JP3284318B2 - テロマー - Google Patents
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/40—Introducing phosphorus atoms or phosphorus-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F5/00—Softening water; Preventing scale; Adding scale preventatives or scale removers to water, e.g. adding sequestering agents
- C02F5/08—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents
- C02F5/10—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents using organic substances
- C02F5/14—Treatment of water with complexing chemicals or other solubilising agents for softening, scale prevention or scale removal, e.g. adding sequestering agents using organic substances containing phosphorus
-
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/38—Polymerisation using regulators, e.g. chain terminating agents, e.g. telomerisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
- C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
- C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
- C23F11/173—Macromolecular compounds
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、それ自身スケール防止
特性を有する新規なホスホン酸の（コ）テロマー、それ
らの製造、及び他のスケール防止および／または腐蝕防
止の（コ）テロマーのための中間体としての用途に関す
る。
特性を有する新規なホスホン酸の（コ）テロマー、それ
らの製造、及び他のスケール防止および／または腐蝕防
止の（コ）テロマーのための中間体としての用途に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】天然水の大部分、及び水性システムは一
般に、金属、例えば、カルシウム、マグネシウム、バリ
ウム及びストロンチウムの溶解された塩を含む。水また
は水性システムが加熱を受けるとき、溶解された塩は不
溶性塩に転化され、そして水または水性システムと接触
している伝熱表面上にスケールとして沈澱する。加熱し
ない場合であっても、水または水性システムが濃縮され
るときは、不溶性塩はまた沈澱する。
般に、金属、例えば、カルシウム、マグネシウム、バリ
ウム及びストロンチウムの溶解された塩を含む。水また
は水性システムが加熱を受けるとき、溶解された塩は不
溶性塩に転化され、そして水または水性システムと接触
している伝熱表面上にスケールとして沈澱する。加熱し
ない場合であっても、水または水性システムが濃縮され
るときは、不溶性塩はまた沈澱する。
【０００３】塩の沈澱およびスケールの沈澱はやっかい
なものであり、水性システムを良好な作業状態に維持す
るのに費用の増大を引き起こす。
なものであり、水性システムを良好な作業状態に維持す
るのに費用の増大を引き起こす。
【０００４】この分野では、非常に少量で水または水性
システムに添加することができ、不溶性塩が広い温度範
囲にわたって沈澱するように速度を低下させることがで
き、また、沈澱された不溶性塩を分散させることができ
る組成物を必要としている。さらに、いかなるスケール
が形成されても、該スケールは望ましくは、単なる機械
的手段により、表面から容易に除去可能であるべきであ
る。
システムに添加することができ、不溶性塩が広い温度範
囲にわたって沈澱するように速度を低下させることがで
き、また、沈澱された不溶性塩を分散させることができ
る組成物を必要としている。さらに、いかなるスケール
が形成されても、該スケールは望ましくは、単なる機械
的手段により、表面から容易に除去可能であるべきであ
る。
【０００５】幾つかの添加剤は、これらの目的のため、
水または水性システムに添加することが提案されてき
た。
水または水性システムに添加することが提案されてき
た。
【０００６】米国特許第４０４６７０７号において、次
式
式
【化８】 ｛式中、Ｒ11は水素原子、メチル基、またはエチル基を
表わし、Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし１８のアル
キル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、
アリール基、アルアルキル基、次式
表わし、Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし１８のアル
キル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、
アリール基、アルアルキル基、次式
【化９】 〔Ｒ11は前記の意味を表わす〕で表わされる残基を表わ
し、ｍ及びｎの合計は最大１００の整数をあらわすか、
またはＲはＯＸ〔Ｘは水素原子または炭素原子数１ない
し４のアルキル基を表わす〕を表わし、Ｒ1 はＯＸ〔Ｘ
は前記の意味を表わす〕で表わされる残基を表わす｝を
有するスケール防止（コ）テロマーおよびその塩が記載
されている。
し、ｍ及びｎの合計は最大１００の整数をあらわすか、
またはＲはＯＸ〔Ｘは水素原子または炭素原子数１ない
し４のアルキル基を表わす〕を表わし、Ｒ1 はＯＸ〔Ｘ
は前記の意味を表わす〕で表わされる残基を表わす｝を
有するスケール防止（コ）テロマーおよびその塩が記載
されている。
【０００７】欧州特許第１５０７０６号において、スケ
ール防止コテロマー化合物は、次式： ｛式中、Ｒa は−ＯＸ〔Ｘは水素原子、アルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属、アンモニウムまたはアミン残基
を表わす〕を表わし、Ｂは水素原子またはＡを表わし、
Ａは次式： 〔Ｒ11は水素原子、メチル基、またはエチル基を表わ
す〕で表わされる少なくとも１個の単位、及び次式： 〔Ｒb は水素原子、メチル基、またはＣＯ2 Ｒe （Ｒe
は水素原子または場合によりヒドロキシ基により置換さ
れた炭素原子数１ないし８のアルキル基を表わす）を表
わし、Ｒc は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキ
ル基、ヒドロキシメチル基、またはＣＯ2 Ｒf （Ｒf は
水素原子、次式： で表わされる残基、残基−〔ＣＨ2 −ＣＨ（Ｒg ）Ｏ〕
z Ｈ＜Ｒg は水素原子、メチル基、またはフェニル基を
表わし、ｚは１ないし２０の整数を表わす＞を表わす
か、またはＲf は場合によりヒドロキシ基またはＳＯ3
Ｍ＜Ｍは水素原子またはアルカリ金属原子またはアルカ
リ土類金属原子を表わす＞により置換された炭素原子数
１ないし８のアルキル基を表わし、Ｒd はＣＯ2 Ｒ
e （Ｒe は前記の意味を表わす）を表わすか、またはＲ
d は場合により１または２個のカルボキシル基により置
換された炭素原子数１ないし８のアルキル基、フェニル
基、アセチル基、ヒドロキシメチル基、アセトメチル
基、ＳＯ3 Ｍ，ＣＨ2 ＳＯ3 ＭまたはＰＯ3 Ｍ2 ＜Ｍは
前記の意味を表わす＞，ＣＯＮＲh Ｒi （Ｒh 及びＲi
は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素原子数１
ないし８のアルキル基、ヒドロキシメチル基、ＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＯ2 ＭまたはＣ（ＣＨ3 ）2 ＳＯ3 Ｍ＜Ｍは前記
の意味を表わす＞、またはＮ（Ｒj ）ＣＯＣＨ3 ＜Ｒj
は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を
表わす＞を表わし、そしてｍ1 及びｎ1 は、ｍ1 とｎ1
の合計が３ないし１００の範囲であり、ｎ1 ：ｍ1の比
率が９９：１ないし１：９９の整数である〕で表わされ
る少なくとも１個の異なる単位を含むランダムポリマー
性残基を表わす｝を有するコテロマー化合物（但し、得
られたテロマーは水溶性である）およびその塩が開示さ
れている。残基Ａ中のｍ1 および／またはｎ1 の値は残
基Ｂ中のｍ1 および／またはｎ1 の値と同一か、または
異なる。
ール防止コテロマー化合物は、次式： ｛式中、Ｒa は−ＯＸ〔Ｘは水素原子、アルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属、アンモニウムまたはアミン残基
を表わす〕を表わし、Ｂは水素原子またはＡを表わし、
Ａは次式： 〔Ｒ11は水素原子、メチル基、またはエチル基を表わ
す〕で表わされる少なくとも１個の単位、及び次式： 〔Ｒb は水素原子、メチル基、またはＣＯ2 Ｒe （Ｒe
は水素原子または場合によりヒドロキシ基により置換さ
れた炭素原子数１ないし８のアルキル基を表わす）を表
わし、Ｒc は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキ
ル基、ヒドロキシメチル基、またはＣＯ2 Ｒf （Ｒf は
水素原子、次式： で表わされる残基、残基−〔ＣＨ2 −ＣＨ（Ｒg ）Ｏ〕
z Ｈ＜Ｒg は水素原子、メチル基、またはフェニル基を
表わし、ｚは１ないし２０の整数を表わす＞を表わす
か、またはＲf は場合によりヒドロキシ基またはＳＯ3
Ｍ＜Ｍは水素原子またはアルカリ金属原子またはアルカ
リ土類金属原子を表わす＞により置換された炭素原子数
１ないし８のアルキル基を表わし、Ｒd はＣＯ2 Ｒ
e （Ｒe は前記の意味を表わす）を表わすか、またはＲ
d は場合により１または２個のカルボキシル基により置
換された炭素原子数１ないし８のアルキル基、フェニル
基、アセチル基、ヒドロキシメチル基、アセトメチル
基、ＳＯ3 Ｍ，ＣＨ2 ＳＯ3 ＭまたはＰＯ3 Ｍ2 ＜Ｍは
前記の意味を表わす＞，ＣＯＮＲh Ｒi （Ｒh 及びＲi
は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素原子数１
ないし８のアルキル基、ヒドロキシメチル基、ＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＯ2 ＭまたはＣ（ＣＨ3 ）2 ＳＯ3 Ｍ＜Ｍは前記
の意味を表わす＞、またはＮ（Ｒj ）ＣＯＣＨ3 ＜Ｒj
は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を
表わす＞を表わし、そしてｍ1 及びｎ1 は、ｍ1 とｎ1
の合計が３ないし１００の範囲であり、ｎ1 ：ｍ1の比
率が９９：１ないし１：９９の整数である〕で表わされ
る少なくとも１個の異なる単位を含むランダムポリマー
性残基を表わす｝を有するコテロマー化合物（但し、得
られたテロマーは水溶性である）およびその塩が開示さ
れている。残基Ａ中のｍ1 および／またはｎ1 の値は残
基Ｂ中のｍ1 および／またはｎ1 の値と同一か、または
異なる。
【０００８】欧州特許第３６０７４６号は、次式：
【化１４】 ｛式中、Ｘ1 は水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、フェニル基、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わし、Ｒ1 はＯＸ2 〔Ｘ2 はＸ1 と同一または異なり、
水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニ
ル基、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子、
またはアンモニウムもしくはアミン残基を表わす〕を表
わすか、またはＸ1 及びＸ2 は一緒になって、コテロマ
ー分子のアニオン部分を有する中性錯体を形成する多価
金属原子であるか、またはＸ1 及びＸ2 は、環構造を形
成するため−ＣＨ2 ＣＨ2 −残基により架橋され、Ａ1
は次式：
キル基、フェニル基、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わし、Ｒ1 はＯＸ2 〔Ｘ2 はＸ1 と同一または異なり、
水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニ
ル基、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子、
またはアンモニウムもしくはアミン残基を表わす〕を表
わすか、またはＸ1 及びＸ2 は一緒になって、コテロマ
ー分子のアニオン部分を有する中性錯体を形成する多価
金属原子であるか、またはＸ1 及びＸ2 は、環構造を形
成するため−ＣＨ2 ＣＨ2 −残基により架橋され、Ａ1
は次式：
【化１５】 で表わされる少なくとも１単位、及び次式：
【化１６】 〔式中、Ｒ2 は水素原子、または場合により１または２
個のカルボキシル基により置換された炭素原子数１ない
し４のアルキル基を表わし、Ｘ3 はＸ1 及びＸ2 と同一
