JPH118187A - 電子ビーム露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成装置 - Google Patents
電子ビーム露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成装置Info
- Publication number
- JPH118187A JPH118187A JP16162897A JP16162897A JPH118187A JP H118187 A JPH118187 A JP H118187A JP 16162897 A JP16162897 A JP 16162897A JP 16162897 A JP16162897 A JP 16162897A JP H118187 A JPH118187 A JP H118187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reference point
- energy intensity
- electron beam
- drawing pattern
- pattern data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な電子ビーム露光機あるいは検査装置や
人手を使用することなく、露光データの検証を行うこと
ができる電子ビーム露光データの検証方法を提供する。 【解決手段】 露光データ入力部１００を通じて露光デ
ータ（描画データ）が入力されると、陰陽反転手段２０
１により描画パターンの陰陽反転パターンが形成され
る。次いで、分割手段２０２により陰陽反転パターンが
複数の参照図形に分割され、エネルギー強度算出手段２
０３により参照図形の特定の位置にそれぞれ参照点が設
定され、描画パターン形成のための電子ビーム露光によ
り各参照点に蓄積されるエネルギー強度が算出される。
次に、修正参照点検出手段２０４によって参照点毎にエ
ネルギー強度が予め定めた値（閾値）を越えているか否
かが判断され、エネルギー強度が閾値を越えている修正
参照点の位置が検出される。この修正参照点の位置およ
びエネルギー強度に基づき描画パターンデータの修正を
行うことにより近接効果補正の補正残りの発生を防止す
ることができる。
人手を使用することなく、露光データの検証を行うこと
ができる電子ビーム露光データの検証方法を提供する。 【解決手段】 露光データ入力部１００を通じて露光デ
ータ（描画データ）が入力されると、陰陽反転手段２０
１により描画パターンの陰陽反転パターンが形成され
る。次いで、分割手段２０２により陰陽反転パターンが
複数の参照図形に分割され、エネルギー強度算出手段２
０３により参照図形の特定の位置にそれぞれ参照点が設
定され、描画パターン形成のための電子ビーム露光によ
り各参照点に蓄積されるエネルギー強度が算出される。
次に、修正参照点検出手段２０４によって参照点毎にエ
ネルギー強度が予め定めた値（閾値）を越えているか否
かが判断され、エネルギー強度が閾値を越えている修正
参照点の位置が検出される。この修正参照点の位置およ
びエネルギー強度に基づき描画パターンデータの修正を
行うことにより近接効果補正の補正残りの発生を防止す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に用
いられるマスク用の電子ビーム露光データの検証方法お
よび電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成の
ためのマスク作成装置に関する。
いられるマスク用の電子ビーム露光データの検証方法お
よび電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成の
ためのマスク作成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光技術は、その高速性，高
解像性およびパターン変更の容易さなどが光露光やＸ線
露光と比較して遙かに優れているため、量産品への適用
に向けて開発が進められている。
解像性およびパターン変更の容易さなどが光露光やＸ線
露光と比較して遙かに優れているため、量産品への適用
に向けて開発が進められている。
【０００３】この電子ビーム露光技術では、高い微細パ
ターン形成能力を有する反面、露光のため入射した電子
ビームが基板から反射される後方散乱の影響によりパタ
ーン精度を劣化させる近接効果という現象が避けられな
い。すなわち、本来は露光を意図しない領域にもエネル
ギーが蓄積されてレジスト材が感光してしまい、パター
ンににじみが出たり、パターン線幅が所望の大きさと異
なってしまうという現象が生ずる。このような近接効果
は、光露光およびＸ線露光などにおいても認められる
が、特に電子ビーム露光の場合、その特性上レジスト材
中での散乱および基板からの反射の影響を受けやすく、
その影響範囲は数十μｍにも及ぶ。従って、例えばＬＳ
Ｉ（Large Scale Integrated circuit) のようにますま
す小さくかつ複雑になったパターンに電子ビーム露光を
