JP3287119B2 - シリカ系絶縁膜形成用塗布液 - Google Patents
シリカ系絶縁膜形成用塗布液Info
- Publication number
- JP3287119B2 JP3287119B2 JP16155994A JP16155994A JP3287119B2 JP 3287119 B2 JP3287119 B2 JP 3287119B2 JP 16155994 A JP16155994 A JP 16155994A JP 16155994 A JP16155994 A JP 16155994A JP 3287119 B2 JP3287119 B2 JP 3287119B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- coating solution
- conductivity
- forming
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板，金属板，
ガラス板，セラミックス板などの基板上にシリカ系絶縁
膜を形成するための塗布液に関する。更に詳しくは、本
発明は、多層配線を形成する際、微細パターンの形成さ
れた下層配線の段差を平坦化することができるシリカ系
絶縁膜形成用塗布液に関する。
ガラス板，セラミックス板などの基板上にシリカ系絶縁
膜を形成するための塗布液に関する。更に詳しくは、本
発明は、多層配線を形成する際、微細パターンの形成さ
れた下層配線の段差を平坦化することができるシリカ系
絶縁膜形成用塗布液に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの高集積化に伴ない、多
層配線技術に関する要求がますます高度なものとなって
きた。すなわち、パターン間の溝は狭くなり、かつ素子
表面の凹凸は大きくなっており、多層配線を行う場合
に、下部配線（及び絶縁膜など）で形成された素子表面
凹凸が大きいと上部配線パターンの正確な形成か妨げら
れる。このため素子表面の凹凸をなくす平担化処理が必
須となってきた。このような観点から、近年平担性の優
れた塗布膜法が見直されてきている。
層配線技術に関する要求がますます高度なものとなって
きた。すなわち、パターン間の溝は狭くなり、かつ素子
表面の凹凸は大きくなっており、多層配線を行う場合
に、下部配線（及び絶縁膜など）で形成された素子表面
凹凸が大きいと上部配線パターンの正確な形成か妨げら
れる。このため素子表面の凹凸をなくす平担化処理が必
須となってきた。このような観点から、近年平担性の優
れた塗布膜法が見直されてきている。
【０００３】塗布膜として現在迄に提案されているもの
は多い。有機系で代表的なものはポリイミドやポリイミ
ドシリコーンなどであるが、これらは平担性，耐クラッ
ク性には優れているものの、耐熱性，ポリシリコン，Ａ
ｌ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 などの基材（以下「サブスト
レート」ということもある。）との密着性に劣ってお
り、また長期間における劣化の問題がある。特に、４５
０℃以上の温度で一部分解が起るのが大きな欠点であ
る。
は多い。有機系で代表的なものはポリイミドやポリイミ
ドシリコーンなどであるが、これらは平担性，耐クラッ
ク性には優れているものの、耐熱性，ポリシリコン，Ａ
ｌ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 などの基材（以下「サブスト
レート」ということもある。）との密着性に劣ってお
り、また長期間における劣化の問題がある。特に、４５
０℃以上の温度で一部分解が起るのが大きな欠点であ
る。
【０００４】これに対して、テトラエトキシシランの縮
重合物であるシリカグラス系の塗布膜は、耐熱性、サブ
ストレートとの密着性に優れているが、耐クラック性に
劣り、ある程度の素子表面凹凸の緩和には効果があるも
のの、近年の高集積度の超ＬＳＩのような狭いパターン
巾や高アスペクト比の溝を上部配線パターン形成に支障
がない程度に平担化することはできない。
重合物であるシリカグラス系の塗布膜は、耐熱性、サブ
ストレートとの密着性に優れているが、耐クラック性に
劣り、ある程度の素子表面凹凸の緩和には効果があるも
のの、近年の高集積度の超ＬＳＩのような狭いパターン
巾や高アスペクト比の溝を上部配線パターン形成に支障
がない程度に平担化することはできない。
【０００５】一方、ポリラダーオルガノシロキサンやポ
リラダーオルガノシロキサンとシリカグラスなどとの複
合物の提案もあるが、サブストレートとの密着性や耐ク
ラック性、膜の均一性に劣り、実用的ではない（特開昭
５７−８３５６３号公報、特開昭５７−１３１２５０号
公報、特開昭５６−１２９２６１号公報参照。）。
リラダーオルガノシロキサンとシリカグラスなどとの複
合物の提案もあるが、サブストレートとの密着性や耐ク
ラック性、膜の均一性に劣り、実用的ではない（特開昭
５７−８３５６３号公報、特開昭５７−１３１２５０号
公報、特開昭５６−１２９２６１号公報参照。）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】かかる現状において、
本発明者が解決すべき課題は、パターンの形状によら
ず、下層配線の段差を平担化できる絶縁膜を形成できる
ポリシロキサン系塗布液を提供することにある。
本発明者が解決すべき課題は、パターンの形状によら
ず、下層配線の段差を平担化できる絶縁膜を形成できる
ポリシロキサン系塗布液を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】塗布膜法の基本は、膜を
形成するベースポリマーを有機溶剤に溶解させ、浸漬又
はスピンコート法などにより基材に塗布し、加熱により
有機溶剤の除去と熱縮重合を行い、ガラス質又は巨大高
分子の膜を形成させることからなる。
形成するベースポリマーを有機溶剤に溶解させ、浸漬又
はスピンコート法などにより基材に塗布し、加熱により
有機溶剤の除去と熱縮重合を行い、ガラス質又は巨大高
分子の膜を形成させることからなる。
【０００８】本発明者らは、各種有機シリコン化合物の
縮合反応により得られるプレポリマーと有機溶媒とから
なるシリカ系絶縁被膜形成用塗布液に関して鋭意検討の
結果、特定の有機シリコン化合物を用いたプレポリマー
である分子量範囲のものと有機溶媒からなる塗布液で、
かつ該塗布液の導電率を調整することにより、凹凸の大
きな素子表面に塗布した場合、平担性、耐クラック性が
優れ、かつ保存安定性の良好な塗布液となることを見い
