JP3265677B2 - 強誘電体薄膜の形成方法 - Google Patents
強誘電体薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3265677B2 JP3265677B2 JP02393393A JP2393393A JP3265677B2 JP 3265677 B2 JP3265677 B2 JP 3265677B2 JP 02393393 A JP02393393 A JP 02393393A JP 2393393 A JP2393393 A JP 2393393A JP 3265677 B2 JP3265677 B2 JP 3265677B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ferroelectric thin
- solution
- coating film
- sol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電体薄膜の形成方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、強誘電体薄膜は、自発分極や高誘
電率の性質を生かした不揮発性ＲＡＭ(Random Access M
emory)や高集積ＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memor
y)の容量絶縁膜としての応用を目指して活発な研究が行
われている。このような強誘電体薄膜は、金属アルコキ
シドと溶媒からなるゾル−ゲル液または金属有機剤の溶
液を支持基板の上に塗布した後、高温で熱処理すること
によって形成される。この塗布膜はアルキル基や水酸基
など強誘電体薄膜に対して不要な化合物を多量に含んで
いるが、通常、これらの不要な化合物は塗布膜の熱処理
によって除去される。
電率の性質を生かした不揮発性ＲＡＭ(Random Access M
emory)や高集積ＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memor
y)の容量絶縁膜としての応用を目指して活発な研究が行
われている。このような強誘電体薄膜は、金属アルコキ
シドと溶媒からなるゾル−ゲル液または金属有機剤の溶
液を支持基板の上に塗布した後、高温で熱処理すること
によって形成される。この塗布膜はアルキル基や水酸基
など強誘電体薄膜に対して不要な化合物を多量に含んで
いるが、通常、これらの不要な化合物は塗布膜の熱処理
によって除去される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、不要な化合物の除去が強誘電体薄膜の結
晶成長と同時になされるので、これらの不要な化合物が
強誘電体薄膜の乾燥・熱処理過程において結晶成長を著
しく阻害し、良好な電気特性を有する強誘電体薄膜を得
ることが困難であるという課題を有していた。
来の構成では、不要な化合物の除去が強誘電体薄膜の結
晶成長と同時になされるので、これらの不要な化合物が
強誘電体薄膜の乾燥・熱処理過程において結晶成長を著
しく阻害し、良好な電気特性を有する強誘電体薄膜を得
ることが困難であるという課題を有していた。
【０００４】この課題を解決する方法の一つとして、例
えば塗布膜を熱処理する前に予め低圧水銀ランプなどか
ら発せられる紫外線を塗布膜に照射して、不要な化合物
の一部を除去する方法が提案されている（例えば、USP
5,119,760 参照）。しかし、この方法は主として184nm
の波長を利用した水酸基の解離反応が支配的となり、残
りのアルキル基の除去が不十分であった。
えば塗布膜を熱処理する前に予め低圧水銀ランプなどか
ら発せられる紫外線を塗布膜に照射して、不要な化合物
の一部を除去する方法が提案されている（例えば、USP
5,119,760 参照）。しかし、この方法は主として184nm
の波長を利用した水酸基の解離反応が支配的となり、残
りのアルキル基の除去が不十分であった。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、金属アルコキシドと溶媒からなるゾル−ゲル液また
は金属有機剤の溶液の塗布膜中の余剰化合物を除去し、
電気特性の良好な強誘電体薄膜を形成できる強誘電体薄
膜の形成方法を提供することを目的とする。
で、金属アルコキシドと溶媒からなるゾル−ゲル液また
は金属有機剤の溶液の塗布膜中の余剰化合物を除去し、
電気特性の良好な強誘電体薄膜を形成できる強誘電体薄
膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１記載の強誘電体薄膜の形成方法は、
支持基板の一表面上に金属アルコキシドと溶媒からなる
ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程
と、水酸基やアルキル基を含んだままの前記ゾルーゲル
液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜に酸化性雰囲
気ガス中で紫外線を照射する工程と、その後前記支持基
板を熱処理する工程とを有し、前記紫外線を照射する量
子エネルギーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ―Ｏ、
Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解離さ
せる化学エネルギーよりも大きいことを特徴とするもの
である。また、本発明の請求項２記載の強誘電体薄膜の
形成方法は、支持基板の一表面上に金属アルコキシドと
溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を塗
布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの前記
ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜に