または異なり、水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、フェニル基、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わす〕で表わされる少なくとも１個の異なる単位を含む
ランダムポリマー性残基を表わし、Ｒ3 は水素原子、メ
チル基、または残基ＣＯ2 Ｒ6 〔Ｒ6 は水素原子、また
は場合によりヒドロキシ基により置換された炭素原子数
１ないし８のアルキル基を表わす〕を表わし、Ｒ4 は水
素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、ヒドロキ
シメチル基、またはＣＯ2 Ｒ7 ｛Ｒ7 は水素原子、次
式：
個のカルボキシル基により置換された炭素原子数１ない
し４のアルキル基を表わし、Ｘ3 はＸ1 及びＸ2 と同一
または異なり、水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、フェニル基、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わす〕で表わされる少なくとも１個の異なる単位を含む
ランダムポリマー性残基を表わし、Ｒ3 は水素原子、メ
チル基、または残基ＣＯ2 Ｒ6 〔Ｒ6 は水素原子、また
は場合によりヒドロキシ基により置換された炭素原子数
１ないし８のアルキル基を表わす〕を表わし、Ｒ4 は水
素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、ヒドロキ
シメチル基、またはＣＯ2 Ｒ7 ｛Ｒ7 は水素原子、次
式：
【化１７】 で表わされる残基、式−〔ＣＨ2 −ＣＨ（Ｒ8 ）Ｏ〕z
Ｈ＜Ｒ8 は水素原子、メチル基、またはフェニル基を表
わし、ｚは１ないし２０の整数を表わす＞の残基を表わ
すか、またはＲ7 は場合によりヒドロキシ基またはＳＯ
3 Ｘ4 ＜Ｘ4 は水素原子またはアルカリ金属またはアル
カリ土類金属原子を表わす＞により置換された炭素原子
数１ないし８のアルキル基を表わす｝を表わし、Ｒ5 は
残基−ＣＯ2 Ｒ7 （Ｒ7 は前記の意味を表わす）、場合
により１または２個のカルボン酸基により置換された炭
素原子数１ないし８のアルキル基を表わすか、またはＲ
5 は場合によりヒドロキシル基またはＳＯ3 Ｘ4 により
置換されたフェニル基を表わすか、またはＲ5 はアセチ
ル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシル基、アセトメ
チル基、ＳＯ3 Ｘ4 ，ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ4 またはＰＯ
3 （Ｘ4 ）2 ＜Ｘ4 は前記の意味を表わす＞，−ＣＯＮ
Ｒ9 Ｒ10（Ｒ9 及びＲ10は同一または異なり、それぞれ
水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、ヒドロ
キシメチル基、−ＣＨ（ＯＨ）ＣＯ2 Ｘ4 ，−Ｃ（ＣＨ
3 ）2 ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ4 ，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＣＯ
2 Ｘ4 または−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＰＯ3 （Ｘ4 ）2
＜Ｘ4 は前記の意味を表わす＞、または−Ｎ（Ｒ11）Ｃ
ＯＣＨ3 ＜Ｒ11は水素原子または炭素原子数１ないし８
のアルキル基を表わす＞を表わす）を表わすか、または
Ｒ5 はＲ3 と一緒になって、カルボン酸無水物部分−Ｃ
Ｏ．Ｏ．ＣＯ−を形成し、そしてｍ11及びｎ11は、ｍ11
とｎ11の合計が２ないし１００の範囲であり、ｎ11：ｍ
11の比率が９９：１ないし１：９９の整数である〕で表
わされる少なくとも１個の異なる単位を含むランダムポ
リマー性残基を表わす｝を有するコテロマー化合物（但
し、得られたテロマーは水溶性である）およびその塩が
記載されている。
Ｈ＜Ｒ8 は水素原子、メチル基、またはフェニル基を表
わし、ｚは１ないし２０の整数を表わす＞の残基を表わ
すか、またはＲ7 は場合によりヒドロキシ基またはＳＯ
3 Ｘ4 ＜Ｘ4 は水素原子またはアルカリ金属またはアル
カリ土類金属原子を表わす＞により置換された炭素原子
数１ないし８のアルキル基を表わす｝を表わし、Ｒ5 は
残基−ＣＯ2 Ｒ7 （Ｒ7 は前記の意味を表わす）、場合
により１または２個のカルボン酸基により置換された炭
素原子数１ないし８のアルキル基を表わすか、またはＲ
5 は場合によりヒドロキシル基またはＳＯ3 Ｘ4 により
置換されたフェニル基を表わすか、またはＲ5 はアセチ
ル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシル基、アセトメ
チル基、ＳＯ3 Ｘ4 ，ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ4 またはＰＯ
3 （Ｘ4 ）2 ＜Ｘ4 は前記の意味を表わす＞，−ＣＯＮ
Ｒ9 Ｒ10（Ｒ9 及びＲ10は同一または異なり、それぞれ
水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、ヒドロ
キシメチル基、−ＣＨ（ＯＨ）ＣＯ2 Ｘ4 ，−Ｃ（ＣＨ
3 ）2 ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ4 ，−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＣＯ
2 Ｘ4 または−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＰＯ3 （Ｘ4 ）2
＜Ｘ4 は前記の意味を表わす＞、または−Ｎ（Ｒ11）Ｃ
ＯＣＨ3 ＜Ｒ11は水素原子または炭素原子数１ないし８
のアルキル基を表わす＞を表わす）を表わすか、または
Ｒ5 はＲ3 と一緒になって、カルボン酸無水物部分−Ｃ
Ｏ．Ｏ．ＣＯ−を形成し、そしてｍ11及びｎ11は、ｍ11
とｎ11の合計が２ないし１００の範囲であり、ｎ11：ｍ
11の比率が９９：１ないし１：９９の整数である〕で表
わされる少なくとも１個の異なる単位を含むランダムポ
リマー性残基を表わす｝を有するコテロマー化合物（但
し、得られたテロマーは水溶性である）およびその塩が
記載されている。
【０００９】これらの公知のスケール防止および／また
は腐蝕防止（コ）テロマーは、適当なオレフィンモノマ
ーを亜リン酸、またはそのエステルまたは塩で、反応開
始剤、例えば、有機過酸化物の存在下に反応することに
より、慣用的に製造される。
は腐蝕防止（コ）テロマーは、適当なオレフィンモノマ
ーを亜リン酸、またはそのエステルまたは塩で、反応開
始剤、例えば、有機過酸化物の存在下に反応することに
より、慣用的に製造される。
【００１０】亜リン酸それ自身が反応物として使用され
るとき、特別な冶金プラントが、酸のより高い腐蝕特性
ゆえに必要とされる。望ましい（コ）テロマーの収量は
低く、除去される必要がある高濃度の未反応亜リン酸が
反応混合物中に残る。
るとき、特別な冶金プラントが、酸のより高い腐蝕特性
ゆえに必要とされる。望ましい（コ）テロマーの収量は
低く、除去される必要がある高濃度の未反応亜リン酸が
反応混合物中に残る。
【００１１】さらに、スケール防止剤としての用途向き
の最終製品には明らかに望ましくない低い亜リン酸含量
を有するオレフィンのホモ−および／またはコポリマー
が、形成される可能性がある。
の最終製品には明らかに望ましくない低い亜リン酸含量
を有するオレフィンのホモ−および／またはコポリマー
が、形成される可能性がある。
【００１２】亜リン酸の誘導体が例えば、反応物として
使用されるとき、望ましい（コ）テロマーの収量が向上
するにもかかわらず、有機反応混合物は、（コ）テロマ
ーの遊離酸形態を得るため、不経済な加水分解操作を受
けさせる必要があり、そして不要の生成物から加水分解
された生成物を回収するための不経済な分離操作が必要
とされる。
使用されるとき、望ましい（コ）テロマーの収量が向上
するにもかかわらず、有機反応混合物は、（コ）テロマ
ーの遊離酸形態を得るため、不経済な加水分解操作を受
けさせる必要があり、そして不要の生成物から加水分解
された生成物を回収するための不経済な分離操作が必要
とされる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】公知の有機反応システ
ムと関連したこれらの問題は、新しい水性反応技術を利
用することにより克服されうることが見い出された。
ムと関連したこれらの問題は、新しい水性反応技術を利
用することにより克服されうることが見い出された。
【００１４】
【課題を解決するための手段】従って、本発明は次式Ｉ
【化１８】 〔式中、Ｘ5 は水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、フェニル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わし、Ａ2 は次式ＩＩ：
キル基、フェニル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わし、Ａ2 は次式ＩＩ：
【化１９】 を有するホモポリマー残基を表わすか、またはＡ2 は２
個もしくはそれ以上の異なる残基−〔ＣＨ（Ｗ1 ）−Ｃ
（Ｗ2 ）（Ｗ3 ）〕r ｛Ｗ1 は水素原子、メチル基、ま
たは残基−ＣＯ2 Ｗ4 （Ｗ4 は水素原子または場合によ
りヒドロキシ基により置換された炭素原子数１ないし８
のアルキル基を表わす）を表わし、Ｗ2 は水素原子、炭
素原子数１ないし４のアルキル基、ヒドロキシメチル
基、−ＣＯ2 Ｗ5 （Ｗ5 は水素原子、次式
個もしくはそれ以上の異なる残基−〔ＣＨ（Ｗ1 ）−Ｃ
（Ｗ2 ）（Ｗ3 ）〕r ｛Ｗ1 は水素原子、メチル基、ま
たは残基−ＣＯ2 Ｗ4 （Ｗ4 は水素原子または場合によ
りヒドロキシ基により置換された炭素原子数１ないし８
のアルキル基を表わす）を表わし、Ｗ2 は水素原子、炭
素原子数１ないし４のアルキル基、ヒドロキシメチル
基、−ＣＯ2 Ｗ5 （Ｗ5 は水素原子、次式
【化２０】 で表わされる残基、次式
【化２１】 ＜Ｗ6 は水素原子、メチル基、またはフェニル基を表わ
し、ｓは１ないし１００、好ましくは１ないし５０、特
に１ないし２０の整数を表わす＞で表わされる残基であ
るか、またはＷ5 は場合によりＳＯ3 Ｘ5 ＜Ｘ5 は前記
の意味を表わす＞により置換された炭素原子数１ないし
８のアルキル基を表わす）を表わし、Ｗ3 は残基−ＣＯ
2 Ｗ4 （Ｗ4 は前記の意味を表わす）で表わされるか、
またはＷ3 は場合により１または２個のカルボン酸基に
より置換された炭素原子数１ないし８のアルキル基、ま
たは場合によりヒドロキシル基またはＳＯ3 Ｘ5 （Ｘ5
は前記の意味を表わす）で表わされる基により置換され
たフェニル残基を表わすか、またはＷ3 はアセチル基、
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシル基、アセトメチル
基、−ＳＯ3 Ｘ5 、−ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ5 、または−ＰＯ
3 （Ｘ5 ）2 ＜Ｘ5 は前記の意味を表わす＞で表わされ
る基、残基−ＣＯＮＷ7 Ｗ8 （Ｗ7 及びＷ8 は同一また
は異なり、それぞれ水素原子、炭素原子数１ないし８の
アルキル基、ヒドロキシメチル基、または残基−ＣＨ
（ＯＨ）ＣＯ2 Ｘ5 、−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ
5 、−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＣＯ2 Ｘ5 、または−Ｃ
（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＰＯ3 （Ｘ5 ）2 ＜Ｘ5 は前記の意
味を表わす＞を表わすか、または−Ｎ（Ｗ9 ）ＣＯＣＨ
3 ＜Ｗ9 は水素原子または炭素原子数１ないし４のアル
キル基を表わす＞を表わす）を表わすか、またはＷ3 は
−ＣＨ2 〔Ｏ（ＣＨ2 ）p −〕s ＯＷ9 ＜Ｗ9 及びｓは
前記の意味を表わし、ｐは１ないし１２の整数を表わす
＞を表わすか、またはＷ3 及びＷ1 はカルボン酸無水物
部分−ＣＯ．Ｏ．ＣＯ−を形成し、ｒは２ないし１０
０、好ましくは４ないし５０、特に４ないし２０の整数
を表わす｝を含むコポリマー残基を表わす〕を有する
（コ）テロマーの製造のための水性方法であって、水性
媒体中、次式ＩＩＩ：
し、ｓは１ないし１００、好ましくは１ないし５０、特
に１ないし２０の整数を表わす＞で表わされる残基であ
るか、またはＷ5 は場合によりＳＯ3 Ｘ5 ＜Ｘ5 は前記
の意味を表わす＞により置換された炭素原子数１ないし
８のアルキル基を表わす）を表わし、Ｗ3 は残基−ＣＯ
2 Ｗ4 （Ｗ4 は前記の意味を表わす）で表わされるか、
またはＷ3 は場合により１または２個のカルボン酸基に
より置換された炭素原子数１ないし８のアルキル基、ま
たは場合によりヒドロキシル基またはＳＯ3 Ｘ5 （Ｘ5
は前記の意味を表わす）で表わされる基により置換され
たフェニル残基を表わすか、またはＷ3 はアセチル基、
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシル基、アセトメチル
基、−ＳＯ3 Ｘ5 、−ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ5 、または−ＰＯ
3 （Ｘ5 ）2 ＜Ｘ5 は前記の意味を表わす＞で表わされ
る基、残基−ＣＯＮＷ7 Ｗ8 （Ｗ7 及びＷ8 は同一また
は異なり、それぞれ水素原子、炭素原子数１ないし８の
アルキル基、ヒドロキシメチル基、または残基−ＣＨ
（ＯＨ）ＣＯ2 Ｘ5 、−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ
5 、−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＣＯ2 Ｘ5 、または−Ｃ
（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＰＯ3 （Ｘ5 ）2 ＜Ｘ5 は前記の意
味を表わす＞を表わすか、または−Ｎ（Ｗ9 ）ＣＯＣＨ
3 ＜Ｗ9 は水素原子または炭素原子数１ないし４のアル
キル基を表わす＞を表わす）を表わすか、またはＷ3 は
−ＣＨ2 〔Ｏ（ＣＨ2 ）p −〕s ＯＷ9 ＜Ｗ9 及びｓは
前記の意味を表わし、ｐは１ないし１２の整数を表わす
＞を表わすか、またはＷ3 及びＷ1 はカルボン酸無水物
部分−ＣＯ．Ｏ．ＣＯ−を形成し、ｒは２ないし１０
０、好ましくは４ないし５０、特に４ないし２０の整数
を表わす｝を含むコポリマー残基を表わす〕を有する
（コ）テロマーの製造のための水性方法であって、水性
媒体中、次式ＩＩＩ：
【化２２】 〔式中、Ｘ5 は前記の意味を表わし、Ｙは−ＯＲ3 ｛Ｒ
3 は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル
基、または−ＮＲ4 Ｒ5 （Ｒ4 及びＲ5 は独立して、水
素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表わ
すか、またはＲ4 及びＲ5 はそれらが結合している窒素
原子と一緒になって、Ｎ−ヘテロ環、例えばピリジン、
ピペリジンまたはモルホリン環を形成する）を表わす｝
を表わし、Ｒ1 及びＲ2 は独立して、水素原子または炭
素原子数１ないし４のアルキル基を表わすか、またはＲ
1 及びＲ2 はそれらが結合している炭素原子と一緒にな
って、シクロペンチルまたはシクロヘキシル環を形成す
る〕を有する化合物を、 式ＩＶ：ＣＨ（Ｗ1 ）＝Ｃ（Ｗ2 ）（Ｗ3 ）｛式中、Ｗ
1 ，Ｗ2 及びＷ3 は前記の意味を表わす｝で表わされる
１またはそれ以上のオレフィンのｒモルと反応させて、
次式Ｖ：
3 は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル
基、または−ＮＲ4 Ｒ5 （Ｒ4 及びＲ5 は独立して、水
素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表わ
すか、またはＲ4 及びＲ5 はそれらが結合している窒素
原子と一緒になって、Ｎ−ヘテロ環、例えばピリジン、
ピペリジンまたはモルホリン環を形成する）を表わす｝
を表わし、Ｒ1 及びＲ2 は独立して、水素原子または炭
素原子数１ないし４のアルキル基を表わすか、またはＲ
1 及びＲ2 はそれらが結合している炭素原子と一緒にな
って、シクロペンチルまたはシクロヘキシル環を形成す
る〕を有する化合物を、 式ＩＶ：ＣＨ（Ｗ1 ）＝Ｃ（Ｗ2 ）（Ｗ3 ）｛式中、Ｗ
1 ，Ｗ2 及びＷ3 は前記の意味を表わす｝で表わされる
１またはそれ以上のオレフィンのｒモルと反応させて、
次式Ｖ：
【化２３】 ｛式中、Ｙ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘ5 及びＡ2 は前記の意味を
表わす｝で表わされる化合物を形成し、その後、式Ｖで
表わされる化合物を式Ｉで表わされる化合物に転換す
る、例えば、次亜塩素酸塩での反応によることからなる
方法を提供する。
表わす｝で表わされる化合物を形成し、その後、式Ｖで
表わされる化合物を式Ｉで表わされる化合物に転換す
る、例えば、次亜塩素酸塩での反応によることからなる
方法を提供する。
【００１５】炭素原子数１ないし４のアルキル残基
Ｘ5 ，Ｗ1 ，Ｗ2 ，Ｗ9 ，Ｒ3 ，Ｒ4 及びＲ5 の例は、
直鎖または分枝鎖であり、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、及びｎ−ブチル基の残基を
含む。
Ｘ5 ，Ｗ1 ，Ｗ2 ，Ｗ9 ，Ｒ3 ，Ｒ4 及びＲ5 の例は、
直鎖または分枝鎖であり、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、及びｎ−ブチル基の残基を
含む。
【００１６】炭素原子数１ないし８のアルキル残基
Ｗ3 ，Ｗ4 ，Ｗ5 ，Ｗ7 またはＷ8 は、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、及びｎ−
オクチル基を含む。
Ｗ3 ，Ｗ4 ，Ｗ5 ，Ｗ7 またはＷ8 は、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、及びｎ−
オクチル基を含む。
【００１７】ヒドロキシ基で置換された炭素原子数１な
いし８のアルキル残基Ｗ4 は例えば、ヒドロキシメチル
基、２−ヒドロキシエチル基、２−または３−ヒドロキ
シプロピル基、２−または４−ヒドロキシブチル基、２
−または６−ヒドロキシヘキシル基、及び２−または８
−ヒドロキシオクチル基である。
いし８のアルキル残基Ｗ4 は例えば、ヒドロキシメチル
基、２−ヒドロキシエチル基、２−または３−ヒドロキ
シプロピル基、２−または４−ヒドロキシブチル基、２
−または６−ヒドロキシヘキシル基、及び２−または８
−ヒドロキシオクチル基である。
【００１８】カルボキシ−炭素原子数１ないし８のアル
キル残基Ｗ3 は、カルボキシメチル基、２−カルボキシ
エチル基、３−カルボキシプロピル基、４−カルボキシ
ブチル基、３，４−ジカルボキシブチル基、６−カルボ
キシヘキシル基、及び８−カルボキシオクチル基を含
む。
キル残基Ｗ3 は、カルボキシメチル基、２−カルボキシ
エチル基、３−カルボキシプロピル基、４−カルボキシ
ブチル基、３，４−ジカルボキシブチル基、６−カルボ
キシヘキシル基、及び８−カルボキシオクチル基を含
む。
【００１９】アルカリ金属原子Ｘ5 は特に、アルカリ金
属、例えば、ナトリウムまたはカリウムイオン、及びア
ルカリ土類金属原子Ｘ5 は特に、カルシウム、バリウム
またはストロンチウムイオンである。アミン残基Ｘ5 は
例えば、アンモニウム、−ＮＨ（ＣＨ3 ）3 ，−ＮＨ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 または−ＮＨ（ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）3 で
ある。
属、例えば、ナトリウムまたはカリウムイオン、及びア
ルカリ土類金属原子Ｘ5 は特に、カルシウム、バリウム
またはストロンチウムイオンである。アミン残基Ｘ5 は
例えば、アンモニウム、−ＮＨ（ＣＨ3 ）3 ，−ＮＨ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 または−ＮＨ（ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ）3 で
ある。
【００２０】式Ｉの好ましい（コ）テロマーは、Ａ2 が
式ＩＩ｛Ｗ1 は水素原子を表わし、Ｗ2 は水素原子また
はＣＯ2 Ｗ4 を表わし、Ｗ3 は前記の意味を表わす｝で
表わされるホモポリマー残基を表わすか、またはＡ2 が
式ＩＩ｛Ｗ1 は水素原子を表わし、Ｗ2 は水素原子また
はＣＯ2 Ｗ4 を表わし、Ｗ3 は前記の意味を表わす｝で
表わされる少なくとも１個の単位、及び式ＩＩ｛Ｗ1 は
水素原子または−ＣＯ2 Ｗ4 ＜Ｗ4 は前記の意味を表わ
す＞を表わし、Ｗ2 は水素原子または−ＣＯ2 Ｗ4 ＜Ｗ
4 は前記の意味を表わす＞を表わし、Ｗ3 は前記の意味
を表わす｝で表わされる少なくとも１単位を含むコポリ
マーを表わす（コ）テロマーである。
式ＩＩ｛Ｗ1 は水素原子を表わし、Ｗ2 は水素原子また
はＣＯ2 Ｗ4 を表わし、Ｗ3 は前記の意味を表わす｝で
表わされるホモポリマー残基を表わすか、またはＡ2 が
式ＩＩ｛Ｗ1 は水素原子を表わし、Ｗ2 は水素原子また
はＣＯ2 Ｗ4 を表わし、Ｗ3 は前記の意味を表わす｝で
表わされる少なくとも１個の単位、及び式ＩＩ｛Ｗ1 は
水素原子または−ＣＯ2 Ｗ4 ＜Ｗ4 は前記の意味を表わ
す＞を表わし、Ｗ2 は水素原子または−ＣＯ2 Ｗ4 ＜Ｗ
4 は前記の意味を表わす＞を表わし、Ｗ3 は前記の意味
を表わす｝で表わされる少なくとも１単位を含むコポリ
マーを表わす（コ）テロマーである。
【００２１】式ＩＩＩで表わされる化合物と、オレフィ
ンまたは式ＩＶで表わされるオレフィンとの反応は、一
般に米国特許第２９５７９３１号に記載された反応開始
剤の存在下に行われる。適当な反応開始剤は、遊離の官
能基を得るため反応条件下に分解する材料を含む。その
ような材料の例は、ビスアゾイソブチロニトリル；有機
過酸化物、例えば、ベンゾイルパーオキシド、メチルエ
ーテルケトンパーオキシド、ジ−第三ブチルパーオキシ
ド、及びモノブチルヒドロパーオキシド；及び酸化剤、
例えば、過酸化水素、過臭素酸ナトリウムおよび過硫酸
ナトリウムである。
ンまたは式ＩＶで表わされるオレフィンとの反応は、一
般に米国特許第２９５７９３１号に記載された反応開始
剤の存在下に行われる。適当な反応開始剤は、遊離の官
能基を得るため反応条件下に分解する材料を含む。その
ような材料の例は、ビスアゾイソブチロニトリル；有機
過酸化物、例えば、ベンゾイルパーオキシド、メチルエ
ーテルケトンパーオキシド、ジ−第三ブチルパーオキシ
ド、及びモノブチルヒドロパーオキシド；及び酸化剤、
例えば、過酸化水素、過臭素酸ナトリウムおよび過硫酸
ナトリウムである。
【００２２】式Ｖの中間体生成物は、新規な化合物であ
り、そうであるから本発明の一目的を形成する。式Ｖの
中間体化合物はそれ自体、スケール防止特性を示す。
り、そうであるから本発明の一目的を形成する。式Ｖの
中間体化合物はそれ自体、スケール防止特性を示す。
【００２３】式ＩＶのオレフィン反応剤の例は、アクリ
ル酸、メタクリル酸、１−カルボキシメチルアクリル
酸、並びにその炭素原子数１ないし４のアルキルまたは
フェニルエステル、またはアルカリ金属、アルカリ土類
金属、アンモニウムまたはアミン塩、アクリルアミド、
Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−アクリルアミド、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアセタミ
ド、Ｎ−アリルアセタミド、Ｎ−アクリルアミドグリコ
ール酸、メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチル
アクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、２−カルボキシエチルアクリレート、マレイン
酸、無水マレイン酸、マレイミド、３−ブテン−１，
２，３−トリカルボン酸、ジメチルマレート、ジエチル
マレート、ジエチルフマレート、イタコン酸、ジメチル
イタコネート、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、
４−スチレンスルホン酸、３−スルホプロピルアクリル
酸のナトリウムまたはカリウム塩、２−アクリルアミド
−２−メチル−プロパンスルホン酸、ビニルホスホン
酸、スチレンホスホン酸、アリルアルコール、アリルア
セテート、ビニルアセテート、スチレン、α−メチルス
チレン、ヘキセン、オクテン、Ｎ−アクリルアミドプロ
パンスルホン酸、グリシジルメタクリレート、クロトン
酸、エチルクロトネート、ポリエチレングリコールエス
テル、（メタ）アクリル酸のポリプロピレングリコール
エステル、及びアリルポリエチレンまたはプロピレング
リコールエーテルを含む。
ル酸、メタクリル酸、１−カルボキシメチルアクリル
酸、並びにその炭素原子数１ないし４のアルキルまたは
フェニルエステル、またはアルカリ金属、アルカリ土類
金属、アンモニウムまたはアミン塩、アクリルアミド、
Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−アクリルアミド、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアセタミ
ド、Ｎ−アリルアセタミド、Ｎ−アクリルアミドグリコ
ール酸、メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチル
アクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、２−カルボキシエチルアクリレート、マレイン
酸、無水マレイン酸、マレイミド、３−ブテン−１，
２，３−トリカルボン酸、ジメチルマレート、ジエチル
マレート、ジエチルフマレート、イタコン酸、ジメチル
イタコネート、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、
４−スチレンスルホン酸、３−スルホプロピルアクリル
酸のナトリウムまたはカリウム塩、２−アクリルアミド
−２−メチル−プロパンスルホン酸、ビニルホスホン
酸、スチレンホスホン酸、アリルアルコール、アリルア
セテート、ビニルアセテート、スチレン、α−メチルス
チレン、ヘキセン、オクテン、Ｎ−アクリルアミドプロ
パンスルホン酸、グリシジルメタクリレート、クロトン
酸、エチルクロトネート、ポリエチレングリコールエス
テル、（メタ）アクリル酸のポリプロピレングリコール
エステル、及びアリルポリエチレンまたはプロピレング
リコールエーテルを含む。
【００２４】式ＩＩＩの化合物は、次式ＶＩ：
【化２４】 を有する次亜リン酸を次式ＶＩＩ：
【化２５】 （Ｙ0 がＯまたはＮＲ4 を表わし、Ｒ1 及びＲ2 が前記
の意味を表わす）を有する化合物で反応することにより
製造される。
の意味を表わす）を有する化合物で反応することにより
製造される。
【００２５】反応は最初に、鉱酸、例えば、塩酸を次亜
リン酸の塩またはエステル、例えば、次亜リン酸ナトリ
ウムに添加することにより都合良く行われ、もとの次亜
リン酸を生じる。その後、式ＶＩＩの化合物が添加され
る。反応は好ましくは、高められた温度、都合良くは反
