JP3285913B2 - 回路試験装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路試験の分野に関し、
より詳細には、部品の存在、はんだ接合箇所の存在ある
いはボンドワイヤの存在や状態を確認するための、製造
されたプリント回路アセンブリーの品質管理試験に関す
る。
より詳細には、部品の存在、はんだ接合箇所の存在ある
いはボンドワイヤの存在や状態を確認するための、製造
されたプリント回路アセンブリーの品質管理試験に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板の使用と複雑さが増す
につれて、製造後に適正な動作を確実にするためにこの
ようなパッケージを試験する必要性もまた増してきた。
基本的にこの形態の品質管理のために２種類のプリント
回路基板試験技術が開発された。すなわち、機能試験技
術といわゆるインサーキット試験技術である。
につれて、製造後に適正な動作を確実にするためにこの
ようなパッケージを試験する必要性もまた増してきた。
基本的にこの形態の品質管理のために２種類のプリント
回路基板試験技術が開発された。すなわち、機能試験技
術といわゆるインサーキット試験技術である。
【０００３】機能試験技術においては周知のデジタルパ
ターンが回路入力に印加され、回路出力と期待される出
力との比較が行われる。実際の出力と予想される出力の
差は回路動作の表示を提供する。残念ながらこの技術は
回路の動作全体を知りたいときにのみ有用である。全体
的な回路の動作とは別にプリント回路基板に組み付けら
れた個々の回路素子あるいは素子群を試験することが必
要である場合が非常に多い。
ターンが回路入力に印加され、回路出力と期待される出
力との比較が行われる。実際の出力と予想される出力の
差は回路動作の表示を提供する。残念ながらこの技術は
回路の動作全体を知りたいときにのみ有用である。全体
的な回路の動作とは別にプリント回路基板に組み付けら
れた個々の回路素子あるいは素子群を試験することが必
要である場合が非常に多い。
【０００４】インサーキット試験技術においては、試験
は回路の他の部分から絶縁された回路素子について行わ
れる。インサーキット試験技術は一般にあらかじめ選択
されたデジタルパターンの個々の回路素子への印加、い
わゆる被試験装置（ＤＵＴ）、およびＤＵＴのレスポン
スと期待されるレスポンスとの比較からなる。試験され
る回路素子は通常プリント回路基板上の他の回路素子に
接続されているため、“上流の”回路素子あるいは論理
装置から加えられるデジタルパターンあるいは信号を過
励振する必要がある場合がある。上流の論理装置は出力
が通常ＤＵＴの入力を励振する装置である。過励振信号
は回路中の選択された場所に重畳される信号である。
は回路の他の部分から絶縁された回路素子について行わ
れる。インサーキット試験技術は一般にあらかじめ選択
されたデジタルパターンの個々の回路素子への印加、い
わゆる被試験装置（ＤＵＴ）、およびＤＵＴのレスポン
スと期待されるレスポンスとの比較からなる。試験され
る回路素子は通常プリント回路基板上の他の回路素子に
接続されているため、“上流の”回路素子あるいは論理
装置から加えられるデジタルパターンあるいは信号を過
励振する必要がある場合がある。上流の論理装置は出力
が通常ＤＵＴの入力を励振する装置である。過励振信号
は回路中の選択された場所に重畳される信号である。
【０００５】単一のプリント回路基板に取り付けられた
いくつかの個別の回路素子に多重の同時インサーキット
試験を行うために、米国特許４，５８８，９４５号に開
示するもののような試験装置が開発された。このような
装置においてはあらかじめ取り付けられた回路素子を有
するプリント回路基板がいわゆる触針台に取り付けられ
る。それぞれの触針はＤＵＴのリード線にあらかじめ選
択された信号を提供する、あるいはＤＵＴのリード線か
ら出力信号を受け取る個々のプローブとして働く。前記
の特許に説明するように、コントローラモジュールがさ
まざまなドライバーモジュールを介して多数のＤＵＴリ
ード線に多数のあらかじめ発生した信号パターンを加え
る。ＤＵＴのレスポンスがセンサーモジュールを介して
受け取られ、期待されるレスポンスと比較される。米国
特許４，５８８，９４５号ではインサーキット試験中に
このようなＤＵＴや上流の装置へのダメージを防止する
方法と装置を開示している。
いくつかの個別の回路素子に多重の同時インサーキット
