調整することにより、所望の周波数プ
ロファイルＴ（ω）を得ることが出来る。ステップＢ３
では、周波数プロファイルＴ（ω）に対して逆フーリエ
変換を行い、ランプドＲＦパルスＬ（ｔ）を求める。こ
のランプドＲＦパルスＬ（ｔ）は、図１１の（ａ）に示
すような実数部Ｒｅ（ｔ）と図１１の（ｂ）に示すよう
なと虚数部Ｉｍ（ｔ）からなっている。すなわち、 Ｌ（ｔ）＝Ｒｅ（ｔ）＋ｉ・Ｉｍ（ｔ） である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のランプドＲ
Ｆパルスの生成処理では、ステップＢ１とステップＢ２
とでフーリエ変換を２度行っている。しかし、フーリエ
変換を２度行うと、乗算回数が多くなり、計算に時間が
かかる問題点がある。すなわち、ＲＦパルスのデータ点
数をＮとすると、１度のフーリエ変換でＮ・log｛Ｎ｝回
の乗算回数が必要となるので、２度のフーリエ変換では
２・Ｎ・log｛Ｎ｝回の乗算回数が必要となり、計算時間
がかかる。そこで、この発明の目的は、ＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスを高速に生成することが出来るＭＲＩ用ラ
ンプドＲＦパルスの生成方法およびＭＲＩ装置を提供す
ることにある。
Ｆパルスの生成処理では、ステップＢ１とステップＢ２
とでフーリエ変換を２度行っている。しかし、フーリエ
変換を２度行うと、乗算回数が多くなり、計算に時間が
かかる問題点がある。すなわち、ＲＦパルスのデータ点
数をＮとすると、１度のフーリエ変換でＮ・log｛Ｎ｝回
の乗算回数が必要となるので、２度のフーリエ変換では
２・Ｎ・log｛Ｎ｝回の乗算回数が必要となり、計算時間
がかかる。そこで、この発明の目的は、ＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスを高速に生成することが出来るＭＲＩ用ラ
ンプドＲＦパルスの生成方法およびＭＲＩ装置を提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、この発
明は、スライス軸方向に徐々に変化するフリップ角でス
ライス領域を励起するためのＭＲＩ用ランプドＲＦパル
スの生成方法において、所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパ
ルスの周波数プロファイルを偶関数部と奇関数部に分
け、前記偶関数部に対応する偶関数部ＲＦパルスと前記
奇関数部に対応する奇関数部ＲＦパルスとを別々に取得
し、前記偶関数部ＲＦパルスを実数部とし前記奇関数部
ＲＦパルスを虚数部として加算し、所望のＭＲＩ用ラン
プドＲＦパルスを生成することを特徴とするＭＲＩ用ラ
ンプドＲＦパルスの生成方法を提供する。
明は、スライス軸方向に徐々に変化するフリップ角でス
ライス領域を励起するためのＭＲＩ用ランプドＲＦパル
スの生成方法において、所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパ
ルスの周波数プロファイルを偶関数部と奇関数部に分
け、前記偶関数部に対応する偶関数部ＲＦパルスと前記
奇関数部に対応する奇関数部ＲＦパルスとを別々に取得
し、前記偶関数部ＲＦパルスを実数部とし前記奇関数部
ＲＦパルスを虚数部として加算し、所望のＭＲＩ用ラン
プドＲＦパルスを生成することを特徴とするＭＲＩ用ラ
ンプドＲＦパルスの生成方法を提供する。
【０００５】第２の観点では、この発明は、スライス軸
方向に徐々に変化するフリップ角でスライス領域を励起
するためのランプドＲＦパルスを用いてスライス領域の
励起を行うＭＲＩ装置において、所望のＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスの周波数プロファイルの偶関数部に対応す
る偶関数部ＲＦパルスを取得する偶関数部ＲＦパルス取
得手段と、所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの周波数
プロファイルの奇関数部に対応する奇関数部ＲＦパルス
を取得する奇関数部ＲＦパルス取得手段と、前記偶関数
部ＲＦパルスを実数部とし前記奇関数部ＲＦパルスを虚
数部として加算して所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルス
を生成するＲＦパルス合成手段とを具備したことを特徴
とするＭＲＩ装置を提供する。
方向に徐々に変化するフリップ角でスライス領域を励起
