JP3278140B2 - 熱電半導体材料およびその製造方法 - Google Patents
熱電半導体材料およびその製造方法Info
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 11
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Te] PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- OMEPJWROJCQMMU-UHFFFAOYSA-N selanylidenebismuth;selenium Chemical compound [Se].[Bi]=[Se].[Bi]=[Se] OMEPJWROJCQMMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 235000001630 Pyrus pyrifolia var culta Nutrition 0.000 description 1
- 240000002609 Pyrus pyrifolia var. culta Species 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- KWQLUUQBTAXYCB-UHFFFAOYSA-K antimony(3+);triiodide Chemical compound I[Sb](I)I KWQLUUQBTAXYCB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000002194 freeze distillation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- Powder Metallurgy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱電半導体材料および
その製造方法に関する。 【０００２】 【従来技術およびその問題点】ペルチェ効果、あるいは
エッチングスハウゼン効果を利用した電子冷却素子、あ
るいはゼーベック効果を利用した熱電発電素子は、構造
が簡単でかつ取扱いが容易で安定な特性を維持できるこ
とから、広範囲にわたる利用が注目されている。 【０００３】ところで、従来、超電導素子の冷却には極
低温が必要であるため液体ヘリウムによる冷却しか方法
がなく、冷却コストおよび使用場所等の面で制限が多か
った。ところが最近、超電導材料の目ざましい発達によ
り臨界温度の高いものが得られるようになり、必要温度
が上昇し、電子冷却素子による冷却で、超電導素子を駆
動できるようになってきている。 【０００４】この電子冷却に用いる熱電材料のうちｎ型
半導体として用いられる代表的なものに、テルル化ビス
マス（Ｂi2Ｔe3）に５モル％のセレン化ビスマス（Ｂi2
Ｓe3）を添加すると共に電子濃度の調整のための不純物
を添加した溶液に、温度勾配を与えながら溶液全体の温
度を除々に引き下げるいわゆるノーマルフリージング法
により形成される単結晶インゴットもしくは結晶粒径の
大きい多結晶インゴットがある。 【０００５】ところで、熱電材料の良否は、物質固有の
定数である熱起電力αと電気伝導率σと熱伝導率Ｋによ
って表わされる性能指数Ｚ（＝α2σ／Ｋ）の大小で決
まる。 【０００６】すなわち、Ｚが大きいほど性能が良いわけ
であるが、テルル化ビスマス（Ｂi2Ｔe3），セレン化ビ
スマス（Ｂi2Ｓe3）および両者の固溶体について多くの
研究報告例が発表されている。その一例を図３（ａ）お
よび（ｂ）に示す。この図からも明らかなように、テル
ル化ビスマスとセレン化ビスマスのモル比が８０：２０
ないし７５：２５のとき熱伝導率Ｋが最小となりα2σ
および自由電子の質量に対する電子の有効質量の比ｍ*
／ｍが大きくなる。これは、テルル化ビスマス、セレン
化ビスマス両者の結晶対称性が同じで格子定数がわずか
に異なることにより、固溶体にすると結晶にわずかな歪
が生じ、それによってフォノンの散乱、電子の有効質量
ｍ*の変化が生じるためと考えられている。 【０００７】しかしながら、図４に示す如く固溶体の状
態図から明らかなように、セレン化ビスマスの含有率を
高めると偏析が起り、一本の単結晶インゴットの中で目
的とする組成の部分はごくわずかしか得られないという
問題があった。現在の技術では、セレン化ビスマスの含