出し、本発明に至った。
縮合反応により得られるプレポリマーと有機溶媒とから
なるシリカ系絶縁被膜形成用塗布液に関して鋭意検討の
結果、特定の有機シリコン化合物を用いたプレポリマー
である分子量範囲のものと有機溶媒からなる塗布液で、
かつ該塗布液の導電率を調整することにより、凹凸の大
きな素子表面に塗布した場合、平担性、耐クラック性が
優れ、かつ保存安定性の良好な塗布液となることを見い
出し、本発明に至った。
【０００９】すなわち、本発明は、一般式 Ｒ1 4-n Ｓ
ｉ（ＯＲ2 ）n （式中、Ｒ1 及びＲ2 は、独立に、炭
素数１〜６個を有するアルキル基又は炭素数６〜１０個
を有するアリール基を表し、ｎは２〜４の整数を表
す。）で表わされる有機シリコン化合物の中から選ばれ
た少なくとも２種（ただし、Ｓｉ（ＯＲ2 ）4 及びＲ1
2Ｓｉ（ＯＲ2 ）2 のみから選ばれた二種以上を除
く。）を加水分解縮合して得られるシロキサン系プレポ
リマーと有機溶媒とから成るシリカ系絶縁膜形成用塗布
液において、該プレポリマーの重量平均分子量が１００
０〜４０００以下であり、かつ該塗布液の導電率が０．
１〜１００μｓ／ｃｍであることを特徴とするシリカ系
絶縁膜形成用塗布液に係るものである。
ｉ（ＯＲ2 ）n （式中、Ｒ1 及びＲ2 は、独立に、炭
素数１〜６個を有するアルキル基又は炭素数６〜１０個
を有するアリール基を表し、ｎは２〜４の整数を表
す。）で表わされる有機シリコン化合物の中から選ばれ
た少なくとも２種（ただし、Ｓｉ（ＯＲ2 ）4 及びＲ1
2Ｓｉ（ＯＲ2 ）2 のみから選ばれた二種以上を除
く。）を加水分解縮合して得られるシロキサン系プレポ
リマーと有機溶媒とから成るシリカ系絶縁膜形成用塗布
液において、該プレポリマーの重量平均分子量が１００
０〜４０００以下であり、かつ該塗布液の導電率が０．
１〜１００μｓ／ｃｍであることを特徴とするシリカ系
絶縁膜形成用塗布液に係るものである。
【００１０】本発明に用いられる有機シリコン化合物と
しては、一般式 Ｒ1 4-n Ｓｉ（ＯＲ2 ）n （式中、
Ｒ1 及びＲ2 は、独立に、炭素数１〜６個を有するアル
キル基又は炭素数６〜１０個を有するアリール基を表
し、ｎは２〜４の整数を表す。）で表されるものが用い
られる。
しては、一般式 Ｒ1 4-n Ｓｉ（ＯＲ2 ）n （式中、
Ｒ1 及びＲ2 は、独立に、炭素数１〜６個を有するアル
キル基又は炭素数６〜１０個を有するアリール基を表
し、ｎは２〜４の整数を表す。）で表されるものが用い
られる。
【００１１】このうちｎ＝４、すなわち４官能性の有機
シリコン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラ
ン，テトラエトキシシラン，テトライソプロポキシシラ
ン，テトラフェノキシシランなどがあげられる。特にテ
トラメトキシシラン，テトラエトキシシランが好適に使
用される。
シリコン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラ
ン，テトラエトキシシラン，テトライソプロポキシシラ
ン，テトラフェノキシシランなどがあげられる。特にテ
トラメトキシシラン，テトラエトキシシランが好適に使
用される。
【００１２】次にｎ＝３、すなわち３官能性の有機シリ
コン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポ
キシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリ
メトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルト
リイソプロポキシシラン、エチルトリフェノキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニ
ルトリフェノキシシランなどがあげられる。好ましくは
メチルトリメトキシシラン、メチルトリフェノキシシラ
ン、メチルトリエトキシシランである。
コン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポ
キシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリ
メトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルト
リイソプロポキシシラン、エチルトリフェノキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニ
ルトリフェノキシシランなどがあげられる。好ましくは
メチルトリメトキシシラン、メチルトリフェノキシシラ
ン、メチルトリエトキシシランである。
【００１３】次にｎ＝２、すなわち２官能性の有機シリ
コン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラ
ン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポ
キシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジ
メトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル
ジイソプロポキシシラン、ジエチルジフェノキシシラ
ン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピル
ジエトキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシ
ラン、ジイソプロピルジフェノキシシラン、ジフェニル
ジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフ
ェニルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジフェノキ
シシランなどがあげられる。特にジメチルジメトキシシ
ラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキ
シシランが好適に用いられる。
コン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラ
ン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポ
キシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジ
メトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル
ジイソプロポキシシラン、ジエチルジフェノキシシラ
ン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピル
ジエトキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシ
ラン、ジイソプロピルジフェノキシシラン、ジフェニル
ジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフ
ェニルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジフェノキ
シシランなどがあげられる。特にジメチルジメトキシシ
ラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキ
シシランが好適に用いられる。
【００１４】これらの有機シリコン化合物は少なくとも
２種以上（ただし、Ｓｉ（ＯＲ2 ） 4 及びＲ1 2 Ｓｉ
（ＯＲ2 ）2 のみから選ばれた二種以上を除く。）を加
水分解縮合させる。Ｓｉ（ＯＲ2 ）4 のみから選ばれた
２種以上からなるプレポリマーで塗布液を作成すると、
素子表面上に塗布したのち加熱して形成される絶縁膜
は、先に述べたテトラエトキシシランの縮重合物と同様
のシリカグラス膜となり、耐クラック性に劣るため、高
集積度の超ＬＳＩでの平担化には用いることができな
い。
２種以上（ただし、Ｓｉ（ＯＲ2 ） 4 及びＲ1 2 Ｓｉ
（ＯＲ2 ）2 のみから選ばれた二種以上を除く。）を加
水分解縮合させる。Ｓｉ（ＯＲ2 ）4 のみから選ばれた
２種以上からなるプレポリマーで塗布液を作成すると、
素子表面上に塗布したのち加熱して形成される絶縁膜
は、先に述べたテトラエトキシシランの縮重合物と同様
のシリカグラス膜となり、耐クラック性に劣るため、高
集積度の超ＬＳＩでの平担化には用いることができな
い。
【００１５】一方、３官能性や２官能性の有機シリコン
化合物を含めることで最終的な絶縁膜中にアルキル基や
アリール基が残存し、加熱時や冷却時に膜内に発生する
応力が緩和され、耐クラック性に優れた塗布液となるも
のと思われる。ただし、２官能性の有機シリコン化合物
のみでは化合物により液状であったり、基板との密着性
に劣るなど問題があり、２官能性の有機シリコン化合物
を用いるときは、４官能性及び／又は３官能性の有機シ
リコン化合物と組合せて用いる。
化合物を含めることで最終的な絶縁膜中にアルキル基や
アリール基が残存し、加熱時や冷却時に膜内に発生する
応力が緩和され、耐クラック性に優れた塗布液となるも
のと思われる。ただし、２官能性の有機シリコン化合物
のみでは化合物により液状であったり、基板との密着性
に劣るなど問題があり、２官能性の有機シリコン化合物
を用いるときは、４官能性及び／又は３官能性の有機シ
リコン化合物と組合せて用いる。
【００１６】使用する用途に応じ、絶縁膜としての膜質
や基板となる材質との密着性などを考慮して有機シリコ
ン化合物を選択すればよい。
や基板となる材質との密着性などを考慮して有機シリコ
ン化合物を選択すればよい。
【００１７】特に超ＬＳＩ用として用いる場合には、
（ａ）４官能性有機シリコン化合物、（ｂ）３官能性有
機シリコン化合物、（ｃ）２官能性有機シリコン化合物
をモル分率で（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝０．０５〜０．
８：０．０３〜０．８：０〜０．７がシリコン基板、シ
リコン酸化膜及び配線材料などとの密着性や形成された
絶縁膜の膜質から好ましく、（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝
０．１〜０．６：０．１〜０．５：０．０５〜０．５が
より好ましい。
（ａ）４官能性有機シリコン化合物、（ｂ）３官能性有
機シリコン化合物、（ｃ）２官能性有機シリコン化合物
をモル分率で（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝０．０５〜０．
８：０．０３〜０．８：０〜０．７がシリコン基板、シ
リコン酸化膜及び配線材料などとの密着性や形成された
絶縁膜の膜質から好ましく、（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝
０．１〜０．６：０．１〜０．５：０．０５〜０．５が
より好ましい。
【００１８】上記有機シリコン化合物を加水分解縮合せ
しめて得られるシロキサン系プレポリマーの重量平均分
子量は（ＧＰＣ法、ポリスチレン換算）微細なパターン
への埋め込み性に優れ、素子表面の凹凸の平担化を行う
には、１０００〜４０００が好適であり、好ましくは２
０００〜３０００である。
しめて得られるシロキサン系プレポリマーの重量平均分
子量は（ＧＰＣ法、ポリスチレン換算）微細なパターン
への埋め込み性に優れ、素子表面の凹凸の平担化を行う
には、１０００〜４０００が好適であり、好ましくは２
０００〜３０００である。
【００１９】次に本発明の低分子量シロキサン系プレポ
リマーを得る製造法について記述する。
リマーを得る製造法について記述する。
【００２０】アルコキシシランの加水分解重縮合反応
は、一般的には酸触媒又はアルカリ触媒の存在下で行わ
れる。勿論、無触媒下でも実施された例はみられる。い
づれの方法でも低分子量のプレポリマーを得ることはで
きる。短時間で収率よく本発明のプレポリマーを得るに
は、塩酸、硝酸、酢酸などの酸触媒が望ましい。
は、一般的には酸触媒又はアルカリ触媒の存在下で行わ
れる。勿論、無触媒下でも実施された例はみられる。い
づれの方法でも低分子量のプレポリマーを得ることはで
きる。短時間で収率よく本発明のプレポリマーを得るに
は、塩酸、硝酸、酢酸などの酸触媒が望ましい。
【００２１】反応温度は１５０℃以下で、好ましくは０
℃〜５０℃である。
℃〜５０℃である。
【００２２】反応方法は、前記有機シリコン化合物から
選ばれた少なくとも２種（４官能性及び２官能性のもの
のみから選ばれた２種以上を除く。）を混合し、水を滴
下して共重縮合させる方法が一般的である。溶剤は特に
必要としないが、溶剤としてメタノール、エタノール、
イソプロパノールなどのアルコール類、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、ベン
ゼン、トルエンなどの芳香族類を用いることができる。
これらは、そのまま塗布液の溶剤の一部になる。
選ばれた少なくとも２種（４官能性及び２官能性のもの
