JP3261882B2 - 正孔輸送材料およびその用途 - Google Patents
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Landscapes
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はビスベンゾチアゾール構
造を有する正孔輸送材料に関し、該ビスベンゾチアゾー
ル化合物は、感光材料、有機光導電材料として使用で
き、さらに具体的には、平面光源や表示に使用される有
機エレクトロルミネッセンス(EL)素子もしくは電子
写真感光体等の正孔輸送材料として利用できる。
造を有する正孔輸送材料に関し、該ビスベンゾチアゾー
ル化合物は、感光材料、有機光導電材料として使用で
き、さらに具体的には、平面光源や表示に使用される有
機エレクトロルミネッセンス(EL)素子もしくは電子
写真感光体等の正孔輸送材料として利用できる。
【0002】
【従来の技術】感光材料や正孔輸送材料として開発され
ている有機光導電材料は、低コスト、加工性が多様であ
り、無公害性などの多くの利点があり、多くの化合物が
提案されている。例えば、オキサジアゾール誘導体(米
国特許第3,189,447号)、オキサゾール誘導体
(米国特許第3,257,203号)、ヒドラゾン誘導
体(米国特許第3,717,462号、特開昭54−5
9,143号、米国特許第4,150,978号)、ト
リアリールピラゾリン誘導体(米国特許第3,820,
989号、特開昭51−93,224号、特開昭55−
108,667号)、アリールアミン誘導体(米国特許
第3,180,730号、米国特許第4,232,10
3号、特開昭55−144,250号、特開昭56−1
19,132号)、スチルベン誘導体(特開昭58−1
90,953号、特開昭59−195,658号)など
の有機光導電性材料が開示されている。
ている有機光導電材料は、低コスト、加工性が多様であ
り、無公害性などの多くの利点があり、多くの化合物が
提案されている。例えば、オキサジアゾール誘導体(米
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19,132号)、スチルベン誘導体(特開昭58−1
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【0003】正孔輸送材料を利用した技術の一つとして
は、有機EL素子が挙げられる。有機物質を使用したE
L素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素
子としての用途が有望視され、多くの開発が行われてい
る。一般にEL素子は発光層および該層をはさんだ一対
の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電
界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側
から正孔が注入され、この電子が発光層において正孔と
再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る
際にエネルギーを光として放出する現象である。
は、有機EL素子が挙げられる。有機物質を使用したE
L素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素
子としての用途が有望視され、多くの開発が行われてい
る。一般にEL素子は発光層および該層をはさんだ一対
の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電
界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側
から正孔が注入され、この電子が発光層において正孔と
再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る
際にエネルギーを光として放出する現象である。
【0004】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を蛍光体層、ア
ミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発
光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は100cd
/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、実
用領域に近い性能を持っている。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を蛍光体層、ア
ミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発
光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は100cd
/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、実
用領域に近い性能を持っている。
【0005】しかしながら、現在までの有機EL素子
は、発光輝度や繰り返し使用時の発光安定性は未だ充分
ではない。従って、より大きな発光輝度を持ち、繰り返
し使用時での安定性の優れた有機EL素子の開発のため
に、優れた正孔輸送能力を有し、耐久性のある正孔輸送
材料の開発が望まれている。
は、発光輝度や繰り返し使用時の発光安定性は未だ充分
ではない。従って、より大きな発光輝度を持ち、繰り返
し使用時での安定性の優れた有機EL素子の開発のため
に、優れた正孔輸送能力を有し、耐久性のある正孔輸送
材料の開発が望まれている。
【0006】さらに、正孔輸送材料を利用した技術とし
ては、電子写真感光体が挙げられる。電子写真方式は、
カールソンにより発明された画像形成法の一つである。
この方式は、コロナ放電により感光体を帯電した後、光
像露光して感光体に静電潜像を得、該静電潜像にトナー
を付着させて現像し、得られたトナー像を紙へ転写する
ことからなる。このような電子写真方式における感光体
に要求される基本的な特性としては、暗所において適当
な電位が保持されること、暗所における電荷の放電が少
ないこと、光照射により速やかに電荷を放電することな
どが挙げられる。従来までの電子写真感光体は、セレ
ン、セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテル
ルなどの無機光導電体が使用されてきた。これらの無機
光導電体は、耐久性が高く、耐刷枚数が多いなどの利点
を有しているが、製造コストが高く、加工性が劣り、毒
性を有するなどの問題点が指摘されている。これらの欠
点を克服するために有機感光体の開発が行われている
が、従来までの有機光導電材料を正孔輸送材料として用
いた電子写真感光体は、帯電性、感度および残留電位な
どの電子写真特性が、必ずしも満足されているとは言え
ないのが現状であり、優れた電荷輸送能力を有し、耐久
性のある正孔輸送材料の開発が望まれていた。
ては、電子写真感光体が挙げられる。電子写真方式は、
カールソンにより発明された画像形成法の一つである。
この方式は、コロナ放電により感光体を帯電した後、光
像露光して感光体に静電潜像を得、該静電潜像にトナー
を付着させて現像し、得られたトナー像を紙へ転写する
ことからなる。このような電子写真方式における感光体
に要求される基本的な特性としては、暗所において適当
な電位が保持されること、暗所における電荷の放電が少
ないこと、光照射により速やかに電荷を放電することな
どが挙げられる。従来までの電子写真感光体は、セレ
ン、セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテル
ルなどの無機光導電体が使用されてきた。これらの無機
光導電体は、耐久性が高く、耐刷枚数が多いなどの利点
を有しているが、製造コストが高く、加工性が劣り、毒
性を有するなどの問題点が指摘されている。これらの欠
点を克服するために有機感光体の開発が行われている
が、従来までの有機光導電材料を正孔輸送材料として用
いた電子写真感光体は、帯電性、感度および残留電位な
どの電子写真特性が、必ずしも満足されているとは言え
ないのが現状であり、優れた電荷輸送能力を有し、耐久
性のある正孔輸送材料の開発が望まれていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た正孔輸送能力を有し、耐久性のある正孔輸送材料を提
供することにあり、さらにこの正孔輸送材料を繰り返し
使用時での安定性の優れた有機EL素子、電子写真感光
体等を提供することを目的とする。
た正孔輸送能力を有し、耐久性のある正孔輸送材料を提
供することにあり、さらにこの正孔輸送材料を繰り返し
使用時での安定性の優れた有機EL素子、電子写真感光
体等を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、一般式[1]で示される少なくとも一種の正孔
輸送材料は、正孔輸送能力が大きく、これを用いて作製
した有機EL素子もしくは電子写真感光体等の素子の感
度もしくは繰り返し使用時での安定性が優れていること
を見いだし本発明に至った。一般式[1]
た結果、一般式[1]で示される少なくとも一種の正孔
輸送材料は、正孔輸送能力が大きく、これを用いて作製
した有機EL素子もしくは電子写真感光体等の素子の感
度もしくは繰り返し使用時での安定性が優れていること
を見いだし本発明に至った。一般式[1]
【0009】
【化2】
【0010】[式中、R1〜R16は、水素原子、ハロゲ
ン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしく
は未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のチオア
ルコキシ基、シアノ基、アミノ基、モノまたはジ置換ア
ミノ基、水酸基、メルカプト基、置換もしくは未置換の
アリールオキシ基、置換もしくは未置換のアリールチオ
基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換も
しくは未置換の複素環式芳香族環基、置換もしくは未置
換の複素環基を表し(隣接した置換基同士で置換もしく
は未置換の脂肪族式環、置換もしくは未置換の炭素環式
芳香族環、置換もしくは未置換の複素環式芳香族環、置
換もしくは未置換の複素環を形成しても良い。)、Xお
よびYは、酸素原子、硫黄原子もしくは−NR17(R17
は、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換
もしくは未置換の炭素環式芳香族環基を表す。)を表
す。]