応混合物の還流温度で行われる。式ＩＩＩの生成物は遊
離の酸、塩またはエステルとして、慣用の方法により分
離される。
リン酸の塩またはエステル、例えば、次亜リン酸ナトリ
ウムに添加することにより都合良く行われ、もとの次亜
リン酸を生じる。その後、式ＶＩＩの化合物が添加され
る。反応は好ましくは、高められた温度、都合良くは反
応混合物の還流温度で行われる。式ＩＩＩの生成物は遊
離の酸、塩またはエステルとして、慣用の方法により分
離される。
【００２６】式ＩＩＩの化合物中のＹが−ＮＲ4 Ｒ5 の
とき、そのような化合物は、次亜リン酸を式ＶＩＩＡ：
Ｏ＝ＣＲ1 Ｒ2 （Ｒ1 及びＲ2 は前記の意味を表わす）
で表わされる化合物で、アミンＲ4 Ｒ5 ＮＨの存在下、
反応することにより製造される。
とき、そのような化合物は、次亜リン酸を式ＶＩＩＡ：
Ｏ＝ＣＲ1 Ｒ2 （Ｒ1 及びＲ2 は前記の意味を表わす）
で表わされる化合物で、アミンＲ4 Ｒ5 ＮＨの存在下、
反応することにより製造される。
【００２７】式ＶＩＩまたはＶＩＩＡのカルボニル反応
物の例は、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロ
ピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、アセトン、メチ
ルエチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、
ジブチルケトン、シクロペンタノン及びシクロヘキサノ
ンを含み、イミン反応物ＶＩＩの例はメチルエチルケチ
ミン及びシクロヘキシルケチミンである。
物の例は、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロ
ピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、アセトン、メチ
ルエチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、
ジブチルケトン、シクロペンタノン及びシクロヘキサノ
ンを含み、イミン反応物ＶＩＩの例はメチルエチルケチ
ミン及びシクロヘキシルケチミンである。
【００２８】本発明の方法により製造された式Ｉの生成
物は、水溶液として得られる。これらの溶液は、減圧下
に、部分的にまたは完全に蒸発させても良い。未精製の
反応生成物は、スケール防止（コ）テロマー生成物とし
て直接使用される。所望により反応生成物は精製されう
る。
物は、水溶液として得られる。これらの溶液は、減圧下
に、部分的にまたは完全に蒸発させても良い。未精製の
反応生成物は、スケール防止（コ）テロマー生成物とし
て直接使用される。所望により反応生成物は精製されう
る。
【００２９】適当な精製手順の例を以下に示す： ｉ）水性反応溶媒の蒸発により、水中に残渣を溶解し、
水不混和性の有機溶媒、例えば、エーテルで洗浄し、そ
して水溶液を蒸発させる。 ｉｉ）水性反応溶媒の蒸発により、適当な溶媒、例え
ば、メタノールに残渣を溶解し、そして非溶剤、例え
ば、エーテルの添加により再沈澱する。所望ならば、そ
のように得られたどんな酸基も慣用の方法により、相当
する塩のグループに転換される。
水不混和性の有機溶媒、例えば、エーテルで洗浄し、そ
して水溶液を蒸発させる。 ｉｉ）水性反応溶媒の蒸発により、適当な溶媒、例え
ば、メタノールに残渣を溶解し、そして非溶剤、例え
ば、エーテルの添加により再沈澱する。所望ならば、そ
のように得られたどんな酸基も慣用の方法により、相当
する塩のグループに転換される。
【００３０】式Ｉの化合物中の酸性水素原子の幾つかま
たは全部が、上記に定義された塩形成塩基から誘導され
たカチオンにより置換された式Ｉの化合物の塩は、化合
物式Ｉの水性またはアルコール性溶液を、ある量の必須
塩基を含む水性またはアルコール性溶液で、化学量論の
要求より過剰の、等しい、または少量において、混合す
ることにより製造される。
たは全部が、上記に定義された塩形成塩基から誘導され
たカチオンにより置換された式Ｉの化合物の塩は、化合
物式Ｉの水性またはアルコール性溶液を、ある量の必須
塩基を含む水性またはアルコール性溶液で、化学量論の
要求より過剰の、等しい、または少量において、混合す
ることにより製造される。
【００３１】その後、溶媒は蒸発により除去されうる。
本発明の防止剤が有益であると証明されるだろう水含有
システムの多くにおいて、水は中和を行うために十分に
アルカリ性であり、本発明の生成物だけが添加される必
要がある。
本発明の防止剤が有益であると証明されるだろう水含有
システムの多くにおいて、水は中和を行うために十分に
アルカリ性であり、本発明の生成物だけが添加される必
要がある。
【００３２】本発明はまた、スケール形成または水性シ
ステム中の汚れを防止するため、および／または水性シ
ステムと接触させて金属表面の腐蝕を防止するための水
性システムの処理方法において、式Ｖで表わされる
（コ）テロマー化合物またはその塩を該システムに添加
することからなる方法を提供する。
ステム中の汚れを防止するため、および／または水性シ
ステムと接触させて金属表面の腐蝕を防止するための水
性システムの処理方法において、式Ｖで表わされる
（コ）テロマー化合物またはその塩を該システムに添加
することからなる方法を提供する。
【００３３】実際に、水性システムの処理に使用される
式Ｖの化合物の量は、化合物が実施するのに必要な保護
作用により変化する。
式Ｖの化合物の量は、化合物が実施するのに必要な保護
作用により変化する。
【００３３】例えば、場合により同時にスケール防止処
理を伴う腐蝕を防止する保護処理に対して、水性システ
ムに添加される式Ｖの化合物の量は、水性システムの重
量に基づいて０．１ないし５０，０００ｐｐｍ（０．０
０００１ないし５重量％）、好ましくは１ないし５００
ｐｐｍ（０．０００１ないし０．０５重量％）の範囲で
ある。単一のスケール防止処理に対して、添加される式
Ｖの化合物の量は、水性システムの重量に基づいて、好
都合には１ないし２００、好ましくは１ないし３０ｐｐ
ｍである。
理を伴う腐蝕を防止する保護処理に対して、水性システ
ムに添加される式Ｖの化合物の量は、水性システムの重
量に基づいて０．１ないし５０，０００ｐｐｍ（０．０
０００１ないし５重量％）、好ましくは１ないし５００
ｐｐｍ（０．０００１ないし０．０５重量％）の範囲で
ある。単一のスケール防止処理に対して、添加される式
Ｖの化合物の量は、水性システムの重量に基づいて、好
都合には１ないし２００、好ましくは１ないし３０ｐｐ
ｍである。
【００３４】処理されるべき最とも相対的に希釈した水
性分散に対して、分散剤／防汚剤として添加される式Ｖ
の化合物の量は、好都合には重量により１ないし２００
ｐｐｍ、好ましくは２ないし２０ｐｐｍである。しか
し、処理されるべき水性スラリーは、式Ｖの化合物のよ
り高い濃度、例えば、全部の固体（全水性システムの７
０重量％と同じ濃度）に基づいて０．１ないし５重量％
を要求する。
性分散に対して、分散剤／防汚剤として添加される式Ｖ
の化合物の量は、好都合には重量により１ないし２００
ｐｐｍ、好ましくは２ないし２０ｐｐｍである。しか
し、処理されるべき水性スラリーは、式Ｖの化合物のよ
り高い濃度、例えば、全部の固体（全水性システムの７
０重量％と同じ濃度）に基づいて０．１ないし５重量％
を要求する。
【００３５】スケールの沈澱および水溶液からの塩の沈
澱を防止するために使用されるとき、式Ｖの化合物また
はその塩は、カルシウム、マグネシウム、バリウムまた
はストロンチウムのカチオンとアニオン、例えば、硫酸
塩、炭酸塩、水酸化物、リン酸塩及びケイ酸塩から誘導
されたスケール形成塩の沈澱を防止するのに特に有効で
ある。
澱を防止するために使用されるとき、式Ｖの化合物また
はその塩は、カルシウム、マグネシウム、バリウムまた
はストロンチウムのカチオンとアニオン、例えば、硫酸
塩、炭酸塩、水酸化物、リン酸塩及びケイ酸塩から誘導
されたスケール形成塩の沈澱を防止するのに特に有効で
ある。
【００３６】本発明により処理される水性システムに関
して、組み合わされた腐蝕防止及びスケール防止処理に
関して特に興味深いことは、冷却水システム、蒸気発生
システム、海水エバポレーター、逆浸透装置、紙製造装
置、糖エバポレーター装置、土壌灌漑システム、静水か
ま、ガス洗浄システム、閉回路加熱システム、水に基づ
く冷凍システム、及びダウン−ウエル システム（down
-well systems)；腐蝕防止処理のみに対して、特に興味
深い水性システムは、水性機械加工液配合物〔例えば、
ボーリング、微粉砕、リーマー仕上げ、ブローチング
（broaching)、圧伸成形、スピニング、旋削、切断、の
こ抜き、研削、及びねじ切り操作に、または正確な切断
によらない成形、または圧延操作に使用するため〕、水
性研磨システム、水性グリコール不凍液システムを含む
エンジン冷却剤、水／グリコール作動液；そして水に基
づくポリマー表面コーティングシステム、または溶媒に
基づくポリマーシステム、例えば、テトラヒドロフラ
ン、ケトンまたはアルコキシアルカノールを含むシステ
ムを含む。
して、組み合わされた腐蝕防止及びスケール防止処理に
関して特に興味深いことは、冷却水システム、蒸気発生
システム、海水エバポレーター、逆浸透装置、紙製造装
置、糖エバポレーター装置、土壌灌漑システム、静水か
ま、ガス洗浄システム、閉回路加熱システム、水に基づ
く冷凍システム、及びダウン−ウエル システム（down
-well systems)；腐蝕防止処理のみに対して、特に興味
深い水性システムは、水性機械加工液配合物〔例えば、
ボーリング、微粉砕、リーマー仕上げ、ブローチング
（broaching)、圧伸成形、スピニング、旋削、切断、の
こ抜き、研削、及びねじ切り操作に、または正確な切断
によらない成形、または圧延操作に使用するため〕、水
性研磨システム、水性グリコール不凍液システムを含む
エンジン冷却剤、水／グリコール作動液；そして水に基
づくポリマー表面コーティングシステム、または溶媒に
基づくポリマーシステム、例えば、テトラヒドロフラ
ン、ケトンまたはアルコキシアルカノールを含むシステ
ムを含む。
【００３７】本発明により使用される式Ｖの防止剤化合
物は単独で、または水性システムの処理に有益であると
公知の他の化合物と共に使用されうる。
物は単独で、または水性システムの処理に有益であると
公知の他の化合物と共に使用されうる。
【００３８】完全な水性、例えば、冷却水システム、エ
アコンディショニングシステム、蒸気発生システム、海
水エバポレーターシステム、静水かま、及び閉回路加熱
または冷凍システムであるシステムの処理において、他
の腐蝕防止剤は例えば、水可溶性の亜鉛塩；リン酸塩；
ポリホフェート；ホスホン酸およびそれらの塩、例え
ば、ヒドロキシエチルジホスホン酸（ＨＥＤＰ），ニト
リロトリスメチレンホスホン酸およびメチルアミノジメ
チレンホスホノカルボン酸およびそれらの塩、例えば、
ドイツ公開公報第２６３２７７４号に記載されたもの、
ヒドロキシホスホノアセト酸、２−ホスホノブタン−
１，２，４−トリ−カルボン酸（ＰＢＳＡＭ）及び英国
特許第１５７２４０６号に開示されたもの；硝酸塩、例
えば、硝酸ナトリウム；亜硝酸塩、例えば、亜硝酸ナト
リウム；モリブデン酸塩、例えば、モリブデン酸ナトリ
ウム、タングステン酸塩、例えば、タングステン酸ナト
リウム；ケイ酸塩、例えば、ケイ酸ナトリウム；ベンゾ
トリアゾール、ビス−ベンゾトリアゾールまたは銅不活
性化ベンゾトリアゾール、またはトルトリアゾール誘導
体、例えば、それらのマンニッヒ塩基誘導体；メルカプ
トベンゾトリアゾール；Ｎ−アシルサルコシン；Ｎ−ア
シルイミノジアセト酸；エタノールアミン；脂肪族アミ
ン；及びポリカルボン酸、例えば、ポリマレイン酸及び
ポリアクリル酸、並びにそれらのアルカリ金属塩、無水
マレイン酸のコポリマー、例えば、無水マレイン酸とス
ルホン化スチレンのコポリマー、アクリル酸のコポリマ
ー、例えば、アクリル酸とヒドロキシアルキル化アクリ
ル酸のコポリマー、及びポリマレイン酸およびポリアク
リル酸およびそれらのコポリマーの置換された誘導体が
使用される。
アコンディショニングシステム、蒸気発生システム、海
水エバポレーターシステム、静水かま、及び閉回路加熱
または冷凍システムであるシステムの処理において、他
の腐蝕防止剤は例えば、水可溶性の亜鉛塩；リン酸塩；
ポリホフェート；ホスホン酸およびそれらの塩、例え
ば、ヒドロキシエチルジホスホン酸（ＨＥＤＰ），ニト
リロトリスメチレンホスホン酸およびメチルアミノジメ
チレンホスホノカルボン酸およびそれらの塩、例えば、
ドイツ公開公報第２６３２７７４号に記載されたもの、
ヒドロキシホスホノアセト酸、２−ホスホノブタン−
１，２，４−トリ−カルボン酸（ＰＢＳＡＭ）及び英国
特許第１５７２４０６号に開示されたもの；硝酸塩、例
えば、硝酸ナトリウム；亜硝酸塩、例えば、亜硝酸ナト
リウム；モリブデン酸塩、例えば、モリブデン酸ナトリ
ウム、タングステン酸塩、例えば、タングステン酸ナト
リウム；ケイ酸塩、例えば、ケイ酸ナトリウム；ベンゾ
トリアゾール、ビス−ベンゾトリアゾールまたは銅不活
性化ベンゾトリアゾール、またはトルトリアゾール誘導
体、例えば、それらのマンニッヒ塩基誘導体；メルカプ
トベンゾトリアゾール；Ｎ−アシルサルコシン；Ｎ−ア
シルイミノジアセト酸；エタノールアミン；脂肪族アミ
ン；及びポリカルボン酸、例えば、ポリマレイン酸及び
ポリアクリル酸、並びにそれらのアルカリ金属塩、無水
マレイン酸のコポリマー、例えば、無水マレイン酸とス
ルホン化スチレンのコポリマー、アクリル酸のコポリマ
ー、例えば、アクリル酸とヒドロキシアルキル化アクリ
ル酸のコポリマー、及びポリマレイン酸およびポリアク
リル酸およびそれらのコポリマーの置換された誘導体が
使用される。
【００３９】さらに、完全な水性システムにおいて、本
発明により使用される防止剤は、他の分散剤および／ま
たは限界剤、例えば、重合されたアクリル酸（またはそ
の塩）、ホスフィノ−ポリカルボン酸（英国特許第１４
