JP3289263B2 - カード型回路モジュール - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ＩＣメモリカードをはじめと
するカード型回路モジュールは、その携帯性、増設作業
の容易性等が着目されてメモリカード以外の用途に使用
されるに到っているが、この場合、カード型回路モジュ
ールの消費電力量が増加するために、効率的な冷却手段
が求められる。

【０００２】なお、本明細書においてカード型回路モジ
ュールとは、米国ＰＣＭＣＩＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃ
ｏｍｐｕｔｅｒ Ｍｅｍｏｒｙ Ｃａｒｄ Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）あるいは
ＪＥＩＤＡ（日本電子工業振興協会）の標準仕様に準拠
するクレジット・カード・サイズのＩＣカード、および
これに類似するコンパクトサイズのカード状電子部品
（ＰＣカード）を始めとして、回路素子を実装した実装
基板を硬質カバー、あるいはフレーム等の外郭構成部材
により密閉し、コネクタ等を介して他の回路モジュール
に接続して使用する回路モジュールをいい、プリント基
板等の実装基板上に回路素子を実装した外気開放型の回
路モジュールを含まない。

【０００３】

【従来の技術】従来カード型回路モジュールは、図１７
に示すように、半導体素子（発熱素子１２）を実装した
実装基板１１を硬質のカバー１０によって覆って形成さ
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一方、カード型回路モ
ジュール、特にＰＣカードは一般にポケットや鞄に入れ
て持ち運ばれることが多く、さらに装置本体への挿抜作
業は、カード型回路モジュールを指で挟んで行われるた
めに、所定の強度が要求され、このため、硬質カバー１
０には、通常ステンレス材等が多用される。

【０００５】しかし、ステンレスをはじめとする硬質カ
バー１０の素材は、一般的に熱伝導性が低いために放熱
効果が低いという欠点を有する。本発明は、以上の欠点
を解消すべくなされたもので、放熱性能に優れたカード
型回路モジュールを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば上記目的
は、硬質カバー１０を備えたケース内１に実装基板１１
を収納してなるカード型回路モジュールであって、前記
硬質カバー１０の裏面全面には、実装基板１１上の発熱
素子１２による発熱を硬質カバー１０全体に拡散する高
熱伝導層２が形成され、前記高熱伝導層２は、銅、ある
いはアルミニウムからなる箔を該硬質カバー１０の裏面
全面に接着して形成され、かつ、前記発熱素子１２と高
熱伝導層２の間には、柔軟な伝熱体４が介装されるカー
ド型回路モジュールを提供することにより達成される。

【０００７】ここで、「高熱伝導」とは熱伝導率が少な
くともステンレス鋼等の硬質カバー１０の素材よりも高
く、銅、あるいはアルミニウム等と同等であることをい
うもので、高熱伝導層２の形成は、硬質カバー１０の裏
面全面に箔を接着したり、あるいは、アルミニウム、銅
等の高熱伝導材料薄膜層を成膜することにより形成可能
である。

【０００８】ここで、「成膜」とは、予め別体で形成さ
れた膜を接着等の手段により貼着することに対応する概
念で、硬質カバー１０の裏面全面に上記材料を溶射、転
写、蒸着、あるいはメッキすることにより薄膜層を形成
することを指し、膜材料には、アルミニウム、銅等が使
用可能である。成膜により形成された高熱伝導層２は、
硬質カバー１０との密着性が接着による場合に比して良
好なために、硬質カバー１０への熱伝導性を向上させる
ことができる上に、硬質カバー１０の製造効率をも向上
させることができる。

【０００９】なお、箔としては、アルミニウム箔、ある
いは銅箔が使用可能であり、箔の厚さを１２μｍ〜３５
μｍ程度とした場合には、硬質カバー１０への密着性が
向上する。

【００１０】したがって本発明において、発熱素子１２
からの発熱は、先ず硬質カバー１０裏面の高熱伝導層２
に伝熱される。高熱伝導層２に伝熱した熱は、速やかに
高熱伝導層２全体に広がった後、硬質カバー１０全体に
拡散され、硬質カバー１０表面から放熱される。