酸化性雰囲気ガス中で紫外線を照射すると同時に前記支
持基板を熱処理する工程とを有し、前記紫外線を照射す
る量子エネルギーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ―
Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解
離させる化学エネルギーよりも大きいことを特徴とする
ものである。また、本発明の請求項３記載の強誘電体薄
膜の形成方法は、支持基板の一表面上に金属アルコキシ
ドと溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液
を塗布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの
前記ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布
膜にオゾンを含有する雰囲気ガス中で紫外線を照射する
工程と、その後前記支持基板を熱処理する工程とを有
し、前記紫外線を照射する量子エネルギーが、前記塗布
膜中の残留化合物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、
Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解離させる化学エネルギーよりも
大きいことを特徴とするものである。また、本発明の請
求項４記載の強誘電体薄膜の形成方法は、支持基板の一
表面上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾルーゲル液
または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、水酸基やア
ルキル基を含んだままの前記ゾルーゲル液または金属有
機剤の溶液からなる塗布膜にオゾンを含有する雰囲気ガ
ス中で紫外線を照射すると同時に前記支持基板を熱処理
する工程とを有し、前記紫外線を照射する量子エネルギ
ーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ
―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解離させる化学エ
ネルギーよりも大きいことを特徴とするものである。ま
た、本発明の請求項５記載の強誘電体薄膜の形成方法
は、請求項１、２、３または４記載の強誘電体薄膜の形
成方法において、前記塗布膜に照射する紫外線の光源が
１８２ｎｍと２５３ｎｍに輝線を有する低圧水銀ランプ
であることを特徴とするものである。また、本発明の請
求項６記載の強誘電体薄膜の形成方法は、請求項１、
２、３または４記載の強誘電体薄膜の形成方法におい
て、前記塗布膜に照射する紫外線の光源が１９２ｎｍと
２４８ｎｍの範囲で発振するエキシマレーザであること
を特徴とするものである。
に本発明の請求項１記載の強誘電体薄膜の形成方法は、
支持基板の一表面上に金属アルコキシドと溶媒からなる
ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程
と、水酸基やアルキル基を含んだままの前記ゾルーゲル
液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜に酸化性雰囲
気ガス中で紫外線を照射する工程と、その後前記支持基
板を熱処理する工程とを有し、前記紫外線を照射する量
子エネルギーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ―Ｏ、
Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解離さ
せる化学エネルギーよりも大きいことを特徴とするもの
である。また、本発明の請求項２記載の強誘電体薄膜の
形成方法は、支持基板の一表面上に金属アルコキシドと
溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を塗
布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの前記
ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜に
酸化性雰囲気ガス中で紫外線を照射すると同時に前記支
持基板を熱処理する工程とを有し、前記紫外線を照射す
る量子エネルギーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ―
Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解
離させる化学エネルギーよりも大きいことを特徴とする
ものである。また、本発明の請求項３記載の強誘電体薄
膜の形成方法は、支持基板の一表面上に金属アルコキシ
ドと溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液
を塗布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの
前記ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布
膜にオゾンを含有する雰囲気ガス中で紫外線を照射する
工程と、その後前記支持基板を熱処理する工程とを有
し、前記紫外線を照射する量子エネルギーが、前記塗布
膜中の残留化合物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、
Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解離させる化学エネルギーよりも
大きいことを特徴とするものである。また、本発明の請
求項４記載の強誘電体薄膜の形成方法は、支持基板の一
表面上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾルーゲル液