ン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしく
は未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のチオア
ルコキシ基、シアノ基、アミノ基、モノまたはジ置換ア
ミノ基、水酸基、メルカプト基、置換もしくは未置換の
アリールオキシ基、置換もしくは未置換のアリールチオ
基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換も
しくは未置換の複素環式芳香族環基、置換もしくは未置
換の複素環基を表し(隣接した置換基同士で置換もしく
は未置換の脂肪族式環、置換もしくは未置換の炭素環式
芳香族環、置換もしくは未置換の複素環式芳香族環、置
換もしくは未置換の複素環を形成しても良い。)、Xお
よびYは、酸素原子、硫黄原子もしくは−NR17(R17
は、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換
もしくは未置換の炭素環式芳香族環基を表す。)を表
す。]
【0011】更に本発明は、一対の電極間に、一層また
は複数層の有機化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機
エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一
層が一般式[1]で示される化合物を含有する層である
有機エレクトロルミネッセンス素子である。
は複数層の有機化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機
エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一
層が一般式[1]で示される化合物を含有する層である
有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【0012】
【0013】本発明における一般式[1]で示される化
合物のR1〜R16の具体例は、ハロゲン原子としては弗
素、塩素、臭素、ヨウ素等がある。置換もしくは未置換
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメ
チル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3
−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−
イル基、2,4−シクロペンタジエン−1−イリデニル
基等がある。置換もしくは未置換のアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブト
キシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、
ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキ
シ基、トリフロロメトキシ基等がある。置換もしくは未
置換のチオアルコキシ基としては、メチルチオ基、エチ
ルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブ
チルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ
基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基
等がある。
合物のR1〜R16の具体例は、ハロゲン原子としては弗
素、塩素、臭素、ヨウ素等がある。置換もしくは未置換
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメ
チル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3
−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−
イル基、2,4−シクロペンタジエン−1−イリデニル
基等がある。置換もしくは未置換のアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブト
キシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、
ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキ
シ基、トリフロロメトキシ基等がある。置換もしくは未
置換のチオアルコキシ基としては、メチルチオ基、エチ
ルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブ
チルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ
基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基
等がある。
【0014】モノまたはジ置換アミノ基としては、メチ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基
等の低級アルキル置換アミノ基、ジフェニルアミノ基、
ジトリルアミノ基等の炭素環式芳香族環基置換アミノ
基、ビス(アセトオキシメチル)アミノ基、ビス(アセ
トオキシエチル)アミノ基、ビス(アセトオキシプロピ
ル)アミノ基、ビス(アセトオキシブチル)アミノ基、
ジベンジルアミノ基等がある。置換もしくは未置換のア
リールオキシ基としては、フェノキシ基、p−tert
−ブチルフェニキシ基、3−フルオロフェニキシ基等が
ある。置換もしくは未置換のアリールチオ基としては、
フェニルチオ基、3−フルオロフェニルチオ基等があ
る。置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基として
は、フェニル基、ビフェニレニル基、トリフェニレニル
基、テトラフェニレニル基、3−ニトロフェニル基、4
−メチルチオフェニル基、3,5−ジシアノフェニル
基、o−,m−およびp−トリル基、キシリル基、o
−,m−およびp−クメニル基、メシチル基、ペンタレ
ニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘ
プタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、
フルオレニル基、アントリル基、アントラキノニル基、
3−メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェ
ニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、2−エチル−
1−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、6−ク
ロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル
基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサ
セニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレ
ニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラント
レニル基、オバレニル基等がある。
ルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基
等の低級アルキル置換アミノ基、ジフェニルアミノ基、
ジトリルアミノ基等の炭素環式芳香族環基置換アミノ
基、ビス(アセトオキシメチル)アミノ基、ビス(アセ
トオキシエチル)アミノ基、ビス(アセトオキシプロピ
ル)アミノ基、ビス(アセトオキシブチル)アミノ基、
ジベンジルアミノ基等がある。置換もしくは未置換のア
リールオキシ基としては、フェノキシ基、p−tert
−ブチルフェニキシ基、3−フルオロフェニキシ基等が
ある。置換もしくは未置換のアリールチオ基としては、
フェニルチオ基、3−フルオロフェニルチオ基等があ
る。置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基として
は、フェニル基、ビフェニレニル基、トリフェニレニル
基、テトラフェニレニル基、3−ニトロフェニル基、4
−メチルチオフェニル基、3,5−ジシアノフェニル
基、o−,m−およびp−トリル基、キシリル基、o
−,m−およびp−クメニル基、メシチル基、ペンタレ
ニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘ
プタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、
フルオレニル基、アントリル基、アントラキノニル基、
3−メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェ
ニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、2−エチル−
1−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、6−ク
ロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル
基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサ
セニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレ
ニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラント
レニル基、オバレニル基等がある。
【0015】置換もしくは未置換の複素環式芳香族環基
としては、チオニル基、フリル基、ピロリル基、イミダ
ゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、
ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノ
リル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キノキサリ
ニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、アクリジニ
ル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソチアゾリル
基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニ
ル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベ
ンズイミダゾリル基、2−メチルピリジル基、3−シア
ノピリジル基等があるが、上記置換基に具体的に限定さ
れるものではない。R17の具体例は、置換もしくは未置
換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメ
チル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3
−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−
イル基、2,4−シクロペンタジエン−1−イリデニル
基等がある。
としては、チオニル基、フリル基、ピロリル基、イミダ
ゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、
ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノ
リル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キノキサリ
ニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、アクリジニ
ル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソチアゾリル
基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニ
ル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベ
ンズイミダゾリル基、2−メチルピリジル基、3−シア
ノピリジル基等があるが、上記置換基に具体的に限定さ
れるものではない。R17の具体例は、置換もしくは未置
換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメ
チル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3
−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−
イル基、2,4−シクロペンタジエン−1−イリデニル
基等がある。
【0016】置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基
としては、フェニル基、ビフェニレニル基、トリフェニ
レニル基、テトラフェニレニル基、3−ニトロフェニル
基、4−メチルチオフェニル基、3,5−ジシアノフェ
ニル基、o−,m−およびp−トリル基、キシリル基、
o−,m−およびp−クメニル基、メシチル基、ペンタ
レニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、
ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル
基、フルオレニル基、アントリル基、アントラキノニル
基、3−メチルアントリル基、フェナントリル基、トリ
フェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、2−エチ
ル−1−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、6
−クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニ
ル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキ
サセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチ
レニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラン
トレニル基、オバレニル基等がある。
としては、フェニル基、ビフェニレニル基、トリフェニ
レニル基、テトラフェニレニル基、3−ニトロフェニル
基、4−メチルチオフェニル基、3,5−ジシアノフェ
ニル基、o−,m−およびp−トリル基、キシリル基、
o−,m−およびp−クメニル基、メシチル基、ペンタ
レニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、
ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル
基、フルオレニル基、アントリル基、アントラキノニル
基、3−メチルアントリル基、フェナントリル基、トリ
フェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、2−エチ
ル−1−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、6
−クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニ
ル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキ
サセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチ
レニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラン
トレニル基、オバレニル基等がある。
【0017】好ましいR1〜R16としては、水素原子
(この場合は無置換体となる。)炭素原子が1〜4の低
級アルキル基もしくは低級アルコキシ基である。また、
隣接した置換基同士で5ないし7員環の酸素原子、窒素
原子、硫黄原子等が含まれてもよい脂肪族、炭素環式芳
香族、複素環式芳香族、複素環を形成してもよく、これ
らの環の任意の位置にさらに置換基を有していてもよ
い。
(この場合は無置換体となる。)炭素原子が1〜4の低
級アルキル基もしくは低級アルコキシ基である。また、
隣接した置換基同士で5ないし7員環の酸素原子、窒素
原子、硫黄原子等が含まれてもよい脂肪族、炭素環式芳
香族、複素環式芳香族、複素環を形成してもよく、これ
らの環の任意の位置にさらに置換基を有していてもよ
い。
【0018】XおよびYは、酸素原子、硫黄原子もしく
は−NR17(R17は、水素原子、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基
を表す。)を表し、上記置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基はR1〜
R16の具体例で示したものが挙げられる。
は−NR17(R17は、水素原子、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基
を表す。)を表し、上記置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基はR1〜
R16の具体例で示したものが挙げられる。
【0019】本発明において、一般式[1]で示される
化合物は、例えば以下の方法により製造することができ
る。一般式[1]の化合物は、一般式[1]の基本骨格
のアミノ基に、ハロゲン等を置換基として持つ誘導体化
合物を、窒素雰囲気下、有機溶媒中または無溶媒で、塩
基および触媒の存在下で、所定の温度、所定の時間反応
させて得ることが出来る。
化合物は、例えば以下の方法により製造することができ
る。一般式[1]の化合物は、一般式[1]の基本骨格
のアミノ基に、ハロゲン等を置換基として持つ誘導体化
合物を、窒素雰囲気下、有機溶媒中または無溶媒で、塩
基および触媒の存在下で、所定の温度、所定の時間反応
させて得ることが出来る。
【0020】本発明の化合物の合成で用いられるハロゲ
ン置換基は、塩素、臭素、沃素等が挙げられ、特にアミ
ノ基に対する置換が容易である。本発明で使用される塩
基は、炭酸カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウ
ムのような無機塩基、ピリジン、ピコリン、トリエチル
アミン、N−メチルピロリジン、1,5−ジアザビシク
ロ[5,4,0]ウンデセン(DBU)のような有機塩
基が挙げられる。本発明で使用される触媒は、銅粉、酸
化銅、ハロゲン化銅、硫酸銅等か挙げられる。本発明で
使用される溶媒は、原料を溶解して、反応を行なわせる
ことが出来るものであればいずれのものでも良い。例え
ば、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、ジメチルス
ルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド等の溶媒が
挙げられる。酸触媒は、濃硫酸、p−トルエンスルホン
酸、ポリリン酸、TiCl4、AlCl3、ポリエチレン
スルホン酸等が挙げられる。還元剤としては、Zn、S
n、H2/Pt、H2/Pd、H2/Ni等が挙げられ
る。
ン置換基は、塩素、臭素、沃素等が挙げられ、特にアミ
ノ基に対する置換が容易である。本発明で使用される塩
基は、炭酸カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウ
ムのような無機塩基、ピリジン、ピコリン、トリエチル
アミン、N−メチルピロリジン、1,5−ジアザビシク
ロ[5,4,0]ウンデセン(DBU)のような有機塩
基が挙げられる。本発明で使用される触媒は、銅粉、酸
化銅、ハロゲン化銅、硫酸銅等か挙げられる。本発明で
使用される溶媒は、原料を溶解して、反応を行なわせる
ことが出来るものであればいずれのものでも良い。例え
ば、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、ジメチルス
ルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド等の溶媒が
挙げられる。酸触媒は、濃硫酸、p−トルエンスルホン
酸、ポリリン酸、TiCl4、AlCl3、ポリエチレン
スルホン酸等が挙げられる。還元剤としては、Zn、S
n、H2/Pt、H2/Pd、H2/Ni等が挙げられ
る。
【0021】以下に、本発明の化合物の代表例を表1に
具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に限定され
るものではない。
具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に限定され
るものではない。
【0022】
【表1】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】本発明の正孔輸送材料は、他の正孔もしく
は電子輸送性化合物と混合して使用してもさしつかえな
い。本発明の化合物は正孔輸送性に優れているので、正