試験を行うために、米国特許４，５８８，９４５号に開
示するもののような試験装置が開発された。このような
装置においてはあらかじめ取り付けられた回路素子を有
するプリント回路基板がいわゆる触針台に取り付けられ
る。それぞれの触針はＤＵＴのリード線にあらかじめ選
択された信号を提供する、あるいはＤＵＴのリード線か
ら出力信号を受け取る個々のプローブとして働く。前記
の特許に説明するように、コントローラモジュールがさ
まざまなドライバーモジュールを介して多数のＤＵＴリ
ード線に多数のあらかじめ発生した信号パターンを加え
る。ＤＵＴのレスポンスがセンサーモジュールを介して
受け取られ、期待されるレスポンスと比較される。米国
特許４，５８８，９４５号ではインサーキット試験中に
このようなＤＵＴや上流の装置へのダメージを防止する
方法と装置を開示している。
【０００６】残念ながら、インサーキット試験技術は実
施するには非常に高価なものである。部品の存在といっ
た基本的な回路情報を判定するのにこのような高度な技
術は必要を認められない。プリント回路基板上の短絡や
断線、部品の欠如、場合によっては接続ピンの曲がり等
を判定するための、より簡単で安価な技術が提案されて
いる。米国特許４，７７９，０４１号でＷｉｌｌｉａｍ
ｓｏｎ，Ｊｒ．がこのようなシステムを開示している。
この特許では電流パルスが試験される半導体装置の１つ
の入力に与えられる。電流パルスの印加によって入力と
接地リード線の間に存在するダイオード接合の順方向バ
イアスが起こる。この装置の別のリード線に試験電流が
印加され、こん装置の固有抵抗に電圧降下が発生する。
試験電流の印加によって第１の電流パルスが与えられた
入力の電圧が低下する。この電圧の低下が検出されると
それは装置の存在を示すだけでなく、この装置の入出力
端子、さらに接地端子が適正に接続されていることをも
示す。
施するには非常に高価なものである。部品の存在といっ
た基本的な回路情報を判定するのにこのような高度な技
術は必要を認められない。プリント回路基板上の短絡や
断線、部品の欠如、場合によっては接続ピンの曲がり等
を判定するための、より簡単で安価な技術が提案されて
いる。米国特許４，７７９，０４１号でＷｉｌｌｉａｍ
ｓｏｎ，Ｊｒ．がこのようなシステムを開示している。
この特許では電流パルスが試験される半導体装置の１つ
の入力に与えられる。電流パルスの印加によって入力と
接地リード線の間に存在するダイオード接合の順方向バ
イアスが起こる。この装置の別のリード線に試験電流が
印加され、こん装置の固有抵抗に電圧降下が発生する。
試験電流の印加によって第１の電流パルスが与えられた
入力の電圧が低下する。この電圧の低下が検出されると
それは装置の存在を示すだけでなく、この装置の入出力
端子、さらに接地端子が適正に接続されていることをも
示す。
【０００７】このような純粋に電気的な技術を伴う問題
として、試験される装置を含む回路基板上の並列電気パ
スの電位の問題がある。このような並列パスは隣接する
パスに誘導電流を発生することがあり、この誘導電流は
信号干渉を起こして試験される状態についての誤った表
示を引き起こすことがある。このような並列パスの問題
を防止する、被試験装置に関する基本情報を判定する簡
単なシステムが必要とされている。
として、試験される装置を含む回路基板上の並列電気パ
スの電位の問題がある。このような並列パスは隣接する
パスに誘導電流を発生することがあり、この誘導電流は
信号干渉を起こして試験される状態についての誤った表
示を引き起こすことがある。このような並列パスの問題
を防止する、被試験装置に関する基本情報を判定する簡
単なシステムが必要とされている。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、半導体装置などの被試験装置
を試験する場合において、基本的な情報を判定すること
のできる試験システムを提供することを目的とする。
を試験する場合において、基本的な情報を判定すること
のできる試験システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の概要】本発明の利点はダイオードが形成された
半導体装置を解析するための方法と装置において達成さ
れる。広義には本発明は半導体装置を電磁放射線で照射
し、一方で半導体装置に含まれるダイオードからの漏れ
電流出力をモニターするものである。半導体装置が存在