のみから選ばれた２種以上を除く。）を混合し、水を滴
下して共重縮合させる方法が一般的である。溶剤は特に
必要としないが、溶剤としてメタノール、エタノール、
イソプロパノールなどのアルコール類、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、ベン
ゼン、トルエンなどの芳香族類を用いることができる。
これらは、そのまま塗布液の溶剤の一部になる。
【００２３】触媒は先に投入してもよく、水と一緒に滴
下してもよい。
下してもよい。
【００２４】水の量は理論量（アルコキシ基又はアリー
ルオキシ基２ケに対し、水１モル）の０．８〜１．５倍
量が好ましく、多すぎるとゲル化により一部有機溶剤不
溶物を形成するし、又、少なすぎると未縮合基としての
アルコキシ基又はアリールオキシ基が多く残り好ましく
ない。
ルオキシ基２ケに対し、水１モル）の０．８〜１．５倍
量が好ましく、多すぎるとゲル化により一部有機溶剤不
溶物を形成するし、又、少なすぎると未縮合基としての
アルコキシ基又はアリールオキシ基が多く残り好ましく
ない。
【００２５】かかる重合は回分式でも連続式でもよい。
【００２６】本発明の好適な分子量を安定的に得る方法
は、分子量の変化をＧＰＣで追跡しながら目的の分子量
より少し低めで反応を中断する。反応を中断する方法
は、溶剤で稀釈すると共に触媒を除去する。溶剤による
稀釈は単に反応速度を遅くする目的であり、温度を０℃
以下にすることによっても目的は達せられる。
は、分子量の変化をＧＰＣで追跡しながら目的の分子量
より少し低めで反応を中断する。反応を中断する方法
は、溶剤で稀釈すると共に触媒を除去する。溶剤による
稀釈は単に反応速度を遅くする目的であり、温度を０℃
以下にすることによっても目的は達せられる。
【００２７】触媒の除去方法は、中和反応、吸着除去、
イオン交換処理など種々の方法がとられるが、半導体用
途に使用する場合には純度を厳しく求められることか
ら、イオン交換樹脂による除去が望ましい。
イオン交換処理など種々の方法がとられるが、半導体用
途に使用する場合には純度を厳しく求められることか
ら、イオン交換樹脂による除去が望ましい。
【００２８】特にＮａやＫ、Ａｌといった混入してきた
不純物金属も同時に除去するためにアニオン交換樹脂と
カチオン交換樹脂との混床でイオン交換処理するのが好
ましい。
不純物金属も同時に除去するためにアニオン交換樹脂と
カチオン交換樹脂との混床でイオン交換処理するのが好
ましい。
【００２９】次に、絶縁膜形成用塗布液について説明す
る。
る。
【００３０】上記シロキサン系プレポリマーはメタノー
ル、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系
溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトンなどのケトン系溶剤、ブチルセルソルブ
などのエチレングリコールのモノアルキルエーテル系溶
剤、１−メトキシ−２−プロパノールなどのプロピレン
グリコールのモノアルキルエーテル系溶剤、ベンゼン、
トルエンなどの芳香族系溶剤などの有機溶剤に所望する
膜厚が得られるように溶解して使用される。
ル、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系
溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトンなどのケトン系溶剤、ブチルセルソルブ
などのエチレングリコールのモノアルキルエーテル系溶
剤、１−メトキシ−２−プロパノールなどのプロピレン
グリコールのモノアルキルエーテル系溶剤、ベンゼン、
トルエンなどの芳香族系溶剤などの有機溶剤に所望する
膜厚が得られるように溶解して使用される。
【００３１】かかるシロキサン系プレポリマーと有機溶
剤の混合物において、該シロキサン系ポリマーの濃度は
使用状況に応じ適宜決定されるが、一般的には４重量％
以上であり、１０以上、２０以下が好適に用いられる。
２０重量％以上になると塗布した膜にストリエーション
が発生しやすい。
剤の混合物において、該シロキサン系ポリマーの濃度は
使用状況に応じ適宜決定されるが、一般的には４重量％
以上であり、１０以上、２０以下が好適に用いられる。
２０重量％以上になると塗布した膜にストリエーション
が発生しやすい。
【００３２】次に、上記絶縁膜形成用塗布液の経時安定
性について述べる。上記の方法で作成された塗布液はそ
のままでは、冷却保存していても数日〜１ケ月のうちに
塗布液の性質が変化し、作成当時は超ＬＳＩの素子表面
の凹凸を平坦化し、微細パターン埋込みが優れていたも
のも、保存したのちに測定すると平担性や埋込性が劣っ
てくることが判明した。種々の検討の結果、経時安定性
は塗布液の導電率と関係があることがわかった。
性について述べる。上記の方法で作成された塗布液はそ
のままでは、冷却保存していても数日〜１ケ月のうちに
塗布液の性質が変化し、作成当時は超ＬＳＩの素子表面
の凹凸を平坦化し、微細パターン埋込みが優れていたも
のも、保存したのちに測定すると平担性や埋込性が劣っ
てくることが判明した。種々の検討の結果、経時安定性
は塗布液の導電率と関係があることがわかった。
【００３３】すなわち、塗布液の導電率が０．１〜１０
０μｓ／ｃｍの範囲では数ケ月保存後でも充分な平担性
及び埋込性をもったものであったが、導電率が０．１μ
ｓ／ｃｍ以下及び１００μｓ／ｃｍ以上では保存後の塗
布液は優れた平担性及び埋込性を示さなかった。すなわ
ち、塗布液の導電率は０．１〜１００μｓ／ｃｍに管理
することが必要であり、０．２〜３０μｓ／ｃｍがより
好ましい。
０μｓ／ｃｍの範囲では数ケ月保存後でも充分な平担性
及び埋込性をもったものであったが、導電率が０．１μ
ｓ／ｃｍ以下及び１００μｓ／ｃｍ以上では保存後の塗
布液は優れた平担性及び埋込性を示さなかった。すなわ
ち、塗布液の導電率は０．１〜１００μｓ／ｃｍに管理
することが必要であり、０．２〜３０μｓ／ｃｍがより
好ましい。
【００３４】塗布液の導電率を管理する方法としては、
反応に用いる酸触媒の量を反応前に塗布液の導電率が
０．１〜１００μｓ／ｃｍとなるように制御する方法が
ある。又、別の方法としては触媒を除去後、塗布液に溶
解する酸や塩を添加する方法がある。添加方法としては
酸や塩を塗布液の有機溶媒成分に溶解し、塗布液の導電
率を測定しながら添加すれば制御がしやすく好ましい。
反応に用いる酸触媒の量を反応前に塗布液の導電率が
０．１〜１００μｓ／ｃｍとなるように制御する方法が
ある。又、別の方法としては触媒を除去後、塗布液に溶