孔輸送性材料として極めて有効に使用することができ
る。
は電子輸送性化合物と混合して使用してもさしつかえな
い。本発明の化合物は正孔輸送性に優れているので、正
孔輸送性材料として極めて有効に使用することができ
る。
【0027】まず、一般式[1]で示される化合物を有
機EL素子の正孔輸送材料として用いる場合について説
明する。図1〜3に、本発明で使用される有機EL素子
の模式図の一例を示した。図中、一般的に電極Aである
2は陽極であり、電極Bである6は陰極である。また、
(電極A/発光層/電子注入層/電極B)の層構成で積
層した有機EL素子もあり、一般式[1]の化合物は、
どの素子構成においても好適に使用することが出来る。
一般式[1]の化合物は、大きな正孔輸送能力をもって
いるので、正孔注入層3もしくは発光層4のいずれの層
においても、正孔輸送材料として使用できる。
機EL素子の正孔輸送材料として用いる場合について説
明する。図1〜3に、本発明で使用される有機EL素子
の模式図の一例を示した。図中、一般的に電極Aである
2は陽極であり、電極Bである6は陰極である。また、
(電極A/発光層/電子注入層/電極B)の層構成で積
層した有機EL素子もあり、一般式[1]の化合物は、
どの素子構成においても好適に使用することが出来る。
一般式[1]の化合物は、大きな正孔輸送能力をもって
いるので、正孔注入層3もしくは発光層4のいずれの層
においても、正孔輸送材料として使用できる。
【0028】図1の発光層4には、必要があれば、本発
明の一般式[1]の化合物に加えて、発光物質、発光補
助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材
料を使用することもできる。図2の構造は、発光層4と
正孔注入層3を分離している。この構造により、正孔注
入層3から発光層4への正孔注入効率が向上して、発光
輝度や発光効率を増加させることができる。この場合、
発光効率のためには、発光層に使用される発光物質自身
が電子輸送性であること、または発光層中に電子輸送輸
送材料を添加して発光層を電子輸送性にすることが望ま
しい。
明の一般式[1]の化合物に加えて、発光物質、発光補
助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材
料を使用することもできる。図2の構造は、発光層4と
正孔注入層3を分離している。この構造により、正孔注
入層3から発光層4への正孔注入効率が向上して、発光
輝度や発光効率を増加させることができる。この場合、
発光効率のためには、発光層に使用される発光物質自身
が電子輸送性であること、または発光層中に電子輸送輸
送材料を添加して発光層を電子輸送性にすることが望ま
しい。
【0029】図3の構造は、正孔注入層3に加えて電子
注入層5を有し、発光層4での正孔と電子の再結合の効
率を向上させている。このように、有機EL素子を多層
構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命
の低下を防ぐことができる。図2および図3の素子にお
いても、必要があれば、発光物質、発光補助材料、キャ
リア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材料を組み合わ
せて使用することが出来る。また、正孔注入層、発光
層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形
成されても良い。
注入層5を有し、発光層4での正孔と電子の再結合の効
率を向上させている。このように、有機EL素子を多層
構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命
の低下を防ぐことができる。図2および図3の素子にお
いても、必要があれば、発光物質、発光補助材料、キャ
リア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材料を組み合わ
せて使用することが出来る。また、正孔注入層、発光
層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形
成されても良い。
【0030】有機EL素子の陽極に使用される導電性物
質としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが好
適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、4eVより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるも
のではない。陽極および陰極は、必要があれば二層以上
の層構成により形成されていても良い。
質としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが好
適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、4eVより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるも
のではない。陽極および陰極は、必要があれば二層以上
の層構成により形成されていても良い。
【0031】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、2で示される電極Aまたは6で示される電極Bの
うち、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明にすることが望ましい。また、基板1も透明であ
ることが望ましい。透明電極は、上記した導電性物質を
使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光
性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過
率を10%以上にすることが望ましい。
めに、2で示される電極Aまたは6で示される電極Bの
うち、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明にすることが望ましい。また、基板1も透明であ
ることが望ましい。透明電極は、上記した導電性物質を
使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光
性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過
率を10%以上にすることが望ましい。
【0032】基板1は、機械的、熱的強度を有し、透明
なものであれば限定されるものではないが、例示する
と、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサルフ
ォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられる。
なものであれば限定されるものではないが、例示する
と、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサルフ
ォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられる。
【0033】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が好適であるが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
【0034】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロフォルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成する
が、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの
薄膜においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等の
ため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような
樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
アリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
メチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹
脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙
げることができる。
を、クロロフォルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成する
が、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの
薄膜においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等の
ため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような
樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ
アリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
メチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹
脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙
げることができる。
【0035】本有機EL素子は、発光層、正孔注入層、
電子注入層において、必要があれば、一般式[1]の化
合物に加えて、公知の発光物質、発光補助材料、正孔輸
送材料、電子輸送材料を使用することもできる。
電子注入層において、必要があれば、一般式[1]の化
合物に加えて、公知の発光物質、発光補助材料、正孔輸
送材料、電子輸送材料を使用することもできる。
【0036】公知の発光物質または発光物質の補助材料
としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレ
ン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオ
レセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレ
ン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジ
フェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマ
リン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサ
ゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリド
ン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これら
に限定されるものではない。
としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレ
ン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオ
レセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレ
ン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジ
フェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマ
リン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサ
ゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリド
ン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これら
に限定されるものではない。
【0037】一般式[1]の正孔輸送材料と併せて使用
できる正孔輸送材料としては、正孔を輸送する能力を持
ち、発光層または発光物質に対して優れた正孔注入効果
を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電
子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた
化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン系化
合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合
物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、
イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラ
ゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オ
キサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリ
アリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジ
ン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニ
ルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それら
の誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラ
ン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに
限定されるものではない。
できる正孔輸送材料としては、正孔を輸送する能力を持
ち、発光層または発光物質に対して優れた正孔注入効果
を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電
子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた
化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン系化
合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合
物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、
イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラ
ゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オ
キサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリ
アリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジ
ン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニ
ルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それら
の誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラ
ン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに
限定されるものではない。
【0038】電子輸送材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、発光層または発光物質に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔輸送材料に電子受容物
質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。
力を持ち、発光層または発光物質に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔輸送材料に電子受容物
質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。
【0039】図1,2および3に示される有機EL素子
において、本発明の一般式[1]の化合物は、いずれの
層に使用することができ、一般式[1]の化合物の他
に、発光物質、発光補助材料、正孔輸送材料および電子
輸送材料の少なくとも1種が同一層に含有されてもよ
い。また、本発明により得られた有機EL素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。以上のよう
に、本発明では有機EL素子に一般式[1]の化合物を
用いたため、発光効率と発光輝度を高くできた。また、
この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、さらに
は低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られ
るため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅に低下
させることができた。
において、本発明の一般式[1]の化合物は、いずれの
層に使用することができ、一般式[1]の化合物の他
に、発光物質、発光補助材料、正孔輸送材料および電子
輸送材料の少なくとも1種が同一層に含有されてもよ
い。また、本発明により得られた有機EL素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。以上のよう
に、本発明では有機EL素子に一般式[1]の化合物を
用いたため、発光効率と発光輝度を高くできた。また、
この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、さらに
は低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られ
るため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅に低下
させることができた。
【0040】本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
【0041】次に、本発明の一般式[1]で示される化
合物を電子写真感光体として用いる場合について説明す
る。本発明の一般式[1]で示される化合物は、電子写
真感光体の何れの層においても使用できるが、高い正孔
輸送特性を有することから正孔輸送材料として使用する
ことが望ましい。該化合物は正孔輸送材料として作用
し、光を吸収することにより発生した電荷を極めて効率
よく輸送でき、高速応答性の感光体を得ることができ
る。また、該化合物は、耐オゾン性、光安定性に優れて
いるので、耐久性に優れた感光体を得ることができる。
合物を電子写真感光体として用いる場合について説明す
る。本発明の一般式[1]で示される化合物は、電子写
真感光体の何れの層においても使用できるが、高い正孔
輸送特性を有することから正孔輸送材料として使用する
ことが望ましい。該化合物は正孔輸送材料として作用
し、光を吸収することにより発生した電荷を極めて効率
よく輸送でき、高速応答性の感光体を得ることができ
る。また、該化合物は、耐オゾン性、光安定性に優れて
いるので、耐久性に優れた感光体を得ることができる。
【0042】電子写真感光体は、導電性基板上に電荷発
生材料と、必要があれば電荷輸送材料を結着樹脂に分散
させてなる感光層を設けた単層型感光体、導電性基板上
に下引き層、電荷発生層、正孔輸送層の順に積層した、
もしくは導電性基板または下引き層上に正孔輸送層、電
荷発生層の順に積層した積層型感光体等がある。ここ
で、下引き層は必要がなければ使用しなくても良い。上
記感光体は、必要があれば活性ガスからの表面保護およ
びトナーによるフィルミング防止等の意味でオーバーコ
ート層を設けることも出来る。
生材料と、必要があれば電荷輸送材料を結着樹脂に分散
させてなる感光層を設けた単層型感光体、導電性基板上
に下引き層、電荷発生層、正孔輸送層の順に積層した、
もしくは導電性基板または下引き層上に正孔輸送層、電
荷発生層の順に積層した積層型感光体等がある。ここ
で、下引き層は必要がなければ使用しなくても良い。上
記感光体は、必要があれば活性ガスからの表面保護およ
びトナーによるフィルミング防止等の意味でオーバーコ
ート層を設けることも出来る。
【0043】電荷発生材料としては、ビスアゾ、キナク
リドン、ジケトピロロピロール、インジゴ、ペリレン、
ペリノン、多環キノン、スクアリリウム塩、アズレニウ
ム塩、フタロシアニン、ナフタロシアニン等の有機化合
物、もしくは、セレン、セレン−テルル合金、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物質
が挙げられる。
リドン、ジケトピロロピロール、インジゴ、ペリレン、
ペリノン、多環キノン、スクアリリウム塩、アズレニウ