または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、水酸基やア
ルキル基を含んだままの前記ゾルーゲル液または金属有
機剤の溶液からなる塗布膜にオゾンを含有する雰囲気ガ
ス中で紫外線を照射すると同時に前記支持基板を熱処理
する工程とを有し、前記紫外線を照射する量子エネルギ
ーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ
―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に解離させる化学エ
ネルギーよりも大きいことを特徴とするものである。ま
た、本発明の請求項５記載の強誘電体薄膜の形成方法
は、請求項１、２、３または４記載の強誘電体薄膜の形
成方法において、前記塗布膜に照射する紫外線の光源が
１８２ｎｍと２５３ｎｍに輝線を有する低圧水銀ランプ
であることを特徴とするものである。また、本発明の請
求項６記載の強誘電体薄膜の形成方法は、請求項１、
２、３または４記載の強誘電体薄膜の形成方法におい
て、前記塗布膜に照射する紫外線の光源が１９２ｎｍと
２４８ｎｍの範囲で発振するエキシマレーザであること
を特徴とするものである。
【０００７】
【作用】この構成により、塗布膜中の余剰化合物の多く
は酸素またはオゾンと紫外線との光化学反応によって揮
発性の高い化合物に変換されるので、塗布膜中の水酸基
のみならずアルキル基の多くも除去できる。このような
膜を加熱処理することにより電気特性の優れた強誘電体
薄膜が得られる。
は酸素またはオゾンと紫外線との光化学反応によって揮
発性の高い化合物に変換されるので、塗布膜中の水酸基
のみならずアルキル基の多くも除去できる。このような
膜を加熱処理することにより電気特性の優れた強誘電体
薄膜が得られる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例における強誘電体
薄膜の形成方法に使用する薄膜形成装置の概略図であ
る。図１において、１は支持基板、２は気密容器、３は
低圧水銀ランプ、４はヒータープレート、５は酸素ガ
ス、６は排気口である。例えば(BaxSr1-x)TiO3の膜を形
成する場合、予め(BaxSr1-x)TiO3となるBa/Sr/Tiのモル
比でそれぞれの元素を含有する金属アルコキシドと溶媒
からなるゾル−ゲル液または金属有機剤の溶液を準備
し、この溶液を支持基板１の上に回転塗布法、浸漬−引
き上げ法まはたスプレイ法等で塗布する。この段階で
は、塗布膜中に-OH 基（水酸基）や-CnH2n+1基（アルキ
ル基）などの不要な化合物が多量に含まれている。この
支持基板１を気密容器２のヒータープレート４の上に設
置し、酸素ガス５を常時一定の割合で導入する。気密容
器２の内部では支持基板１の上方に低圧水銀ランプ３が
設けられており、主として波長184nmおよび254nmの紫外
線を放射する。また酸素ガス５は排気口６から常時一定
の割合で排気されており、気密容器２内は一定の分圧の
酸素が維持される。
薄膜の形成方法に使用する薄膜形成装置の概略図であ
る。図１において、１は支持基板、２は気密容器、３は
低圧水銀ランプ、４はヒータープレート、５は酸素ガ
ス、６は排気口である。例えば(BaxSr1-x)TiO3の膜を形
成する場合、予め(BaxSr1-x)TiO3となるBa/Sr/Tiのモル
比でそれぞれの元素を含有する金属アルコキシドと溶媒
からなるゾル−ゲル液または金属有機剤の溶液を準備
し、この溶液を支持基板１の上に回転塗布法、浸漬−引
き上げ法まはたスプレイ法等で塗布する。この段階で
は、塗布膜中に-OH 基（水酸基）や-CnH2n+1基（アルキ
ル基）などの不要な化合物が多量に含まれている。この
支持基板１を気密容器２のヒータープレート４の上に設
置し、酸素ガス５を常時一定の割合で導入する。気密容
器２の内部では支持基板１の上方に低圧水銀ランプ３が
設けられており、主として波長184nmおよび254nmの紫外
線を放射する。また酸素ガス５は排気口６から常時一定
の割合で排気されており、気密容器２内は一定の分圧の
酸素が維持される。
【００１０】以上のようにして、支持基板１の上に形成
された塗布膜はヒータープレート４の上で紫外線に曝さ
れる。この紫外線は波長184nmおよび254nmの輝線を含
み、それぞれ155kcal/mol および113kcal/mol の量子エ
ネルギーを有する。これらの量子エネルギーは、塗布膜
中の残留化合物の化学結合エネルギー、例えばC-O(76.4
kcal/mol), C-C(84.3kcal/mol), C-H(97.6kcal/mol), O
-H(109.3kcal/mol), C=C(140.5kcal/mol)などより大き
い。したがって、塗布膜へ紫外線を照射した結果、水酸
基やアルキルキ基の多くがフリーラジカルや励起分子と
なって塗布膜の表面近傍に遊離する。
された塗布膜はヒータープレート４の上で紫外線に曝さ
れる。この紫外線は波長184nmおよび254nmの輝線を含
み、それぞれ155kcal/mol および113kcal/mol の量子エ
ネルギーを有する。これらの量子エネルギーは、塗布膜
中の残留化合物の化学結合エネルギー、例えばC-O(76.4
kcal/mol), C-C(84.3kcal/mol), C-H(97.6kcal/mol), O
-H(109.3kcal/mol), C=C(140.5kcal/mol)などより大き
い。したがって、塗布膜へ紫外線を照射した結果、水酸
基やアルキルキ基の多くがフリーラジカルや励起分子と
なって塗布膜の表面近傍に遊離する。
【００１１】一方、波長184nm の紫外線は気密容器２内
の酸素ガス５に作用して多量のオゾンを発生させる。こ
のオゾンと波長254nm の紫外線との相互作用により酸素
ラジカルが生成される。この酸素ラジカルと紫外線照射
によって塗布膜から直接遊離したフリーラジカルまたは