し、プリント回路基板に適正にはんだ付けされている場
合、この照射の過程において漏れ電流の増大が見られ
る。漏れ電流の増大はまた試験されているピンと接地ピ
ンの両方に損傷のないボンドワイヤが存在することを表
すものである。本発明は、その好適な形態においてはダ
イオードを逆方向にバイアスするための、ダイオードに
電気的に接続された電圧源、ダイオードからの漏れ電流
をモニターするために接続された電流モニター、および
半導体装置に入射する電磁放射線を提供するように配置
された電磁放射線発生器を含む。電磁放射線はＸ線等の
電離放射線であることが好適である。しかし、けい光
源、白熱光源、レーザー源、あるいは放射性線源といっ
た他の形態の電磁放射線を用いることもできる。別の実
施例では半導体装置はまず電磁放射線にさらされ、その
後ダイオードが逆方向にバイアスされる。
半導体装置を解析するための方法と装置において達成さ
れる。広義には本発明は半導体装置を電磁放射線で照射
し、一方で半導体装置に含まれるダイオードからの漏れ
電流出力をモニターするものである。半導体装置が存在
し、プリント回路基板に適正にはんだ付けされている場
合、この照射の過程において漏れ電流の増大が見られ
る。漏れ電流の増大はまた試験されているピンと接地ピ
ンの両方に損傷のないボンドワイヤが存在することを表
すものである。本発明は、その好適な形態においてはダ
イオードを逆方向にバイアスするための、ダイオードに
電気的に接続された電圧源、ダイオードからの漏れ電流
をモニターするために接続された電流モニター、および
半導体装置に入射する電磁放射線を提供するように配置
された電磁放射線発生器を含む。電磁放射線はＸ線等の
電離放射線であることが好適である。しかし、けい光
源、白熱光源、レーザー源、あるいは放射性線源といっ
た他の形態の電磁放射線を用いることもできる。別の実
施例では半導体装置はまず電磁放射線にさらされ、その
後ダイオードが逆方向にバイアスされる。
【００１０】
【実施例】図１には、たとえば製造過程において半導体
装置を解析するための新規の装置を示し、その全体を１
０とする。半導体装置１２はプリント回路基板１４にあ
らかじめ取りつけられている。分析される装置はダイオ
ード１６を含む。ダイオード１６は通常、集積回路型装
置の基板と入力（保護ダイオード）あるいは出力（寄生
ダイオード）の間に形成される保護ダイオードである。
装置を解析するための新規の装置を示し、その全体を１
０とする。半導体装置１２はプリント回路基板１４にあ
らかじめ取りつけられている。分析される装置はダイオ
ード１６を含む。ダイオード１６は通常、集積回路型装
置の基板と入力（保護ダイオード）あるいは出力（寄生
ダイオード）の間に形成される保護ダイオードである。
【００１１】装置１２はテスター１８によって解析され
ている。テスター１８は機能テスターあるいはインサー
キットテスターの一部を形成することができ、あるいは
本発明にしたがって構成された独立したテスターとする
こともできる。テスター１８はスイッチ２２を介してダ
イオード１６に電気的に接続されたバッテリーあるいは
電圧源２０を含む。電流は電圧源２０とダイオード１６
の間の電気的接続において適当な方法あるいは装置でモ
ニターされる。この実施例では電流は電流検知抵抗器２
４を用いてモニターされる。抵抗器２４を流れる電流は
抵抗器２４の電圧を電圧計２５を用いて測定することに
よって検出される。測定された電圧はこの発明にしたが
って電流をモニターするコントローラ２６に与えられ
る。コントローラ２６はスイッチ２２の動作を制御し、
それによってダイオード１６に印加される電圧を制御す
る。この実施例では電圧がダイオード１６に印加される
とき、このダイオードは逆方向にバイアスされる。
ている。テスター１８は機能テスターあるいはインサー
キットテスターの一部を形成することができ、あるいは
本発明にしたがって構成された独立したテスターとする
こともできる。テスター１８はスイッチ２２を介してダ
イオード１６に電気的に接続されたバッテリーあるいは
電圧源２０を含む。電流は電圧源２０とダイオード１６
の間の電気的接続において適当な方法あるいは装置でモ
ニターされる。この実施例では電流は電流検知抵抗器２
４を用いてモニターされる。抵抗器２４を流れる電流は
抵抗器２４の電圧を電圧計２５を用いて測定することに
よって検出される。測定された電圧はこの発明にしたが
って電流をモニターするコントローラ２６に与えられ
る。コントローラ２６はスイッチ２２の動作を制御し、