ム塩、フタロシアニン、ナフタロシアニン等の有機化合
物、もしくは、セレン、セレン−テルル合金、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物質
が挙げられる。
【0044】感光体の各層は蒸着もしくは分散塗工方式
により成膜することが出来る。分散塗工は、スピンコー
ター、アプリケーター、スプレーコーター、浸漬コータ
ー、ローラーコーター、カーテンコーターおよびビード
コーター等を用いて行い、乾燥は室温から200℃、1
0分から6時間の範囲で静止または送風条件下で行う。
乾燥後の感光層の膜厚は単層型感光体の場合、5ミクロ
ンから50ミクロン、積層型感光体の場合、電荷発生層
は0.01から5ミクロン、好ましくは0.1から1ミ
クロンであり、正孔輸送層は5から50ミクロン、好ま
しくは10から20ミクロンが好適である。
により成膜することが出来る。分散塗工は、スピンコー
ター、アプリケーター、スプレーコーター、浸漬コータ
ー、ローラーコーター、カーテンコーターおよびビード
コーター等を用いて行い、乾燥は室温から200℃、1
0分から6時間の範囲で静止または送風条件下で行う。
乾燥後の感光層の膜厚は単層型感光体の場合、5ミクロ
ンから50ミクロン、積層型感光体の場合、電荷発生層
は0.01から5ミクロン、好ましくは0.1から1ミ
クロンであり、正孔輸送層は5から50ミクロン、好ま
しくは10から20ミクロンが好適である。
【0045】単層型感光体の感光層、積層型感光体の電
荷発生層もしくは正孔輸送層を形成する際に使用する樹
脂は広範な絶縁性樹脂から選択出来る。また、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリ
シラン類などの有機光導電性ポリマーから選択出来る。
好ましくは、ポリビニルブチラール、ポリアリレート、
ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ、アクリ
ル、ポリアミド、ウレタン、エポキシ、シリコン、ポリ
スチレン、ポリ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェノー
ルおよびメラミン樹脂等の絶縁性樹脂を挙げることが出
来る。電荷発生層もしくは正孔輸送層を形成するために
使用される樹脂は、電荷発生材料もしくは正孔輸送材料
に対して、100重量%以下が好ましいがこの限りでは
ない。樹脂は2種類以上組み合わせて使用しても良い。
また、必要があれば樹脂を使用しなくてもよい。また、
電荷発生層を蒸着、スパッタリング等の物理的成膜法に
より形成させることも出来る。蒸着、スパッタリング法
では、好ましくは10-5Toor以下の真空雰囲気下で
成膜することが望ましい。また、窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等の不活性ガス中で成膜することも可能である。
荷発生層もしくは正孔輸送層を形成する際に使用する樹
脂は広範な絶縁性樹脂から選択出来る。また、ポリ−N
−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンやポリ
シラン類などの有機光導電性ポリマーから選択出来る。
好ましくは、ポリビニルブチラール、ポリアリレート、
ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ、アクリ
ル、ポリアミド、ウレタン、エポキシ、シリコン、ポリ
スチレン、ポリ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェノー
ルおよびメラミン樹脂等の絶縁性樹脂を挙げることが出
来る。電荷発生層もしくは正孔輸送層を形成するために
使用される樹脂は、電荷発生材料もしくは正孔輸送材料
に対して、100重量%以下が好ましいがこの限りでは
ない。樹脂は2種類以上組み合わせて使用しても良い。
また、必要があれば樹脂を使用しなくてもよい。また、
電荷発生層を蒸着、スパッタリング等の物理的成膜法に
より形成させることも出来る。蒸着、スパッタリング法
では、好ましくは10-5Toor以下の真空雰囲気下で
成膜することが望ましい。また、窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等の不活性ガス中で成膜することも可能である。
【0046】電子写真感光体の各層を形成する際に使用
する溶剤は、下引き層や他の感光層に影響を与えないも
のから選択することが好ましい。具体的には、ベンゼ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、酢酸エチル、メチル
セロソルブ等のエステル類、四塩化炭素、クロロホル
ム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエチ
レン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、クロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類等
が用いられるがこれらに限られるものではない。
する溶剤は、下引き層や他の感光層に影響を与えないも
のから選択することが好ましい。具体的には、ベンゼ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノー
ル、エタノール等のアルコール類、酢酸エチル、メチル
セロソルブ等のエステル類、四塩化炭素、クロロホル
ム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエチ
レン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、クロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類等
が用いられるがこれらに限られるものではない。
【0047】正孔輸送層は正孔輸送材料のみ、もしくは
正孔輸送材料を樹脂に溶解させた塗液を塗布することに
より形成される。本感光体に使用される正孔輸送材料
は、一般式[1]の化合物に加えて他の正孔輸送材料を
組み合わせて使用することもできる。一般式[1]の化
合物は、樹脂との相溶性が良く、結晶が析出しにくいの
で、感度、耐久性の向上のために有利である。
正孔輸送材料を樹脂に溶解させた塗液を塗布することに
より形成される。本感光体に使用される正孔輸送材料
は、一般式[1]の化合物に加えて他の正孔輸送材料を
組み合わせて使用することもできる。一般式[1]の化
合物は、樹脂との相溶性が良く、結晶が析出しにくいの
で、感度、耐久性の向上のために有利である。
【0048】電子写真特性、画像特性等の向上のため
に、必要があれば基板と有機層の間に下引き層を設ける
ことができ、下引き層としてはポリアミド類、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ゼラチン、ポリビニルブチ
ラール等の樹脂類、酸化アルミニウム等の金属酸化物な
どが用いられる。
に、必要があれば基板と有機層の間に下引き層を設ける
ことができ、下引き層としてはポリアミド類、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ゼラチン、ポリビニルブチ
ラール等の樹脂類、酸化アルミニウム等の金属酸化物な
どが用いられる。
【0049】本発明の材料は、有機EL素子もしくは電
子写真感光体等の正孔輸送材料としのみでなく、光電変
換素子、太陽電池、イメージセンサー等有機光導電材料
のいずれの分野においても好適に使用できる。
子写真感光体等の正孔輸送材料としのみでなく、光電変
換素子、太陽電池、イメージセンサー等有機光導電材料
のいずれの分野においても好適に使用できる。
【0050】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明する。化合物(2)の合成方法 フラスコ中に、2、2’−ビス(6−アミノ)ベンゾチ
アゾール5.5g、p−ヨードトルエン68.5g、苛
性カリ28.1gおよび塩化第一銅0.25g1,3−
ジメチル−2−イミダゾリジノン50mlを入れて、窒
素雰囲気下200℃で12時間反応させた。反応終了
後、60℃まで冷却し、酢酸エチルで希釈してろ過し
た。ろ液を減圧下で濃縮して得た残渣を、トルエンから
再結晶して35.2g得た。質量分析、赤外線吸収スペ
クトル、NMRスペクトル分析の結果、化合物(2)で
あることがわかった。以下に生成物の元素分析結果を示
す。 元素分析結果 C42H34N4S2として 計算値(%):C:76.60 H:5.17
N:8.51 実測値(%):C:76.48 H:5.34
N:8.67
説明する。化合物(2)の合成方法 フラスコ中に、2、2’−ビス(6−アミノ)ベンゾチ
アゾール5.5g、p−ヨードトルエン68.5g、苛
性カリ28.1gおよび塩化第一銅0.25g1,3−
ジメチル−2−イミダゾリジノン50mlを入れて、窒
素雰囲気下200℃で12時間反応させた。反応終了
後、60℃まで冷却し、酢酸エチルで希釈してろ過し
た。ろ液を減圧下で濃縮して得た残渣を、トルエンから
再結晶して35.2g得た。質量分析、赤外線吸収スペ
クトル、NMRスペクトル分析の結果、化合物(2)で
あることがわかった。以下に生成物の元素分析結果を示
す。 元素分析結果 C42H34N4S2として 計算値(%):C:76.60 H:5.17
N:8.51 実測値(%):C:76.48 H:5.34
N:8.67
【0051】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、トリス(8−ヒ
ドロキシキノリン)アルミニウム錯体、化合物(2)、
ポリ−N−ビニルカルバゾールを3:2:5の比率でク
ロロフォルムに溶解分散させ、スピンコーティング法に
より1000オングストロームの膜厚の発光層を得た。
その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金
で1500オングストロームの膜厚の電極を形成して図
1に示す有機EL素子を得た。この素子は、直流電圧5
Vで発光輝度100cd/m2、発光効率1.21lm
/Wの発光が得られた。
ドロキシキノリン)アルミニウム錯体、化合物(2)、
ポリ−N−ビニルカルバゾールを3:2:5の比率でク
ロロフォルムに溶解分散させ、スピンコーティング法に
より1000オングストロームの膜厚の発光層を得た。
その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金
で1500オングストロームの膜厚の電極を形成して図
1に示す有機EL素子を得た。この素子は、直流電圧5
Vで発光輝度100cd/m2、発光効率1.21lm