解する酸や塩を添加する方法がある。添加方法としては
酸や塩を塗布液の有機溶媒成分に溶解し、塗布液の導電
率を測定しながら添加すれば制御がしやすく好ましい。
【００３５】導電率を調整するために添加する酸や塩と
しては、塗布液に用いられる有機溶媒又は、反応で生成
するアルコール類に溶解し、溶解した状態で部分的でも
よいが解離し、塗布液の導電率を０．１〜１００μｓ／
ｃｍに保てるものであればよい。そのようなものとして
塩酸や塩化物類、酢酸や酢酸塩類、硝酸や硝酸塩類、リ
ン酸や一部のリン酸塩類、塩素酸や塩素酸塩類、過塩素
酸や過塩素酸塩類、臭化水素酸や臭化物類、ヨウ化水素
酸やヨウ化物類、一部の炭酸水素塩類などをあげること
ができる。
しては、塗布液に用いられる有機溶媒又は、反応で生成
するアルコール類に溶解し、溶解した状態で部分的でも
よいが解離し、塗布液の導電率を０．１〜１００μｓ／
ｃｍに保てるものであればよい。そのようなものとして
塩酸や塩化物類、酢酸や酢酸塩類、硝酸や硝酸塩類、リ
ン酸や一部のリン酸塩類、塩素酸や塩素酸塩類、過塩素
酸や過塩素酸塩類、臭化水素酸や臭化物類、ヨウ化水素
酸やヨウ化物類、一部の炭酸水素塩類などをあげること
ができる。
【００３６】特に、本発明の塗布液を超ＬＳＩ用途に用
いる場合には、ハロゲン類や金属類の低減を求められる
ことがあるので、それらを含まない酸、又は塩を添加す
るのが好ましい。そのようなものとして酢酸、酢酸アン
モニウム、酢酸テトラメチルアンモニウム、酢酸テトラ
エチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウ
ム、硝酸及び硝酸アンモニウムをあげることができる。
いる場合には、ハロゲン類や金属類の低減を求められる
ことがあるので、それらを含まない酸、又は塩を添加す
るのが好ましい。そのようなものとして酢酸、酢酸アン
モニウム、酢酸テトラメチルアンモニウム、酢酸テトラ
エチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウ
ム、硝酸及び硝酸アンモニウムをあげることができる。
【００３７】最後に絶縁膜の形成方法について説明す
る。
る。
【００３８】絶縁膜形成は、先ず上記絶縁膜形成塗布液
を一般に使用されるスピンコート法又は浸漬法により塗
布し、次いで風乾又は低温加熱により溶剤を充分除去し
た後、４００℃以上の温度に加熱して、未反応のアルコ
キシ基を分解させ、この部分でシロキサン結合を形成さ
せることにより行われる。
を一般に使用されるスピンコート法又は浸漬法により塗
布し、次いで風乾又は低温加熱により溶剤を充分除去し
た後、４００℃以上の温度に加熱して、未反応のアルコ
キシ基を分解させ、この部分でシロキサン結合を形成さ
せることにより行われる。
【００３９】この膜形成に於て、熱処理は熱処理温度に
も依存するが１０分間以上、好ましくは３０分間以上行
われる。
も依存するが１０分間以上、好ましくは３０分間以上行
われる。
【００４０】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明す
る。物性値の測定は次の如く行った。
る。物性値の測定は次の如く行った。
【００４１】（１）重量平均分子量の測定 ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法
により測定した値を、昭和電工（株）のＳｈｏｄｅｘ
Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｓ シリーズのＳＬ−１０５を用い
たポリスチレン（標準球）換算値で表した。ＧＰＣ法の
測定は、装置として日本分光社のＴＲＩＲＯＴＡＲ−II
I を使用し、カラムとして昭和電工（株）のＳｈｏｄｅ
ｘ Ａ−８０Ｍ（８φ×５００ｍｍ）及び／又はＫＦ−
８０２（８φ×３００ｍｍ）を接続し、検出器としてＲ
Ｉ、溶離液として酢酸エチルを使用した。また流量は１
ｍｌ／分とした。
により測定した値を、昭和電工（株）のＳｈｏｄｅｘ
Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｓ シリーズのＳＬ−１０５を用い
たポリスチレン（標準球）換算値で表した。ＧＰＣ法の
測定は、装置として日本分光社のＴＲＩＲＯＴＡＲ−II
I を使用し、カラムとして昭和電工（株）のＳｈｏｄｅ
ｘ Ａ−８０Ｍ（８φ×５００ｍｍ）及び／又はＫＦ−
８０２（８φ×３００ｍｍ）を接続し、検出器としてＲ
Ｉ、溶離液として酢酸エチルを使用した。また流量は１
ｍｌ／分とした。
【００４２】（２）導電率の測定 京都電子社の導電率計（ＣＭ−１１７型）を用いて測定
した。
した。
【００４３】（３）膜厚の測定法 ナノメトリック社のナノスペック２１０を用いて非接触
で測定した。屈折率はエリプソメトリー法で求め、その
値を用いた。
で測定した。屈折率はエリプソメトリー法で求め、その
値を用いた。
【００４４】（４）スピンコート法 ミカサ社のミカサスピンナー１Ｈ−３６０型で、塗布液
を数ｍｌシリコン上に滴下して、５００〜３５００ｒｐ
ｍで１５秒間回転塗布して塗布膜を形成した。
を数ｍｌシリコン上に滴下して、５００〜３５００ｒｐ
ｍで１５秒間回転塗布して塗布膜を形成した。
【００４５】（５）平担化度の測定法 段差が約１μｍで、ライン及びスペース巾が０．６〜
２．０μｍである熱酸化膜のパターン付 ４インチシリ
コンウェハー上にスピンコート法で塗布膜を形成したの
ち、Ｎ2 雰囲気の焼成炉で、４５０℃、３０分間の熱処
理をした。ウェハーを割断し、パターンの断面を走査電
子顕微鏡（明石製作所製ＳＩＧＭＡ−１型）を用い、倍
率１０、０００倍で観察した。そのうち０．８μｍのラ
イン及びスペース部におけるラインの厚みＡμｍと、ラ
インの厚みとその上部に形成された絶縁膜の厚みの合計
Ｂμｍ及びスペース部の絶縁膜の厚みＣμｍを測定し、
式〔平担化度＝１−｛（Ｂ−Ｃ）／Ａ｝〕により平担化
度を算出した。
２．０μｍである熱酸化膜のパターン付 ４インチシリ
コンウェハー上にスピンコート法で塗布膜を形成したの
ち、Ｎ2 雰囲気の焼成炉で、４５０℃、３０分間の熱処
理をした。ウェハーを割断し、パターンの断面を走査電
子顕微鏡（明石製作所製ＳＩＧＭＡ−１型）を用い、倍
率１０、０００倍で観察した。そのうち０．８μｍのラ
イン及びスペース部におけるラインの厚みＡμｍと、ラ
インの厚みとその上部に形成された絶縁膜の厚みの合計
Ｂμｍ及びスペース部の絶縁膜の厚みＣμｍを測定し、
式〔平担化度＝１−｛（Ｂ−Ｃ）／Ａ｝〕により平担化
度を算出した。
【００４６】実施例１ ジメチルジメトキシシラン７２ｇ、メチルトリメトキシ