それによってダイオード１６に印加される電圧を制御す
る。この実施例では電圧がダイオード１６に印加される
とき、このダイオードは逆方向にバイアスされる。
【００１２】コントローラ２６はまた電磁放射線発生器
３０を制御する。この実施例では発生器３０は試験され
る半導体装置１２に入射し、他の装置には入射しない電
磁放射線を提供するように配置されている。電磁放射線
源を平行調整することによって照射されるＤＵＴを分離
することができる。
３０を制御する。この実施例では発生器３０は試験され
る半導体装置１２に入射し、他の装置には入射しない電
磁放射線を提供するように配置されている。電磁放射線
源を平行調整することによって照射されるＤＵＴを分離
することができる。
【００１３】アナライザ１０はプリント回路基板にあら
かじめ取り付けられた半導体装置について、部品の存在
とリード線が適正に接続されているかどうかを検出する
のに用いられる。このような検出あるいは解析はダイオ
ード１６に逆バイアスを印加し、装置１２を電磁放射線
で照射しつつ漏れ電流をモニターすることによって達成
される。部品が存在する場合、あるいは電気的接続が適
正になされている場合電磁放射線の発生と同時に漏れ電
流が増大する。本発明の一実施例において、装置１２に
加えられた電磁放射線はＸ線等の電離放射線である。特
に好適な一実施例において、加えられたＸ線は１０から
２０キロ電子ボルトの範囲の強さを有するが、それより
高いエネルギーのＸ線を用いることもできる。本発明の
また別の実施例では、電磁放射線はけい光源や白熱光源
からのもののように可視の赤外線、あるいは紫外線光か
らなる。このような光源が用いられる場合には装置１２
は透明なケーシングを有していなければならず、半導体
装置において通常みられる不透明なケーシングを持つも
のであってはならないことに注意を要する。
かじめ取り付けられた半導体装置について、部品の存在
とリード線が適正に接続されているかどうかを検出する
のに用いられる。このような検出あるいは解析はダイオ
ード１６に逆バイアスを印加し、装置１２を電磁放射線
で照射しつつ漏れ電流をモニターすることによって達成
される。部品が存在する場合、あるいは電気的接続が適
正になされている場合電磁放射線の発生と同時に漏れ電
流が増大する。本発明の一実施例において、装置１２に
加えられた電磁放射線はＸ線等の電離放射線である。特
に好適な一実施例において、加えられたＸ線は１０から
２０キロ電子ボルトの範囲の強さを有するが、それより
高いエネルギーのＸ線を用いることもできる。本発明の
また別の実施例では、電磁放射線はけい光源や白熱光源
からのもののように可視の赤外線、あるいは紫外線光か
らなる。このような光源が用いられる場合には装置１２
は透明なケーシングを有していなければならず、半導体
装置において通常みられる不透明なケーシングを持つも
のであってはならないことに注意を要する。
【００１４】図１に示す装置の動作を考察する前に、こ
こで使用するものに適当な波長のＸ線および必要な光源
の強さについて述べておくことが有益であるかも知れな
い。まず使用すべき適当な波長のＸ線について考える。
次に掲げる表１、表２および表３は吸収される光子の部
分に関する波長とエネルギー、入射する光子あたりの吸
収されるエネルギー、および１ÅのＸ線の場合と比較し
た吸収エネルギーを示すものである。これらの表は、半
導体装置に用いられるシリコンウェハの厚さは通常２５
０μｍであり、この集積回路パッケージの上半分の厚さ
は０．０５インチ（１，２７０μｍ）であるという仮定
に基づいて作成された。パッケージ材料の組成とＸ線吸
収特性には非常にばらつきが多い。しかし、このような
吸収特性は炭素とアルミニウムの値の間にあることが多
い。すなわちパッケージのケーシングによる吸収は炭素
より多く、アルミニウムより少ない。ここでエネルギー
の妥当な部分がパッケージのケーシングを通過し、シリ
コンダイ中で吸収されるようなエネルギーの選定が目的
であることに注意することが重要である。表１、表２お
よび表３から、１０から２０ｋｅＶのＸ線はともにシリ
コンによって強く吸収され、炭素をかなりよく通過する
ことがわかるであろう。２０ｋｅＶではＸ線の約４０％
が１，２７０μｍのアルミニウムを通過する。。Ｘ線の
エネルギーが高いほどよくアルミニウムを通過するが、
このようなＸ線はシリコンダイにはごくわずかしか吸収
されない。表１、表２および表３に示した値は次の吸収