適用する場合には、この近接効果が重大な障害になるた
め、補正が必要になる。
ターン形成能力を有する反面、露光のため入射した電子
ビームが基板から反射される後方散乱の影響によりパタ
ーン精度を劣化させる近接効果という現象が避けられな
い。すなわち、本来は露光を意図しない領域にもエネル
ギーが蓄積されてレジスト材が感光してしまい、パター
ンににじみが出たり、パターン線幅が所望の大きさと異
なってしまうという現象が生ずる。このような近接効果
は、光露光およびＸ線露光などにおいても認められる
が、特に電子ビーム露光の場合、その特性上レジスト材
中での散乱および基板からの反射の影響を受けやすく、
その影響範囲は数十μｍにも及ぶ。従って、例えばＬＳ
Ｉ（Large Scale Integrated circuit) のようにますま
す小さくかつ複雑になったパターンに電子ビーム露光を
適用する場合には、この近接効果が重大な障害になるた
め、補正が必要になる。
【０００４】従来、この近接効果を補正する方法として
は種々のものが提案されている。例えば、（１）描画パ
ターンのコーナや各辺の中点に代表点を設け、各代表点
における露光強度をＥＩＤ（Energy Intensity Distrib
ution)関数を用いて計算し、レジストのパターン形成に
必要な露光エネルギーの閾値に一致するように各露光シ
ョットにおける露光量を最適化する方法（代表点評価に
よる逐次計算法）。（２）描画パターンを一定サイズの
単位区画（メッシュ）に分割し、単位区画内の１または
複数の図形を単位区画内の図形総面積に等しく、かつ、
面積重心点に位置する１つの矩形図形に置き換え、近似
して例えば代表点評価による逐次計算を行う方法（代表
図形法）。（３）単位区画（メッシュ）をビットマップ
展開して単位区画内の描画パターンの面積密度を算出
し、隣接する単位区画同士のパターン面積密度を平均化
する平均化処理（スムージング）を施して近接効果補正
を行う方法（面積密度マップ法）、などがある。
は種々のものが提案されている。例えば、（１）描画パ
ターンのコーナや各辺の中点に代表点を設け、各代表点
における露光強度をＥＩＤ（Energy Intensity Distrib
ution)関数を用いて計算し、レジストのパターン形成に
必要な露光エネルギーの閾値に一致するように各露光シ
ョットにおける露光量を最適化する方法（代表点評価に
よる逐次計算法）。（２）描画パターンを一定サイズの
単位区画（メッシュ）に分割し、単位区画内の１または
複数の図形を単位区画内の図形総面積に等しく、かつ、
面積重心点に位置する１つの矩形図形に置き換え、近似
して例えば代表点評価による逐次計算を行う方法（代表
図形法）。（３）単位区画（メッシュ）をビットマップ
展開して単位区画内の描画パターンの面積密度を算出
し、隣接する単位区画同士のパターン面積密度を平均化
する平均化処理（スムージング）を施して近接効果補正
を行う方法（面積密度マップ法）、などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの従
来の方法による近接効果補正では、描画パターンの寸法
および面積密度などによっては補正が十分ではなく、所
謂補正残りが生じるという問題があった。以下、この点
について具体的に説明する。
来の方法による近接効果補正では、描画パターンの寸法
および面積密度などによっては補正が十分ではなく、所
謂補正残りが生じるという問題があった。以下、この点
について具体的に説明する。
【０００６】通常、前方散乱および後方散乱によるレジ
スト材へのエネルギー照射量（露光量）はそれぞれガウ
ス関数で表されるため、ある点に入射した電子ビームに
対して、この点を原点とした直交座標系を考えると、点
（ｘ，ｙ）におけるエネルギー強度（散乱分布強度）Ｅ
（ｘ，ｙ）は、次式１に示したように２つのガウス関数
の和として表される。
スト材へのエネルギー照射量（露光量）はそれぞれガウ
ス関数で表されるため、ある点に入射した電子ビームに
対して、この点を原点とした直交座標系を考えると、点
（ｘ，ｙ）におけるエネルギー強度（散乱分布強度）Ｅ
（ｘ，ｙ）は、次式１に示したように２つのガウス関数
の和として表される。
【０００７】 Ｅ（ｘ，ｙ）＝ exp（−（ｘ2 ＋ｙ2 ）／βf 2 ） ＋η（βf 2 ／βb 2 ）・exp(−（ｘ2 ＋ｙ2 ）／βb 2 ）…（１） （βf ；電子ビームのボケおよび電子ビーム描画に感光
するレジスト内での電子の散乱を表す前方散乱係数、β
b ；基板からの反射による電子の散乱を表す後方散乱係
数、η；分布強度に及ぼす前方散乱と後方散乱との寄与
度の比率を表す収率係数）
するレジスト内での電子の散乱を表す前方散乱係数、β
b ；基板からの反射による電子の散乱を表す後方散乱係
数、η；分布強度に及ぼす前方散乱と後方散乱との寄与
度の比率を表す収率係数）
【０００８】例えば電子ビームの加速電圧を５０ｋＶに
した場合、βf ，βb およびηは通常それぞれ０．０５
〜０．１，８．０〜１２．０および０．８〜１．０の範
囲内の値である。但し、これらの値は下地の基板によっ