シラン１６３ｇ、テトラメトキシシラン１８２ｇを攪拌
機付１ｌフラスコに入れ、０．１Ｎ−ＨＣｌ水溶液７ｇ
と水８１ｇの混合液を２５℃で３０分間かけてゆっくり
滴下した。更に、イオン交換樹脂デュオライトＣ２０と
Ａ１０１Ｄを混合したカラムに通して、触媒を除去し
た。得られたシロキサン系プレポリマーの重量平均分子
量は２５００であった。次いで、イソプロパノール８０
０ｇを加え、絶縁膜形成用塗布液とした。次いで、０．
５Ｎ酢酸／エタノール溶液を添加し、導電率を５μｓ／
ｃｍに調整した。この塗布液を４インチシリコンベアウ
ェハー上にスピンコート法で条件を変化させて塗布し、
４５０℃、Ｎ2 雰囲気下での熱処理を行ったところ焼成
後の膜厚が１μｍを超えるものでもクラックの発生は認
められなかった。次に、パターン付シリコンウェハーを
用い、平担化度を測定したところ、平担化度は０．９０
であった。更に、本塗布液を２ケ月間、冷蔵庫（約５
℃）に保存したものの平担化度は０．９０であり、安定
性にも優れていることが判った。
シラン１６３ｇ、テトラメトキシシラン１８２ｇを攪拌
機付１ｌフラスコに入れ、０．１Ｎ−ＨＣｌ水溶液７ｇ
と水８１ｇの混合液を２５℃で３０分間かけてゆっくり
滴下した。更に、イオン交換樹脂デュオライトＣ２０と
Ａ１０１Ｄを混合したカラムに通して、触媒を除去し
た。得られたシロキサン系プレポリマーの重量平均分子
量は２５００であった。次いで、イソプロパノール８０
０ｇを加え、絶縁膜形成用塗布液とした。次いで、０．
５Ｎ酢酸／エタノール溶液を添加し、導電率を５μｓ／
ｃｍに調整した。この塗布液を４インチシリコンベアウ
ェハー上にスピンコート法で条件を変化させて塗布し、
４５０℃、Ｎ2 雰囲気下での熱処理を行ったところ焼成
後の膜厚が１μｍを超えるものでもクラックの発生は認
められなかった。次に、パターン付シリコンウェハーを
用い、平担化度を測定したところ、平担化度は０．９０
であった。更に、本塗布液を２ケ月間、冷蔵庫（約５
℃）に保存したものの平担化度は０．９０であり、安定
性にも優れていることが判った。
【００４７】比較例１ 実施例１と同様にして、絶縁膜形成用塗布液を作成した
が、導電率の調整は行わなかった。塗布液の導電率は
０．０１μｓ／ｃｍであった。平担化度は当初０．９０
であったものが、１ケ月間、冷蔵庫（約５℃）に保存後
は０．６５に低下し、安定性に問題があった。
が、導電率の調整は行わなかった。塗布液の導電率は
０．０１μｓ／ｃｍであった。平担化度は当初０．９０
であったものが、１ケ月間、冷蔵庫（約５℃）に保存後
は０．６５に低下し、安定性に問題があった。
【００４８】比較例２ 実施例１と同様にして、絶縁膜形成用塗布液を作成し、
導電率を２００μｓ／ｃｍとした。平担化度は当初０．
９０であったが、１ケ月間、冷蔵庫（約５℃）に保存後
は０．７０に低下した。
導電率を２００μｓ／ｃｍとした。平担化度は当初０．
９０であったが、１ケ月間、冷蔵庫（約５℃）に保存後
は０．７０に低下した。
【００４９】比較例３ 実施例１と同じ組成のモノマーを仕込み、０．１Ｎ−Ｈ
Ｃｌ水溶液７ｇと水８１ｇの混合液を４０℃で３０分間
かけてゆっくり滴下し、更に、４０℃で４時間攪拌を続
けた。次いで、イオン交換樹脂デュオライトＣ２０とＡ
１０１Ｄを混合したカラムに通して触媒を除去し、重量
平均分子量１０、０００のシロキサン系プレポリマーを
得た。更に、イソプロパノール８００ｇを加え、絶縁膜
形成用塗布液とし、平担化度を測定したところ０．６０
と低い値となった。
Ｃｌ水溶液７ｇと水８１ｇの混合液を４０℃で３０分間
かけてゆっくり滴下し、更に、４０℃で４時間攪拌を続
けた。次いで、イオン交換樹脂デュオライトＣ２０とＡ
１０１Ｄを混合したカラムに通して触媒を除去し、重量
平均分子量１０、０００のシロキサン系プレポリマーを
得た。更に、イソプロパノール８００ｇを加え、絶縁膜
形成用塗布液とし、平担化度を測定したところ０．６０
と低い値となった。
【００５０】実施例２〜８及び比較例４〜５ 有機シリコン化合物、反応条件、有機溶媒、導電率及び
導電率調整用の添加物（エタノール溶液として使用）を
種々変化させて、絶縁膜形成用塗布液を作成し、プレポ
リマーの重量平均分子量、塗布液の導電率及びパターン
付ウェハーでの平担化度の測定結果を表３及び表４に示
す。
導電率調整用の添加物（エタノール溶液として使用）を
種々変化させて、絶縁膜形成用塗布液を作成し、プレポ
リマーの重量平均分子量、塗布液の導電率及びパターン
付ウェハーでの平担化度の測定結果を表３及び表４に示
す。
【００５１】
【表１】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実 施 例 1 2 3 4 5 6 7 有機シリコン化合物 ２官能性 種類 *1 MDM MDE MDM MDM MDE MDM EDE 量 g 72 89 54 90 89 36 79 モル比 0.20 0.20 0.15 0.25 0.20 0.10 0.15 ３官能性 種類 *2 MTM MTE MTM MTM MTE ETE PTM 量 g 163 187 143 102 187 230 297 モル比 0.40 0.35 0.35 0.25 0.35 0.40 0.50 ４官能性 種類 *3 TM TE TE TE TM TM TM 量 g 182 281 312 312 205 228 160 モル比 0.40 0.45 0.50 0.50 0.45 0.50 0.35 有機溶媒 種類 *4 IPA EAC EAL EAL EAC IPA BAC 量 g 800 800 800 800 800 800 800 重量平均分子量 2500 2000 1500 3500 3000 4000 2500 添加物 種類 *5 ACA AAC TAC ANI ACA NIA ACA 導電率 μs/cm 5 3 2 1 10 0.8 20 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００５２】