式から導かれた。Ｘ線ビームの減衰は次のように与えら
れる。
こで使用するものに適当な波長のＸ線および必要な光源
の強さについて述べておくことが有益であるかも知れな
い。まず使用すべき適当な波長のＸ線について考える。
次に掲げる表１、表２および表３は吸収される光子の部
分に関する波長とエネルギー、入射する光子あたりの吸
収されるエネルギー、および１ÅのＸ線の場合と比較し
た吸収エネルギーを示すものである。これらの表は、半
導体装置に用いられるシリコンウェハの厚さは通常２５
０μｍであり、この集積回路パッケージの上半分の厚さ
は０．０５インチ（１，２７０μｍ）であるという仮定
に基づいて作成された。パッケージ材料の組成とＸ線吸
収特性には非常にばらつきが多い。しかし、このような
吸収特性は炭素とアルミニウムの値の間にあることが多
い。すなわちパッケージのケーシングによる吸収は炭素
より多く、アルミニウムより少ない。ここでエネルギー
の妥当な部分がパッケージのケーシングを通過し、シリ
コンダイ中で吸収されるようなエネルギーの選定が目的
であることに注意することが重要である。表１、表２お
よび表３から、１０から２０ｋｅＶのＸ線はともにシリ
コンによって強く吸収され、炭素をかなりよく通過する
ことがわかるであろう。２０ｋｅＶではＸ線の約４０％
が１，２７０μｍのアルミニウムを通過する。。Ｘ線の
エネルギーが高いほどよくアルミニウムを通過するが、
このようなＸ線はシリコンダイにはごくわずかしか吸収
されない。表１、表２および表３に示した値は次の吸収
式から導かれた。Ｘ線ビームの減衰は次のように与えら
れる。
【００１５】
【数１】
【００１６】ここでＣO ＝２．２５ｍ-1であり、ＢO は
最も明るい素子と１Å以下の波長を除いては無視するこ
とができる。σA とσL はそれぞれ“原子吸収係数”お
よび“吸収係数と呼ばれる。
最も明るい素子と１Å以下の波長を除いては無視するこ
とができる。σA とσL はそれぞれ“原子吸収係数”お
よび“吸収係数と呼ばれる。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【表３】
【００２０】次に、すべての少数キャリアが捕獲に利用
可能である、すなわち再結合が起こらないものと仮定し
て、逆バイアスダイオード、すなわちダイオード１６中
に５００ｎＡの漏れ電流を発生するのに要するＸ線束に
ついて考察する。シリコンダイの寸法が１，２７０μｍ
（長さ）×１，２７０μｍ（幅）×２５０μｍ（厚さ）
であり、さらにこのようなシリコンダイがそのＸ線吸収
が厚さ１，２７０μｍのグラファイト層のＸ線吸収に等
しいケーシングによって覆われていると仮定する。表１
と表２から、上記の仮定に基づいて１０ｋｅＶのＸ線に
ついては約０．４３３のＸ線ビームエネルギーが半導体
のダイの上に蓄積されることがわかる。５００ｎＡの電
流は１秒あたり約３．１２×１０12の少数キャリアに相
当する。量子効率が１である場合、シリコンダイによっ
て吸収された１０ｋｅＶのそれぞれの光子は１０ｋｅＶ
／３．８４ｅＶあるいは２．６３×１０3 の正孔対を発
生する。その結果、パッケージの表面には毎秒２．７４
×１０9 の入射光子が必要となる。このレベルの入射光
子はパッケージ表面上の１．７０×１０15／平方メート
ルの光子束に対応する。１０ｋｅＶにおいて１平方メー
トルあたり１０12の光子は約８０ｍＲの線量に対応す
る。したがって、１０ｋｅＶで１３６Ｒ／ｓ以上を供給
することのできるＸ線源は本発明の目的に対して十分で
ある。この大きさの線量率は通常の広帯域の産業用Ｘ線
源のアノードの近くで容易に得ることができる。次に説
明する測定においてはカリフォルニア州パロアルトのＨ
ｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄの製造販売するＦＡＸＩ
ＴＲＯＮ ８０５Ｘ線源が用いられた。
可能である、すなわち再結合が起こらないものと仮定し
て、逆バイアスダイオード、すなわちダイオード１６中
に５００ｎＡの漏れ電流を発生するのに要するＸ線束に
ついて考察する。シリコンダイの寸法が１，２７０μｍ
（長さ）×１，２７０μｍ（幅）×２５０μｍ（厚さ）
であり、さらにこのようなシリコンダイがそのＸ線吸収
が厚さ１，２７０μｍのグラファイト層のＸ線吸収に等
しいケーシングによって覆われていると仮定する。表１
と表２から、上記の仮定に基づいて１０ｋｅＶのＸ線に
ついては約０．４３３のＸ線ビームエネルギーが半導体