【００１１】この結果、熱伝導率が悪いために、発熱素
子１２に対応する部位のみがスポット的に温度上昇し、
該スポット部のみから放熱される従来例に比して、飛躍
的な放熱性能の向上が図られる。

【００１２】また、硬質カバー１０の表面にも高熱伝導
層２を形成する場合には、より熱吸収容量が向上するた
めに、放熱効果が向上する。さらに、高熱伝導層２の表
面に酸化防止膜２’を形成した場合には、高熱伝導層２
の酸化による熱伝導性の低下を防止することができる。
この場合、硬質カバー１０の表面に銅メッキをして高熱
伝導層２を形成し、さらに、その上にニッケルメッキを
して酸化防止膜２’とした場合には、製造効率を飛躍的
に向上させることが可能になる上に、ニッケルメッキ層
は伝熱性に優れているために、高熱伝導層２との界面に
おける熱抵抗を減少させることが可能になる。

【００１３】また、高熱伝導層２の表面を絶縁膜３で覆
うことにより、実装基板１１上に搭載されるディスクリ
ート部品等との短絡が確実に防止され、信頼性をより向
上させることが可能になる。

【００１４】絶縁膜３は、カード型回路モジュールの内
部空間側に形成されていれば足り、上記酸化防止膜２’
を兼ねることも可能である。絶縁膜３は高熱伝導層２へ
の伝熱を阻害しない程度の厚さに形成され、絶縁性を有
するシート体を高熱伝導層２の表面に貼着したり、ある
いは絶縁塗料を塗布することによっても形成可能であ
る。また、酸化防止膜２’がニッケルメッキ等、絶縁性
を有しない材料により形成される場合には、絶縁膜３は
酸化防止膜２’を覆うように別途形成される。

【００１５】絶縁膜３の形成により、実装基板１１上の
ディスクリート部品等との短絡が確実に防止される。ま
た、高熱伝導層２が硬質カバー１０の全面に渡って形成
されることで、放熱効率の向上がもたらされる。

【００１６】また、発熱素子１２と高熱伝導層２の間に
柔軟な伝熱体４が介装されることで、発熱素子１２から
の発熱は速やかに高熱伝導層２に伝達されるために、よ
り効率的な冷却が行われる。

【００１７】ここで「柔軟な伝熱体４」とは、発熱素子
１２の実装高さのばらつき等を吸収して発熱素子１２が
高熱伝導層２に密着できる程度に高さ方向に弾性変形可
能な熱伝導性に優れたものをいい、伝熱コンパウンド、
伝熱シートの他に、伝熱シートと金属製プレートの積層
体の使用も可能である。

【００１８】さらに、取扱性の優れたカード型回路モジ
ュールが参考例として提案される。すなわち、カード型
回路モジュールの外表面７は、低熱伝導性材料により形
成される接触防護体６により覆われる。

【００１９】接触防護体６は、該接触防護体６の設置領
域からの放熱を確保した状態で、放熱面、すなわち、カ
ード型回路モジュールの外表面７への指触れを防止する
ために設けられるもので、少なくとも、「接触防護体６
の設置領域に、前記外表面７の露出部位を形成可能で、
かつ、指が前記露出部位の外表面７に直接接触すること
を禁止するように」設けられる必要がある。

【００２０】「指が前記露出部位の外表面７に直接接触
することを禁止する」状態とは、図１３に示すように、
カード型回路モジュールの装置本体への挿抜時に指でカ
ード型回路モジュールを挟んだ際に指とカード型回路モ
ジュールの外表面７との間に適宜の隙間δが形成され、
指がカード型回路モジュールに直接触れるのが規制され
た状態を指す。