て異なり、基板に例えばタングステン（Ｗ）や金（Ａ
ｕ）のような原子量が大きく密度の高い物質（重金属）
を使用した場合には、基板から跳ね返ってくる電子の量
が増大するため、後方散乱係数βb は大きくなる。
した場合、βf ，βb およびηは通常それぞれ０．０５
〜０．１，８．０〜１２．０および０．８〜１．０の範
囲内の値である。但し、これらの値は下地の基板によっ
て異なり、基板に例えばタングステン（Ｗ）や金（Ａ
ｕ）のような原子量が大きく密度の高い物質（重金属）
を使用した場合には、基板から跳ね返ってくる電子の量
が増大するため、後方散乱係数βb は大きくなる。
【０００９】図５（ａ）〜（ｅ）は上式を用いて計算し
た種々の描画パターンにおける蓄積エネルギー強度の分
布状態を表したものである。ここで、横軸は描画パター
ンの幅方向の位置、縦軸は蓄積されるエネルギー強度
（単位は任意）をそれぞれ表している。このエネルギー
強度は、前方散乱によるエネルギー照射量と後方散乱に
よるエネルギー照射量との和であり、各分布において灰
色で示した部分が後方散乱による蓄積エネルギー量の強
度分布を表している。なお、ここでは、エネルギー強度
分布に対してある閾値（例えば５０％の強度）を設定
し、この閾値より高い蓄積量を持つ領域では描画パター
ンが形成され、それより低い部分では描画パターンが形
成されないものとする。
た種々の描画パターンにおける蓄積エネルギー強度の分
布状態を表したものである。ここで、横軸は描画パター
ンの幅方向の位置、縦軸は蓄積されるエネルギー強度
（単位は任意）をそれぞれ表している。このエネルギー
強度は、前方散乱によるエネルギー照射量と後方散乱に
よるエネルギー照射量との和であり、各分布において灰
色で示した部分が後方散乱による蓄積エネルギー量の強
度分布を表している。なお、ここでは、エネルギー強度
分布に対してある閾値（例えば５０％の強度）を設定
し、この閾値より高い蓄積量を持つ領域では描画パター
ンが形成され、それより低い部分では描画パターンが形
成されないものとする。
【００１０】図５のうち図５（ａ）〜（ｃ）は互いにパ
ターン幅と電子ビームの照射量の異なる孤立線について
の結果、また、図５（ｄ），（ｅ）は互いに同一のパタ
ーン幅で本数が異なる線についての結果を示すものであ
る。図５（ａ）は、幅５０μｍの描画パターンを形成す
るときのエネルギー強度分布（このときの露光強度を
１．０とする）を表しており、閾値よりも高いレベルに
分布しているためパターンは形成されるものの、このよ
うにパターン幅が大きい場合には、後方散乱によるエネ
ルギー量が全体の４０〜５０％程度となる。このとき後
方散乱による影響がパターンの端部において数１０μｍ
に及んでおり、これが補正残りとなる。これに対して、
図５（ｂ）は図５（ａ）の場合と同一の露光量（すなわ
ち、強度１．０）で幅０．２μｍのレジストパターンを
形成するときのエネルギー強度分布を表したものであ
り、図５（ａ）の場合とは異なり、パターン幅が小さい
ために後方散乱による影響は見られないが、エネルギー
の総和が少なく閾値に達していないため、所望のパター
ン寸法（０．２μｍ）は得られない。また、図５（ｃ）
はこの幅０．２μｍのパターン寸法を得るためにビーム
の照射量を増やしてエネルギー強度を図５（ｂ）の場合
の約２倍としたときのエネルギー強度分布を表すもので
ある。この場合には閾値よりも高いレベルに分布してい
るためパターンは形成され、また図５（ｂ）と同様に後
方散乱による影響は見られない。
ターン幅と電子ビームの照射量の異なる孤立線について
の結果、また、図５（ｄ），（ｅ）は互いに同一のパタ
ーン幅で本数が異なる線についての結果を示すものであ
る。図５（ａ）は、幅５０μｍの描画パターンを形成す
るときのエネルギー強度分布（このときの露光強度を
１．０とする）を表しており、閾値よりも高いレベルに
分布しているためパターンは形成されるものの、このよ
うにパターン幅が大きい場合には、後方散乱によるエネ
ルギー量が全体の４０〜５０％程度となる。このとき後
方散乱による影響がパターンの端部において数１０μｍ
に及んでおり、これが補正残りとなる。これに対して、
図５（ｂ）は図５（ａ）の場合と同一の露光量（すなわ
ち、強度１．０）で幅０．２μｍのレジストパターンを
形成するときのエネルギー強度分布を表したものであ
り、図５（ａ）の場合とは異なり、パターン幅が小さい
ために後方散乱による影響は見られないが、エネルギー
の総和が少なく閾値に達していないため、所望のパター
ン寸法（０．２μｍ）は得られない。また、図５（ｃ）
はこの幅０．２μｍのパターン寸法を得るためにビーム
の照射量を増やしてエネルギー強度を図５（ｂ）の場合
の約２倍としたときのエネルギー強度分布を表すもので
ある。この場合には閾値よりも高いレベルに分布してい
るためパターンは形成され、また図５（ｂ）と同様に後
方散乱による影響は見られない。
【００１１】図５（ｄ）は十分本数が多く密度の高い
（例えば１２〜１３本）線を描画した場合のエネルギー
強度分布を表すものであり、図５（ａ）の場合と同じエ
ネルギー強度で所望のパターン（幅０．２μｍ）を得る
ことができる。この場合には、後方散乱による影響がか