のダイの上に蓄積されることがわかる。５００ｎＡの電
流は１秒あたり約３．１２×１０12の少数キャリアに相
当する。量子効率が１である場合、シリコンダイによっ
て吸収された１０ｋｅＶのそれぞれの光子は１０ｋｅＶ
／３．８４ｅＶあるいは２．６３×１０3 の正孔対を発
生する。その結果、パッケージの表面には毎秒２．７４
×１０9 の入射光子が必要となる。このレベルの入射光
子はパッケージ表面上の１．７０×１０15／平方メート
ルの光子束に対応する。１０ｋｅＶにおいて１平方メー
トルあたり１０12の光子は約８０ｍＲの線量に対応す
る。したがって、１０ｋｅＶで１３６Ｒ／ｓ以上を供給
することのできるＸ線源は本発明の目的に対して十分で
ある。この大きさの線量率は通常の広帯域の産業用Ｘ線
源のアノードの近くで容易に得ることができる。次に説
明する測定においてはカリフォルニア州パロアルトのＨ
ｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄの製造販売するＦＡＸＩ
ＴＲＯＮ ８０５Ｘ線源が用いられた。
【００２１】発生器３０にＦＡＸＩＴＲＯＮ ８０５
を、電圧源２０に２ボルト電源を、また抵抗器２４に１
０メガオームの抵抗器を用いて、２つの７４Ｓ００に半
導体装置と１つの７４ＬＳ００半導体に関して抵抗器２
４の電圧が読み取られた。アノード電位が増大するにつ
れて以下のような抵抗器２４の電圧の変化が見られた。
を、電圧源２０に２ボルト電源を、また抵抗器２４に１
０メガオームの抵抗器を用いて、２つの７４Ｓ００に半
導体装置と１つの７４ＬＳ００半導体に関して抵抗器２
４の電圧が読み取られた。アノード電位が増大するにつ
れて以下のような抵抗器２４の電圧の変化が見られた。
【００２２】
【表４】
【００２３】電源２０はシールド被覆されたツイストペ
ヤ配線を用いてダイオード１６に電気的に接続されてい
ることが好適である。商用アプリケーションでは光源は
より明るく、また作用距離は長くすることが好適ではあ
る。さらにシールド被覆ツイストペア配線が好適ではあ
るが、シールド被覆とインピーダンス制御の両方を提供
する同軸ケーブルのような他の送電線を用いることもで
きる。
ヤ配線を用いてダイオード１６に電気的に接続されてい
ることが好適である。商用アプリケーションでは光源は
より明るく、また作用距離は長くすることが好適ではあ
る。さらにシールド被覆ツイストペア配線が好適ではあ
るが、シールド被覆とインピーダンス制御の両方を提供
する同軸ケーブルのような他の送電線を用いることもで
きる。
【００２４】さらにダイオードに電圧を印加する前に半
導体装置を電磁放射線でポンピングすることによってよ
り高い漏れ電流が達成されることがわかった。２ボルト
の直流電圧を印加する前に装置１２を電磁放射線、すな
わちＸ線に３０秒から６０秒さらすことによって抵抗器
２４の電圧がより高くなることがわかった。このよう
な、まず半導体装置を電磁放射線にさらし、その後ダイ
オードを逆方向にバイアスする動作はコントローラ２６
を用いて行うことができる。コントローラ２６は始めに
発生器３０を起動し、その後スイッチ２２を起動して適
当な電圧をダイオード１６に印加する。
導体装置を電磁放射線でポンピングすることによってよ
り高い漏れ電流が達成されることがわかった。２ボルト
の直流電圧を印加する前に装置１２を電磁放射線、すな
わちＸ線に３０秒から６０秒さらすことによって抵抗器
２４の電圧がより高くなることがわかった。このよう
な、まず半導体装置を電磁放射線にさらし、その後ダイ
オードを逆方向にバイアスする動作はコントローラ２６
を用いて行うことができる。コントローラ２６は始めに
発生器３０を起動し、その後スイッチ２２を起動して適
当な電圧をダイオード１６に印加する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いるこ
とにより、簡単な構成で半導体装置等の被試験装置に関
する基本的事項を試験することができる。
とにより、簡単な構成で半導体装置等の被試験装置に関
する基本的事項を試験することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