【００２１】また、接触防護体６は、高温部を指で直接
触れることを防止するために設けられるものであるか
ら、カード型回路モジュールの外表面７のうち、少なく
ともカードコネクタへの挿抜時に指が触れる高温の領域
に設ければ足りる。

【００２２】さらに、接触防護体６は温度上昇したカー
ド型回路モジュールの外表面７を指で直接触れるのを防
止するためのものであるから、実装基板１１上に発熱素
子１２が片面実装されており、温度上昇面が片面のみで
ある場合には、当該温度上昇面のみに限って設ければ足
りる。

【００２３】ここで「外表面」とはカード型回路モジュ
ールの表面部を指すもので、硬質カバー１０により覆わ
れているものは硬質カバー１０表面部を、表面部にヒー
トシンク５が装着されているものは、ヒートシンク５の
表面部も含まれる。

【００２４】したがって、本参考例において、装置本体
からカード型回路モジュールを抜き取るときなどに、カ
ード型回路モジュールを指で挟んでも、カード型回路モ
ジュールの加熱面（外表面７）には直接触れることがな
いために、操作性を向上させることができる上に、カー
ド型回路モジュールの外表面７は網目間から外部に露出
状態となっているために、外表面７からの放熱効果も低
下することがない。

【００２５】放熱性を確保しながら指の接触を防止する
接触防護体６は、例えば図１５（ａ）に示すように、硬
質カバー１０、あるいはヒートシンク５の上面に複数の
線状体を所定ピッチで配置する等、種々の手段により形
成することが可能であり、以下においてその例が示され
る。

【００２６】すなわち、接触防護体６は、多数の網目を
有するメッシュ体として形成される。接触防護体６の網
目の大きさＬ、および接触防護体６のカード型回路モジ
ュールの外表面７からの突出高さＨは、上記目的を勘案
して適宜決定可能であり、さらに、網目の形状も種々選
択可能であり、図１２に示すような碁盤目状以外に、３
角形、６角形等が採用可能である。

【００２７】接触防護体６をメッシュ体として形成する
ことにより、接触防護体６は連続した一体物となるため
に、カード型回路モジュールの外表面７への接着作業等
が容易になる上に、カード型回路モジュールの外表面７
への接合力を高めることが可能になるが、このほかに、
円錐形状を有して散点状に配置することも可能であり
（図１５（ｂ）、（ｃ）参照）、この場合、各接触防護
体６間の間隔δ、および高さＨは本参考例の目的に適応
するように適宜決定される。

【００２８】カード型回路モジュールの外表面７上への
接触防護体６の形成は、予め別体で形成した接触防護体
６を接着することにより達成可能であるが、このほか
に、形成対象面に低熱伝導性材料を溶着しても形成可能
である。

【００２９】形成対象面への溶着は、形成対象面上に型
を載置し、その空間に低熱伝導性材料としての合成樹脂
を流し込んだり、ディスペンダで所定の位置に模様を形
成したり、あるいは合成樹脂でメッシュ体を形成し、形
成対象面に溶着、接着することにより達成可能である。

【００３０】さらに、形成対象面上への他の接触防護体
６の形成方法が提供される。すなわち、接触防護体６は
フレーム部６０を有する網状体として形成され、ケース
１に着脱可能に装着される。

【００３１】ケース１への接触防護体６の装着は、例え
ば図１６に示すように、接触防護体６側に係止フック６
２を形成しておき、該係止フック６２をケース１に弾発
的に係止することにより達成可能である。

【００３２】この場合、接触防護体６を、網状体のグリ
ッドから形成対象面側に接触突起６１を突設して形成す
ることが可能である。かかる構成においては、接触突起
６１の先端のみが形成対象面に接触し、網状体は接触対
象面から浮いた状態で配置されるために、カード型回路
モジュールの外表面７に直接触れる面積が減少すること
から放熱有効面積が増加するという効果がある。

【００３３】

【発明の実施の形態】図１、２に本発明をＰＣカードに
適用した実施の形態を示す。図において１１は複数の半
導体素子（発熱素子１２）を搭載した実装基板、１３は
図示しない装置本体のコネクタにプラグイン接続するた
めのコネクタ、１０は硬質カバーである。