有率を５％以上にしたものを工業製品として得るのは不
可能な状態であった。 【０００８】更に、テルル化ビスマス、セレン化ビスマ
スの結晶は著しい劈開性を有しており、インゴットから
熱電素子を得るためのスライシング、ダイシング工程等
を経ると、割れや欠けの為に歩留りが極めて低くなるこ
とが実用化をはばむ大きな問題となっていた。 【０００９】一方、結晶としてではなく、粉末焼結体と
して用いると劈開性の問題はなくなるが、焼結密度が上
がらず、半田付けを行なうと内部に半田がしみ込み性能
低下を引き起こすという問題がある。 【００１０】更に、粉末の場合、ドーピング制御が困難
であり一定量の不純物を添加してもキャリア濃度が一定
にならないという問題があった。 【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、ドーピング制御が容易で製造歩留りの高い熱電半導
体材料を提供することを目的とする。 【００１２】 【課題を解決するための手段】そこで本発明では、粒径
の均一なテルル化ビスマス−セレン化ビスマス固溶体粉
末からなる粉末焼結体によって熱電半導体材料を構成し
ている。 【００１３】また、本発明の方法では、目的とする組成
となるようにビスマス、テルル、セレンを加熱溶融せし
めた後、急冷してインゴットを形成してこれを粉砕し、
粒径を揃えた後、加圧焼結するようにしている。 【００１４】 【作用】本発明では、単結晶ではなく、粉末焼結体で構
成されているため、組成比を自由に選択でき、性能指数
Ｚの高いものを得ることができる。又粒径を揃えること
により、ドーピング制御が容易となる。これは、粒径が
揃うと粒界の分布も均一となり、粒界から発生すると考
えられる電子も一定となるため、電子濃度の再現性もよ
くなるものと考えられる。 【００１５】また、粒径を揃えることにより、焼結密度
が上がり、半田付工程においても半田のしみ込みによる
性能低下もない。 【００１６】加えて、単結晶あるいは多結晶のインゴッ
トをそのまま用いた場合らに比べ、割れ等による製造歩
留りの低下も大幅に低減される。 【００１７】 【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。 【００１８】まず、ビスマスＢｉ 313.50ｇ、テルルＴ
ｅ 272.77ｇ、セレンＳｅ 8.883ｇを秤量し、更にキャ
リア濃度を調整するためにヨウ化アンチモン0.0837ｇ
（0.02モルパーセント）を添加し、この混合物を石英管
内に投入した後、真空ポンプによって管内の空気を排
気，封入する。 【００１９】この管を６５０℃に加熱し３時間にわたり
石英管内を撹拌しつつ化合させた後、凝固点直下である
５６０℃の領域に石英管を移動し急冷する。 【００２０】次に、この急冷インゴットをスタンプミ
ル、ボールミル等で粉砕した後、２００メッシュおよび
４００メッシュの篩にかけ４００メッシュの篩上に残っ
たものを選び、粒径３７〜７４μｍ程度の粉末に揃え
る。 【００２１】このようにして粒径の揃えられた粉末を真
空中または不活性ガス中でホットプレス法によりカーボ
ンダイスを用いてホットプレスし、粉末焼結体を形成す
る。 【００２２】この後、この粉末焼結体を３ミリ角６ミリ
長のチップに分断し、ｎ型のＢｉＴｅＳｅを形成する。 【００２３】このようにして形成されたｎ型のＢｉＴｅ
Ｓｅ１を、性能テストのために同寸法の単結晶ｐ型Ｂｉ
ＴｅＳｅ２と接続してｐ−ｎ素子対３を形成し、これを
図２に示す如く真空容器４内に設置する。ここで５は電
極としての銅板、６は水冷銅ブロック、７は絶縁部材、
８は電子循環恒温槽、９は定電流電源である。そして、
このｐ−ｎ素子対の発熱側の温度ＴH を２３℃に保ちつ
つｐ−ｎ素子対に電流を流し、冷却側の温度Ｔｃを測定
する。この冷却特性は図１の曲線ａ１に示す通りであ
り、最大温度差△Ｔmax＝ＴH−ＴC＝70.4℃を記録し
た。また、曲線ａ２には、このｐ−ｎ素子対の発熱側の
温度ＴH を３℃に保持したときの、冷却側の温度ＴC を
示す。 【００２４】比較のために、ｎ型素子の方も単結晶Ｂｉ
ＴｅＳｅで形成したｐ−ｎ素子対についての同様の冷却
特性を測定した結果を曲線ｂ１に示す。この曲線ｂ１か
らも明らかなように最大温度差は△Ｔmax＝56.05℃とな
っている。又ｂ２は同様に発熱側の温度ＴH を３℃にし
たときの冷却側の温度ＴC を示す。これら曲線ａ１，ａ
２，ｂ１，ｂ２の比較からも本発明実施例のｎ型ＢｉＴ