励起分子とが光化学反応してCO2 やH2O などの揮発性の
低分子化合物となり、この低分子化合物は気密容器２内
の雰囲気ガスの置換によって容易に除去することができ
る。その後、ヒータープレート４を昇温して塗布膜を熱
処理することにより支持基板１の上に(BaxSr1-x)TiO3膜
を得る。
の酸素ガス５に作用して多量のオゾンを発生させる。こ
のオゾンと波長254nm の紫外線との相互作用により酸素
ラジカルが生成される。この酸素ラジカルと紫外線照射
によって塗布膜から直接遊離したフリーラジカルまたは
励起分子とが光化学反応してCO2 やH2O などの揮発性の
低分子化合物となり、この低分子化合物は気密容器２内
の雰囲気ガスの置換によって容易に除去することができ
る。その後、ヒータープレート４を昇温して塗布膜を熱
処理することにより支持基板１の上に(BaxSr1-x)TiO3膜
を得る。
【００１２】以上の工程において、塗布膜中の不要な化
合物の除去は紫外線照射によって直接塗布膜からフリー
ラジカルまたは励起分子を遊離した後、紫外線と酸素の
相互作用によって生じた酸素ラジカルとの光化学反応に
よる揮発性の低分子化合物の生成によって行うので、水
酸基のみならずアルキル基の除去にも極めて有効であ
る。
合物の除去は紫外線照射によって直接塗布膜からフリー
ラジカルまたは励起分子を遊離した後、紫外線と酸素の
相互作用によって生じた酸素ラジカルとの光化学反応に
よる揮発性の低分子化合物の生成によって行うので、水
酸基のみならずアルキル基の除去にも極めて有効であ
る。
【００１３】また本実施例では気密容器２内の雰囲気と
して酸素ガス５を用いたが、オゾンを直接導入してやれ
ば同様の効果が得られる。
して酸素ガス５を用いたが、オゾンを直接導入してやれ
ば同様の効果が得られる。
【００１４】また本実施例では余剰な化合物を酸素ガス
５中での紫外線照射により除去した後支持基板１を熱処
理したが、酸素ガス５中で紫外線を照射しながら支持基
板１の熱処理を行っても同様の効果が得られる。
５中での紫外線照射により除去した後支持基板１を熱処
理したが、酸素ガス５中で紫外線を照射しながら支持基
板１の熱処理を行っても同様の効果が得られる。
【００１５】また本実施例では紫外線の光源として低圧
水銀ランプ３を用いたが、波長192nm や248nm に発振線
を有するエキシマレーザー光を気密容器２に導入して支
持基板１の上に照射しても同様の効果が得られる。
水銀ランプ３を用いたが、波長192nm や248nm に発振線
を有するエキシマレーザー光を気密容器２に導入して支
持基板１の上に照射しても同様の効果が得られる。
【００１６】また本実施例では強誘電体薄膜として(Bax
Sr1-x)TiO3膜を製造する場合について説明したが、PZT
膜またはPLZT膜など他の強誘電体薄膜の製造方法に使用
しても同様の効果が得られることはいうまでもない。
Sr1-x)TiO3膜を製造する場合について説明したが、PZT
膜またはPLZT膜など他の強誘電体薄膜の製造方法に使用
しても同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００１７】また本実施例では単に支持基板１として説
明したが、半導体素子や集積回路が形成された半導体基
板、ガラス基板等の表面にも同様にして強誘電体薄膜を
形成することができる。
明したが、半導体素子や集積回路が形成された半導体基
板、ガラス基板等の表面にも同様にして強誘電体薄膜を
形成することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、支持基板
の一表面上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾル−ゲ
ル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、酸素雰
囲気ガス中で塗布膜に紫外線を照射する工程を有し、紫
外線の照射によって塗布膜から遊離したフリーラジカル
または励起分子と酸素と紫外線の相互作用によって生じ
たオゾンとの光化学反応により塗布膜中の不要な化合物
を効果的に除去できるので、熱処理工程において結晶成
長に阻害要因の少ない電気特性の優れた強誘電体薄膜の
形成方法を実現できる。
の一表面上に金属アルコキシドと溶媒からなるゾル−ゲ
ル液または金属有機剤の溶液を塗布する工程と、酸素雰
囲気ガス中で塗布膜に紫外線を照射する工程を有し、紫
外線の照射によって塗布膜から遊離したフリーラジカル
または励起分子と酸素と紫外線の相互作用によって生じ
たオゾンとの光化学反応により塗布膜中の不要な化合物
を効果的に除去できるので、熱処理工程において結晶成
長に阻害要因の少ない電気特性の優れた強誘電体薄膜の
形成方法を実現できる。
【図１】本発明の一実施例における強誘電体薄膜の形成
方法に使用する薄膜形成装置の概略図
方法に使用する薄膜形成装置の概略図
１ 支持基板 ３ 低圧水銀ランプ（紫外線を照射する光源） ４ ヒータープレート ５ 酸素ガス（酸化性雰囲気ガス）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 那須 徹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 松田 明浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−85704（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−116454（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−111880（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03C 17/25 H01B 3/00 C01G 23/00
Claims (6)
- 【請求項１】 支持基板の一表面上に金属アルコキシド
と溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を
塗布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの前
記ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜
に酸化性雰囲気ガス中で紫外線を照射する工程と、その
後前記支持基板を熱処理する工程とを有し、前記紫外線
を照射する量子エネルギーが、前記塗布膜中の残留化合
物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選
択的に解離させる化学エネルギーよりも大きいことを特
徴とする強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 支持基板の一表面上に金属アルコキシド
と溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を
塗布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの前
記ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜
に酸化性雰囲気ガス中で紫外線を照射すると同時に前記
支持基板を熱処理する工程とを有し、前記紫外線を照射
する量子エネルギーが、前記塗布膜中の残留化合物のＣ
―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合を選択的に
解離させる化学エネルギーよりも大きいことを特徴とす
る強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 支持基板の一表面上に金属アルコキシド
と溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を
塗布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの前
記ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜
にオゾンを含有する雰囲気ガス中で紫外線を照射する工
程と、その後前記支持基板を熱処理する工程とを有し、
前記紫外線を照射する量子エネルギーが、前記塗布膜中
の残留化合物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝
Ｃ結合を選択的に解離させる化学エネルギーよりも大き
いことを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 支持基板の一表面上に金属アルコキシド
と溶媒からなるゾルーゲル液または金属有機剤の溶液を
塗布する工程と、水酸基やアルキル基を含んだままの前
記ゾルーゲル液または金属有機剤の溶液からなる塗布膜
にオゾンを含有する雰囲気ガス中で紫外線を照射すると
同時に前記支持基板を熱処理する工程とを有し、前記紫
外線を照射する量子エネルギーが、前記塗布膜中の残留
化合物のＣ―Ｏ、Ｃ―Ｃ、Ｃ―Ｈ、Ｏ―Ｈ、Ｃ＝Ｃ結合
を選択的に解離させる化学エネルギーよりも大きいこと
を特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記塗布膜に照射する紫外線の光源が１
８２ｎｍと２５３ｎｍに輝線を有する低圧水銀ランプで
ある請求項１、２、３または４記載の強誘電体薄膜の形
成方法。 - 【請求項６】 前記塗布膜に照射する紫外線の光源が１
９２ｎｍと２４８ｎｍの範囲で発振するエキシマレーザ
である請求項１、２、３または４記載の強誘電体薄膜の
形成方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02393393A JP3265677B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 強誘電体薄膜の形成方法 |
| EP93304609A EP0574275B1 (en) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Semiconductor device having capacitor |
| DE69333864T DE69333864T2 (de) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator |
| DE69317940T DE69317940T2 (de) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Halbleiterbauelement mit Kondensator |
| EP97106056A EP0789395B1 (en) | 1992-06-12 | 1993-06-14 | Manufacturing method for semiconductor device having capacitor |
| US08/778,953 US5717233A (en) | 1992-06-12 | 1997-01-06 | Semiconductor device having capacitior and manufacturing method thereof |
| US08/947,712 US6126752A (en) | 1992-06-12 | 1997-10-09 | Semiconductor device having capacitor and manufacturing apparatus thereof |