【００３４】硬質カバー１０は、表裏面に配置されて実
装基板１１を覆い、フレーム等の他の外郭構成部材と協
働して実装基板１１を密閉状に収容するケース１を構成
している。この硬質カバー１０は、持ち運び、あるいは
図示しない装置本体への挿抜時における変形を防止する
ために、ステンレス薄板により形成される。

【００３５】２は高熱伝導層であり、アルミニウム、銅
等の高熱伝導性材料をメッキ等の手段で硬質カバー１０
裏面全面に成膜して形成されるが、これ以外に、１２μ
ｍ〜３５μｍ程度の厚さの銅箔を硬質カバー１０の裏面
全面に接着して形成することもできる。

【００３６】２’は高熱伝導層２の酸化を防止するため
の酸化防止膜であり、高熱伝導層２の表面にニッケルメ
ッキを施して形成される。実装基板１１上に多数の高背
のディスクリート部品等が実装されており、該ディスク
リート部品と硬質カバー１０との短絡のおそれがある場
合には、酸化防止膜２’の裏面に絶縁シートを高熱伝導
層２上に接着して絶縁膜３が形成される（図２（ｂ）参
照）。絶縁シートは伝熱性の優れた材料により形成する
のが望ましいが、熱伝達を阻害しない程度に可及的に薄
く形成するならば、伝熱性に劣る材料の使用も可能であ
る。また、絶縁膜３は、高熱伝導層２上に絶縁塗料を塗
布することによっても形成できる。なお、絶縁膜３は酸
化防止膜２’を兼ねることも可能であり、この場合は、
酸化防止膜２’を別途設ける必要はない。

【００３７】発熱素子１２からの発熱を速やかに高熱伝
導層２に伝達するために、発熱素子１２と硬質カバー１
０との間には柔軟な伝熱体４が介装される。伝熱体４に
は図２（ａ）に示すように、伝熱シート体４０を使用し
たり、図３に示すように、ヒートシンクとなる金属板材
４１の裏面に伝熱シート体４０を貼着した複層体を使用
することができる。なお、図３において４２は伝熱体４
を硬質カバー１０に固定するための接着層を示す。

【００３８】したがってこの実施の形態において、先
ず、硬質カバー１０の裏面であって、冷却ターゲットと
なる発熱素子１２に対応する位置に伝熱体４を接合して
おき、硬質カバー１０により実装基板１１を覆うと、伝
熱体４はやや縦方向に弾性変形しながら発熱素子１２の
ヒートシンク５面に圧接し、発熱素子１２と高熱伝導層
２との間に良好な熱パスが形成される。

【００３９】なお、以上においては硬質カバー１０側に
伝熱体４を固定した場合を示したが、発熱素子１２側に
固定しておくことも可能である。また、以上の説明にお
いては、高熱伝導層２は硬質カバー１０の裏面全面、正
確には発熱素子１２に対峙する面のみに形成する場合を
示したが、図２（ｃ）に示すように、硬質カバー１０の
表裏面全面に形成することも可能である。この場合、硬
質カバー１０の表層面には絶縁膜３を形成する必要はな
く、酸化防止膜２’のみが形成される。

【００４０】図４、５に参考例を示す。なお、以下の説
明において、上述した実施の形態と同一の構成要素は図
中に同一の符号を付して説明を省略する。

【００４１】本参考例において硬質カバー１０上にはヒ
ートシンク５が搭載される。ヒートシンク５はアルミニ
ウム等、伝熱性の良好な材料により形成されており、矩
形の放熱部５１と、放熱部５１の裏面中央に突出する矩
形の接触部５０とからなる。

【００４２】接触部５０は、図４においてハッチングを
施して示されるターゲットとなる発熱素子１２の面積よ
りやや面積に形成されており、その端面には柔軟な伝熱
体４が固定される。