５８２３５号で請求された）、欧州特許出願第０１５０
７０６号に記載されたコテロマー性化合物、加水分解さ
れたポリアクリロニトリル、重合されたメタクリル酸及
びその塩、ポリアクリルアミドおよびアクリル酸とメタ
クリル酸からのポリアクリルアミドコポリマー、スルホ
ン酸リグニン及びその塩、タンニン、ナフタレンスルホ
ン酸／ホルムアルデヒド縮合物、デンプン及びその誘導
体、セルロース、アクリル酸／低級アルキルヒドロキシ
−アクリレートコポリマー、例えば、米国特許第４０２
９５７７号に記載されたもの、スチレン／無水マレイン
酸コポリマー、及びスルホン化スチレンホモポリマー、
例えば、米国特許第４３７４７３３号に記載されたも
の、及びそれらの配合物と共に使用されうる。
発明により使用される防止剤は、他の分散剤および／ま
たは限界剤、例えば、重合されたアクリル酸（またはそ
の塩）、ホスフィノ−ポリカルボン酸（英国特許第１４
５８２３５号で請求された）、欧州特許出願第０１５０
７０６号に記載されたコテロマー性化合物、加水分解さ
れたポリアクリロニトリル、重合されたメタクリル酸及
びその塩、ポリアクリルアミドおよびアクリル酸とメタ
クリル酸からのポリアクリルアミドコポリマー、スルホ
ン酸リグニン及びその塩、タンニン、ナフタレンスルホ
ン酸／ホルムアルデヒド縮合物、デンプン及びその誘導
体、セルロース、アクリル酸／低級アルキルヒドロキシ
−アクリレートコポリマー、例えば、米国特許第４０２
９５７７号に記載されたもの、スチレン／無水マレイン
酸コポリマー、及びスルホン化スチレンホモポリマー、
例えば、米国特許第４３７４７３３号に記載されたも
の、及びそれらの配合物と共に使用されうる。
【００４０】特別な限界剤、例えば、２−ホスホノ−ブ
タン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＳＡＭ）、ヒ
ドロキシエチルジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、加水分解さ
れたポリマレイン酸無水物およびその塩、アルキルホス
ホン酸、ヒドロキシホスホノアセト酸、１−アミノアル
キル−１、１−ジホスホン酸及びその塩、及びアルカリ
金属ポリホスフェートはまた、使用されうる。
タン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＳＡＭ）、ヒ
ドロキシエチルジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、加水分解さ
れたポリマレイン酸無水物およびその塩、アルキルホス
ホン酸、ヒドロキシホスホノアセト酸、１−アミノアル
キル−１、１−ジホスホン酸及びその塩、及びアルカリ
金属ポリホスフェートはまた、使用されうる。
【００４１】特に興味深い添加パッケージは、１または
それ以上のポリマレイン酸またはポリアクリル酸または
それらのコポリマー、または置換されたコポリマー、ヒ
ドロキシホスホノアセト酸、ＨＥＤＰ、ＰＢＳＡＭ、ト
リアゾール、例えば、トルトリアゾール、モリブデン酸
塩および亜硝酸塩と一緒に、式Ｖの化合物を含むもので
ある。
それ以上のポリマレイン酸またはポリアクリル酸または
それらのコポリマー、または置換されたコポリマー、ヒ
ドロキシホスホノアセト酸、ＨＥＤＰ、ＰＢＳＡＭ、ト
リアゾール、例えば、トルトリアゾール、モリブデン酸
塩および亜硝酸塩と一緒に、式Ｖの化合物を含むもので
ある。
【００４２】沈澱化剤、例えば、アルカリ金属オルソホ
スフェート、カルボネート；酸素除去剤、例えば、アル
カリ金属スルフィット及びヒドラジン；金属イオン封鎖
剤、例えば、ニトリロトリアセト酸及びその塩；消泡
剤、例えば、ケイ素樹脂、例えば、ポリジメチルシロキ
サン、ジステアリルセバカミド、ジステアリールアジパ
ミド、及びエチレンオキシドおよび／またはプロピレン
オキシド縮合物から誘導された関連生成物、さらに、脂
肪アルコール、例えば、カプリルアルコール及びそれら
のエチレンオキシド縮合物；及び殺生物剤、例えば、ア
ミン、第四級アンモニウム化合物、クロロフェノール、
硫黄含有化合物、例えば、スルホン、メチレンビスチオ
シアネートおよびカルバメート、イソチアゾロン、臭素
化プロピオンアミド、トリアジン、ホスホニウム化合
物、塩素および塩素脱離剤、臭素および臭素脱離剤、及
び有機金属化合物、例えば、トリブチルスズ酸化物が使
用される。
スフェート、カルボネート；酸素除去剤、例えば、アル
カリ金属スルフィット及びヒドラジン；金属イオン封鎖
剤、例えば、ニトリロトリアセト酸及びその塩；消泡
剤、例えば、ケイ素樹脂、例えば、ポリジメチルシロキ
サン、ジステアリルセバカミド、ジステアリールアジパ
ミド、及びエチレンオキシドおよび／またはプロピレン
オキシド縮合物から誘導された関連生成物、さらに、脂
肪アルコール、例えば、カプリルアルコール及びそれら
のエチレンオキシド縮合物；及び殺生物剤、例えば、ア
ミン、第四級アンモニウム化合物、クロロフェノール、
硫黄含有化合物、例えば、スルホン、メチレンビスチオ
シアネートおよびカルバメート、イソチアゾロン、臭素
化プロピオンアミド、トリアジン、ホスホニウム化合
物、塩素および塩素脱離剤、臭素および臭素脱離剤、及
び有機金属化合物、例えば、トリブチルスズ酸化物が使
用される。
【００４３】本発明の方法により処理されるべきシステ
ムが完全な水性、例えば、水性機械加工液配合物でない
とき、例えば、水で希釈可能な切断または研削用液体で
ありうる。
ムが完全な水性、例えば、水性機械加工液配合物でない
とき、例えば、水で希釈可能な切断または研削用液体で
ありうる。
【００４４】本発明の水性機械加工液配合剤は例えば、
金属加工用配合剤でありうる。”金属加工”により、リ
ーマー仕上げ、ブローチング、圧伸成形、スピニング、
切断、研削、ボーリング、微粉砕、旋削、のこ抜き、切
断によらない成形、または圧延を意味する。
金属加工用配合剤でありうる。”金属加工”により、リ
ーマー仕上げ、ブローチング、圧伸成形、スピニング、
切断、研削、ボーリング、微粉砕、旋削、のこ抜き、切
断によらない成形、または圧延を意味する。
【００４５】腐蝕防止配合物が混合されうる、水に希釈
可能な切断または研削用液体の例を以下に示す： ａ）研削液として通常使用され、１：５０ないし１：１
００の希釈液として使用される、１またはそれ以上の腐
蝕防止剤、及び場合により１またはそれ以上の耐磨耗剤
の水性原液； ｂ）切断操作用として１：２０ないし１：４０の希釈液
として、及び研削用として１：６０ないし１：８０の希
釈液として使用される、殺生物剤、腐蝕防止剤および耐
磨耗剤を含むポリグリコール； ｃ）水で希釈された生成物を半透明にするため、十分な
乳化剤と共に、さらに１０ないし２５％のオイルを含む
が、（ｂ）に類似の半合成切断用液； ｄ）例えば、乳化剤、腐蝕防止剤、極圧剤／耐磨耗剤、
殺生物剤、消泡剤、カップリング剤等を含む乳化可能な
鉱油原液；それらは一般に、白色不透明な乳濁液に水で
１：１０ないし１：５０に希釈される； ｅ）オイルを除き、さらに乳化剤を含む（ｄ）に類似の
生成物を１：５０ないし１：１００の範囲に希釈して、
切断または研削操作用の半透明な乳濁液を与える。
可能な切断または研削用液体の例を以下に示す： ａ）研削液として通常使用され、１：５０ないし１：１
００の希釈液として使用される、１またはそれ以上の腐
蝕防止剤、及び場合により１またはそれ以上の耐磨耗剤
の水性原液； ｂ）切断操作用として１：２０ないし１：４０の希釈液
として、及び研削用として１：６０ないし１：８０の希
釈液として使用される、殺生物剤、腐蝕防止剤および耐
磨耗剤を含むポリグリコール； ｃ）水で希釈された生成物を半透明にするため、十分な
乳化剤と共に、さらに１０ないし２５％のオイルを含む
が、（ｂ）に類似の半合成切断用液； ｄ）例えば、乳化剤、腐蝕防止剤、極圧剤／耐磨耗剤、
殺生物剤、消泡剤、カップリング剤等を含む乳化可能な
鉱油原液；それらは一般に、白色不透明な乳濁液に水で
１：１０ないし１：５０に希釈される； ｅ）オイルを除き、さらに乳化剤を含む（ｄ）に類似の
生成物を１：５０ないし１：１００の範囲に希釈して、
切断または研削操作用の半透明な乳濁液を与える。
【００４６】水性システム成分が水性機械加工液配合物
であるこれらの部分的な水性システムのため、本発明に
より使用される式Ｖの防止剤は単一で、または他の添加
剤、例えば、公知の他の腐蝕防止剤、および／または極
圧剤と混合して使用されうる。
であるこれらの部分的な水性システムのため、本発明に
より使用される式Ｖの防止剤は単一で、または他の添加
剤、例えば、公知の他の腐蝕防止剤、および／または極
圧剤と混合して使用されうる。
【００４７】これらの水性システムにおいて使用されう
る他の腐蝕防止剤の例は、本発明により使用される防止
剤組成物に加えて、以下の類を含む： ａ）有機酸、それらのエステル、またはアンモニウム、
アミン、アルカノールアミン及び金属塩、例えば、安息
香酸、ｐ−第三ブチル安息香酸、セバシン酸二ナトリウ
ム、ラウリル酸トリエタノールアミン、イソ−ノナン
酸、（ｐ−トルエンスルホンアミドカプロン酸）のトリ
エタノールアミン塩、ベンゼンスルホンアミドカプロン
酸のトリエタノールアミン塩、欧州特許第４１９２７号
に記載された５−ケトカルボン酸誘導体のトリエタノー
ルアミン塩、ナトリウム Ｎ−ラウロイルサルコシネー
ト、またはノニルフェノキシ酢酸；
る他の腐蝕防止剤の例は、本発明により使用される防止
剤組成物に加えて、以下の類を含む： ａ）有機酸、それらのエステル、またはアンモニウム、
アミン、アルカノールアミン及び金属塩、例えば、安息
香酸、ｐ−第三ブチル安息香酸、セバシン酸二ナトリウ
ム、ラウリル酸トリエタノールアミン、イソ−ノナン
酸、（ｐ−トルエンスルホンアミドカプロン酸）のトリ
エタノールアミン塩、ベンゼンスルホンアミドカプロン
酸のトリエタノールアミン塩、欧州特許第４１９２７号
に記載された５−ケトカルボン酸誘導体のトリエタノー
ルアミン塩、ナトリウム Ｎ−ラウロイルサルコシネー
ト、またはノニルフェノキシ酢酸；
【００４８】ｂ）窒素含有材料、例えば、以下のタイ
プ：脂肪酸アルカノールアミド；イミダゾリン、例え
ば、１−ヒドロキシ−エチル−２−オレイル−イミダゾ
リン；オキサゾリン；トリアゾール、例えば、ベンゾト
リアゾール、またはそれらのマンニッヒ塩基誘導体；ト
リエタノールアミン；脂肪族アミン；無機塩、例えば、
亜硝酸ナトリウム、及び欧州特許出願第４６１３９号に
記載されたカルボキシ−トリアジン化合物； ｃ）リン含有材料、例えば、以下のタイプ：アミンホス
フェート、ホスホン酸または無機塩、例えば、リン酸二
水素ナトリウムまたはリン酸亜鉛； ｄ）硫黄含有材料、例えば、以下のタイプ：ナトリウ
ム、カルシウムまたはバリウムの石油スルホン酸塩、ま
たはヘテロ環状物、例えば、ナトリウム メルカプトベ
ンゾチアゾール。
プ：脂肪酸アルカノールアミド；イミダゾリン、例え
ば、１−ヒドロキシ−エチル−２−オレイル−イミダゾ
リン；オキサゾリン；トリアゾール、例えば、ベンゾト
リアゾール、またはそれらのマンニッヒ塩基誘導体；ト
リエタノールアミン；脂肪族アミン；無機塩、例えば、
亜硝酸ナトリウム、及び欧州特許出願第４６１３９号に
記載されたカルボキシ−トリアジン化合物； ｃ）リン含有材料、例えば、以下のタイプ：アミンホス
フェート、ホスホン酸または無機塩、例えば、リン酸二
水素ナトリウムまたはリン酸亜鉛； ｄ）硫黄含有材料、例えば、以下のタイプ：ナトリウ
ム、カルシウムまたはバリウムの石油スルホン酸塩、ま
たはヘテロ環状物、例えば、ナトリウム メルカプトベ
ンゾチアゾール。
【００４９】窒素含有材料、特にトリエタノールアミン
が好ましい。本発明により処理されたシステムに存在す
る極圧剤の例は、硫黄原子および／またはリン原子およ
び／またはハロゲン原子を含有する材料、例えば、硫化
された精油、硫化された脂肪、トリトリルホスフェー
ト、塩素化パラフィンまたはエトキシ化ホスフェートエ
ステルを含む。
が好ましい。本発明により処理されたシステムに存在す
る極圧剤の例は、硫黄原子および／またはリン原子およ
び／またはハロゲン原子を含有する材料、例えば、硫化
された精油、硫化された脂肪、トリトリルホスフェー
ト、塩素化パラフィンまたはエトキシ化ホスフェートエ
ステルを含む。
【００５０】本発明により処理された水性システム中に
トリエタノールアミンが存在するとき、トリエタノール
アミンに対する防止剤組成物の割合が２：１ないし１：
２０であるような量で存在するのが好ましい。
トリエタノールアミンが存在するとき、トリエタノール
アミンに対する防止剤組成物の割合が２：１ないし１：
２０であるような量で存在するのが好ましい。
【００５１】本発明の方法により処理された部分的な水
性システムはまた、水性表面コーティング組成物、例え
ば、金属基質のためのエマルション塗料および水性粉末
コーティング剤である。
性システムはまた、水性表面コーティング組成物、例え
ば、金属基質のためのエマルション塗料および水性粉末
コーティング剤である。
【００５２】水性表面コーティング組成物は、金属基質
をコーティングするための、例えば、スチレン−アクリ
ルコポリマー エマルション塗料のような塗料、樹脂、
ラテックスまたは他の水に基づいたポリマー表面コーテ
ィングシステムである。本発明により使用された防止剤
組成物は、表面コーティングに適用する間、金属基質の
閃光によるサビを防止するため、そしてコーティングさ
れた金属を使用する間、二次的な腐蝕を防止するため使
用される。
をコーティングするための、例えば、スチレン−アクリ
ルコポリマー エマルション塗料のような塗料、樹脂、
ラテックスまたは他の水に基づいたポリマー表面コーテ
ィングシステムである。本発明により使用された防止剤
組成物は、表面コーティングに適用する間、金属基質の
閃光によるサビを防止するため、そしてコーティングさ
れた金属を使用する間、二次的な腐蝕を防止するため使
用される。
【００５３】本発明の方法により処理された水性表面コ
ーティング組成物において、防止剤組成物は単一で、ま
たは他の添加剤、例えば、公知の腐蝕防止剤、殺生物
剤、乳化剤および／または顔料と混合により使用されう
る。
ーティング組成物において、防止剤組成物は単一で、ま
たは他の添加剤、例えば、公知の腐蝕防止剤、殺生物
剤、乳化剤および／または顔料と混合により使用されう
る。
【００５４】使用される他の公知の腐蝕防止剤は例え
ば、上記で定義された類ａ），ｂ），ｃ）及びｄ）の化
合物である。
ば、上記で定義された類ａ），ｂ），ｃ）及びｄ）の化
合物である。
【００５５】これらの水性システムで使用される殺生物
剤の例は、式Ｖの化合物に加えて、以下に示すものを含
む：フェノール、並びにアルキル化−及びハロゲン化−
フェノール、例えば、ペンタクロロフェノール、ｏ−フ
ェニルフェノール、ｏ−フェノキシフェノール、及び塩
素化ｏ−フェノキシフェノール、並びにサリチルアニリ
ド、ジアミン、トリアジン及び有機金属化合物、例え
ば、有機水銀化合物および有機スズ化合物。
剤の例は、式Ｖの化合物に加えて、以下に示すものを含
む：フェノール、並びにアルキル化−及びハロゲン化−
フェノール、例えば、ペンタクロロフェノール、ｏ−フ
ェニルフェノール、ｏ−フェノキシフェノール、及び塩
素化ｏ−フェノキシフェノール、並びにサリチルアニリ
ド、ジアミン、トリアジン及び有機金属化合物、例え
ば、有機水銀化合物および有機スズ化合物。
【００５６】これらの水性システムで使用される顔料の
例は、式Ｖの化合物に加えて、二酸化チタン、クロム酸
亜鉛、酸化鉄および有機顔料、例えば、フタロシアニン
を含む。
例は、式Ｖの化合物に加えて、二酸化チタン、クロム酸
亜鉛、酸化鉄および有機顔料、例えば、フタロシアニン
を含む。
【００５７】すでに示されているように、式Ｖのコテロ
マーは、共通の沈澱物、例えば、酸化鉄および／または
鉄塩、カルシウム及びマグネシウム沈澱物、例えば、そ
れらのカーボネート、スルフェート、オキサレートおよ
びホスフェート、及びそのような水中で見い出された沈
泥、アルミナ、シリケートおよび粘土に対する分散剤お
よび／または防汚剤として作用する。
マーは、共通の沈澱物、例えば、酸化鉄および／または
鉄塩、カルシウム及びマグネシウム沈澱物、例えば、そ
れらのカーボネート、スルフェート、オキサレートおよ
びホスフェート、及びそのような水中で見い出された沈
泥、アルミナ、シリケートおよび粘土に対する分散剤お
よび／または防汚剤として作用する。
【００５８】特に、本発明の方法はカルシウムイオンを
５−１５００ｐｐｍ含む水性システム中の沈澱物の分
散、同様に懸濁した固体の分散に適用することができ
る。
５−１５００ｐｐｍ含む水性システム中の沈澱物の分
散、同様に懸濁した固体の分散に適用することができ
る。
【００５９】本発明のこの局面は、陶土の採掘場から使
用者までに移送する間にはっきり分離しないスラリーを
得ることが重要である陶土産業における用途に特に、見
い出される。これのスラリー中において懸濁化された固
体が高濃度のとき、式Ｖのコテロマーは陶土を分散
し、”製造過程の”分散剤として、及び研削の助剤とし
て価値あることが見い出された。
用者までに移送する間にはっきり分離しないスラリーを
得ることが重要である陶土産業における用途に特に、見
い出される。これのスラリー中において懸濁化された固
体が高濃度のとき、式Ｖのコテロマーは陶土を分散
し、”製造過程の”分散剤として、及び研削の助剤とし
て価値あることが見い出された。
【００６０】以下の実施例はさらに、本発明を説明す
る。参考例１ ４４ｇの次亜リン酸ナトリウムに、ゆっくりと１０２ｇ
の塩酸（３６％）、続いて４３．５ｇのアセトンを添加
する。混合物を７時間還流するため、混合しながら加熱
する。生成物を蒸留水で２回洗浄する。２４ｇのＮａＯ
Ｈを添加し、得られた溶液を乾燥するため蒸発する。９
０ｇの生成物（次亜リン酸ナトリウムに基づいて９２％
の収量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは生成物に相当する３
９．３ｐｐｍでメインピークを示す。％Ｐ＝１３．５
％。
る。参考例１ ４４ｇの次亜リン酸ナトリウムに、ゆっくりと１０２ｇ
の塩酸（３６％）、続いて４３．５ｇのアセトンを添加
する。混合物を７時間還流するため、混合しながら加熱
する。生成物を蒸留水で２回洗浄する。２４ｇのＮａＯ
Ｈを添加し、得られた溶液を乾燥するため蒸発する。９
０ｇの生成物（次亜リン酸ナトリウムに基づいて９２％
の収量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは生成物に相当する３
９．３ｐｐｍでメインピークを示す。％Ｐ＝１３．５
％。
【００６１】参考例２ １７．６ｇの次亜リン酸ナトリウム、３９．４６ｇの３
７％ＨＣｌおよび２１．６ｇのメチルエチルケトンを使
用して、参考例１の方法を繰り返す。混合物を８時間還
流するため、混合しながら加熱する。生成物を蒸留水で
２回洗浄する。１２．２ｇのＮａＯＨを添加し、得られ
た溶液を乾燥するため蒸発する。４４．２６ｇの生成物
（次亜リン酸ナトリウムに基づいて９５．５６％の収
量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは３９．７ｐｐｍでメインピ
ークを示す。％Ｐ＝１０．６２％。
７％ＨＣｌおよび２１．６ｇのメチルエチルケトンを使
用して、参考例１の方法を繰り返す。混合物を８時間還
流するため、混合しながら加熱する。生成物を蒸留水で
２回洗浄する。１２．２ｇのＮａＯＨを添加し、得られ
た溶液を乾燥するため蒸発する。４４．２６ｇの生成物
（次亜リン酸ナトリウムに基づいて９５．５６％の収
量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは３９．７ｐｐｍでメインピ
ークを示す。％Ｐ＝１０．６２％。
【００６２】参考例３ 参考例１ の方法を使用して、４４ｇの次亜リン酸ナトリ
ウム、５１ｇの３７％ＨＣｌおよび２２ｇのアセトアル
デヒドを反応する。混合物を７．５時間還流するため、
混合しながら加熱する。１８．３ｇのＮａＯＨを添加
し、得られた溶液を乾燥するため蒸発する。８５ｇの生
成物（次亜リン酸ナトリウムに基づいて７７．０９％の
収量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは３５．７ｐｐｍでメイン
ピークを示す。％Ｐ＝１５．６％。
ウム、５１ｇの３７％ＨＣｌおよび２２ｇのアセトアル
デヒドを反応する。混合物を７．５時間還流するため、
混合しながら加熱する。１８．３ｇのＮａＯＨを添加
し、得られた溶液を乾燥するため蒸発する。８５ｇの生
成物（次亜リン酸ナトリウムに基づいて７７．０９％の
収量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは３５．７ｐｐｍでメイン
ピークを示す。％Ｐ＝１５．６％。
【００６３】参考例４ ９．９ｇのシクロヘキシルアミンに、冷却しながら、１
３．２ｇの次亜リン酸（５０％溶液）、続いて４５ｇの
ホルムアルデヒド溶液（４０％）を添加する。溶液を９
５℃で５．５時間加熱する。２．５ｇのＮａＯＨを添加
し、得られた溶液を乾燥するため蒸発する。１８．４ｇ
の生成物（次亜リン酸に基づいて５１．７％の収量）を
得る。31Ｐ ＮＭＲは生成物に相当する１０ｐｐｍでメ
インピークを示す。％Ｐ＝１２．０％。
３．２ｇの次亜リン酸（５０％溶液）、続いて４５ｇの
ホルムアルデヒド溶液（４０％）を添加する。溶液を９
５℃で５．５時間加熱する。２．５ｇのＮａＯＨを添加
し、得られた溶液を乾燥するため蒸発する。１８．４ｇ
の生成物（次亜リン酸に基づいて５１．７％の収量）を
得る。31Ｐ ＮＭＲは生成物に相当する１０ｐｐｍでメ
インピークを示す。％Ｐ＝１２．０％。
【００６４】参考例５ 参考例１ の方法を使用して、２２ｇの次亜リン酸ナトリ
ウム、７４ｇの３７％ＨＣｌおよび２４．５ｇのシクロ
ヘキサノンを反応する。混合物を８時間還流するため、
混合しながら加熱する。３２ｇのＮａＯＨを添加し、得
られた溶液を乾燥するため蒸発する。３２．１ｇの生成
物（次亜リン酸ナトリウムに基づいて９４．２％の収
量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは３７．９ｐｐｍでメインピ
ークを示す。％Ｐ＝１５．４９％。
ウム、７４ｇの３７％ＨＣｌおよび２４．５ｇのシクロ
ヘキサノンを反応する。混合物を８時間還流するため、
混合しながら加熱する。３２ｇのＮａＯＨを添加し、得
られた溶液を乾燥するため蒸発する。３２．１ｇの生成
物（次亜リン酸ナトリウムに基づいて９４．２％の収
量）を得る。31Ｐ ＮＭＲは３７．９ｐｐｍでメインピ
ークを示す。％Ｐ＝１５．４９％。
【００６５】実施例１ ３５２ｇの水に溶解された１００．６ｇの参考例１の生
成物に、１６０ｇの水に溶解された２３．８３ｇの過硫
酸ナトリウム、及び２４０ｇの水に溶解された８２．３
ｇの参考例１の生成物と一緒に５７６ｇのアクリル酸
を、５時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下す
る。温度を９０℃で１時間保ち、その後、２時間で１０
０℃に上昇して、固体含量５０％の生成物１５０４．５
ｇを製造する。生成物はＭn ＝１１４４及びＭw ＝２３
９３、％Ｐ＝２．６％を有する。
成物に、１６０ｇの水に溶解された２３．８３ｇの過硫
酸ナトリウム、及び２４０ｇの水に溶解された８２．３
ｇの参考例１の生成物と一緒に５７６ｇのアクリル酸
を、５時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下す
る。温度を９０℃で１時間保ち、その後、２時間で１０
０℃に上昇して、固体含量５０％の生成物１５０４．５
ｇを製造する。生成物はＭn ＝１１４４及びＭw ＝２３
９３、％Ｐ＝２．６％を有する。
【００６６】実施例２ ７０ｇの蒸留水に溶解された１９．７ｇの参考例１の生
成物に、３２ｇの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び４８ｍｌの蒸留水に溶解された１６．１
２ｇの参考例１の生成物と一緒に２８．８ｇのアクリル
酸を、２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下
する。温度を８０℃で１時間保ち、その後、１時間で１
００℃に加熱して、固体含量３３％の生成物２１５ｇを
製造する。生成物はＭn ＝５７６，Ｍw ＝８１９を有す
るＧＰＣにより特徴付けられ、％リン含量は７％であ
る。
成物に、３２ｇの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び４８ｍｌの蒸留水に溶解された１６．１
２ｇの参考例１の生成物と一緒に２８．８ｇのアクリル
酸を、２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下
する。温度を８０℃で１時間保ち、その後、１時間で１
００℃に加熱して、固体含量３３％の生成物２１５ｇを
製造する。生成物はＭn ＝５７６，Ｍw ＝８１９を有す
るＧＰＣにより特徴付けられ、％リン含量は７％であ
る。
【００６７】実施例３ ７０ｍｌの水に溶解された１９．７ｇの参考例１の生成
物に、３２ｍｌの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び４８ｍｌの水に溶解された１６．１２ｇ
の参考例１の生成物と一緒に１４４ｇのアクリル酸を、
２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。
温度を８０℃で１時間保ち、その後、２時間で１００℃
に上昇して、固体含量５５％の生成物３３０．６ｇを製
造する。生成物はＭn ＝１７０６及びＭw ＝２９８５、
％Ｐ＝２．６％を有する。
物に、３２ｍｌの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び４８ｍｌの水に溶解された１６．１２ｇ
の参考例１の生成物と一緒に１４４ｇのアクリル酸を、
２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。
温度を８０℃で１時間保ち、その後、２時間で１００℃
に上昇して、固体含量５５％の生成物３３０．６ｇを製
造する。生成物はＭn ＝１７０６及びＭw ＝２９８５、
％Ｐ＝２．６％を有する。
【００６８】実施例４ ７０ｍｌの水に溶解された１９．７ｇの参考例１の生成
物に、３２ｍｌの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び４８ｍｌの水に溶解された１６．１２ｇ
の参考例１の生成物と一緒に８６ｇのアクリル酸を、２
時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。温
度を８０℃で１時間保ち、その後、２時間で１００℃に
上昇して、固体含量４９．４％の生成物２７４ｇを製造
する。生成物はＭn ＝１３４０及びＭw ＝２４１８、％
Ｐ＝３．９％を有する。
物に、３２ｍｌの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び４８ｍｌの水に溶解された１６．１２ｇ
の参考例１の生成物と一緒に８６ｇのアクリル酸を、２
時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。温
度を８０℃で１時間保ち、その後、２時間で１００℃に
上昇して、固体含量４９．４％の生成物２７４ｇを製造
する。生成物はＭn ＝１３４０及びＭw ＝２４１８、％
Ｐ＝３．９％を有する。
【００６９】実施例５ ２５ｍｌの水に溶解された９．６６ｇの参考例５の生成
物に、２０ｍｌの水に溶解された２．３８ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び２０ｍｌの水に溶解された９．６６ｇの
参考例５の生成物と一緒に５７．６ｇのアクリル酸を、
２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。
温度を１００℃に上昇させ、１００℃で２時間保ち、固
体含量５２．３６％、Ｍn ＝９７３及びＭw ＝１７４
５、％Ｐ＝３．４％を有する生成物１４９ｇを製造す
る。
物に、２０ｍｌの水に溶解された２．３８ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び２０ｍｌの水に溶解された９．６６ｇの
参考例５の生成物と一緒に５７．６ｇのアクリル酸を、
２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。
温度を１００℃に上昇させ、１００℃で２時間保ち、固
体含量５２．３６％、Ｍn ＝９７３及びＭw ＝１７４
５、％Ｐ＝３．４％を有する生成物１４９ｇを製造す
る。
【００７０】実施例６ ２０ｍｌの水に溶解された７．６４ｇの参考例４の生成
物に、１５ｍｌの水に溶解された１．９ｇの過硫酸ナト
リウム、及び２０ｍｌの水に溶解された７．６４ｇの参
考例４の生成物と一緒に２３．０４ｇのアクリル酸を、
２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。
その後、温度を１００℃に上昇させ、１００℃で２時間
保ち、固体含量４３．５７％、Ｍn ＝１７０７及びＭw
＝４６１６、％Ｐ＝４．７％を有する生成物７６．０６
ｇを製造する。
物に、１５ｍｌの水に溶解された１．９ｇの過硫酸ナト
リウム、及び２０ｍｌの水に溶解された７．６４ｇの参
考例４の生成物と一緒に２３．０４ｇのアクリル酸を、
２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。
その後、温度を１００℃に上昇させ、１００℃で２時間
保ち、固体含量４３．５７％、Ｍn ＝１７０７及びＭw
＝４６１６、％Ｐ＝４．７％を有する生成物７６．０６
ｇを製造する。
【００７１】実施例７ ７０ｍｌの水に溶解された２０．６７ｇの参考例２の生
成物に、３０ｍｌの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸
ナトリウム、及び４８ｍｌの水に溶解された２０．６７
ｇの参考例２の生成物と一緒に８６．４ｇのアクリル酸
を、２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下す
る。温度を１００℃に上昇させ、その後、１００℃で２
時間保ち、固体含量４７．３％、Ｍn ＝１０１８及びＭ
w ＝１７４７、％Ｐ＝３．２％を有する生成物２６９．
４ｇを製造する。
成物に、３０ｍｌの水に溶解された４．７７ｇの過硫酸
ナトリウム、及び４８ｍｌの水に溶解された２０．６７
ｇの参考例２の生成物と一緒に８６．４ｇのアクリル酸
を、２時間かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下す
る。温度を１００℃に上昇させ、その後、１００℃で２
時間保ち、固体含量４７．３％、Ｍn ＝１０１８及びＭ
w ＝１７４７、％Ｐ＝３．２％を有する生成物２６９．
４ｇを製造する。
【００７２】実施例８ １５ｍｌの水に溶解された８．８５ｇの参考例１の生成
物に、１０ｍｌの水に溶解された２．３８ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び１５ｍｌの水に溶解された８．８５ｇの
参考例１の生成物と一緒に４１６ｇのビニルスルホン酸
（Ｈ2 Ｏ中２５％）を、２時間かけて、８０℃で攪拌し
ながら別々に滴下する。温度を８０℃で１時間保ち、そ
の後、２時間で１００℃に上昇し、固体含量３５％の生
成物４６０ｇを製造する。生成物はＭn ＝５１７及びＭ
w ＝６５１、％Ｐ＝１．５％を有する。
物に、１０ｍｌの水に溶解された２．３８ｇの過硫酸ナ
トリウム、及び１５ｍｌの水に溶解された８．８５ｇの
参考例１の生成物と一緒に４１６ｇのビニルスルホン酸
（Ｈ2 Ｏ中２５％）を、２時間かけて、８０℃で攪拌し
ながら別々に滴下する。温度を８０℃で１時間保ち、そ
の後、２時間で１００℃に上昇し、固体含量３５％の生
成物４６０ｇを製造する。生成物はＭn ＝５１７及びＭ
w ＝６５１、％Ｐ＝１．５％を有する。
【００７３】実施例９ ２３ｍｌの水に溶解された１７．７１ｇの参考例１の生
成物に、１６ｍｌの水に溶解された２．３８ｇの過硫酸
ナトリウム、及び２０８ｇのビニルスルホン酸（Ｈ2 Ｏ
中２５％）と一緒に２８．８ｇのアクリル酸を、２時間
かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。温度を
１００℃で２時間保って、固体含量４２．８％の生成物
２６１ｇを製造する。生成物はＭn ＝８７９及びＭw ＝
１８５０、％Ｐ＝２．０％を有する。
成物に、１６ｍｌの水に溶解された２．３８ｇの過硫酸
ナトリウム、及び２０８ｇのビニルスルホン酸（Ｈ2 Ｏ
中２５％）と一緒に２８．８ｇのアクリル酸を、２時間
かけて、８０℃で攪拌しながら別々に滴下する。温度を
１００℃で２時間保って、固体含量４２．８％の生成物
２６１ｇを製造する。生成物はＭn ＝８７９及びＭw ＝
１８５０、％Ｐ＝２．０％を有する。
【００７４】実施例１０ １５ｍｌの水に溶解された４．４３ｇの参考例１の生成
物に、１０ｍｌの水に溶解された１．１９ｇの過硫酸ナ
トリウム、７８．９６ｇのＡＭＰＳ（５８％）及び１０
ｍｌの水に溶解された４．４３ｇの参考例１の生成物と
一緒に１４．４ｇのアクリル酸を、２時間かけて、還流
温度１００℃で攪拌しながら別々に滴下する。その後、
温度を１００℃で２時間保って、固体含量５６．５８％
の生成物１０１ｇを製造する。生成物はＭn ＝８４７及
びＭw ＝３６３４、％Ｐ＝１．７％を有する。
物に、１０ｍｌの水に溶解された１．１９ｇの過硫酸ナ
トリウム、７８．９６ｇのＡＭＰＳ（５８％）及び１０
ｍｌの水に溶解された４．４３ｇの参考例１の生成物と
一緒に１４．４ｇのアクリル酸を、２時間かけて、還流
温度１００℃で攪拌しながら別々に滴下する。その後、
温度を１００℃で２時間保って、固体含量５６．５８％
の生成物１０１ｇを製造する。生成物はＭn ＝８４７及
びＭw ＝３６３４、％Ｐ＝１．７％を有する。
【００７５】実施例１１ ８０ｍｌの水に溶解された２４．３５ｇの参考例１の生
成物に、５０ｍｌの水に溶解された６．５５ｇの過硫酸
ナトリウム、７８．９６ｇのＡＭＰＳ（５８％）及び５
５ｍｌの水に溶解された２４．３５ｇの参考例１の生成
物と一緒に１４４ｇのアクリル酸を、２時間かけて、還
流温度１００℃で攪拌しながら別々に滴下する。その
後、温度を１００℃で２時間保って、固体含量５３．７
１％の生成物４１５．６ｇを製造する。生成物はＭn ＝
８６１及びＭw ＝２３５１、％Ｐ＝２．７％を有する。
成物に、５０ｍｌの水に溶解された６．５５ｇの過硫酸
ナトリウム、７８．９６ｇのＡＭＰＳ（５８％）及び５
５ｍｌの水に溶解された２４．３５ｇの参考例１の生成
物と一緒に１４４ｇのアクリル酸を、２時間かけて、還
流温度１００℃で攪拌しながら別々に滴下する。その
後、温度を１００℃で２時間保って、固体含量５３．７
１％の生成物４１５．６ｇを製造する。生成物はＭn ＝
８６１及びＭw ＝２３５１、％Ｐ＝２．７％を有する。
【００７６】実施例１２ １５ｍｌの水に溶解された８．８５ｇの参考例１の生成
物に、５ｍｌの水に溶解された１．１９ｇの過硫酸ナト
リウム、１４．４ｇのアクリル酸および５０ｍｌの水に
溶解されたＭw ＝４５０を有する９０ｇのポリエチレン
オキシドのアリルエーテルを、２時間かけて、９５℃で
攪拌しながら別々に滴下する。温度を９５℃で２時間保
って、固体含量６２．７２％の生成物１３５ｇを製造す
る。生成物はＭn ＝４４３及びＭw ＝２３２８、％Ｐ＝
１．２％を有する。
物に、５ｍｌの水に溶解された１．１９ｇの過硫酸ナト
リウム、１４．４ｇのアクリル酸および５０ｍｌの水に
溶解されたＭw ＝４５０を有する９０ｇのポリエチレン
オキシドのアリルエーテルを、２時間かけて、９５℃で
攪拌しながら別々に滴下する。温度を９５℃で２時間保
って、固体含量６２．７２％の生成物１３５ｇを製造す
る。生成物はＭn ＝４４３及びＭw ＝２３２８、％Ｐ＝
１．２％を有する。
【００７７】実施例１３ １５ｇの蒸留水に溶解された８．８５ｇの参考例１の生
成物に、３０ｇのＨ2Ｏに溶解された４．９ｇの無水マ
レイン酸と共に１．１９ｇの過硫酸ナトリウム、及び２
５．２ｇのアクリル酸を、２時間かけて、８０℃で攪拌
しながら別々に滴下する。その後、温度を２時間で１０
０℃に上昇し、固体含量５０％の生成物７５ｇを製造す
る。生成物はＭn ＝３４６及びＭw ＝１７２１、％リン
含量＝３０％を有するＧＰＣにより特徴付けられる。
成物に、３０ｇのＨ2Ｏに溶解された４．９ｇの無水マ
レイン酸と共に１．１９ｇの過硫酸ナトリウム、及び２
５．２ｇのアクリル酸を、２時間かけて、８０℃で攪拌
しながら別々に滴下する。その後、温度を２時間で１０
０℃に上昇し、固体含量５０％の生成物７５ｇを製造す
る。生成物はＭn ＝３４６及びＭw ＝１７２１、％リン
含量＝３０％を有するＧＰＣにより特徴付けられる。
【００７８】実施例１４ ２５ｇの水に溶解された１７．７ｇの参考例１の生成物
に、２５ｇのＨ2 Ｏに溶解された４．９ｇの無水マレイ
ン酸と共に２．３８ｇの過硫酸ナトリウム、及び２５．
２ｇのアクリル酸を、２時間かけて、８０℃で攪拌しな
がら別々に滴下する。その後、温度を２時間で１００℃
に上昇し、固体含量５４％、Ｍn ＝４６１及びＭw ＝１
２４４、％リン含量＝４．９％を有する生成物８２ｇを
製造する。
に、２５ｇのＨ2 Ｏに溶解された４．９ｇの無水マレイ
ン酸と共に２．３８ｇの過硫酸ナトリウム、及び２５．
２ｇのアクリル酸を、２時間かけて、８０℃で攪拌しな
がら別々に滴下する。その後、温度を２時間で１００℃
に上昇し、固体含量５４％、Ｍn ＝４６１及びＭw ＝１
２４４、％リン含量＝４．９％を有する生成物８２ｇを
製造する。
【００７９】実施例１５ ６１９ｇの次亜塩素酸ナトリウム溶液を冷却しながら、
１時間かけて、実施例１の生成物に滴下する。試料を２
時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝１３８０及びＭw ＝２５
６０、％Ｐ＝２．６％、固体含量４１．７％を有する生
成物２０５０ｇを与える。
１時間かけて、実施例１の生成物に滴下する。試料を２
時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝１３８０及びＭw ＝２５
６０、％Ｐ＝２．６％、固体含量４１．７％を有する生
成物２０５０ｇを与える。
【００８０】実施例１６ １２３ｇの次亜塩素酸ナトリウム溶液を、１時間かけ
て、２００ｇの実施例２の生成物に滴下する。その後、
試料を２時間で８０℃に加熱し、固体含量２７％の生成
物３１０ｇを与える。生成物は、Ｍn ＝６３２及びＭw
＝８６７、％Ｐ＝４．５％を有するＧＰＣにより特徴付
けられる。
て、２００ｇの実施例２の生成物に滴下する。その後、
試料を２時間で８０℃に加熱し、固体含量２７％の生成
物３１０ｇを与える。生成物は、Ｍn ＝６３２及びＭw
＝８６７、％Ｐ＝４．５％を有するＧＰＣにより特徴付
けられる。
【００８１】実施例１７ １２３ｇの次亜塩素酸ナトリウム溶液を冷却しながら、
１時間かけて、実施例３の生成物に滴下する。試料を２
時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝１８２９及びＭw ＝３０
７２、％Ｐ＝３．２３％、固体含量４７．３％を有する
生成物４３９ｇを与える。
１時間かけて、実施例３の生成物に滴下する。試料を２
時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝１８２９及びＭw ＝３０
７２、％Ｐ＝３．２３％、固体含量４７．３％を有する
生成物４３９ｇを与える。
【００８２】実施例１８ １２３ｇの次亜塩素酸ナトリウムを冷却しながら、１時
間かけて、実施例４の生成物に滴下する。試料を２時間
で８０℃に加熱し、Ｍn ＝１４５３及びＭw ＝２４０
８、％Ｐ＝３．２３％、固体含量３６．０％を有する生
成物３５０ｇを与える。
間かけて、実施例４の生成物に滴下する。試料を２時間
で８０℃に加熱し、Ｍn ＝１４５３及びＭw ＝２４０
８、％Ｐ＝３．２３％、固体含量３６．０％を有する生
成物３５０ｇを与える。
【００８３】実施例１９ ２７．７９ｇの次亜塩素酸ナトリウム溶液を、冷却しな
がら１時間かけて、２３０ｇの実施例８の生成物に滴下
する。試料を２時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝５４１及
びＭw ＝７０２、固体含量３４％、％Ｐ＝１．２６％の
生成物２５１ｇを与える。
がら１時間かけて、２３０ｇの実施例８の生成物に滴下
する。試料を２時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝５４１及
びＭw ＝７０２、固体含量３４％、％Ｐ＝１．２６％の
生成物２５１ｇを与える。
【００８４】実施例２０ ３５．９４ｇの次亜リン酸ナトリウムを、冷却しながら
１時間かけて、１２８ｇの実施例９の生成物に滴下す
る。試料を４時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝５６６及び
Ｍw ＝１９００、固体含量３８．６８％、％Ｐ＝１．７
３％を有する生成物１０２ｇを与える。
１時間かけて、１２８ｇの実施例９の生成物に滴下す
る。試料を４時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝５６６及び
Ｍw ＝１９００、固体含量３８．６８％、％Ｐ＝１．７
３％を有する生成物１０２ｇを与える。
【００８５】実施例２１ ３３．０ｇの次亜リン酸ナトリウムを、冷却しながら１
時間かけて、５１ｇの実施例９の生成物に滴下する。試
料を６時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝３９３及びＭw ＝
３８４６、％Ｐ＝１．３５％、固体含量４５．８％を有