ｅＳｅ（焼結体）によれば冷却性能の優れた熱電素子を
形成することが可能となることがわかる。 【００２５】また、このｎ型焼結体は機械的強度も大き
く、半田付特性も良好であった。 【００２６】また、Ｂi2Ｔe3 ： Ｂi2Ｓe3＝ ９：１の
組成比で同様の実験を行なった場合、本発明の焼結体か
らなるｎ型ＢｉＴｅＳｅと、単結晶ｐ型ＢｉＴｅＳｅと
で構成したｐ−ｎ素子対の発熱側温度を２３℃にしたと
き最大温度差△Ｔmaxは６５℃であった。これによって
も冷却性能が優れていることがわかる。ここで、前述し
た組成のものよりも△Ｔmax が小さいのは、Ｂi2Ｔe3と
Ｂi2Ｓe3の組成比を変えたのにハロゲンの添加量を変え
なかったため、電子濃度の最適値からずれたためと考え
られる。（ここでセレン化ビスマスはｎ型、テルル化ビ
スマスはｐ型の材料であるため、セレン化ビスマスの比
率を増大せしめるにつれて、添加するドナー不純物を減
少させなければならない。）なお、本発明実施例の方法
においては、材料を石英管内で加熱溶融し化合せしめた
後、凝固点よりもわずかに低い温度まで急冷するという
方法をとっている。 【００２７】従来は偏析を逸れるため、常温程度まで急
冷するという方法がとられている。この場合、微結晶と
なるために粒界が増大し過ぎ、ドーピング制御が困難に
なることがあったが、本発明実施の方法によれば、適切
な粒度を得ることが可能となる。 【００２８】また、この粉末焼結体の組成比は、Ｂｉ2
（Ｔｅ1-X ＳｅX ）3 としたとき、0.05＜Ｘ＜0.3 とす
るのが望ましい。Ｘ＞0.3 であると偏析が起り、目的構
成のものは、わずかしかできず、0.05＞Ｘであると、熱
伝導率Ｋが大きくなり十分大きい性能指数Ｚを得ること
ができない。 【００２９】更に、キャリア濃度を調整するために添加
するハロゲンの量は１０20ｃｍ-3以下であるのが望まし
い。 【００３０】更にまた、粉末焼結体中の粉末粒径を３７
〜７４μｍ程度に揃えたが、１０〜２００μｍの範囲内
で適宜領域を選択すればよい。１０μｍ以下であると、
粒界が非常に多くなるためにドーピング制御が困難とな
る上、粒界でのキャリアの散乱により移動度が低下する
ことにより、特性が低下する。また、粉末の凝集が起り
易くなり扱いが困難である。 【００３１】また、２００μｍ以上であると、十分な機
械的強度および十分な焼結密度を得ることができない。 【００３２】 【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば粒径の均一なテルル化ビスマス−セレン化ビスマス固
溶体の粉末焼結体から構成しているため、ドーピング制
御が容易で、性能指数が高く、製造歩留りの高い熱電半
導体を得ることが可能となる。
その製造方法に関する。 【０００２】 【従来技術およびその問題点】ペルチェ効果、あるいは
エッチングスハウゼン効果を利用した電子冷却素子、あ
るいはゼーベック効果を利用した熱電発電素子は、構造
が簡単でかつ取扱いが容易で安定な特性を維持できるこ
とから、広範囲にわたる利用が注目されている。 【０００３】ところで、従来、超電導素子の冷却には極
低温が必要であるため液体ヘリウムによる冷却しか方法
がなく、冷却コストおよび使用場所等の面で制限が多か
った。ところが最近、超電導材料の目ざましい発達によ
り臨界温度の高いものが得られるようになり、必要温度
が上昇し、電子冷却素子による冷却で、超電導素子を駆
動できるようになってきている。 【０００４】この電子冷却に用いる熱電材料のうちｎ型
半導体として用いられる代表的なものに、テルル化ビス
マス（Ｂi2Ｔe3）に５モル％のセレン化ビスマス（Ｂi2
Ｓe3）を添加すると共に電子濃度の調整のための不純物
を添加した溶液に、温度勾配を与えながら溶液全体の温
度を除々に引き下げるいわゆるノーマルフリージング法
により形成される単結晶インゴットもしくは結晶粒径の
大きい多結晶インゴットがある。 【０００５】ところで、熱電材料の良否は、物質固有の
定数である熱起電力αと電気伝導率σと熱伝導率Ｋによ
って表わされる性能指数Ｚ（＝α2σ／Ｋ）の大小で決
まる。 【０００６】すなわち、Ｚが大きいほど性能が良いわけ
であるが、テルル化ビスマス（Ｂi2Ｔe3），セレン化ビ
スマス（Ｂi2Ｓe3）および両者の固溶体について多くの
研究報告例が発表されている。その一例を図３（ａ）お
よび（ｂ）に示す。この図からも明らかなように、テル
ル化ビスマスとセレン化ビスマスのモル比が８０：２０
ないし７５：２５のとき熱伝導率Ｋが最小となりα2σ
および自由電子の質量に対する電子の有効質量の比ｍ*
／ｍが大きくなる。これは、テルル化ビスマス、セレン
化ビスマス両者の結晶対称性が同じで格子定数がわずか
に異なることにより、固溶体にすると結晶にわずかな歪
が生じ、それによってフォノンの散乱、電子の有効質量
ｍ*の変化が生じるためと考えられている。 【０００７】しかしながら、図４に示す如く固溶体の状
態図から明らかなように、セレン化ビスマスの含有率を
高めると偏析が起り、一本の単結晶インゴットの中で目
的とする組成の部分はごくわずかしか得られないという
問題があった。現在の技術では、セレン化ビスマスの含
有率を５％以上にしたものを工業製品として得るのは不
可能な状態であった。 【０００８】更に、テルル化ビスマス、セレン化ビスマ
スの結晶は著しい劈開性を有しており、インゴットから
熱電素子を得るためのスライシング、ダイシング工程等
を経ると、割れや欠けの為に歩留りが極めて低くなるこ
とが実用化をはばむ大きな問題となっていた。 【０００９】一方、結晶としてではなく、粉末焼結体と
して用いると劈開性の問題はなくなるが、焼結密度が上
がらず、半田付けを行なうと内部に半田がしみ込み性能
低下を引き起こすという問題がある。 【００１０】更に、粉末の場合、ドーピング制御が困難
であり一定量の不純物を添加してもキャリア濃度が一定
にならないという問題があった。 【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、ドーピング制御が容易で製造歩留りの高い熱電半導
体材料を提供することを目的とする。 【００１２】 【課題を解決するための手段】そこで本発明では、粒径
の均一なテルル化ビスマス−セレン化ビスマス固溶体粉
末からなる粉末焼結体によって熱電半導体材料を構成し
ている。 【００１３】また、本発明の方法では、目的とする組成
となるようにビスマス、テルル、セレンを加熱溶融せし
めた後、急冷してインゴットを形成してこれを粉砕し、
粒径を揃えた後、加圧焼結するようにしている。 【００１４】 【作用】本発明では、単結晶ではなく、粉末焼結体で構
成されているため、組成比を自由に選択でき、性能指数
Ｚの高いものを得ることができる。又粒径を揃えること
により、ドーピング制御が容易となる。これは、粒径が
揃うと粒界の分布も均一となり、粒界から発生すると考
えられる電子も一定となるため、電子濃度の再現性もよ
くなるものと考えられる。 【００１５】また、粒径を揃えることにより、焼結密度
が上がり、半田付工程においても半田のしみ込みによる
性能低下もない。 【００１６】加えて、単結晶あるいは多結晶のインゴッ
トをそのまま用いた場合らに比べ、割れ等による製造歩
留りの低下も大幅に低減される。 【００１７】 【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。 【００１８】まず、ビスマスＢｉ 313.50ｇ、テルルＴ
ｅ 272.77ｇ、セレンＳｅ 8.883ｇを秤量し、更にキャ
リア濃度を調整するためにヨウ化アンチモン0.0837ｇ
（0.02モルパーセント）を添加し、この混合物を石英管
内に投入した後、真空ポンプによって管内の空気を排
気，封入する。 【００１９】この管を６５０℃に加熱し３時間にわたり
石英管内を撹拌しつつ化合させた後、凝固点直下である
５６０℃の領域に石英管を移動し急冷する。 【００２０】次に、この急冷インゴットをスタンプミ
ル、ボールミル等で粉砕した後、２００メッシュおよび
４００メッシュの篩にかけ４００メッシュの篩上に残っ
たものを選び、粒径３７〜７４μｍ程度の粉末に揃え
る。 【００２１】このようにして粒径の揃えられた粉末を真
空中または不活性ガス中でホットプレス法によりカーボ
ンダイスを用いてホットプレスし、粉末焼結体を形成す
る。 【００２２】この後、この粉末焼結体を３ミリ角６ミリ
長のチップに分断し、ｎ型のＢｉＴｅＳｅを形成する。 【００２３】このようにして形成されたｎ型のＢｉＴｅ
Ｓｅ１を、性能テストのために同寸法の単結晶ｐ型Ｂｉ
ＴｅＳｅ２と接続してｐ−ｎ素子対３を形成し、これを
図２に示す如く真空容器４内に設置する。ここで５は電
極としての銅板、６は水冷銅ブロック、７は絶縁部材、
８は電子循環恒温槽、９は定電流電源である。そして、
このｐ−ｎ素子対の発熱側の温度ＴH を２３℃に保ちつ
つｐ−ｎ素子対に電流を流し、冷却側の温度Ｔｃを測定
する。この冷却特性は図１の曲線ａ１に示す通りであ
り、最大温度差△Ｔmax＝ＴH−ＴC＝70.4℃を記録し
た。また、曲線ａ２には、このｐ−ｎ素子対の発熱側の
温度ＴH を３℃に保持したときの、冷却側の温度ＴC を
示す。 【００２４】比較のために、ｎ型素子の方も単結晶Ｂｉ
ＴｅＳｅで形成したｐ−ｎ素子対についての同様の冷却
特性を測定した結果を曲線ｂ１に示す。この曲線ｂ１か
らも明らかなように最大温度差は△Ｔmax＝56.05℃とな
っている。又ｂ２は同様に発熱側の温度ＴH を３℃にし
たときの冷却側の温度ＴC を示す。これら曲線ａ１，ａ
２，ｂ１，ｂ２の比較からも本発明実施例のｎ型ＢｉＴ
ｅＳｅ（焼結体）によれば冷却性能の優れた熱電素子を
形成することが可能となることがわかる。 【００２５】また、このｎ型焼結体は機械的強度も大き
く、半田付特性も良好であった。 【００２６】また、Ｂi2Ｔe3 ： Ｂi2Ｓe3＝ ９：１の
組成比で同様の実験を行なった場合、本発明の焼結体か
らなるｎ型ＢｉＴｅＳｅと、単結晶ｐ型ＢｉＴｅＳｅと
で構成したｐ−ｎ素子対の発熱側温度を２３℃にしたと
き最大温度差△Ｔmaxは６５℃であった。これによって
も冷却性能が優れていることがわかる。ここで、前述し
た組成のものよりも△Ｔmax が小さいのは、Ｂi2Ｔe3と
Ｂi2Ｓe3の組成比を変えたのにハロゲンの添加量を変え
なかったため、電子濃度の最適値からずれたためと考え
られる。（ここでセレン化ビスマスはｎ型、テルル化ビ
スマスはｐ型の材料であるため、セレン化ビスマスの比
率を増大せしめるにつれて、添加するドナー不純物を減
少させなければならない。）なお、本発明実施例の方法
においては、材料を石英管内で加熱溶融し化合せしめた
後、凝固点よりもわずかに低い温度まで急冷するという
方法をとっている。 【００２７】従来は偏析を逸れるため、常温程度まで急
冷するという方法がとられている。この場合、微結晶と
なるために粒界が増大し過ぎ、ドーピング制御が困難に
なることがあったが、本発明実施の方法によれば、適切
な粒度を得ることが可能となる。 【００２８】また、この粉末焼結体の組成比は、Ｂｉ2
（Ｔｅ1-X ＳｅX ）3 としたとき、0.05＜Ｘ＜0.3 とす
るのが望ましい。Ｘ＞0.3 であると偏析が起り、目的構
成のものは、わずかしかできず、0.05＞Ｘであると、熱
伝導率Ｋが大きくなり十分大きい性能指数Ｚを得ること
ができない。 【００２９】更に、キャリア濃度を調整するために添加
するハロゲンの量は１０20ｃｍ-3以下であるのが望まし
い。 【００３０】更にまた、粉末焼結体中の粉末粒径を３７
〜７４μｍ程度に揃えたが、１０〜２００μｍの範囲内
で適宜領域を選択すればよい。１０μｍ以下であると、
粒界が非常に多くなるためにドーピング制御が困難とな
る上、粒界でのキャリアの散乱により移動度が低下する
ことにより、特性が低下する。また、粉末の凝集が起り
易くなり扱いが困難である。 【００３１】また、２００μｍ以上であると、十分な機
械的強度および十分な焼結密度を得ることができない。 【００３２】 【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば粒径の均一なテルル化ビスマス−セレン化ビスマス固
溶体の粉末焼結体から構成しているため、ドーピング制
御が容易で、性能指数が高く、製造歩留りの高い熱電半
導体を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例のｎ型ＢｉＴｅＳｅを用いて形成
した熱電素子と単結晶のｎ型ＢｉＴｅＳｅを用いて形成
した熱電素子の冷却特性を示す比較図 【図２】同冷却特性の測定装置を示す図 【図３】図３（ａ）はＢi2Ｔe3とＢi2Ｓe3の組成比と性
能指数との関係を示す図で図３（ｂ）はＢi2Ｔe3とＢi2
Ｓe3の組成比と性能指数との関係を示す図 【図４】固溶体の状態図 【符号の説明】 １…ｎ型ＢｉＴｅＳｅ ２…単結晶ｐ型ＢｉＴｅＳｅ ３…熱電素子 ４…真空容器
した熱電素子と単結晶のｎ型ＢｉＴｅＳｅを用いて形成
した熱電素子の冷却特性を示す比較図 【図２】同冷却特性の測定装置を示す図 【図３】図３（ａ）はＢi2Ｔe3とＢi2Ｓe3の組成比と性
能指数との関係を示す図で図３（ｂ）はＢi2Ｔe3とＢi2
Ｓe3の組成比と性能指数との関係を示す図 【図４】固溶体の状態図 【符号の説明】 １…ｎ型ＢｉＴｅＳｅ ２…単結晶ｐ型ＢｉＴｅＳｅ ３…熱電素子 ４…真空容器