するためのランプドＲＦパルスを用いてスライス領域の
励起を行うＭＲＩ装置において、所望のＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスの周波数プロファイルの偶関数部に対応す
る偶関数部ＲＦパルスを取得する偶関数部ＲＦパルス取
得手段と、所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの周波数
プロファイルの奇関数部に対応する奇関数部ＲＦパルス
を取得する奇関数部ＲＦパルス取得手段と、前記偶関数
部ＲＦパルスを実数部とし前記奇関数部ＲＦパルスを虚
数部として加算して所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルス
を生成するＲＦパルス合成手段とを具備したことを特徴
とするＭＲＩ装置を提供する。
【０００６】第３の観点では、この発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置において、前記奇関数部ＲＦパルス取得手段
は、 Ｏ(ｔ)＝(2・σ／a)sin{a・t}／(t・t)−(2・σ)cos{a・t}／
t により奇関数部ＲＦパルスＯ(ｔ)を算出することを特徴
とするＭＲＩ装置を提供する。
ＭＲＩ装置において、前記奇関数部ＲＦパルス取得手段
は、 Ｏ(ｔ)＝(2・σ／a)sin{a・t}／(t・t)−(2・σ)cos{a・t}／
t により奇関数部ＲＦパルスＯ(ｔ)を算出することを特徴
とするＭＲＩ装置を提供する。
【０００７】
【作用】上記第１の観点によるＭＲＩ用ランプドＲＦパ
ルスの生成方法および上記第２の観点によるＭＲＩ装置
では、所望の周波数プロファイルの偶関数部に対応する
偶関数部ＲＦパルスを取得し、それとは別に所望のＭＲ
Ｉ用ランプドＲＦパルスの周波数プロファイルの奇関数
部に対応する奇関数部ＲＦパルスを取得する。そして、
前記偶関数部ＲＦパルスを実数部とし前記奇関数部ＲＦ
パルスを虚数部として加算して、所望のＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスを生成する。前記偶関数部ＲＦパルスは、
基になるＲＦパルス（スライス軸方向に一定のフリップ
角でスライス領域を励起するためのＲＦパルスであり、
予め記憶している）を利用して求められるので、フーリ
エ変換を行う必要はない。一方、前記奇関数部ＲＦパル
スを求めるには、フーリエ変換が必要になる。ところ
が、このフーリエ変換は、次に示すように簡単な数式に
置換することが出来る。
ルスの生成方法および上記第２の観点によるＭＲＩ装置
では、所望の周波数プロファイルの偶関数部に対応する
偶関数部ＲＦパルスを取得し、それとは別に所望のＭＲ
Ｉ用ランプドＲＦパルスの周波数プロファイルの奇関数
部に対応する奇関数部ＲＦパルスを取得する。そして、
前記偶関数部ＲＦパルスを実数部とし前記奇関数部ＲＦ
パルスを虚数部として加算して、所望のＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスを生成する。前記偶関数部ＲＦパルスは、
基になるＲＦパルス（スライス軸方向に一定のフリップ
角でスライス領域を励起するためのＲＦパルスであり、
予め記憶している）を利用して求められるので、フーリ
エ変換を行う必要はない。一方、前記奇関数部ＲＦパル
スを求めるには、フーリエ変換が必要になる。ところ
が、このフーリエ変換は、次に示すように簡単な数式に
置換することが出来る。
【０００８】
【数１】
【０００９】従って、計算時間のかかるフーリエ変換を
行うことなく、ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスを高速に生
成できる。
行うことなく、ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスを高速に生
成できる。
【００１０】上記第３の観点によるＭＲＩ装置では、
Ｏ(ｔ)＝(2・σ／a)sin{a・t}／(t・t)−(2・σ)cos{a・t}／
t により奇関数部ＲＦパルスを算出する。上記数式におい
て、(2・σ／a)sin{a・t}，(t・t)および(2・σ)cos{a・t}は
例えばテーブルから求めることが可能であり、１データ
点毎に計算する必要はない。つまり、１データ点につい
ては、２回の乗算（除算）だけが必要となる。また、Ｒ
Ｆパルスのデータ点数をＮとすると、上記数式は奇関数
であるため、Ｎ／２のデータ点数についてだけ計算すれ