【００４３】一方、硬質カバー１０には、図５に示すよ
うに、上記ヒートシンク５の接触部５０が挿入可能な貫
通口１４が開設されており、ヒートシンク５は接触部５
０を上記貫通口１４に挿通させた後、裏面をネジ止め、
あるいはリベット止めして硬質カバー１０に固定され
る。なお、図４（ｃ）において１６はヒートシンク５を
硬質カバー１０に固定するためのビス、図５において１
５は硬質カバー１０に穿孔されるネジ挿通孔を示す。

【００４４】ヒートシンク５の固定方法は、ネジ、ある
いはリベットを使用する以外に、溶接によるのも可能で
あり、この場合、図６に示すように、ヒートシンク５上
面にスポット溶接の電極が挿入する電極収納孔５２を開
設しておくのが望ましい。

【００４５】さらに、ヒートシンク５は硬質カバー１０
に対して着脱自在に装着することも可能であり、その一
例を図７ないし図９に示す。この変形例において、硬質
カバー１０には、図８に詳細を示すように、該硬質カバ
ー１０の中心線Ｃ上にほぼ位置する位置決め孔１７と、
中心線Ｃ上に中心が位置し、該中心線に対して角度θだ
け傾いた貫通口１４とが開設される。

【００４６】一方、ヒートシンク５には、図９に示すよ
うに、側面にガイド溝５０ａが切り込まれた接触部５０
と、位置決め孔１７に挿通可能な位置決めボス５０ｂと
が中心線上に突設される。ガイド溝は、図９（ｃ）に示
すように、接触部５０の断面中心に対して点対称形状を
有しており、その壁面は、接触部５０の断面中心を中心
とする円弧部５３と、稜線に対してθだけ傾いた直線部
５４とからなる。また、ガイド溝５０ａの底壁面は、側
方から見た際に、図９（ｂ）に示すように、中心に行く
にしたがって幅狭となるように、湾曲面とされており、
その頂部におけるガイド溝の幅ｗが硬質カバー１０の板
厚よりやや小さくされている。

【００４７】したがってこの変形例において、接触部５
０を貫通口１４に挿通させた状態では、位置決めボス５
０ｂが硬質カバー１０に乗り上がった状態にあり、この
状態からヒートシンク５を図９（ａ）において矢印方向
に回転させると、貫通口１４の辺縁が接触部５０のガイ
ド溝５０ａ内に入り込んで回転を許容する。回転操作時
には、位置決めボス５０ｂは硬質カバー１０の表面を押
し付けた状態であり、やがてヒートシンク５が図７に示
す位置まで回転されると、位置決めボス５０ｂが位置決
め孔１７内に嵌合して位置決めされる。

【００４８】この状態において、ガイド溝５０ａ内に硬
質カバー１０が進入し、かつ、位置決めボス５０ｂが位
置決め孔１７に嵌合しているために、ヒートシンク５は
硬質カバー１０上に強固に固定されることとなる。

【００４９】図１０、１１に他の変形例を示す。この変
形例において、ヒートシンク５には側方に押圧片５５が
突設された接触部５０と、位置決めボス５０ｂが設けら
れる。押圧片５５は、位置決めボス５０ｂ側に行くにし
たがって厚さが薄くなるキー断面形状を有しており、厚
さが一番厚い部位における押圧片５５と放熱部５１裏面
との間隔ｗは硬質カバー１０の板厚よりやや小さくされ
ている。

【００５０】一方、硬質カバー１０には、上記接触部５
０が挿入可能な貫通口１４と、位置決め孔１７とが開設
される。また、貫通口１４と位置決め孔１７との間隔
は、接触部５０と位置決めボス５０ｂとの間隔よりやや
長くされている。

【００５１】したがってこの変形例において、接触部５
０を貫通口１４に挿通させた後、ヒートシンク５を図１
０において矢印方向に移動させると、貫通口１４の周縁
の肉質部は押圧片５５と放熱部５１の裏面との隙間に収
納され、ヒートシンク５の移動を許容し、位置決めボス
５０ｂが位置決め孔１７に嵌合した状態で固定される。