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 35/18 Ｈ０１Ｌ 35/18
(72)発明者 山梨 正孝
神奈川県平塚市大神2369−６
(56)参考文献 「古河電工時報Ｎｏ．35」古河電気工
業株式会社 第53〜57頁（昭39年９月20
日）「Ｐｂｙｓｉｃａ Ｓｔａｔｕｓ
Ｓｏｌｉｄｉ（ａ）」Ｖｏｌ．27
（1975）ｐ27−34，ｐ329〜331
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．一導電型の不純物を含むテルル化ビスマス（Ｂi２
Ｔe３）−セレン化ビスマス（Ｂi２Ｓe３）固溶体粉末
の粒径を３７〜７４ミクロンの範囲に均一化する粒径調
整工程と、 粒径の均一となった固溶体粉末をホットプレスにより焼
結せしめる焼結工程とを含むことを特徴とする熱電半導
体材料の製造方法。 ２．粒径が均一で、一導電型の不純物を含むテルル化ビ
スマス（Ｂi２Ｔe３）−セレン化ビスマス（Ｂi２Ｓ
e３）固溶体粉末を、ホットプレスにより焼結させた粉
末焼結体からなり、 前記固溶体の粒径が３７〜７４ミクロンの範囲にあるこ
とを特徴とする熱電半導体材料。 ３．前記固溶体粉末は、次式 Ｂi２（Ｔe１−ＸＳeＸ）３（0.05<X<0.3）に示す組成
を有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の熱電半導体材料。 ４．前記不純物は１０２０cm−３以下で添加されるハロ
ゲン原子であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の熱電半導体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34759398A JP3278140B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34759398A JP3278140B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62192238A Division JPH0832588B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279605A JPH11279605A (ja) | 1999-10-12 |
| JP3278140B2 true JP3278140B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=18391275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34759398A Expired - Fee Related JP3278140B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 熱電半導体材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278140B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110002412B (zh) * | 2019-04-22 | 2022-08-02 | 湖北赛格瑞新能源科技有限公司 | 一种择优取向n型碲化铋基多晶块体热电材料的制备方法 |
| CN114551706B (zh) * | 2022-02-21 | 2022-10-21 | 北京航空航天大学 | 一种p型硒化铋锑热电材料及其制备方法 |
-
1998
- 1998-12-07 JP JP34759398A patent/JP3278140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「古河電工時報Ｎｏ．３５」古河電気工業株式会社 第５３〜５７頁（昭３９年９月２０日）「Ｐｂｙｓｉｃａ Ｓｔａｔｕｓ Ｓｏｌｉｄｉ（ａ）」Ｖｏｌ．２７（１９７５）ｐ２７−３４，ｐ３２９〜３３１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11279605A (ja) | 1999-10-12 |
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