１４：プリント回路基板 １８：テスター ２５：電圧計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎ ｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 バンス・アール・ハーウッド オランダ王国アムステルビーン・1183 ジーイー・デ・ボスポラス・47エー (56)参考文献 特開 昭56−137646（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】半導体装置がプリント回路基板に適正には
んだ付けされているかを判定する回路試験装置であっ
て、前記回路基板は、第１と第２の導体経路を備え、前
記半導体装置は第１と第２のリード線と、前記第１と第
２のリード線の間に形成されたダイオードを備え、前記
第１のリード線は前記第１の経路に接続され、前記第２
のリード線は前記第２の経路に接続され、前記回路試験
装置は、 前記第１及び第２の導体経路に電気的に接続され前記ダ
イオードを逆方向にバイアスする電圧源と、 前記ダイオードに流れる電流を検出する電流検出器と、 前記半導体装置に入射する電磁放射線を提供するように
配置された電磁放射発生器とを有し、前記電磁放射線の
提供中に前記電流検出器で検出された電流により前記半
導体装置が前記プリント回路基板に適正にはんだ付けさ
れているかを判定することを特徴とする回路試験装置。 - 【請求項２】前記電磁放射線が電離放射線を有すること
を特徴とする請求項１に記載の回路試験装置。 - 【請求項３】前記電離放射線がＸ線を含むことを特徴と
する請求項２に記載の回路試験装置。 - 【請求項４】前記電磁放射発生器が、１０ないし２０キ
ロ電子ボルトの範囲の強度のＸ線を提供することを特徴
とする請求項３に記載の回路試験装置。 - 【請求項５】前記電磁放射線が可視光を含むことを特徴
とする請求項４に記載の回路試験装置。 - 【請求項６】前記可視光がけい光源または白熱光源を備
えることを特徴とする請求項５に記載の回路試験装置。 - 【請求項７】前記電圧源は、シールド被覆されたツイス
トペア配線で、前記ダイオードに電気的に接続されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の回路試験装置。 - 【請求項８】前記電圧源が約２ボルトの電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の回路試験装置。 - 【請求項９】最初に前記半導体装置を前記電磁放射線に
さらし、その後、前記電圧源により前記ダイオードを逆
方向にバイアスするコントローラを有することを特徴と
する請求項１に記載の回路試験装置。
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Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP30980491A Expired - Fee Related JP3285913B2 (ja) | 1990-10-29 | 1991-10-29 | 回路試験装置 |
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| JP (1) | JP3285913B2 (ja) |
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| FR3073623B1 (fr) | 2017-11-16 | 2019-11-08 | Ateq | Installation et procede de detection et de localisation de fuite dans un circuit de transport d'un fluide, notamment d'un aeronef |
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| CN112924840B (zh) * | 2021-02-26 | 2023-09-12 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 发光二极管失效定位方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US4575676A (en) * | 1983-04-04 | 1986-03-11 | Advanced Research And Applications Corporation | Method and apparatus for radiation testing of electron devices |