ばよい。そこで、全体としては２×（Ｎ／２）＝Ｎ回の
乗算回数となる。結局、Ｎ回の乗算回数でＭＲＩ用ラン
プドＲＦパルスを生成できるから、計算時間がかから
ず、高速に生成できることとなる。
t により奇関数部ＲＦパルスを算出する。上記数式におい
て、(2・σ／a)sin{a・t}，(t・t)および(2・σ)cos{a・t}は
例えばテーブルから求めることが可能であり、１データ
点毎に計算する必要はない。つまり、１データ点につい
ては、２回の乗算（除算）だけが必要となる。また、Ｒ
Ｆパルスのデータ点数をＮとすると、上記数式は奇関数
であるため、Ｎ／２のデータ点数についてだけ計算すれ
ばよい。そこで、全体としては２×（Ｎ／２）＝Ｎ回の
乗算回数となる。結局、Ｎ回の乗算回数でＭＲＩ用ラン
プドＲＦパルスを生成できるから、計算時間がかから
ず、高速に生成できることとなる。
【００１１】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。図１は、この発明の一実施例のＭＲ
Ｉ装置１００のブロック図である。このＭＲＩ装置１０
０において、マグネットアセンブリ１は、内部に被検体
を挿入するための空間部分（孔）を有し、この空間部分
を取りまくようにして、被検体に一定の主磁場を印加す
る主磁場コイルと、勾配磁場を発生するための勾配磁場
コイル（勾配磁場コイルは、Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸のコイル
を備えている）と、被検体内の原子核のスピンを励起す
るためのＲＦパルスを印加する送信コイルと、被検体か
らのＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）信号を検出
する受信コイル等が配置されている。主磁場コイル，勾
配磁場コイル，送信コイルおよび受信コイルは、それぞ
れ主磁場電源２，勾配磁場駆動回路３，ＲＦ電力増幅器
４および前置増幅器５に接続されている。
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。図１は、この発明の一実施例のＭＲ
Ｉ装置１００のブロック図である。このＭＲＩ装置１０
０において、マグネットアセンブリ１は、内部に被検体
を挿入するための空間部分（孔）を有し、この空間部分
を取りまくようにして、被検体に一定の主磁場を印加す
る主磁場コイルと、勾配磁場を発生するための勾配磁場
コイル（勾配磁場コイルは、Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸のコイル
を備えている）と、被検体内の原子核のスピンを励起す
るためのＲＦパルスを印加する送信コイルと、被検体か
らのＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）信号を検出
する受信コイル等が配置されている。主磁場コイル，勾
配磁場コイル，送信コイルおよび受信コイルは、それぞ
れ主磁場電源２，勾配磁場駆動回路３，ＲＦ電力増幅器
４および前置増幅器５に接続されている。
【００１２】シーケンス記憶回路８は、計算機７からの
指令に従い、スピン・ワープ法等のシーケンスに基づい
て、勾配磁場駆動回路３を操作し、前記マグネットアセ
ンブリ１の勾配磁場コイルから勾配磁場を発生させると
共に、ゲート変調回路９を操作し、ＲＦ発振回路１０か
らの高周波出力信号を所定タイミング・所定包絡線のパ
ルス状信号に変調し、それをＲＦパルスとしてＲＦ電力
増幅器４に加え、ＲＦ電力増幅器４でパワー増幅した
後、前記マグネットアセンブリ１の送信コイルに印加
し、目的のスライス領域を選択励起する。
指令に従い、スピン・ワープ法等のシーケンスに基づい
て、勾配磁場駆動回路３を操作し、前記マグネットアセ
ンブリ１の勾配磁場コイルから勾配磁場を発生させると
共に、ゲート変調回路９を操作し、ＲＦ発振回路１０か
らの高周波出力信号を所定タイミング・所定包絡線のパ
ルス状信号に変調し、それをＲＦパルスとしてＲＦ電力
増幅器４に加え、ＲＦ電力増幅器４でパワー増幅した
後、前記マグネットアセンブリ１の送信コイルに印加
し、目的のスライス領域を選択励起する。
【００１３】前置増幅器５は、マグネットアセンブリ１
の受信コイルで検出された被検体からのＮＭＲ信号を増
幅し、位相検波器１２に入力する。位相検波器１２は、
ＲＦ発振回路１０の出力を参照信号とし、前置増幅器５
からのＮＭＲ信号を位相検波して、Ａ／Ｄ変換器１１に