【００５２】なお、本参考例において、硬質カバー１０
はステンレス薄板等により形成されるが、本発明の実施
の形態において採用された硬質カバー１０の変形、すな
わち、図２に示すように、表裏面全面、あるいは裏面全
面に高熱伝導層２を形成したり、高熱伝導２を酸化防止
膜２’、絶縁膜３で覆う構成はそのまま採用可能であ
る。

【００５３】図１２に本発明の第２の参考例を示す。こ
の参考例において、硬質カバー１０の上面にはメッシュ
状の接触防護体６が固定される。接触防護体６は、ＡＢ
Ｓ樹脂等の合成樹脂材を成型した碁盤目のメッシュ体で
あり、各網目のグリッドからは接触突起６１が突設さ
れ、該接触突起６１の先端を硬質カバー１０の外表面７
に接着することにより、硬質カバー１０上に固定され
る。接着は、接触防護体６に接触する部位以外が接着剤
層により覆われることなく、放熱面として外方に完全に
露出した状態とするために、接触突起６１側に接着剤を
供給して行うのが望ましい。

【００５４】接触防護体６の網目の大きさＬ、および硬
質カバー１０からの突出高さＨは、上述したように、指
で接触防護体６を押し付けた際に、指が硬質カバー１０
に触れない程度とされるが、接触防護体６の材料として
ゴムのような軟質材を使用する場合には、指での押しつ
けによる接触防護体６の変形を考慮して、硬質材料で形
成するよりも突出高さＨを高くしたり、あるいは網目Ｌ
を細かくする必要がある。

【００５５】なお、図示の例は、実装基板１１上に両面
実装される半導体素子のうち、上部に実装される半導体
素子の中に発熱素子１２が含まれており、ケース１の上
半分の温度上昇が高い場合を想定した参考例を示すもの
であるが、上下の硬質カバー１０がともに温度上昇する
場合には、接触防護体６は表裏の硬質カバー１０、１０
に装着される。

【００５６】また、接触防護体６の形成部位も、硬質カ
バー１０の全面に形成する以外に、硬質カバー１０の一
部にのみ形成することも可能であり、この場合、カード
型回路モジュールを装置本体から引き抜く際に指により
挟む領域、例えば、図１４に示すように、カード型回路
モジュールの引き抜き側の半分の領域に形成するのが望
ましい。

【００５７】さらに、図示しないが、図４に示すよう
に、ヒートシンク５を硬質カバー１０から露出させるよ
うな場合には、該ヒートシンク５の上面を接触防護体６
で覆うことも可能であり、以下に示す変形はヒートシン
ク５上面への形成に全て適用可能である。

【００５８】なお、接触突起６１による接着のみでは接
着強度が弱い場合には、接触突起６１を取り去り、接触
防護体６全体を硬質カバー１０上に接着することももち
ろん可能である。

【００５９】図１５に接触防護体６の変形例を示す。図
１５（ａ）に示す接触防護体６は所定高さを有して直線
状に形成されており、硬質カバー１０上に並設される。
また、図１５（ｂ）、（ｃ）に示す変形例において、接
触防護体６は先端に球面を備えたコーン形状に形成さ
れ、硬質カバー１０上に散点状に配置される。接触防護
体６の間隔Ｌ、および高さＨ等は、上述したように、指
で押さえた際に指が硬質カバー１０に触れないように設
定される。

【００６０】これら接触防護体６が一体化されない場合
には、各々の接触防護体６を個別に硬質カバー１０上に
接着するのは手間がかかるために、接触防護体６は硬質
カバー１０上に直接形成するのが望ましく、この場合、
硬質カバー１０の上に型をおいて樹脂を流し込む方法、
ディスペンダで所定の形状に模様を形成する方法が採用
可能である。