なり大きいことが分かる。図５（ｅ）は５本の線を所望
の寸法（０．２μｍ）が得られる照射量で描画した場合
を表すもので、図５（ａ）の場合の照射量よりは多く、
図５（ｃ）の場合の照射量よりは少ない照射量である
（このときの露光強度は１．５０）。
（例えば１２〜１３本）線を描画した場合のエネルギー
強度分布を表すものであり、図５（ａ）の場合と同じエ
ネルギー強度で所望のパターン（幅０．２μｍ）を得る
ことができる。この場合には、後方散乱による影響がか
なり大きいことが分かる。図５（ｅ）は５本の線を所望
の寸法（０．２μｍ）が得られる照射量で描画した場合
を表すもので、図５（ａ）の場合の照射量よりは多く、
図５（ｃ）の場合の照射量よりは少ない照射量である
（このときの露光強度は１．５０）。
【００１２】このように電子ビーム露光の後方散乱の周
囲に影響を及ぼす量は、パターンの寸法や密集状態によ
って異なる。特に、パターン幅が大きい場合には、図５
（ａ）に示したようにその影響が数１０μｍに及び、近
接効果補正を行ってもなお補正残りが生ずる。
囲に影響を及ぼす量は、パターンの寸法や密集状態によ
って異なる。特に、パターン幅が大きい場合には、図５
（ａ）に示したようにその影響が数１０μｍに及び、近
接効果補正を行ってもなお補正残りが生ずる。
【００１３】図６は実際のＬＳＩパターンにより補正残
りの様子を表したもので、図６（ａ）は所望のパターン
（設計パターン６０）を示し、図６（ｂ）は実際に電子
ビーム露光を行ったときに得られる描画パターン６１を
示している。図６（ｂ）から分かるように、パターンが
密になっているところでは後方散乱の影響を受けやす
く、パターンの周辺領域がうっすらと露光され補正残り
６１ａが生じている。このように後方散乱の影響は露光
領域以外の箇所に顕著に現れる。
りの様子を表したもので、図６（ａ）は所望のパターン
（設計パターン６０）を示し、図６（ｂ）は実際に電子
ビーム露光を行ったときに得られる描画パターン６１を
示している。図６（ｂ）から分かるように、パターンが
密になっているところでは後方散乱の影響を受けやす
く、パターンの周辺領域がうっすらと露光され補正残り
６１ａが生じている。このように後方散乱の影響は露光
領域以外の箇所に顕著に現れる。
【００１４】従来、このような電子ビーム露光での近接
効果補正は、先に述べた代表点評価による逐次計算法、
代表図形法、面積密度マップ法などの方法を用いて、当
該パターンを中心として数１０μｍの範囲に存在するパ
ターンの粗密状態から個々のパターンの照射量を計算し
ていた。しかし、この照射量はパターンによって一義的
に決まるものではなく、パターン寸法が許容範囲に収ま
るように決定される。従って、対象とするＬＳＩのパタ
ーンが複雑な場合には、許容値を越えたりパターンが解
像しない場合があり、このため補正残りが生じる。この
ようなことから、従来では、実際に電子ビーム露光機を
用いてパターンを描画し、走査電子顕微鏡や寸法測長電
子顕微鏡などでパターンを観察し、補正残りを調べて問
題があれば照射量計算の条件を変えることにより描画デ
ータを作成し直すという手間のかかる手順がとられてい
た。しかしながら、すべての描画パターンをチェックす
ると、時間がかかるばかりでなく、高価な電子ビーム露
光装置や走査電子顕微鏡を長時間使用しなければならな
いという問題があった。
効果補正は、先に述べた代表点評価による逐次計算法、
代表図形法、面積密度マップ法などの方法を用いて、当
該パターンを中心として数１０μｍの範囲に存在するパ
ターンの粗密状態から個々のパターンの照射量を計算し
ていた。しかし、この照射量はパターンによって一義的
に決まるものではなく、パターン寸法が許容範囲に収ま
るように決定される。従って、対象とするＬＳＩのパタ
ーンが複雑な場合には、許容値を越えたりパターンが解
像しない場合があり、このため補正残りが生じる。この
ようなことから、従来では、実際に電子ビーム露光機を
用いてパターンを描画し、走査電子顕微鏡や寸法測長電
子顕微鏡などでパターンを観察し、補正残りを調べて問
題があれば照射量計算の条件を変えることにより描画デ
ータを作成し直すという手間のかかる手順がとられてい
た。しかしながら、すべての描画パターンをチェックす
ると、時間がかかるばかりでなく、高価な電子ビーム露
光装置や走査電子顕微鏡を長時間使用しなければならな
いという問題があった。
【００１５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、第１の目的は、高価な電子ビーム露光機あるいは
検査装置や人手を使用することなく、容易に、かつ迅速
に露光データの検証を行うことができる電子ビーム露光
データの検証方法を提供することにある。
ので、第１の目的は、高価な電子ビーム露光機あるいは
検査装置や人手を使用することなく、容易に、かつ迅速
に露光データの検証を行うことができる電子ビーム露光
データの検証方法を提供することにある。
【００１６】本発明の第２の目的は、本発明の電子ビー
ム露光データの検証方法を適用して、所望の描画パター
ンデータを精度良く、かつ迅速に作成することができる
電子ビーム露光データ作成装置を提供することにある。
ム露光データの検証方法を適用して、所望の描画パター
ンデータを精度良く、かつ迅速に作成することができる
電子ビーム露光データ作成装置を提供することにある。
【００１７】本発明の第３の目的は、本発明の電子ビー
ム露光データの検証方法を適用して、所望のパターンの
マスクを効率良く作成することができるマスク作成装置
を提供することにある。
ム露光データの検証方法を適用して、所望のパターンの
マスクを効率良く作成することができるマスク作成装置
を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明による電子ビーム
露光データの検証方法は、電子ビーム露光に用いる描画
パターンデータの当該描画パターンの陰陽反転パターン
を形成する陰陽反転工程と、陰陽反転パターンを複数の
参照図形に分割する分割工程と、複数の参照図形各々の
特定の位置にそれぞれ参照点を設定し、描画パターン形
成のための電子ビーム露光により各参照点に蓄積される
エネルギー強度を算出するエネルギー強度算出工程と、
各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか
否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を越えている
修正参照点の位置を検出する修正参照点検出工程とを含
むものである。
露光データの検証方法は、電子ビーム露光に用いる描画
パターンデータの当該描画パターンの陰陽反転パターン
を形成する陰陽反転工程と、陰陽反転パターンを複数の
参照図形に分割する分割工程と、複数の参照図形各々の
特定の位置にそれぞれ参照点を設定し、描画パターン形
成のための電子ビーム露光により各参照点に蓄積される
エネルギー強度を算出するエネルギー強度算出工程と、
各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか
否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を越えている
修正参照点の位置を検出する修正参照点検出工程とを含
むものである。
【００１９】本発明による電子ビーム露光データ作成装
置は、電子ビーム露光に用いる描画パターンデータを入
力するための描画パターンデータ入力手段と、この描画
パターンデータ入力手段から入力された描画パターンデ
ータの当該描画パターンの陰陽反転パターンを形成する
陰陽反転手段と、この陰陽反転手段により形成された陰
陽反転パターンを複数の参照図形に分割する分割手段
と、複数の参照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点
を設定し、描画パターン形成のための電子ビーム露光に
より各参照点に蓄積されるエネルギー強度を算出するエ
ネルギー強度算出手段と、各参照点毎にエネルギー強度
が所定の値を越えているか否かを判断し、エネルギー強
度が所定の値を越えている修正参照点の位置を検出する
修正参照点検出手段と、検出された修正参照点の位置お
よびエネルギー強度に基づき描画パターンデータを修正
する修正手段とを備えている。
置は、電子ビーム露光に用いる描画パターンデータを入
力するための描画パターンデータ入力手段と、この描画
パターンデータ入力手段から入力された描画パターンデ
ータの当該描画パターンの陰陽反転パターンを形成する
陰陽反転手段と、この陰陽反転手段により形成された陰
陽反転パターンを複数の参照図形に分割する分割手段
と、複数の参照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点
を設定し、描画パターン形成のための電子ビーム露光に
より各参照点に蓄積されるエネルギー強度を算出するエ
ネルギー強度算出手段と、各参照点毎にエネルギー強度
が所定の値を越えているか否かを判断し、エネルギー強
度が所定の値を越えている修正参照点の位置を検出する
修正参照点検出手段と、検出された修正参照点の位置お
よびエネルギー強度に基づき描画パターンデータを修正
する修正手段とを備えている。
【００２０】本発明によるマスク作成装置は、電子ビー
ム露光に用いる描画パターンデータを入力するための描
画パターンデータ入力手段と、この描画パターンデータ
入力手段から入力された描画パターンデータの当該描画
パターンの陰陽反転パターンを形成する陰陽反転手段
と、この陰陽反転手段により形成された陰陽反転パター
ンを複数の参照図形に分割する分割手段と、複数の参照
図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点を設定し、描画
パターン形成のための電子ビーム露光により各参照点に
蓄積されるエネルギー強度を算出するエネルギー強度算
出手段と、各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越
えているか否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を
越えている修正参照点の位置を検出する修正参照点検出
手段と、検出された修正参照点の位置およびエネルギー
強度に基づき描画パターンデータの近接効果補正を行う
修正手段と、この修正手段により修正された描画パター
ンデータに基づいて電子ビームによってマスク基板上に
描画パターンを形成することによりマスクを作成するマ
スク作成手段とを備えている。
ム露光に用いる描画パターンデータを入力するための描
画パターンデータ入力手段と、この描画パターンデータ
入力手段から入力された描画パターンデータの当該描画
パターンの陰陽反転パターンを形成する陰陽反転手段
と、この陰陽反転手段により形成された陰陽反転パター
ンを複数の参照図形に分割する分割手段と、複数の参照
図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点を設定し、描画
パターン形成のための電子ビーム露光により各参照点に
蓄積されるエネルギー強度を算出するエネルギー強度算
出手段と、各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越
えているか否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を
越えている修正参照点の位置を検出する修正参照点検出
手段と、検出された修正参照点の位置およびエネルギー
強度に基づき描画パターンデータの近接効果補正を行う
修正手段と、この修正手段により修正された描画パター
ンデータに基づいて電子ビームによってマスク基板上に
描画パターンを形成することによりマスクを作成するマ
スク作成手段とを備えている。
【００２１】本発明による電子ビーム露光データの検証
方法では、描画パターンの陰陽反転パターンが形成さ
れ、この陰陽反転パターンが複数の参照図形に分割され
たのち、複数の参照図形各々の特定の位置（参照点）に
蓄積されるエネルギー強度が算出される。そして、各参
照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか否か
が判断され、エネルギー強度が所定の値を越えている修
正参照点の位置が検出される。
方法では、描画パターンの陰陽反転パターンが形成さ
れ、この陰陽反転パターンが複数の参照図形に分割され
たのち、複数の参照図形各々の特定の位置（参照点）に
蓄積されるエネルギー強度が算出される。そして、各参
照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか否か
が判断され、エネルギー強度が所定の値を越えている修
正参照点の位置が検出される。
【００２２】本発明による電子ビーム露光データ作成装
置では、本発明の電子ビーム露光データの検証方法によ
り描画パターンの陰陽反転パターンのうちエネルギー強
度が所定の値を越えた修正参照点の位置が検出される
と、修正手段により、検出された修正参照点の位置およ
びエネルギー強度に基づき描画パターンデータの修正が
行われる。
置では、本発明の電子ビーム露光データの検証方法によ
り描画パターンの陰陽反転パターンのうちエネルギー強
度が所定の値を越えた修正参照点の位置が検出される
と、修正手段により、検出された修正参照点の位置およ
びエネルギー強度に基づき描画パターンデータの修正が
行われる。
【００２３】本発明による電子ビーム露光データ作成装
置では、本発明の電子ビーム露光データ作成装置により
修正された描画パターンデータに基づいてマスク作成手
段によりマスク基板上に描画パターンが形成されマスク
が作成される。
置では、本発明の電子ビーム露光データ作成装置により
修正された描画パターンデータに基づいてマスク作成手
段によりマスク基板上に描画パターンが形成されマスク
が作成される。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明の一実施の形態に係るマスク
作成装置（電子ビーム露光機）の概念的な構成を表すも
のである。このマスク作成装置は、本発明の電子ビーム
露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成
装置を適用したものである。
作成装置（電子ビーム露光機）の概念的な構成を表すも
のである。このマスク作成装置は、本発明の電子ビーム
露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成
装置を適用したものである。
【００２６】本実施の形態のマスク作成装置１は、電子
ビーム露光に用いる描画パターンデータを入力するため
の描画パターンデータ入力部１００と、この描画パター
ンデータ入力部１００により入力された描画パターンデ
ータの評価を行うための描画パターンデータ評価部２０
０と、この描画パターンデータ評価部２００により検出
された修正すべき位置（修正参照点）およびこの位置に
おけるエネルギー強度をそれぞれ表示する表示部３００
と、描画パターンデータ評価部２００により検出された
修正参照点およびこの位置におけるエネルギー強度を参
照して描画パターンデータを修正する修正部４００と、
この修正部４００により修正された描画パターンデータ
に基づいて電子ビームによりマスク基板上に描画パター
ンを形成してマスクを作成するマスク作成部５００とを
備えている。以上のうち描画パターンデータ入力部１０
０、描画パターンデータ評価部２００、表示部３００お
よび修正部４００により本発明の電子ビーム露光データ
作成装置２が構成されている。
ビーム露光に用いる描画パターンデータを入力するため
の描画パターンデータ入力部１００と、この描画パター
ンデータ入力部１００により入力された描画パターンデ
ータの評価を行うための描画パターンデータ評価部２０
０と、この描画パターンデータ評価部２００により検出
された修正すべき位置（修正参照点）およびこの位置に
おけるエネルギー強度をそれぞれ表示する表示部３００
と、描画パターンデータ評価部２００により検出された
修正参照点およびこの位置におけるエネルギー強度を参
照して描画パターンデータを修正する修正部４００と、
この修正部４００により修正された描画パターンデータ
に基づいて電子ビームによりマスク基板上に描画パター
ンを形成してマスクを作成するマスク作成部５００とを
備えている。以上のうち描画パターンデータ入力部１０
０、描画パターンデータ評価部２００、表示部３００お
よび修正部４００により本発明の電子ビーム露光データ
作成装置２が構成されている。
【００２７】描画パターンデータ評価部２００は、描画
パターンデータの当該描画パターンの陰陽反転パターン
を形成する陰陽反転手段２０１と、陰陽反転パターンを
複数の参照図形に分割する分割手段２０２と、複数の参
照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点を設定し、描
画パターン形成のための電子ビーム露光により各参照点
に蓄積されるエネルギー強度を算出するエネルギー強度
算出手段２０３と、各参照点毎にエネルギー強度が所定
の値（閾値）を越えているか否かを判断し、エネルギー
強度が閾値を越えている修正参照点の位置を検出する修
正参照点検出手段２０４を有している。この描画パター
ンデータ評価部２００は、例えば後述（図２）の流れ図
に沿った評価手順を表すプログラムに基づいて動作する
コンピュータ（電子計算機）等により実現されるもの
で、この場合、このプログラムの供給は予めコンピュー
タ等の装置に内蔵されて供給されるものであってもよ
く、あるいは外部から各種記録媒体または各種通信手段
を介して供給されるものであってもよい。これにより描
画パターンデータの評価を自動化することが可能にな
る。また、この描画パターンデータ評価部２００の評価
結果に基づいて描画パターンデータの修正を行う修正部
４００は本発明の修正手段に相当するもので、ここでは
前述の公知の近接効果補正法による設計パターンの変更
や評価点の露光量の変更などが自動的に行われる。な
お、この修正部４００も所定のプログラムに基づいて動
作するコンピュータ等により実現される。
パターンデータの当該描画パターンの陰陽反転パターン
を形成する陰陽反転手段２０１と、陰陽反転パターンを
複数の参照図形に分割する分割手段２０２と、複数の参
照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点を設定し、描
画パターン形成のための電子ビーム露光により各参照点
に蓄積されるエネルギー強度を算出するエネルギー強度
算出手段２０３と、各参照点毎にエネルギー強度が所定
の値（閾値）を越えているか否かを判断し、エネルギー
強度が閾値を越えている修正参照点の位置を検出する修
正参照点検出手段２０４を有している。この描画パター
ンデータ評価部２００は、例えば後述（図２）の流れ図
に沿った評価手順を表すプログラムに基づいて動作する
コンピュータ（電子計算機）等により実現されるもの
で、この場合、このプログラムの供給は予めコンピュー
タ等の装置に内蔵されて供給されるものであってもよ
く、あるいは外部から各種記録媒体または各種通信手段
を介して供給されるものであってもよい。これにより描
画パターンデータの評価を自動化することが可能にな
る。また、この描画パターンデータ評価部２００の評価
結果に基づいて描画パターンデータの修正を行う修正部
４００は本発明の修正手段に相当するもので、ここでは
前述の公知の近接効果補正法による設計パターンの変更
や評価点の露光量の変更などが自動的に行われる。な
お、この修正部４００も所定のプログラムに基づいて動
作するコンピュータ等により実現される。
【００２８】次に、このマスク作成装置１の作用につい
て図１〜図４を参照して具体的に説明する。図２は描画
パターンデータ評価部２００の機能を説明するための流
れ図であり、図３は描画パターンの一例、図４はこの描
画パターンの陰陽反転パターンをそれぞれ表している。
て図１〜図４を参照して具体的に説明する。図２は描画
パターンデータ評価部２００の機能を説明するための流
れ図であり、図３は描画パターンの一例、図４はこの描
画パターンの陰陽反転パターンをそれぞれ表している。
【００２９】このマスク作成装置１では、描画パターン
データ入力部１００を通じて例えば図３に示したような
描画パターン１０１を形成するための描画パターンデー