与える。Ａ／Ｄ変換器１１は、位相検波後のアナログ信
号をディジタル信号に変換して、計算機７に入力する。
計算機７は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタル信号に対
する画像再構成演算を行い、スライス領域のイメージ
（プロトン密度像）を生成する。このイメージは、表示
装置６にて表示される。また、計算機７は、操作卓１３
から入力された情報を受け取るなどの全体的な制御を受
け持つ。この発明のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成
方法は、計算機７で実行され、生成されたランプドＲＦ
パルスは、シーケンス記憶回路８に渡される。
の受信コイルで検出された被検体からのＮＭＲ信号を増
幅し、位相検波器１２に入力する。位相検波器１２は、
ＲＦ発振回路１０の出力を参照信号とし、前置増幅器５
からのＮＭＲ信号を位相検波して、Ａ／Ｄ変換器１１に
与える。Ａ／Ｄ変換器１１は、位相検波後のアナログ信
号をディジタル信号に変換して、計算機７に入力する。
計算機７は、Ａ／Ｄ変換器１１からのデジタル信号に対
する画像再構成演算を行い、スライス領域のイメージ
（プロトン密度像）を生成する。このイメージは、表示
装置６にて表示される。また、計算機７は、操作卓１３
から入力された情報を受け取るなどの全体的な制御を受
け持つ。この発明のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成
方法は、計算機７で実行され、生成されたランプドＲＦ
パルスは、シーケンス記憶回路８に渡される。
【００１４】図２は、ＭＲＩ装置１００におけるランプ
ドＲＦパルスの生成処理のフローチャートである。ステ
ップＶ１では、図３の（ａ）に示すような基になるＲＦ
パルスＧ（ｔ）（スライス軸方向に一定のフリップ角θ
でスライス領域を励起するためのＲＦパルスであり、予
め記憶している）を取得し、これを偶関数部ＲＦパルス
Ｅ（ｔ）とする。この偶関数部ＲＦパルスＥ（ｔ）は、
図３の（ｂ）に示すような周波数プロファイルＳ（ω）
を持っている。この周波数プロファイルＳ（ω）は偶関
数になっている。
ドＲＦパルスの生成処理のフローチャートである。ステ
ップＶ１では、図３の（ａ）に示すような基になるＲＦ
パルスＧ（ｔ）（スライス軸方向に一定のフリップ角θ
でスライス領域を励起するためのＲＦパルスであり、予
め記憶している）を取得し、これを偶関数部ＲＦパルス
Ｅ（ｔ）とする。この偶関数部ＲＦパルスＥ（ｔ）は、
図３の（ｂ）に示すような周波数プロファイルＳ（ω）
を持っている。この周波数プロファイルＳ（ω）は偶関
数になっている。
【００１５】ステップＶ２では、次式の計算を行い、奇
関数部ＲＦパルスＯ（ｔ）を取得する。 Ｏ(ｔ)＝(2・σ／a)sin{a・t}／(t・t)−(2・σ)cos{a・t}／
t ここで、(2・σ／a)sin{a・t}，(t・t)および(2・σ)cos{a・
t}は、テーブルから求める。従って、乗算（除算）は２
回で済む。図４の（ａ）に、奇関数部ＲＦパルスＯ
（ｔ）を例示する。この奇関数部ＲＦパルスＯ（ｔ）
は、図４の（ｂ）に示すような周波数プロファイルＴ’
（ω）を持っている。この周波数プロファイルＴ’
（ω）は奇関数になっている。
関数部ＲＦパルスＯ（ｔ）を取得する。 Ｏ(ｔ)＝(2・σ／a)sin{a・t}／(t・t)−(2・σ)cos{a・t}／
t ここで、(2・σ／a)sin{a・t}，(t・t)および(2・σ)cos{a・
t}は、テーブルから求める。従って、乗算（除算）は２
回で済む。図４の（ａ）に、奇関数部ＲＦパルスＯ
（ｔ）を例示する。この奇関数部ＲＦパルスＯ（ｔ）
は、図４の（ｂ）に示すような周波数プロファイルＴ’
（ω）を持っている。この周波数プロファイルＴ’
（ω）は奇関数になっている。
【００１６】ステップＶ３では、偶関数部ＲＦパルスＥ
（ｔ）を実数部Ｒｅ（ｔ）とし、奇関数部ＲＦパルスＯ
（ｔ）を虚数部Ｉｍ（ｔ）とし、次式によりランプドＲ
ＦパルスＬ（ｔ）を算出する。 Ｌ（ｔ）＝Ｒｅ（ｔ）＋ｉ・Ｉｍ（ｔ） 得られたランプドＲＦパルスＬ（ｔ）は、図５の（ａ）
に示すような実数部Ｒｅ（ｔ）と図５の（ｂ）に示すよ
うな虚数部Ｉｍ（ｔ）からなっているが、これは図１１
の（ａ）（ｂ）と同じものである。また、その周波数プ
ロファイルＴ（ω）は、図９の（ｂ）の周波数プロファ
イルＳ（ω）と図１０の（ｂ）の周波数プロファイル
Ｔ’（ω）の和であり、図６に示すようになる。これは