| US08/950,920 US6080617A (en) | 1992-06-12 | 1997-10-15 | Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02393393A JP3265677B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 強誘電体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06234551A JPH06234551A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3265677B2 true JP3265677B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=12124336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02393393A Expired - Fee Related JP3265677B2 (ja) | 1992-06-12 | 1993-02-12 | 強誘電体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265677B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133050A (en) * | 1992-10-23 | 2000-10-17 | Symetrix Corporation | UV radiation process for making electronic devices having low-leakage-current and low-polarization fatigue |
| CN108352443B (zh) * | 2015-08-28 | 2021-11-05 | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 | Pzt铁电体膜的形成方法 |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP02393393A patent/JP3265677B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06234551A (ja) | 1994-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1038307B1 (en) | Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation | |
| US4718974A (en) | Photoresist stripping apparatus using microwave pumped ultraviolet lamp | |
| US5221561A (en) | Process for the photochemical treatment of a material using a flash tube light source | |
| US6090723A (en) | Conditioning of dielectric materials | |
| KR19990087764A (ko) | 집적회로에 있어서의 이산화규소층 및 규소유리층의 제조방법및 장치 | |
| US20040209194A1 (en) | Ultraviolet-light radiating apparatus, wet etching apparatus and wet etching method using ultravioletlight, and method of manufacturing semiconductor device | |
| KR100294583B1 (ko) | 전극패턴형성용 조성물 | |
| JP3265677B2 (ja) | 強誘電体薄膜の形成方法 | |
| JPH06287784A (ja) | 表面洗浄方法もしくは表面改質方法 | |
| JPH0964307A (ja) | 酸化物薄膜の熱処理方法 | |
| Nakamura et al. | Comparison of initial oxidation of Si (111) 7× 7 with ozone and oxygen investigated by second harmonic generation | |
| JP2002016033A (ja) | 基板ドライ洗浄装置及び基板ドライ洗浄方法 | |
| Boyd et al. | Low temperature photoformation of tantalum oxide | |
| JPH03136329A (ja) | シリコン基板表面の清浄化方法 | |
| JPS61216449A (ja) | パタ−ン薄膜形成方法及びその装置 | |
| JP3450463B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005217244A (ja) | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、及び水素化処理装置 | |
| JPH06157033A (ja) | 金属酸化物薄膜の形成方法 | |
| JPH06333917A (ja) | 半導体ウエーハの酸化前処理方法 | |
| JPH0684887A (ja) | 半導体ウェーハの保護膜形成方法及び同装置 | |
| JP2934601B2 (ja) | 真空装置、この真空装置を使用した排気方法および前記真空装置を利用した装置 | |
| JP2931963B2 (ja) | アルコキシドを原料にした薄膜形成方法 | |
| JPH07288109A (ja) | キセノン照射装置とそれを用いた物体表面改質装置 | |
| JPH0882790A (ja) | 液晶表示パネル用カラーフィルター残膜除去装置 | |
| JP4291193B2 (ja) | 光処理装置及び処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |