JP3257915B2 - パタ−ン描画装置 - Google Patents
パタ−ン描画装置Info
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- JP3257915B2 JP3257915B2 JP03094095A JP3094095A JP3257915B2 JP 3257915 B2 JP3257915 B2 JP 3257915B2 JP 03094095 A JP03094095 A JP 03094095A JP 3094095 A JP3094095 A JP 3094095A JP 3257915 B2 JP3257915 B2 JP 3257915B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパタ−ン描画装置、特に
パタ−ンを描画する際に発生する近接効果現象の補正を
するのに適する電子ビ−ム描画装置のようなパタ−ン描
画装置に関する。
パタ−ンを描画する際に発生する近接効果現象の補正を
するのに適する電子ビ−ム描画装置のようなパタ−ン描
画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線描画装置のようなパタ−ン描画装
置は電子ビ−ムのような照射ビ−ムをレンズによって所
望の形状と電流密度を得るように制御すると同時に、偏
向器により試料の照射ビ−ムによる照射位置を決め、試
料上にＬＳＩチップのようなパタ−ンを形成する装置で
ある。
置は電子ビ−ムのような照射ビ−ムをレンズによって所
望の形状と電流密度を得るように制御すると同時に、偏
向器により試料の照射ビ−ムによる照射位置を決め、試
料上にＬＳＩチップのようなパタ−ンを形成する装置で
ある。
【０００３】具体的にたとえば電子線描画を例にとるな
らば、この装置を用いて描画する際は、試料上に照射さ
れた電子がレジストや基板の構成原子に衝突して散乱を
受け、電子ビ−ム照射領域外にエネルギを堆積し、所望
のパタ−ン形状が得られない場合が発生する。特に大面
積のパタ−ン形状を持つデ−タが近接している場合に
は、堆積エネルギ−が過剰になり、パタ−ン間の間隔が
狭くなる。また、微細な孤立したパタ−ンでは電子が周
辺に散乱してしまうため照射領域で堆積エネルギ−に不
足が生じ、形成されるパタ−ン寸法が小さくなる。こう
いった現象を近接効果現象と呼ぶ。
らば、この装置を用いて描画する際は、試料上に照射さ
れた電子がレジストや基板の構成原子に衝突して散乱を
受け、電子ビ−ム照射領域外にエネルギを堆積し、所望
のパタ−ン形状が得られない場合が発生する。特に大面
積のパタ−ン形状を持つデ−タが近接している場合に
は、堆積エネルギ−が過剰になり、パタ−ン間の間隔が
狭くなる。また、微細な孤立したパタ−ンでは電子が周
辺に散乱してしまうため照射領域で堆積エネルギ−に不
足が生じ、形成されるパタ−ン寸法が小さくなる。こう
いった現象を近接効果現象と呼ぶ。
【０００４】従来の装置では、この近接効果現象を補正
する手段として下記のような方法を用いている。
する手段として下記のような方法を用いている。
【０００５】まず最初に描画しようとしているパタ−ン
（典型的にはＬＳＩ回路パタ−ン）の面積に比例する
値、具体的には面積率、を求める。その方法は、描画の
ためのパタ−ンデ−タを矩形状の小パタ−ンデ−タ（シ
ョットデ−タ）に分解し、ショットデ−タ領域の面積と
位置情報をもとに分解された小パタ−ンデ−タの面積率
を計算し、該当するメモリの保持領域に累積加算してい
く。この後、ショットデ−タ間の急峻な面積率変化と面
積率累積誤差の緩和を目的とし、ある条件で、面積率の
分布を表す面積率マップ全体に一様な平滑化フィルタ処
理を施す。このようにして作成された面積率マップはＬ
ＳＩ回路パタ−ンの場合はチップごとに管理される。ま
た、面積率に応じた補正照射量は予め実験によって求め
られた電子の散乱係数比（レジスト内散乱と半導体基板
内散乱の比）をもとに照射量補正関数を用いて求めてお
く。実際の描画では、描画ショットの位置に対応した面
積率マップを参照し、面積率に応じたショットデ−タの
照射量を補正することによって近接効果現象を補正す
る。
（典型的にはＬＳＩ回路パタ−ン）の面積に比例する
値、具体的には面積率、を求める。その方法は、描画の
ためのパタ−ンデ−タを矩形状の小パタ−ンデ−タ（シ
ョットデ−タ）に分解し、ショットデ−タ領域の面積と
位置情報をもとに分解された小パタ−ンデ−タの面積率
を計算し、該当するメモリの保持領域に累積加算してい
く。この後、ショットデ−タ間の急峻な面積率変化と面
積率累積誤差の緩和を目的とし、ある条件で、面積率の
分布を表す面積率マップ全体に一様な平滑化フィルタ処
理を施す。このようにして作成された面積率マップはＬ
ＳＩ回路パタ−ンの場合はチップごとに管理される。ま
た、面積率に応じた補正照射量は予め実験によって求め
られた電子の散乱係数比（レジスト内散乱と半導体基板
内散乱の比）をもとに照射量補正関数を用いて求めてお
く。実際の描画では、描画ショットの位置に対応した面
積率マップを参照し、面積率に応じたショットデ−タの
照射量を補正することによって近接効果現象を補正す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、補
正のための入力パラメ−タさえ最適なものが決定できれ
ば、高速で精度のよい近接効果補正が実現できる。しか
し下記に関する最適なパラメ−タを見つけるためには描
画実験を繰り返す必要があり、更にこの方法を十分に理
解した上で慣れる必要があるため、かなりの時間が必要
である。
正のための入力パラメ−タさえ最適なものが決定できれ
ば、高速で精度のよい近接効果補正が実現できる。しか
し下記に関する最適なパラメ−タを見つけるためには描
画実験を繰り返す必要があり、更にこの方法を十分に理
解した上で慣れる必要があるため、かなりの時間が必要
である。
【０００７】まず最初に、面積率マップを作成する際に
必要となる平滑化フィルタに関しての問題点をあげる。
従来技術で行っている面積率マップ全体に一様な平滑化
フィルタ処理を施す方法によると、ＬＳＩチップを形成
しているパタ−ンデ−タの構成や配置に合わせて細かな
平滑化を選択することができないため、平滑化にむらが
発生する。たとえば大面積パタ−ンが並ぶ部分と微細パ
タ−ンが点在する部分が混在しているＬＳＩチップの面
積率マップを全体的に最適にすることが困難である。こ
のため平滑化フィルタの回数を増やし、さらに誤差緩和
を試みる方法がとられているが、いたずらに回数を増や
すと、面積率マップ全体が平坦になり過ぎてしまい、補
正が利かない部分がでてくる。実際には、平滑化回数を
変化させて、何回も描画を行い、一番よい条件を見つけ
ることになる。
必要となる平滑化フィルタに関しての問題点をあげる。
従来技術で行っている面積率マップ全体に一様な平滑化
フィルタ処理を施す方法によると、ＬＳＩチップを形成
しているパタ−ンデ−タの構成や配置に合わせて細かな
平滑化を選択することができないため、平滑化にむらが
発生する。たとえば大面積パタ−ンが並ぶ部分と微細パ
タ−ンが点在する部分が混在しているＬＳＩチップの面
積率マップを全体的に最適にすることが困難である。こ
のため平滑化フィルタの回数を増やし、さらに誤差緩和
を試みる方法がとられているが、いたずらに回数を増や
すと、面積率マップ全体が平坦になり過ぎてしまい、補
正が利かない部分がでてくる。実際には、平滑化回数を
変化させて、何回も描画を行い、一番よい条件を見つけ
ることになる。
【０００８】次に、実際の描画時に必要となる、面積率
に対応した補正照射量を求める際の問題点をあげる。照
射量補正値は、実験によって求めた電子の散乱比率（レ
ジスト内で発生する前方散乱と半導体基板内で発生する
後方散乱の堆積エネルギ比）から照射量補正関数によっ
て求める。この照射量補正関数は、ダブルガウス近似を
もとに作成されたものであるが、タングステンの被着し
たシリコン基板等を用いる場合には、誤差が大きくなり
補正がうまくいかない部分が出てくる。
に対応した補正照射量を求める際の問題点をあげる。照
射量補正値は、実験によって求めた電子の散乱比率（レ
ジスト内で発生する前方散乱と半導体基板内で発生する
後方散乱の堆積エネルギ比）から照射量補正関数によっ
て求める。この照射量補正関数は、ダブルガウス近似を
もとに作成されたものであるが、タングステンの被着し
たシリコン基板等を用いる場合には、誤差が大きくなり
補正がうまくいかない部分が出てくる。
【０００９】本発明の目的は近接効果補正作業を効率的
に行なうのに適したパタ−ン描画装置を提供することに
ある。
に行なうのに適したパタ−ン描画装置を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の課題解決手段は
次のとおりである。
次のとおりである。
【００１１】１． 試料を照射ビ−ムで照射してその試
料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置において、
前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持領域
をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの面積に
比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持領域に
それぞれ保持させる手段と、その保持された面積に比例
する値の分布を表す面積マップを表示する手段と、その
表示された面積マップの部分領域を選択する手段とを備
え、その選択された部分領域の前記面積に比例する値を
補正し、その補正された値に応じて前記照射ビ−ムによ
る前記試料の照射量を補正するようにしたことを特徴と
する（請求項１）。
料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置において、
前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持領域
をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの面積に
比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持領域に
それぞれ保持させる手段と、その保持された面積に比例
する値の分布を表す面積マップを表示する手段と、その
表示された面積マップの部分領域を選択する手段とを備
え、その選択された部分領域の前記面積に比例する値を
補正し、その補正された値に応じて前記照射ビ−ムによ
る前記試料の照射量を補正するようにしたことを特徴と
する（請求項１）。
【００１２】２． 課題解決手段１のパタ−ン描画装置
において、前記面積に比例する値は面積率であることを
特徴とする（請求項２）。
において、前記面積に比例する値は面積率であることを
特徴とする（請求項２）。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】３． 試料を照射ビ−ムで照射してその試
料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置において、
前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持領域
をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの面積に
比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持領域に
それぞれ保持させる手段と、前記パタ−ンと前記保持さ
れた面積に比例する値の分布を表す面積マップとを重畳
して表示する手段とを備え、その表示された面積マップ
の前記面積に比例する値を補正し、その補正された値に
応じて前記照射ビ−ムによる前記試料の照射量を補正す
るようにしたことを特徴とする（請求項３）。
料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置において、
前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持領域
をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの面積に
比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持領域に
それぞれ保持させる手段と、前記パタ−ンと前記保持さ
れた面積に比例する値の分布を表す面積マップとを重畳
して表示する手段とを備え、その表示された面積マップ
の前記面積に比例する値を補正し、その補正された値に
応じて前記照射ビ−ムによる前記試料の照射量を補正す
るようにしたことを特徴とする（請求項３）。
【００１９】４． 課題解決手段３のパタ−ン描画装置
において、前記面積に比例する値は面積率であることを
特徴とする（請求項４）。
において、前記面積に比例する値は面積率であることを
特徴とする（請求項４）。
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】５． 試料を照射ビ−ムで照射してその試
料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置において、
前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持領域
をもち、前記分解された小パタ−ンの面積に比例する値
を前記保持領域のうちの該当する保持領域に保持させる
手段と、その保持領域ごとの、該保持領域に保持された
面積に比例する値に対応した前記電子ビ−ムによる前記
試料の照射量補正値の分布、前記面積に比例する値と前
記照射量補正値との関係を表す補正曲線及び前記パタ−
ンを表示する手段とを備えていることを特徴とする（請
求項５）。
料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置において、
前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持領域
をもち、前記分解された小パタ−ンの面積に比例する値
を前記保持領域のうちの該当する保持領域に保持させる
手段と、その保持領域ごとの、該保持領域に保持された
面積に比例する値に対応した前記電子ビ−ムによる前記
試料の照射量補正値の分布、前記面積に比例する値と前
記照射量補正値との関係を表す補正曲線及び前記パタ−
ンを表示する手段とを備えていることを特徴とする（請
求項５）。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【作用】本発明では、試料を照射ビ−ムで照射してその
試料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置におい
て、前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持
領域をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの面
積に比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持領
域にそれぞれ保持させる手段と、その保持された面積に
比例する値の分布を表す面積マップを表示する手段と、
その表示された面積マップの部分領域を選択する手段と
を備え、その選択された部分領域の前記面積に比例する
値を補正し、その補正された値に応じて前記照射ビ−ム
による前記試料の照射量を補正するようにしている。こ
のため、表示を観察しながら近接効果補正の作業を行な
うことが可能になるので、その補正作業の効率化が図ら
れるようになり、加えて、照射量補正、したがって近接
効果補正を実際に即して部分的にきめ細かく実行するこ
とができるようになる。
試料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置におい
て、前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保持
領域をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの面
積に比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持領
域にそれぞれ保持させる手段と、その保持された面積に
比例する値の分布を表す面積マップを表示する手段と、
その表示された面積マップの部分領域を選択する手段と
を備え、その選択された部分領域の前記面積に比例する
値を補正し、その補正された値に応じて前記照射ビ−ム
による前記試料の照射量を補正するようにしている。こ
のため、表示を観察しながら近接効果補正の作業を行な
うことが可能になるので、その補正作業の効率化が図ら
れるようになり、加えて、照射量補正、したがって近接
効果補正を実際に即して部分的にきめ細かく実行するこ
とができるようになる。
【００２８】本発明では、試料を照射ビ−ムで照射して
その試料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置にお
いて、前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保
持領域をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの
面積に比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持
領域にそれぞれ保持させる手段と、前記パタ−ンと前記
保持された面積に比例する値の分布を表す面積マップと
を重畳して表示する手段とを備え、その表示された面積
マップの前記面積に比例する値を補正し、その補正され
た値に応じて前記照射ビ−ムによる前記試料の照射量を
補正するようにしている。これによれば、パタ−ンの形
状や配置及び面積に比例する値の差がはっきりし、した
がって、面積に比例する値の計算誤差が大きい部分が明
確になる等、表示を観察しながら近接効果補正の作業を
行なうことが可能になるので、その補正作業の効率化が
図られるようになる。
その試料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置にお
いて、前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保
持領域をもち、前記分解されたそれぞれの小パタ−ンの
面積に比例する値を前記保持領域のうちの該当する保持
領域にそれぞれ保持させる手段と、前記パタ−ンと前記
保持された面積に比例する値の分布を表す面積マップと
を重畳して表示する手段とを備え、その表示された面積
マップの前記面積に比例する値を補正し、その補正され
た値に応じて前記照射ビ−ムによる前記試料の照射量を
補正するようにしている。これによれば、パタ−ンの形
状や配置及び面積に比例する値の差がはっきりし、した
がって、面積に比例する値の計算誤差が大きい部分が明
確になる等、表示を観察しながら近接効果補正の作業を
行なうことが可能になるので、その補正作業の効率化が
図られるようになる。
【００２９】本発明では、試料を照射ビ−ムで照射して
その試料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置にお
いて、前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保
持領域をもち、前記分解された小パタ−ンの面積に比例
する値を前記保持領域のうちの該当する保持領域に保持
させる手段と、その保持領域ごとの、該保持領域に保持
された面積に比例する値に対応した前記電子ビ−ムによ
る前記試料の照射量補正値の分布、前記面積に比例する
値と前記照射量補正値との関係を表す補正曲線及び前記
パタ−ンを表示する手段とを備えている。これによれ
ば、パタ−ン構成に対する照射量補正値分布がはっきり
する。つまり、照射量補正値の検証、補正が容易とな
る。これは、近接効果補正作業の効率化が図られ得るこ
とを意味する。
その試料上にパタ−ンを描画するパタ−ン描画装置にお
いて、前記パタ−ンを小パタ−ンに分解する手段と、保
持領域をもち、前記分解された小パタ−ンの面積に比例
する値を前記保持領域のうちの該当する保持領域に保持
させる手段と、その保持領域ごとの、該保持領域に保持
された面積に比例する値に対応した前記電子ビ−ムによ
る前記試料の照射量補正値の分布、前記面積に比例する
値と前記照射量補正値との関係を表す補正曲線及び前記
パタ−ンを表示する手段とを備えている。これによれ
ば、パタ−ン構成に対する照射量補正値分布がはっきり
する。つまり、照射量補正値の検証、補正が容易とな
る。これは、近接効果補正作業の効率化が図られ得るこ
とを意味する。
【００３０】
【実施例】パタ−ン描画装置の例として電子ビ−ム描画
装置を選び、これを例にして本発明の実施例を説明す
る。
装置を選び、これを例にして本発明の実施例を説明す
る。
【００３１】図１を参照するに、電子銃１２から放出さ
れる電子ビ−ムは電磁レンズ１３によって試料１５に収
束され、また、偏向器制御回路１１のもとで制御される
偏向器１４によって偏向される。
れる電子ビ−ムは電磁レンズ１３によって試料１５に収
束され、また、偏向器制御回路１１のもとで制御される
偏向器１４によって偏向される。
【００３２】まず最初に、図１及び２を参照してＬＳＩ
チップを形成する回路パタ−ンデ−タの面積率計算につ
いて説明する。
チップを形成する回路パタ−ンデ−タの面積率計算につ
いて説明する。
【００３３】大容量ＩＣメモリ４に保存されたパタ−ン
デ−タはショット分解回路５によって矩形状の小パタ−
ン（ショット）に分解され、後につながっている近接効
果補正ユニット１０の近接効果補正制御回路６を通して
面積率計算回路７に送られる。面積率計算回路７は入力
したショットデ−タの中心座標（ＬＳＩチップ座標系）
が面積率計算回路７がもっている小領域ごとに区分され
た格子状の２次元メモリ９上の、どの格子状の小領域
（保持領域）に位置するかを求め、その小領域に該当す
るショットの面積に比例する値、具体的には面積率、を
格納（保持）する。ショットデ−タはパイプライン的に
処理され、その面積率は該当する小領域に次々と累積加
算されて、面積率マップが作られる。
デ−タはショット分解回路５によって矩形状の小パタ−
ン（ショット）に分解され、後につながっている近接効
果補正ユニット１０の近接効果補正制御回路６を通して
面積率計算回路７に送られる。面積率計算回路７は入力
したショットデ−タの中心座標（ＬＳＩチップ座標系）
が面積率計算回路７がもっている小領域ごとに区分され
た格子状の２次元メモリ９上の、どの格子状の小領域
（保持領域）に位置するかを求め、その小領域に該当す
るショットの面積に比例する値、具体的には面積率、を
格納（保持）する。ショットデ−タはパイプライン的に
処理され、その面積率は該当する小領域に次々と累積加
算されて、面積率マップが作られる。
【００３４】続いて図３の処理フロ−をもとに、図１及
び２並びに図４〜７を参照して面積率マップの補正方法
について説明する。
び２並びに図４〜７を参照して面積率マップの補正方法
について説明する。
【００３５】面積率マップを平滑化する場合には、上記
のようにして面積率マップを作り（Ｓ１）、その後過去
に同じ名称の回路パタ−ンで面積率マップ補正を実施し
たことがあるかどうかを判定し（Ｓ２）、もし過去のデ
−タが存在する場合には、制御用コンピュ−タ２の記憶
装置に保存されているデ−タをもとに平滑化パラメ−タ
を作成し（Ｓ９）、平滑化回路８を用いて面積率マップ
各部に最適な平滑化フィルタ処理を施す（Ｓ１０）。
のようにして面積率マップを作り（Ｓ１）、その後過去
に同じ名称の回路パタ−ンで面積率マップ補正を実施し
たことがあるかどうかを判定し（Ｓ２）、もし過去のデ
−タが存在する場合には、制御用コンピュ−タ２の記憶
装置に保存されているデ−タをもとに平滑化パラメ−タ
を作成し（Ｓ９）、平滑化回路８を用いて面積率マップ
各部に最適な平滑化フィルタ処理を施す（Ｓ１０）。
【００３６】次に、過去に処理した実績がない場合は、
まず初期条件で平滑化フィルタ処理を行い（Ｓ３）、面
積率マップのグラフィック表示が必要の場合（Ｓ４）
は、図２に示すように、面積率マップの内容を共通バス
３を通して制御用コンピュータ２が読出し、計算機に接
続してあるグラフィック表示装置１に出力し、表示する
（Ｓ５）。１６は面積率マップを表示する面積率格子を
表す。更に、大容量ＩＣメモリ４に保存されている回路
パターンデータ１７も読出し、重ね合わせて表示する。
グラフィック表示装置への出力形式は、図４（ａ）に示
すように面積率によって小領域（格子領域）を選択的に
色分け表示１８したり、図４（ｂ）に示すように数値表
示１９したりすることができる。更に、等面積率曲線、
３次元棒グラフ、３次元折線グラフ等での表示も可能で
ある。
まず初期条件で平滑化フィルタ処理を行い（Ｓ３）、面
積率マップのグラフィック表示が必要の場合（Ｓ４）
は、図２に示すように、面積率マップの内容を共通バス
３を通して制御用コンピュータ２が読出し、計算機に接
続してあるグラフィック表示装置１に出力し、表示する
（Ｓ５）。１６は面積率マップを表示する面積率格子を
表す。更に、大容量ＩＣメモリ４に保存されている回路
パターンデータ１７も読出し、重ね合わせて表示する。
グラフィック表示装置への出力形式は、図４（ａ）に示
すように面積率によって小領域（格子領域）を選択的に
色分け表示１８したり、図４（ｂ）に示すように数値表
示１９したりすることができる。更に、等面積率曲線、
３次元棒グラフ、３次元折線グラフ等での表示も可能で
ある。
【００３７】回路パタ−ンデ−タと面積率マップを重ね
合わせて表示することにより、元のパタ−ン形状・配置
と面積密度の差がはっきりし、面積率計算誤差が大きい
部分や、平滑化フィルタが最適でない部分（平滑化によ
る誤差が顕著になる部分）が明確になるので、不適当な
領域がある場合（Ｓ６）はこれを図５に示すようにたと
えば左下格子点と右上格子点を選択することによって抽
出する（Ｓ７）。その後図６に示すようにメニュ−化さ
れた選択肢により平滑化の種類、単位、回数を選び（Ｓ
７）、平滑化領域テ−ブル２４、平滑化フィルタテ−ブ
ル２５、回数テ−ブル２７、平滑化単位テ−ブル（平滑
化する幅：例えば３ｘ３格子を平滑化単位とする等）２
６を関連づけして、パラメ−タ（平滑化単位（ｍ，ｎ）
と係数パラメ−タ）を作成し、それぞれの領域に対応し
たパラメ−タを平滑化回路８に送り、平滑化フィルタ処
理を実行する（Ｓ８）。
合わせて表示することにより、元のパタ−ン形状・配置
と面積密度の差がはっきりし、面積率計算誤差が大きい
部分や、平滑化フィルタが最適でない部分（平滑化によ
る誤差が顕著になる部分）が明確になるので、不適当な
領域がある場合（Ｓ６）はこれを図５に示すようにたと
えば左下格子点と右上格子点を選択することによって抽
出する（Ｓ７）。その後図６に示すようにメニュ−化さ
れた選択肢により平滑化の種類、単位、回数を選び（Ｓ
７）、平滑化領域テ−ブル２４、平滑化フィルタテ−ブ
ル２５、回数テ−ブル２７、平滑化単位テ−ブル（平滑
化する幅：例えば３ｘ３格子を平滑化単位とする等）２
６を関連づけして、パラメ−タ（平滑化単位（ｍ，ｎ）
と係数パラメ−タ）を作成し、それぞれの領域に対応し
たパラメ−タを平滑化回路８に送り、平滑化フィルタ処
理を実行する（Ｓ８）。
【００３８】すべての選択領域について指定の平滑化条
件で平滑化を実行した後、再度面積率マップをグラフィ
ック表示装置１に出力し（Ｓ５）、評価する。満足であ
れば現在の面積率マップに対応している回路パタ−ン名
称と最終的な各部の平滑化条件（図６に示すテ−ブル）
を制御用コンピュ−タに保存し、次回から同じ名称の回
路パタ−ンに対して適用する（Ｓ９）。したがって、一
度求めた最適条件は環境が変わらない間は使用できる。
平滑化処理を行なった後は、面積率による照射量補正を
行ないながら実際の描画を行なう（Ｓ１１）。
件で平滑化を実行した後、再度面積率マップをグラフィ
ック表示装置１に出力し（Ｓ５）、評価する。満足であ
れば現在の面積率マップに対応している回路パタ−ン名
称と最終的な各部の平滑化条件（図６に示すテ−ブル）
を制御用コンピュ−タに保存し、次回から同じ名称の回
路パタ−ンに対して適用する（Ｓ９）。したがって、一
度求めた最適条件は環境が変わらない間は使用できる。
平滑化処理を行なった後は、面積率による照射量補正を
行ないながら実際の描画を行なう（Ｓ１１）。
【００３９】また平滑化フィルタの方法は、面積率マッ
プの一部２８に対し単純平均化フィルタ（図７（１）
式）と重み付けフィルタ（図７（２）式）を採用してい
る。特に図８のようなパタ−ン構成の場合、平滑化処理
条件の種類として単純平均化フィルタを用いると大面積
パタ−ンとの間に挟まれた細いパタ−ンの領域は、実際
より面積率が大きく補正され、照射量は逆に少なく補正
されるため、パタ−ンが細ってＬＳＩとしては電気的シ
ョ−トの原因ともなる。したがって、重み付けをつけた
フィルタ処理を行なう。更に、新たな平滑化手段をテ−
ブル追加によって簡単に加えることも可能である。平滑
化フィルタは、平滑化回路を用いる以外にも制御用コン
ピュ−タ上でソフトウエアで実現することも可能であ
る。
プの一部２８に対し単純平均化フィルタ（図７（１）
式）と重み付けフィルタ（図７（２）式）を採用してい
る。特に図８のようなパタ−ン構成の場合、平滑化処理
条件の種類として単純平均化フィルタを用いると大面積
パタ−ンとの間に挟まれた細いパタ−ンの領域は、実際
より面積率が大きく補正され、照射量は逆に少なく補正
されるため、パタ−ンが細ってＬＳＩとしては電気的シ
ョ−トの原因ともなる。したがって、重み付けをつけた
フィルタ処理を行なう。更に、新たな平滑化手段をテ−
ブル追加によって簡単に加えることも可能である。平滑
化フィルタは、平滑化回路を用いる以外にも制御用コン
ピュ−タ上でソフトウエアで実現することも可能であ
る。
【００４０】また、面積率マップの直接補正としては、
面積密度のある範囲の値を別な値に強制的に置き換える
ことも可能である。この場合には、面積密度マップのア
ドレスと変更値を近接効果補正制御回路６に送り、面積
密度マップの中味を直接書き替える。またこのときの面
積密度マップのアドレスと変更値は制御用コンピュ−タ
２の記憶装置に回路パタ−ン名称とともに保存され、再
利用される。このような直接補正のケ−スは、面積密度
マップの格子領域内にいくつかの超微細孤立パタ−ンが
存在するような場合に有効になる。
面積密度のある範囲の値を別な値に強制的に置き換える
ことも可能である。この場合には、面積密度マップのア
ドレスと変更値を近接効果補正制御回路６に送り、面積
密度マップの中味を直接書き替える。またこのときの面
積密度マップのアドレスと変更値は制御用コンピュ−タ
２の記憶装置に回路パタ−ン名称とともに保存され、再
利用される。このような直接補正のケ−スは、面積密度
マップの格子領域内にいくつかの超微細孤立パタ−ンが
存在するような場合に有効になる。
【００４１】次に図９を参照して面積率に対応した補正
照射量の決定方法について説明する。最初に電子の散乱
係数比から図１０の計算式で制御用コンピュ−タによっ
て求めた面積率に対する照射量補正曲線を図１０のよう
な形式でグラフィック表示装置１に出力し、表示する
（Ｓ１２）。更に、この照射量補正曲線から各面積率に
対応する照射量補正値がわかるので、図４に示したよう
な面積率表示と同様な方法で、基準照射量に照射量補正
値を加えた値つまり照射量補正値分布（Ｓ１３）をグラ
フィック表示装置１に出力し、表示する（Ｓ１４）。こ
の表示に、更に回路パタ−ンデ−タを重ね合わせ表示す
ることによって、パタ−ン構成に対する照射量分布がは
っきりする。照射量分布を評価して、補正照射量が最適
と判断される場合（Ｓ１５）には、そのまま終了する
が、最適でない場合（Ｓ１５）には、図１０の補正曲線
を直接操作することによって（範囲を選択し、修正値を
２点入力する）再度（Ｓ１２）修正後の補正曲線と照射
量分布をグラフィック出力装置１に表示する。このよう
にしてグラフィック画面を有効に使い、補正照射量を決
定することになる（Ｓ１６）。
照射量の決定方法について説明する。最初に電子の散乱
係数比から図１０の計算式で制御用コンピュ−タによっ
て求めた面積率に対する照射量補正曲線を図１０のよう
な形式でグラフィック表示装置１に出力し、表示する
（Ｓ１２）。更に、この照射量補正曲線から各面積率に
対応する照射量補正値がわかるので、図４に示したよう
な面積率表示と同様な方法で、基準照射量に照射量補正
値を加えた値つまり照射量補正値分布（Ｓ１３）をグラ
フィック表示装置１に出力し、表示する（Ｓ１４）。こ
の表示に、更に回路パタ−ンデ−タを重ね合わせ表示す
ることによって、パタ−ン構成に対する照射量分布がは
っきりする。照射量分布を評価して、補正照射量が最適
と判断される場合（Ｓ１５）には、そのまま終了する
が、最適でない場合（Ｓ１５）には、図１０の補正曲線
を直接操作することによって（範囲を選択し、修正値を
２点入力する）再度（Ｓ１２）修正後の補正曲線と照射
量分布をグラフィック出力装置１に表示する。このよう
にしてグラフィック画面を有効に使い、補正照射量を決
定することになる（Ｓ１６）。
【００４２】明らかなように、作成した面積率マップを
パタ−ンデ−タと重ね合わせて視覚的に検証することに
よって面積率マップの妥当性がはっきりと確認できる。
それによって、不適当な領域の抽出と補正が細部にわた
るまで確実に行うことができる。
パタ−ンデ−タと重ね合わせて視覚的に検証することに
よって面積率マップの妥当性がはっきりと確認できる。
それによって、不適当な領域の抽出と補正が細部にわた
るまで確実に行うことができる。
【００４３】また面積密度マップを部分的に選択し異な
る平滑化フィルタ処理を行なうことができるので、様々
な回路パタ−ンで構成されるＬＳＩチップの面積率マッ
プを最適にすることができる。また補正照射量を決定す
る際にもグラフィック表示を使用した視覚的な検証によ
り、計算機上でシミュレ−トすることが可能である。こ
の方法による面積率マップの最適化や補正照射量の最適
化は、面積率マップ作成や補正照射量計算で必要となる
パラメ−タを求めるために行った、数多くの描画実験や
描画結果の判別能力を最小限に押さえることができるの
で、近接効果補正を実施する際の様々な資源の節約にな
る。
る平滑化フィルタ処理を行なうことができるので、様々
な回路パタ−ンで構成されるＬＳＩチップの面積率マッ
プを最適にすることができる。また補正照射量を決定す
る際にもグラフィック表示を使用した視覚的な検証によ
り、計算機上でシミュレ−トすることが可能である。こ
の方法による面積率マップの最適化や補正照射量の最適
化は、面積率マップ作成や補正照射量計算で必要となる
パラメ−タを求めるために行った、数多くの描画実験や
描画結果の判別能力を最小限に押さえることができるの
で、近接効果補正を実施する際の様々な資源の節約にな
る。
【００４４】更に、描画した結果と面積率又は照射量分
布のグラフィック表示画面を比較することによって、近
接効果補正が不十分である部分と面積率分布と照射量補
正値の関係がはっきりわかるため、その他の要因（近接
効果以外の要因）との切り分けがはっきりする。これは
プロセスによる不良かどうか見極める大きな決め手とな
る。
布のグラフィック表示画面を比較することによって、近
接効果補正が不十分である部分と面積率分布と照射量補
正値の関係がはっきりわかるため、その他の要因（近接
効果以外の要因）との切り分けがはっきりする。これは
プロセスによる不良かどうか見極める大きな決め手とな
る。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、近接効果補正作業を効
率的に行なうのに適したパタ−ン描画装置が提供され
る。
率的に行なうのに適したパタ−ン描画装置が提供され
る。
【図１】本発明にもとづく一実施例を示すパタ−ン描画
装置のブロック図。
装置のブロック図。
【図２】グラフィック表示装置を中心とする図１の一部
のブロック図。
のブロック図。
【図３】本発明にもとづく平滑化処理の一例を示すフロ
−チャ−ト。
−チャ−ト。
【図４】本発明にもとづく面積率マップグラフィック表
示例を示す図。
示例を示す図。
【図５】本発明にもとづく面積マップの部分領域選択方
法を説明するための図。
法を説明するための図。
【図６】本発明にもとづく平滑化フイルタの処理条件の
テ−ブルを示す図。
テ−ブルを示す図。
【図７】本発明にもとづく平滑化フィルタ処理方法を説
明するための図。
明するための図。
【図８】パタ−ンの一例を示す図。
【図９】本発明にもとづく補正照射量決定の一例のフロ
−チャ−ト。
−チャ−ト。
【図１０】本発明にもとづく面積率に対する照射量補正
値の式とそのグラフを表す図。
値の式とそのグラフを表す図。
１：グラフィック表示装置、２：制御用コンピュ−タ、
４：大容量ＩＣメモリ、５：ショット分解回路、６：近
接効果補正制御回路、７：面積率計算回路、８：平滑化
回路、９：２次元メモリ、１０：近接効果補正ユニッ
ト、１１：偏向器制御回路。
４：大容量ＩＣメモリ、５：ショット分解回路、６：近
接効果補正制御回路、７：面積率計算回路、８：平滑化
回路、９：２次元メモリ、１０：近接効果補正ユニッ
ト、１１：偏向器制御回路。
フロントページの続き 審査官 南 宏輔 (56)参考文献 特開 平６−333796（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−225816（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−130815（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 試料を照射ビームで照射してその試料上に
パターンを描画するパターン描画装置において、前記パ
ターンを記憶しているパターン記憶手段と、前記記憶し
ているパターンを小パターンのショットデータに分解す
るショット分解手段と、近接効果補正ユニットと、前記
近接効果補正ユニットの出力として面積率による小領域
あるいは数値表示と前記パターン記憶手段の出力とを重
畳して表示をおこなうことができる表示手段と、を有
し、前記近接効果補正ユニットは、小領域ごとに区分さ
れた格子状の記憶領域をもつ二次元記憶手段と、前記シ
ョット分解手段のショットデータを入力信号とする近接
効果補正制御手段と、前記ショットデータの中心座標が
前記二次元記憶手段のどの小領域に位置するかを求め面
積率を計算する面積率計算手段と、前記近接効果補正ユ
ニットの出力と前記パターン記憶手段の出力とを重畳し
て表示をおこなった結果によって平滑処理を行う平滑化
手段とから構成し、前記近接効果補正ユニットの出力信
号で前記照射ビームを補正して描画することを特徴とす
るパターン描画装置。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記平滑化手段は
複数の平滑化フィルタから構成されていて、平滑化フィ
ルタおよびフィルタリング回数を選択できるものである
ことを特徴とするパターン描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03094095A JP3257915B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | パタ−ン描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03094095A JP3257915B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | パタ−ン描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227842A JPH08227842A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3257915B2 true JP3257915B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=12317684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03094095A Expired - Lifetime JP3257915B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | パタ−ン描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257915B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3348586B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 電子線リソグラフィ技術における近接効果補正法 |
| JP3340387B2 (ja) | 1998-05-29 | 2002-11-05 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
| JP4686566B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | 電子線描画システムおよびその制御方法 |
| JP2006323030A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nec Electronics Corp | フォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置、フォトマスク製造装置および方法 |
-
1995
- 1995-02-20 JP JP03094095A patent/JP3257915B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227842A (ja) | 1996-09-03 |
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