図１０の（ｂ）と同じものである。かくして、フーリエ
変換を行わずに、所望のランプドＲＦパルスＬ（ｔ）を
得ることが出来る。
（ｔ）を実数部Ｒｅ（ｔ）とし、奇関数部ＲＦパルスＯ
（ｔ）を虚数部Ｉｍ（ｔ）とし、次式によりランプドＲ
ＦパルスＬ（ｔ）を算出する。 Ｌ（ｔ）＝Ｒｅ（ｔ）＋ｉ・Ｉｍ（ｔ） 得られたランプドＲＦパルスＬ（ｔ）は、図５の（ａ）
に示すような実数部Ｒｅ（ｔ）と図５の（ｂ）に示すよ
うな虚数部Ｉｍ（ｔ）からなっているが、これは図１１
の（ａ）（ｂ）と同じものである。また、その周波数プ
ロファイルＴ（ω）は、図９の（ｂ）の周波数プロファ
イルＳ（ω）と図１０の（ｂ）の周波数プロファイル
Ｔ’（ω）の和であり、図６に示すようになる。これは
図１０の（ｂ）と同じものである。かくして、フーリエ
変換を行わずに、所望のランプドＲＦパルスＬ（ｔ）を
得ることが出来る。
【００１７】図７は、ランプドＲＦパルスＬ（ｔ）によ
り励起した場合のフリップ角θと位置の説明図である。
被検体Ｈのスライス領域ＳＬを励起すると、スライス軸
方向にフリップ角θが徐々に変化する。このようなラン
プドＲＦパルスＬ（ｔ）は、例えばスライス軸方向を血
流方向とする３次元ＴＯＦアンギオグラフィ（３Ｄ Ｔi
me Ｏf Ｆlight Angiography）に用いられる。
り励起した場合のフリップ角θと位置の説明図である。
被検体Ｈのスライス領域ＳＬを励起すると、スライス軸
方向にフリップ角θが徐々に変化する。このようなラン
プドＲＦパルスＬ（ｔ）は、例えばスライス軸方向を血
流方向とする３次元ＴＯＦアンギオグラフィ（３Ｄ Ｔi
me Ｏf Ｆlight Angiography）に用いられる。
【００１８】
【発明の効果】この発明のＭＲＩ用ランプドＲＦパルス
の生成方法およびＭＲＩ装置によれば、フリップ角が徐
々に変化するような周波数プロファイルを持つランプド
ＲＦパルスを、フーリエ変換を行わずに、高速に生成す
ることが出来る。
の生成方法およびＭＲＩ装置によれば、フリップ角が徐
々に変化するような周波数プロファイルを持つランプド
ＲＦパルスを、フーリエ変換を行わずに、高速に生成す
ることが出来る。
【図１】この発明のＭＲＩ装置の一実施例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】この発明のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成
方法の一実施例を示すフローチャートである。
方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図３】偶関数部ＲＦパルスと周波数プロファイルの例
示図である。
示図である。
【図４】奇関数部ＲＦパルスと周波数プロファイルの例
示図である。
示図である。
【図５】ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの実数部と虚数部
の例示図である。
の例示図である。
【図６】ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの周波数プロファ
イルの例示図である。
イルの例示図である。
【図７】スライス軸方向のフリップ角の変化を示す説明
図である。
図である。
【図８】従来のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成方法
の一例を示すフローチャートである。
の一例を示すフローチャートである。
【図９】基になるＲＦパルスと周波数プロファイルの例
示図である。
示図である。
【図１０】基になるＲＦパルスの周波数プロファイルか
ら所望の周波数プロファイルを作成する過程の説明図で
ある。
ら所望の周波数プロファイルを作成する過程の説明図で
ある。
【図１１】ＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの実数部と虚数
部の例示図である。
部の例示図である。
１００ ＭＲＩ装置
１ マグネットアセン
ブリ ４ ＲＦ電力増幅器 ７ 計算機 ８ シーケンスコント
ローラ ９ ゲート変調回路 １０ ＲＦ発振回路 １１ ＲＦ電力増幅器 １３ 操作卓 ＳＬ スライス領域 θ フリップ角 Ｌ（ｔ） ＭＲＩ用ランプド
ＲＦパルス Ｒｅ（ｔ） 実数部 Ｉｍ（ｔ） 虚数部 Ｓ（ω），Ｔ（ω），Ｔ’（ω） 周波数プロファイ
ル Ｅ（ｔ） 偶関数部ＲＦパル
ス Ｏ（ｔ） 奇関数部ＲＦパル
ス
ブリ ４ ＲＦ電力増幅器 ７ 計算機 ８ シーケンスコント