【００６１】図１６に接触防護体６の装着方法の変形を
示す。この変形例において、接触防護体６は最外周にフ
レーム部６０を有する網状体として形成され、フレーム
部６０には係止フック６２が形成され、網状体の各グリ
ッドには接触突起６１が突設されている。

【００６２】一方、硬質カバー１０の側壁部には、上記
係止フックが弾発的に係止可能な凹部が形成されてお
り、接触防護体６をカード型回路モジュールに被せるだ
けで接触防護体６の装着が完了するようにされる。

【００６３】なお、図１２ないし図１６に示した参考例
においては、ケース１内の構造、特に、発熱素子１２と
硬質カバー１０との熱的な接続の構造は示されていない
が、この部位に、図１、図２で示した構造を適用するこ
とはもちろん可能であり、さらに、ケース内に絶縁性の
ある伝熱体を充填する等、他の伝熱構造を採用すること
も可能である。

【００６４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、カード型回路モジュールの冷却効果を飛躍的
に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面図である。

【図２】図１の要部断面図で、（ａ）は発熱素子との接
触状態を示す図、（ｂ）は絶縁膜を設けた硬質カバーを
示す図、（ｃ）は表裏両面に高熱伝導層を形成した硬質
カバーを示す図である。

【図３】伝熱体の変形例を示す断面図である。

【図４】参考例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面図、（ｃ）は（ａ）のＣ-Ｃ線断面図である。

【図５】硬質カバーを示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は側面図である。

【図６】図４の変形例を示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図７】図４の他の変形例を示す図で、（ａ）は裏面
図、（ｂ）は側面図である。

【図８】硬質カバーを示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図９】ヒートシンクを示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は拡大側面図、（ｃ）は（ｂ）のＣ-Ｃ線断面図
である。

【図１０】図７の変形例を示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は側面図である。

【図１１】ヒートシンクを示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は側面図である。

【図１２】本発明の第２の参考例を示す図で、（ａ）は
平面図、（ｂ）は側面図である。

【図１３】接触防護体の作用を示す図である。

【図１４】図１２の変形例を示す図である。

【図１５】図１２の他の変形例を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）はさらに他の変形例を示す平面図、（ｃ）
は（ｂ）の拡大側面図である。

【図１６】図１2のさらに他の変形例を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ｂ）の要
部拡大図である。

【図１７】従来例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）
は側面図である。

【符号の説明】

１ ケース １０ 硬質カバー １１ 実装基板 １２ 発熱素子 ２ 高熱伝導層 ２’ 酸化防止膜 ３ 絶縁膜 ４ 伝熱体 ６ 接触防護体 ６０ フレーム部 ６１ 接触突起 ７ 外表面

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−74699（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−182397（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−55459（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−7175（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06K 19/07 - 19/077

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】硬質カバーを備えたケース内に実装基板を
   収納してなるカード型回路モジュールであって、 前記硬質カバーの裏面全面には、実装基板上の発熱素子
   による発熱を硬質カバー全体に拡散する高熱伝導層が形
   成され、前記高熱伝導層は、銅、あるいはアルミニウムからなる
   箔を該硬質カバーの裏面全面に接着して形成され、 かつ、前記発熱素子と高熱伝導層の間には、柔軟な伝熱
   体が介装されるカード型回路モジュール。
2. 【請求項２】硬質カバーを備えたケース内に実装基板を
   収納してなるカード型回路モジュールであって、 前記硬質カバーの裏面全面には、実装基板上の発熱素子
   による発熱を硬質カバー全体に拡散する高熱伝導層が形
   成され、前記高熱伝導層は、銅、あるいはアルミニウム薄膜層を
   該硬質カバーの裏面全面に成膜して形成され、 かつ、前記発熱素子と高熱伝導層の間には、柔軟な伝熱
   体が介装されるカード型回路モジュール。
3. 【請求項３】前記高熱伝導層は、絶縁膜により覆われる
   請求項１または２記載のカード型回路モジュール。