【表２】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例 比 較 例 8 1 2 3 4 5 有機シリコン化合物 ２官能性 種類 *1 EDE MDM MDM MDM MDE MDE 量 g 158 72 72 72 89 89 モル比 0.30 0.20 0.20 0.20 0.20 0.20 ３官能性 種類 *2 ETE MTM MTM MTM MTE MTE 量 g 202 163 163 163 187 187 モル比 0.35 0.40 0.40 0.40 0.35 0.35 ４官能性 種類 *3 TE TM TM TM TE TE 量 g 281 182 182 182 281 281 モル比 0.35 0.40 0.40 0.40 0.45 0.45 有機溶媒 種類 *4 EAL IPA IPA IPA EAC EAC 量 g 800 800 800 800 800 800 重量平均分子量 2000 2500 2500 10000 2000 7000 添加物 種類 *5 TCH - ACA ACA AAC AAC 導電率 μs/cm 1 0.01 200 5 300 3 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００５３】
【表３】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実 施 例 1 2 3 4 5 6 7 評価 平坦化度 作製直後 0.90 0.90 0.90 0.85 0.85 0.80 0.85 １ケ月後 0.90 0.90 0.90 0.85 0.85 0.80 0.85 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００５４】
【表４】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例 比 較 例 8 1 2 3 4 5 評価 平坦化度 作製直後 0.90 0.90 0.90 0.60 0.90 0.65 １ケ月後 0.90 0.65 0.70 0.60 0.65 0.65 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００５５】 ＊１ ２官能性有機シリコン化合物の種類 ＭＤＭ：ジメチルジメトキシラン ＭＤＥ：ジエチルジメトキシラン ＥＤＥ：ジエチルジエトキシラン
【００５６】 ＊２ ３官能性有機シリコン化合物の種類 ＭＴＭ：メチルトリメトキシシラン ＭＴＥ：メチルトリエトキシシラン ＥＴＥ：エチルトリエトキシシラン ＰＴＭ：フェニルトリメトキシシラン
【００５７】 ＊３ ４官能性有機シリコン化合物の種類 ＴＭ：テトラメトキシシラン ＴＥ：テトラエトキシシラン
【００５８】 ＊４ 有機溶媒の種類 ＩＰＡ：イソプロパノール ＥＡＣ：酢酸エチル ＥＡＬ：エタノール ＢＡＣ：酢酸ブチル
【００５９】 ＊５ 添加物の種類 ＡＡＣ：酢酸アンモニウム ＴＡＣ：酢酸テトラメチルアンモニウム ＡＮＩ：硝酸アンモニウム ＡＣＡ：酢酸 ＮＩＡ：硝酸 ＴＣＨ：炭酸水素テトラメチルアンモニウム
【００６０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明により、狭い
パターンでも平坦化度が良好で、経時安定性に優れたシ
リカ系絶縁膜形成用塗布液を提供することができた。
パターンでも平坦化度が良好で、経時安定性に優れたシ
リカ系絶縁膜形成用塗布液を提供することができた。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09D 183/02 C09D 183/04 H01B 3/46
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式Ｒ1 4--n Ｓｉ（ＯＲ2 ）n （式
中、Ｒ1 及びＲ2は、独立に、炭素数１〜６個を有する
アルキル基又は炭素数６〜１０個を有するアリール基を
表し、ｎは２〜４の整数を表す。）で表わされる有機シ
リコン化合物の中から選ばれた少なくとも２種（ただ
し、Ｓｉ（ＯＲ2 ）4 及びＲ1 2 Ｓｉ（ＯＲ2 ）2 のみ
から選ばれた二種以上を除く。）を加水分解縮合して得
られるシロキサン系プレポリマーと有機溶媒とから成る
シリカ系絶縁膜形成用塗布液において、該プレポリマー
の重量平均分子量が２０００〜４０００であり、かつ該
塗布液の導電率が０．１〜１００μｓ／ｃｍであること
を特徴とするシリカ系絶縁膜形成用塗布液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16155994A JP3287119B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | シリカ系絶縁膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16155994A JP3287119B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | シリカ系絶縁膜形成用塗布液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0827420A JPH0827420A (ja) | 1996-01-30 |
| JP3287119B2 true JP3287119B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=15737415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16155994A Expired - Lifetime JP3287119B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | シリカ系絶縁膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3287119B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163778B2 (en) | 2003-03-24 | 2007-01-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Anti-reflection film material and a substrate having an anti-reflection film and a method for forming a pattern |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003064307A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜、シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品 |