| US4588945A (en) * | 1983-06-13 | 1986-05-13 | Hewlett-Packard Company | High throughput circuit tester and test technique avoiding overdriving damage |
| US4588950A (en) * | 1983-11-15 | 1986-05-13 | Data Probe Corporation | Test system for VLSI digital circuit and method of testing |
| US4588946A (en) * | 1983-12-30 | 1986-05-13 | At&T Bell Laboratories | Method for measuring current at a p-n junction |
| US4712063A (en) * | 1984-05-29 | 1987-12-08 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for measuring areas of photoelectric cells and photoelectric cell performance parameters |
| US4698587A (en) * | 1985-03-28 | 1987-10-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of characterizing critical timing paths and analyzing timing related failure modes in very large scale integrated circuits |
| US4644264A (en) * | 1985-03-29 | 1987-02-17 | International Business Machines Corporation | Photon assisted tunneling testing of passivated integrated circuits |
| JPS61267336A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の検査方法および検査装置 |
| US4779041A (en) * | 1987-05-20 | 1988-10-18 | Hewlett-Packard Company | Integrated circuit transfer test device system |
| US4870352A (en) * | 1988-07-05 | 1989-09-26 | Fibertek, Inc. | Contactless current probe based on electron tunneling |
-
1990
- 1990-10-29 US US07/605,289 patent/US5111137A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-07 DE DE69125571T patent/DE69125571T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-07 EP EP91309151A patent/EP0483983B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-29 JP JP30980491A patent/JP3285913B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0483983A2 (en) | 1992-05-06 |
| US5111137A (en) | 1992-05-05 |
| DE69125571T2 (de) | 1997-07-17 |
| EP0483983B1 (en) | 1997-04-09 |
| DE69125571D1 (de) | 1997-05-15 |
| JPH04288900A (ja) | 1992-10-13 |
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