ローラ ９ ゲート変調回路 １０ ＲＦ発振回路 １１ ＲＦ電力増幅器 １３ 操作卓 ＳＬ スライス領域 θ フリップ角 Ｌ（ｔ） ＭＲＩ用ランプド
ＲＦパルス Ｒｅ（ｔ） 実数部 Ｉｍ（ｔ） 虚数部 Ｓ（ω），Ｔ（ω），Ｔ’（ω） 周波数プロファイ
ル Ｅ（ｔ） 偶関数部ＲＦパル
ス Ｏ（ｔ） 奇関数部ＲＦパル
ス
Claims (3)
- 【請求項１】 スライス軸方向に徐々に変化するフリッ
プ角でスライス領域を励起するためのＭＲＩ用ランプド
ＲＦパルスの生成方法において、 所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの周波数プロファイ
ルを偶関数部と奇関数部に分け、前記偶関数部に対応す
る偶関数部ＲＦパルスと前記奇関数部に対応する奇関数
部ＲＦパルスとを別々に取得し、前記偶関数部ＲＦパル
スを実数部とし前記奇関数部ＲＦパルスを虚数部として
加算し、所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスを生成する
ことを特徴とするＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの生成方
法。 - 【請求項２】 スライス軸方向に徐々に変化するフリッ
プ角でスライス領域を励起するためのランプドＲＦパル
スを用いてスライス領域の励起を行うＭＲＩ装置におい
て、 所望のＭＲＩ用ランプドＲＦパルスの周波数プロファイ
ルの偶関数部に対応する偶関数部ＲＦパルスを取得する
偶関数部ＲＦパルス取得手段と、所望のＭＲＩ用ランプ
ドＲＦパルスの周波数プロファイルの奇関数部に対応す
る奇関数部ＲＦパルスを取得する奇関数部ＲＦパルス取
得手段と、前記偶関数部ＲＦパルスを実数部とし前記奇
関数部ＲＦパルスを虚数部として加算して所望のＭＲＩ
用ランプドＲＦパルスを生成するＲＦパルス合成手段と
を具備したことを特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＭＲＩ装置において、
前記奇関数部ＲＦパルス取得手段は、 Ｏ(ｔ)＝(2・σ／a)sin{a・t}／(t・t)−(2・σ)cos{a・t}／
t （但し、ａは周波数プロファイルのバンド幅、σ／ａは
フリップ角の変化率）により奇関数部ＲＦパルスＯ(ｔ)
を算出することを特徴とするＭＲＩ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23894094A JP3439845B2 (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | Ｍｒｉ用ランプドｒｆパルスの生成方法およびｍｒｉ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23894094A JP3439845B2 (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | Ｍｒｉ用ランプドｒｆパルスの生成方法およびｍｒｉ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08103423A JPH08103423A (ja) | 1996-04-23 |
| JP3439845B2 true JP3439845B2 (ja) | 2003-08-25 |
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ID=17037548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23894094A Expired - Fee Related JP3439845B2 (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | Ｍｒｉ用ランプドｒｆパルスの生成方法およびｍｒｉ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439845B2 (ja) |
-
1994
- 1994-10-03 JP JP23894094A patent/JP3439845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08103423A (ja) | 1996-04-23 |
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