| JP4972834B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2012-07-11 | 日立化成工業株式会社 | シロキサン樹脂 |
| US7303785B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective film material, and antireflective film and pattern formation method using the same |
| US7202013B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-04-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective film material, and antireflective film and pattern formation method using the same |
| JP4611701B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-01-12 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP16155994A patent/JP3287119B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163778B2 (en) | 2003-03-24 | 2007-01-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Anti-reflection film material and a substrate having an anti-reflection film and a method for forming a pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0827420A (ja) | 1996-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5152834A (en) | Spin-on glass composition | |
| US5472488A (en) | Coating solution for forming glassy layers | |
| KR950008002B1 (ko) | 반도체용 절연막의 형성방법 | |
| WO2005068540A1 (ja) | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 | |
| KR20020095103A (ko) | 실리카막의 형성 방법, 실리카막, 절연막 및 반도체 장치 | |
| JP3287119B2 (ja) | シリカ系絶縁膜形成用塗布液 | |
| JP2002020689A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
| EP1535976B1 (en) | Composition for film formation, method for preparing the composition, and method for forming insulating film | |
| JP4530113B2 (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
| JP4972834B2 (ja) | シロキサン樹脂 | |
| JP3317697B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法、シリカ系被膜形成用塗布液，シリカ系被膜の製造方法，シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された半導体デバイス | |
| KR20020094098A (ko) | 유기실리케이트 중합체의 제조방법, 및 이를 이용한절연막의 제조방법 | |
| JP2003041191A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
| JPH03221577A (ja) | 絶縁膜形成用塗布液 | |
| JP4079383B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液 | |
| KR100826208B1 (ko) | 유기실록산 중합체의 제조방법, 및 이를 이용한 절연막의제조방법 | |
| WO2007111270A1 (ja) | シリカ系被膜形成用組成物およびシリカ系被膜 | |
| JP2004285266A (ja) | 多孔質絶縁膜用組成物、その製造方法、多孔質絶縁膜およびその製造方法 | |
| JPH06181201A (ja) | 半導体装置の絶縁膜およびその絶縁膜形成用塗布液 | |
| US7320828B2 (en) | Composition for forming insulating film and process for producing insulating film | |
| US7091287B2 (en) | Nanopore forming material for forming insulating film for semiconductors and low dielectric insulating film comprising the same | |
| JP3520930B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜および半導体素子 | |
| JP2008285667A (ja) | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜及び電子部品 | |
| JPS6358867B2 (ja) | ||
| JP2001294811A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 Year of fee payment: 7 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120315 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130315 Year of fee payment: 11 |