/Wの発光が得られた。
【0052】実施例2 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N'―ジフ
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、30
0オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法により化合物(1)および[2−(4−
tert−ブチルフェニル)−5−(ビフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール]を1:1の比率で膜厚
500オングストロームの発光層を作成し、その上に、
マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で1500
オングストロームの膜厚の電極を形成して図2に示す有
機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6T
orrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。
この素子は、直流電圧5Vで発光輝度約180cd/m
2、発光効率1.5lm/Wの発光が得られた。この結
果から、本発明の化合物は電子輸送をする発光物質であ
ることが解る。
ェニル―N,N'―(3―メチルフェニル)―1,1'―
ビフェニル―4,4'―ジアミンを真空蒸着して、30
0オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法により化合物(1)および[2−(4−
tert−ブチルフェニル)−5−(ビフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール]を1:1の比率で膜厚
500オングストロームの発光層を作成し、その上に、
マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で1500
オングストロームの膜厚の電極を形成して図2に示す有
機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6T
orrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。
この素子は、直流電圧5Vで発光輝度約180cd/m
2、発光効率1.5lm/Wの発光が得られた。この結
果から、本発明の化合物は電子輸送をする発光物質であ
ることが解る。
【0053】実施例3 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(3)を
真空蒸着して、300オングストロームの膜厚の正孔注
入層を得た。次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリ
ン)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚500オング
ストロームの発光層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を10:1で混合した合金で1500オングストロ
ームの膜厚の電極を形成して図2に示す有機EL素子を
得た。正孔注入層および発光層は10-6Torrの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、
直流電圧5Vで発光輝度約450cd/m2、発光効率
4.0lm/Wの発光が得られた。
真空蒸着して、300オングストロームの膜厚の正孔注
入層を得た。次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリ
ン)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚500オング
ストロームの発光層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を10:1で混合した合金で1500オングストロ
ームの膜厚の電極を形成して図2に示す有機EL素子を
得た。正孔注入層および発光層は10-6Torrの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、
直流電圧5Vで発光輝度約450cd/m2、発光効率
4.0lm/Wの発光が得られた。
【0054】実施例4 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(4)を
真空蒸着して、膜厚300オングストロームの正孔注入
層を得た。次いで、真空蒸着法によりトリス(8−ヒド
ロキシキノリン)アルミニウム錯体の膜厚200オング
ストロームの発光層を作成し、さらに真空蒸着法により
[2−(4−tert−ブチルフェニル)−5−(ビフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]の膜厚20
0オングストロームの電子注入層を得た。その上に、マ
グネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150
0オングストロームの電極を形成して図3に示す有機E
L素子を得た。この素子は、直流電圧5Vで約380c
d/m2、発光効率3.7lm/Wの発光が得られた。
真空蒸着して、膜厚300オングストロームの正孔注入
層を得た。次いで、真空蒸着法によりトリス(8−ヒド
ロキシキノリン)アルミニウム錯体の膜厚200オング
ストロームの発光層を作成し、さらに真空蒸着法により
[2−(4−tert−ブチルフェニル)−5−(ビフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]の膜厚20
0オングストロームの電子注入層を得た。その上に、マ
グネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150
0オングストロームの電極を形成して図3に示す有機E
L素子を得た。この素子は、直流電圧5Vで約380c
d/m2、発光効率3.7lm/Wの発光が得られた。
【0055】実施例5〜13 洗浄したITO電極付きガラス板上に、表2に示した化
合物をクロロホルムに溶解させ、スピンコーティング法
により膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、トリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚30nmの発光層を作成し、その上に、マ
グネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100
nmの電極を形成して図2に示す有機EL素子を得た。
発光層は10-8Torrの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで表2に示
した発光性能を示した。
合物をクロロホルムに溶解させ、スピンコーティング法
により膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、トリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚30nmの発光層を作成し、その上に、マ
グネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100
nmの電極を形成して図2に示す有機EL素子を得た。
発光層は10-8Torrの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで表2に示
した発光性能を示した。
【0056】
【表2】
【0057】本実施例で示された全ての有機EL素子に
ついて、1mA/cm2で連続発光させたところ、10
00時間以上安定な発光を観測することができた。本発
明の有機EL素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命
化を達成するものであり、併せて使用される発光物質、
発光補助材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、増感剤、
樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定するもので
はない。
ついて、1mA/cm2で連続発光させたところ、10
00時間以上安定な発光を観測することができた。本発
明の有機EL素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命
化を達成するものであり、併せて使用される発光物質、
発光補助材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、増感剤、
樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定するもので
はない。
【0058】実施例14 ε型銅フタロシアニン4g、化合物(8)2g、ポリエ
ステル樹脂(バイロン200:東洋防(株)製)14g
をテトラヒドロフラン80gと共にボールミルで5時間
分散した。この分散液をアルミニウム基板上に塗工、乾
燥して、図4に示す膜厚20ミクロンの単層型電子写真
感光体を作製した。
ステル樹脂(バイロン200:東洋防(株)製)14g
をテトラヒドロフラン80gと共にボールミルで5時間
分散した。この分散液をアルミニウム基板上に塗工、乾
燥して、図4に示す膜厚20ミクロンの単層型電子写真
感光体を作製した。
【0059】実施例15 ジブロモアントアントロン6g、化合物(10)2g、
ポリエステル樹脂(バイロン200:東洋防(株)製)
12gをテトラヒドロフラン80gと共にボールミルで
5時間分散した。この分散液をアルミニウム基板上に塗
工、乾燥して、図4に示す膜厚20ミクロンの単層型電
子写真感光体を作製した。
ポリエステル樹脂(バイロン200:東洋防(株)製)
12gをテトラヒドロフラン80gと共にボールミルで
5時間分散した。この分散液をアルミニウム基板上に塗
工、乾燥して、図4に示す膜厚20ミクロンの単層型電
子写真感光体を作製した。
【0060】実施例16 τ型無金属フタロシアニン2g、ポリビニルブチラール
樹脂(BH−3:積水化学(株)製)2gをテトラヒド
ロフラン96gと共にボールミルで2時間分散した。こ
の分散液をアルミニウム基板上に塗工、乾燥して、膜厚
0.3ミクロンの電荷発生層を作製した。次に化合物
(3)10g、ポリカーボネート樹脂(L−1250;
帝人化成(株)製)10gをジクロロメタン80gに溶
解した。この塗液を電荷発生層上に塗工、乾燥して、膜