する生成物７４ｇを与える。
時間かけて、５１ｇの実施例９の生成物に滴下する。試
料を６時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝３９３及びＭw ＝
３８４６、％Ｐ＝１．３５％、固体含量４５．８％を有
する生成物７４ｇを与える。
【００８６】実施例２２ ９５．１ｇの次亜塩素酸ナトリウムを、冷却しながら１
時間かけて、２０７ｇの実施例１１の生成物に滴下す
る。試料を６時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝８６０及び
Ｍw ＝２６４０、固体含量４５．２７％、％Ｐ＝２．３
８％の生成物２７８ｇを与える。
時間かけて、２０７ｇの実施例１１の生成物に滴下す
る。試料を６時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝８６０及び
Ｍw ＝２６４０、固体含量４５．２７％、％Ｐ＝２．３
８％の生成物２７８ｇを与える。
【００８７】実施例２３ ３３．７９ｇの次亜塩素酸ナトリウムを、冷却しながら
１時間かけて、６７．４ｇの実施例１２の生成物に滴下
する。試料を４時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝７９５及
びＭw ＝２４０３、％Ｐ＝０．８％、固体含量５０．１
％の生成物２５１．６ｇを与える。
１時間かけて、６７．４ｇの実施例１２の生成物に滴下
する。試料を４時間で８０℃に加熱し、Ｍn ＝７９５及
びＭw ＝２４０３、％Ｐ＝０．８％、固体含量５０．１
％の生成物２５１．６ｇを与える。
【００８８】実施例２４ １８．３ｇの次亜塩素酸ナトリウム溶液を、３０分間か
けて、５０ｇの実施例１３の生成物に滴下する。その
後、試料を２時間で８０℃に加熱し、固体含量４２％、
Ｍn ＝３９０及びＭw ＝１９４７、％Ｐ＝２．５％の生
成物５８．５ｇを与える。
けて、５０ｇの実施例１３の生成物に滴下する。その
後、試料を２時間で８０℃に加熱し、固体含量４２％、
Ｍn ＝３９０及びＭw ＝１９４７、％Ｐ＝２．５％の生
成物５８．５ｇを与える。
【００８９】実施例２５ないし３４ 炭酸カルシウムの限界試験 以下の溶液（ａ），（ｂ）及び（ｃ）が製造される。 ａ）１．１ｇの塩化カルシウム二水化物、及び０．７５
ｇの塩化マグネシウム六水化物を蒸留水に溶解し、この
溶液を１リットルにする。 ｂ）０．１８ｇの炭酸ナトリウム、及び０．７４ｇの重
炭酸ナトリウムを蒸留水に溶解し、この溶液を１リット
ルにする。 ｃ）試験化合物を水に溶解して、有効成分１０００ｐｐ
ｍを含む溶液を与える。
ｇの塩化マグネシウム六水化物を蒸留水に溶解し、この
溶液を１リットルにする。 ｂ）０．１８ｇの炭酸ナトリウム、及び０．７４ｇの重
炭酸ナトリウムを蒸留水に溶解し、この溶液を１リット
ルにする。 ｃ）試験化合物を水に溶解して、有効成分１０００ｐｐ
ｍを含む溶液を与える。
【００９０】５０ｍｌの溶液（ａ）を４オンスのガラス
瓶に入れる。この溶液に、試験溶液の最終容量（１００
ｍｌ）中、２ｐｐｍの試験化合物１の濃度を作る〔例え
ば、０．２ｍｌの溶液（ｃ）は試験溶液中、試験化合物
の２ｐｐｍの濃度を作る〕ために必要な溶液（ｃ）の量
を添加する。
瓶に入れる。この溶液に、試験溶液の最終容量（１００
ｍｌ）中、２ｐｐｍの試験化合物１の濃度を作る〔例え
ば、０．２ｍｌの溶液（ｃ）は試験溶液中、試験化合物
の２ｐｐｍの濃度を作る〕ために必要な溶液（ｃ）の量
を添加する。
【００９１】５０ｍｌの溶液（ｂ）を添加し、該溶液を
混合する。試験溶液を７０℃の一定温度浴中に３０分
間、入れる。試験ビンあたり０．５リットル／分で溶液
を通して、空気を泡立てる。
混合する。試験溶液を７０℃の一定温度浴中に３０分
間、入れる。試験ビンあたり０．５リットル／分で溶液
を通して、空気を泡立てる。
【００９２】４０ｍｌの試験溶液を回収し、ろ過し、パ
ットン(Patton)の結晶およびリーダースの試薬(Reeder'
s Reagent)〔２−ヒドロキシ−１−（２−ヒドロキシ−
４−スルホ−１−ナフチルアゾ）−３−ナフトエ酸〕を
添加し、引続き、２ペレットの水酸化ナトリウムを添加
する。得られた溶液を、エチレンジアミンテトラ酢酸二
ナトリウム塩の標準０．０１Ｍ溶液で滴定する。
ットン(Patton)の結晶およびリーダースの試薬(Reeder'
s Reagent)〔２−ヒドロキシ−１−（２−ヒドロキシ−
４−スルホ−１−ナフチルアゾ）−３−ナフトエ酸〕を
添加し、引続き、２ペレットの水酸化ナトリウムを添加
する。得られた溶液を、エチレンジアミンテトラ酢酸二
ナトリウム塩の標準０．０１Ｍ溶液で滴定する。
【００９３】以下の表に列挙された結果は、ブランク滴
定量（即ち、試験化合物を含まないもの）に基づいて炭
酸カルシウムの沈澱の防止％として表わされる。
定量（即ち、試験化合物を含まないもの）に基づいて炭
酸カルシウムの沈澱の防止％として表わされる。
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08F 20/02,22/04,28/02 C02F 5/14
Claims (11)
- 【請求項１】 次式Ｉ 【化１】 〔式中、Ｘ5 は水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、フェニル基、アルカリ金属原子、アルカリ土類
金属原子、またはアンモニウムもしくはアミン残基を表
わし、Ａ2 は次式ＩＩ： 【化２】 を有するホモポリマー残基を表わすか、またはＡ2 は２
個もしくはそれ以上の異なる残基−〔ＣＨ（Ｗ1 ）−Ｃ
（Ｗ2 ）（Ｗ3 ）〕r ｛Ｗ1 は水素原子、メチル基、ま
たは残基−ＣＯ2 Ｗ4 （Ｗ4 は水素原子または場合によ
りヒドロキシ基により置換されている炭素原子数１ない
し８のアルキル基を表わす）を表わし、 Ｗ2 は水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、
ヒドロキシメチル基、−ＣＯ2 Ｗ5 （Ｗ5 は水素原子、
次式 【化３】 で表わされる残基、次式 【化４】 ＜Ｗ6 は水素原子、メチル基、またはフェニル基を表わ
し、ｓは１ないし１００の整数を表わす＞で表わされる
残基であるか、またはＷ5 は場合によりＳＯ3 Ｘ5 ＜Ｘ
5 は前記の意味を表わす＞により置換される炭素原子数
１ないし８のアルキル基を表わす）を表わし、 Ｗ3 は残基−ＣＯ2 Ｗ4 （Ｗ4 は前記の意味を表わす）
で表わされるか、またはＷ3 は場合により１または２個
のカルボン酸基により置換された炭素原子数１ないし８
のアルキル基、または場合によりヒドロキシル基または
ＳＯ3 Ｘ5 （Ｘ5 は前記の意味を表わす）で表わされる
基により置換されたフェニル残基を表わすか、またはＷ
3 はアセチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシル
基、アセトメチル基、−ＳＯ3 Ｘ5 、−ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ
5 、または−ＰＯ3 （Ｘ5 ）2 ＜Ｘ5 は前記の意味を表
わす＞で表わされる基、残基−ＣＯＮＷ7 Ｗ8 （Ｗ7 及
びＷ8 は同一または異なり、それぞれ水素原子、炭素原
子数１ないし８のアルキル基、ヒドロキシメチル基、ま
たは残基−ＣＨ（ＯＨ）ＣＯ2 Ｘ5 、−Ｃ（ＣＨ3 ）2
ＣＨ2 ＳＯ3 Ｘ5 、−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＣＯ
2 Ｘ5 、または−Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨ2 ＰＯ3 （Ｘ5 ）
2 ＜Ｘ5 は前記の意味を表わす＞を表わすか、または−
Ｎ（Ｗ9 ）ＣＯＣＨ3 ＜Ｗ9 は水素原子または炭素原子
数１ないし４のアルキル基を表わす＞を表わす）を表わ
すか、またはＷ3 は−ＣＨ2 〔Ｏ（ＣＨ2 ）p 〕s −Ｏ
Ｗ9 ＜Ｗ9 及びｓは前記の意味を表わし、ｐは１ないし
１２の整数を表わす＞を表わすか、またはＷ3 及びＷ1
はカルボン酸無水物部分−ＣＯ．Ｏ．ＣＯ−を形成し、
ｒは２ないし１００の整数を表わす｝を含むコポリマー
残基を表わす〕を有する（コ）テロマーの製造のための
水性方法であって、水性媒体中、次式ＩＩＩ： 【化５】 〔式中、Ｘ5 は前記の意味を表わし、Ｙは−ＯＲ3 ｛Ｒ
3 は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル
基、または−ＮＲ4 Ｒ5 （Ｒ4 及びＲ5 は独立して、水
素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表わ
すか、またはＲ4 及びＲ5 はそれらが結合している窒素
原子と一緒になって、Ｎ−ヘテロ環を形成する）を表わ
す｝を表わし、 Ｒ1 及びＲ2 は独立して、水素原子または炭素原子数１
ないし４のアルキル基を表わすか、またはＲ1 及びＲ2
はそれらが結合している炭素原子と一緒になって、シク
ロペンチルまたはシクロヘキシル環を形成する〕を有す
る化合物を、 式ＩＶ：ＣＨ（Ｗ1 ）＝Ｃ（Ｗ2 ）（Ｗ3 ）｛式中、Ｗ
1 ，Ｗ2 及びＷ3 は前記の意味を表わす｝で表わされる
１またはそれ以上のオレフィンのｒモルと反応させ、次
式Ｖ： 【化６】 ｛式中、Ｙ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘ5 及びＡ2 は前記の意味を
表わす｝で表わされる化合物を形成し、その後、式Ｖで
表わされる化合物を式Ｉで表わされる化合物に転換する
ことからなる方法。 - 【請求項２】 Ａ2 は式ＩＩ｛Ｗ1 は水素原子を表わ
し、Ｗ2 は水素原子またはＣＯ2 Ｗ4 〔Ｗ4 は請求項１
で定義された意味を表わす〕を表わし、Ｗ3 は請求項１
で定義された意味を表わす｝で表わされるホモポリマー
残基を表わす請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 Ａ2 は式ＩＩ｛Ｗ1 は水素原子を表わ
し、Ｗ2 は水素原子またはＣＯ2 Ｗ4 〔Ｗ4 は請求項１
で定義された意味を表わす〕を表わし、Ｗ3 は請求項１
で定義された意味を表わす｝で表わされる少なくとも１
単位、及び式ＩＩ｛Ｗ1 及びＷ2 はそれぞれ水素原子ま
たはＣＯ2 Ｗ4 〔Ｗ4 は請求項１で定義された意味を表
わす〕を表わし、Ｗ3 は請求項１で定義された意味を表
わす｝で表わされる少なくとも１単位を含むコポリマー
を表わす請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 該方法が反応開始剤の存在下に行われる
前記の請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項５】 反応開始剤が、遊離官能基を得るために
反応条件下に分解する化合物である請求項４記載の方
法。 - 【請求項６】 該化合物がビスアゾブチロニトリル、有
機過酸化物、または酸化剤である請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 式ＩＶで表わされるオレフィン反応物
が、アクリル酸またはメタクリル酸、アクリルアミド、
Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−アクリルアミド、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアセタミ
ド、Ｎ−アリルアセタミド、Ｎ−アクリルアミドグリコ
ール酸、メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチル
アクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイミド、２
−カルボキシエチルアクリレート、３−ブテン−１，
２，３−トリカルボン酸、ジメチルマレート、ジエチル
マレート、ジエチルフマレート、イタコン酸、ジメチル
イタコネート、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、
４−スチレンスルホン酸、３−スルホプロピルアクリル
酸のナトリウムまたはカリウム塩、 ２−アクリルアミド−２−メチル−プロパンスルホン
酸、ビニルホスホン酸、スチレンホスホン酸、アリルア
ルコール、アリルアセテート、ビニルアセテート、スチ
レン、α−メチルスチレン、ヘキセン、オクテン、Ｎ−
アクリルアミドプロパンスルホン酸、グリシジルメタク
リレート、クロトン酸、エチルクロトネート、ポリエチ
レングリコールエステル、（メタ）アクリル酸のポリプ
ロピレングリコールエステル、またはアリルポリエチレ
ンまたはプロピレングリコールエーテルである前記の請
求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 水性システム中のスケール形成または汚
濁を防止する、および／または水性システムと接触して
いる金属表面の腐蝕を防止するための水性システムの処
理方法であって、請求項１で定義された式Ｖで表わされ
る（コ）テロマー化合物またはその塩を水性システムに
添加することからなる方法。 - 【請求項９】 水性システムが、それからスケールの沈
澱を防止するために処理され、式Ｖで表わされる（コ）
テロマー化合物が１ないし２００ｐｐｍの量で添加され
る請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 添加された式Ｖの（コ）テロマーの量
が１ないし３０ｐｐｍの範囲である請求項９記載の方
法。 - 【請求項１１】 次式Ｖ： 【化７】 （式中、Ｙ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘ5 及びＡ2 は請求項１の定
義と同じ意味を表わす）で表わされる化合物。
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