厚20ミクロンの正孔輸送層を形成し、図5に示す積層
型電子写真感光体を作製した。
樹脂(BH−3:積水化学(株)製)2gをテトラヒド
ロフラン96gと共にボールミルで2時間分散した。こ
の分散液をアルミニウム基板上に塗工、乾燥して、膜厚
0.3ミクロンの電荷発生層を作製した。次に化合物
(3)10g、ポリカーボネート樹脂(L−1250;
帝人化成(株)製)10gをジクロロメタン80gに溶
解した。この塗液を電荷発生層上に塗工、乾燥して、膜
厚20ミクロンの正孔輸送層を形成し、図5に示す積層
型電子写真感光体を作製した。
【0061】実施例17 N,N’−ビス(2,6−ジクロロフェニル)−3,
4,9,10−ペリレンジカルボキシイミド2g、ポリ
ビニルブチラール樹脂(BH−3:積水化学(株)製)
2gをテトラヒドロフラン96gと共にボールミルで2
時間分散した。この分散液をアルミニウム基板上に塗
工、乾燥して、膜厚0.3ミクロンの電荷発生層を作製
した。次に化合物(15)10g、ポリカーボネート樹
脂(L−1250;帝人化成(株)製)10gをジクロ
ロメタン80gに溶解した。この塗液を電荷発生層上に
塗工、乾燥して、膜厚20ミクロンの正孔輸送層を形成
し、図5に示す積層型電子写真感光体を作製した。
4,9,10−ペリレンジカルボキシイミド2g、ポリ
ビニルブチラール樹脂(BH−3:積水化学(株)製)
2gをテトラヒドロフラン96gと共にボールミルで2
時間分散した。この分散液をアルミニウム基板上に塗
工、乾燥して、膜厚0.3ミクロンの電荷発生層を作製
した。次に化合物(15)10g、ポリカーボネート樹
脂(L−1250;帝人化成(株)製)10gをジクロ
ロメタン80gに溶解した。この塗液を電荷発生層上に
塗工、乾燥して、膜厚20ミクロンの正孔輸送層を形成
し、図5に示す積層型電子写真感光体を作製した。
【0062】実施例18〜29 τ型無金属フタロシアニン2g、ポリビニルブチラール
樹脂(BH−3:積水化学(株)製)2gをテトラヒド
ロフラン96gと共にボールミルで2時間分散した。こ
の分散液をアルミニウム基板上に塗工、乾燥して、膜厚
0.3ミクロンの電荷発生層を作成した。次に表3に示
した化合物10g、ポリカーボネート樹脂(L−125
0;帝人化成(株)製)10gをジクロロメタン80g
に溶解した。この塗液を電荷発生層上に塗工、乾燥し
て、膜厚20ミクロンの電荷輸送層を形成し、図5に示
す積層型電子写真感光体を作製した。
樹脂(BH−3:積水化学(株)製)2gをテトラヒド
ロフラン96gと共にボールミルで2時間分散した。こ
の分散液をアルミニウム基板上に塗工、乾燥して、膜厚
0.3ミクロンの電荷発生層を作成した。次に表3に示
した化合物10g、ポリカーボネート樹脂(L−125
0;帝人化成(株)製)10gをジクロロメタン80g
に溶解した。この塗液を電荷発生層上に塗工、乾燥し
て、膜厚20ミクロンの電荷輸送層を形成し、図5に示
す積層型電子写真感光体を作製した。
【0063】電子写真感光体の電子写真特性は以下の方
法で測定した。静電複写紙試験装置(EPA−810
0;川口電機製作所(株)製)により、スタティックモ
ード2、コロナ帯電は−5.2(kV)、5(lux)
の白色光を照射して、初期表面電位(V0)、V0と2秒
間暗所に放置した時の表面電位(V2)の比(暗減衰
率:DDR2=V2/V0)、光露光後に帯電量が初期の
1/2まで減少する時間から半減露光量感度(E1/2)
および光露光3秒後の表面電位(VR3)を調べた。実
施例14〜29の電子写真感光体の電子写真特性を表3
に示す。
法で測定した。静電複写紙試験装置(EPA−810
0;川口電機製作所(株)製)により、スタティックモ
ード2、コロナ帯電は−5.2(kV)、5(lux)
の白色光を照射して、初期表面電位(V0)、V0と2秒
間暗所に放置した時の表面電位(V2)の比(暗減衰
率:DDR2=V2/V0)、光露光後に帯電量が初期の
1/2まで減少する時間から半減露光量感度(E1/2)
および光露光3秒後の表面電位(VR3)を調べた。実
施例14〜29の電子写真感光体の電子写真特性を表3
に示す。
【0064】
【表3】
【0065】1万回以上繰り返して電子写真特性を測定
したところ、本実施例で示された全ての電子写真感光体
について、安定な表面電位、感度を得ることができた。
したところ、本実施例で示された全ての電子写真感光体
について、安定な表面電位、感度を得ることができた。
【0066】
【発明の効果】本発明により、優れた正孔輸送能力を有
する化合物を得ることができた。本発明が提供した化合
物は、従来に比べて高発光効率、高輝度であり、長寿命
の有機EL素子および感度、正孔輸送特性、初期表面電
位、暗減衰率等の初期電子写真特性に優れ、繰り返し使
用に対する疲労も少ない電子写真感光体を得ることがで
きた。
する化合物を得ることができた。本発明が提供した化合
物は、従来に比べて高発光効率、高輝度であり、長寿命
の有機EL素子および感度、正孔輸送特性、初期表面電
位、暗減衰率等の初期電子写真特性に優れ、繰り返し使
用に対する疲労も少ない電子写真感光体を得ることがで
きた。
【図1】実施例で使用した有機EL素子の概略構造を表
す断面図
す断面図
【図2】実施例で使用した有機EL素子の概略構造を表
す断面図
す断面図
【図3】実施例で使用した有機EL素子の概略構造を表
す断面図
す断面図
【図4】実施例で使用した電子写真感光体の概略構造を
表す断面図
表す断面図
【図5】実施例で使用した電子写真感光体の概略構造を
表す断面図
表す断面図
1.基板 2.電極A 3.正孔注入層 4.発光層 5.電子注入層 6.電極B 7.Al基板 8.感光層 9.電荷発生層 10.正孔輸送層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−225365(JP,A) 特開 平4−233548(JP,A) 特開 平3−2174(JP,A) 特開 平5−66593(JP,A) 特開 平3−164746(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03G 5/00 CA(STN)
Claims (4)
- 【請求項1】 下記一般式[1]で示される正孔輸送材
料。 一般式[1] 【化1】 [式中、R1〜R16は、水素原子、ハロゲン原子、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のア
ルコキシ基、置換もしくは未置換のチオアルコキシ基、
シアノ基、アミノ基、モノまたはジ置換アミノ基、水酸
基、メルカプト基、置換もしくは未置換のアリールオキ
シ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もし
くは未置換の炭素環式芳香族環基、置換もしくは未置換
の複素環式芳香族環基、置換もしくは未置換の複素環基
を表し(隣接した置換基同士で置換もしくは未置換の脂
肪族式環、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環、置
換もしくは未置換の複素環式芳香族環、置換もしくは未
置換の複素環を形成しても良い。)、XおよびYは、酸
素原子、硫黄原子もしくは−NR17(R17は、水素原
子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未
置換の炭素環式芳香族環基を表す。)を表す。] - 【請求項2】 一対の電極間に、一層または複数層の有
機化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、少なくとも一層が請求項1
記載の正孔輸送材料を含有する層であることを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 少なくとも一層が発光層である請求項2
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項4】 少なくとも一層が正孔注入層である請求
項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22142094A JP3261882B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 正孔輸送材料およびその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22142094A JP3261882B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 正孔輸送材料およびその用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0887123A JPH0887123A (ja) | 1996-04-02 |
JP3261882B2 true JP3261882B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=16766466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22142094A Expired - Fee Related JP3261882B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 正孔輸送材料およびその用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3261882B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104672226B (zh) * | 2015-01-23 | 2017-12-22 | 固安鼎材科技有限公司 | 一种新型化合物、其制备方法及其应用 |
JP6642567B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2020-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
CN110903258B (zh) * | 2018-09-18 | 2023-06-13 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种芳香胺化合物及其应用 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP22142094A patent/JP3261882B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH0887123A (ja) | 1996-04-02 |
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