タ（露光データ）が入力され（ステップＳ２０１；
Ｙ）、この描画パターンデータの評価が描画パターンデ
ータ評価部２００により行われる。描画パターンデータ
評価部２００では、まず、陰陽反転手段２０１により図
４に示したような描画パターン１０１の陰陽反転パター
ン１０２が形成される（ステップＳ２０２）。次いで、
分割手段２０２により陰陽反転パターン１０２が複数の
参照図形１０２1 ，１０２2 ，〜１０２ n（ｎは整数）
に分割される（ステップＳ２０３）。ここで、参照図形
は例えば矩形である。
データ入力部１００を通じて例えば図３に示したような
描画パターン１０１を形成するための描画パターンデー
タ（露光データ）が入力され（ステップＳ２０１；
Ｙ）、この描画パターンデータの評価が描画パターンデ
ータ評価部２００により行われる。描画パターンデータ
評価部２００では、まず、陰陽反転手段２０１により図
４に示したような描画パターン１０１の陰陽反転パター
ン１０２が形成される（ステップＳ２０２）。次いで、
分割手段２０２により陰陽反転パターン１０２が複数の
参照図形１０２1 ，１０２2 ，〜１０２ n（ｎは整数）
に分割される（ステップＳ２０３）。ここで、参照図形
は例えば矩形である。
【００３０】その後、エネルギー強度算出手段２０３に
より、参照図形１０２1 〜１０２ n各々の特定の位置に
それぞれ参照点１０２ 1ａ〜１０２ nａが設定され、描
画パターン形成のための電子ビーム露光により各参照点
１０２ 1ａ〜１０２ nａ毎に蓄積されるエネルギー強度
が算出される（ステップＳ２０４）。参照点１０２ 1ａ
〜１０２ nａは例えば矩形の重心位置であり、直交座標
系における（ｘ，ｙ）座標で表され、そのエネルギー強
度（散乱分布強度Ｅ（ｘ，ｙ））の算出は例えば前述の
数式１を用いて行うものとする。参照点１０２ 1ａ〜１
０２ nａそれぞれのエネルギー強度が算出されると、次
に、修正参照点検出手段２０４によって参照点１０２ 1
ａ〜１０２ nａ毎にエネルギー強度が予め定めた値（閾
値）を越えているか否かが判断され、エネルギー強度が
閾値を越えている参照点（修正参照点）の位置が検出さ
れる（ステップＳ２０５）。例えば図４では参照点１０
２1ａ，１０２ 2ａが修正参照点であるとする。閾値は
例えばパターン形成に要する露光強度の２分の１とす
る。なお、この閾値は設計条件に応じて任意に変更可能
であり、小さくすればするほど条件が厳しくなる。
より、参照図形１０２1 〜１０２ n各々の特定の位置に
それぞれ参照点１０２ 1ａ〜１０２ nａが設定され、描
画パターン形成のための電子ビーム露光により各参照点
１０２ 1ａ〜１０２ nａ毎に蓄積されるエネルギー強度
が算出される（ステップＳ２０４）。参照点１０２ 1ａ
〜１０２ nａは例えば矩形の重心位置であり、直交座標
系における（ｘ，ｙ）座標で表され、そのエネルギー強
度（散乱分布強度Ｅ（ｘ，ｙ））の算出は例えば前述の
数式１を用いて行うものとする。参照点１０２ 1ａ〜１
０２ nａそれぞれのエネルギー強度が算出されると、次
に、修正参照点検出手段２０４によって参照点１０２ 1
ａ〜１０２ nａ毎にエネルギー強度が予め定めた値（閾
値）を越えているか否かが判断され、エネルギー強度が
閾値を越えている参照点（修正参照点）の位置が検出さ
れる（ステップＳ２０５）。例えば図４では参照点１０
２1ａ，１０２ 2ａが修正参照点であるとする。閾値は
例えばパターン形成に要する露光強度の２分の１とす
る。なお、この閾値は設計条件に応じて任意に変更可能
であり、小さくすればするほど条件が厳しくなる。
【００３１】このように描画パターンデータ評価部２０
０により検出された修正参照点１０２ 1ａ，１０２ 2ａ
は、それぞれの位置におけるエネルギー強度と共に表示
部３００において表示される（ステップＳ２０６）。こ
の表示によってオペレータは、修正参照点１０２ 1ａ，
１０２ 2ａの近傍では補正残りが発生する可能性がある
と診断することができ、この診断結果に基づいて近接効
果補正の条件（露光量の変更，パターン幅の変更などの
設計変更）を見直すことが可能になる。また、修正部４
００においては、この描画パターンデータ評価部２００
により検出された修正参照点１０２ 1ａ，１０２ 2ａお
よびこの位置におけるエネルギー強度を参照して描画パ
ターンデータの修正が自動的に実行される。そして、こ
の修正された描画パターンデータに基づいてマスク作成
部５００により図示しないマスク基板上に描画パターン
が形成されマスクが作成される。
０により検出された修正参照点１０２ 1ａ，１０２ 2ａ
は、それぞれの位置におけるエネルギー強度と共に表示
部３００において表示される（ステップＳ２０６）。こ
の表示によってオペレータは、修正参照点１０２ 1ａ，
１０２ 2ａの近傍では補正残りが発生する可能性がある
と診断することができ、この診断結果に基づいて近接効
果補正の条件（露光量の変更，パターン幅の変更などの
設計変更）を見直すことが可能になる。また、修正部４
００においては、この描画パターンデータ評価部２００
により検出された修正参照点１０２ 1ａ，１０２ 2ａお
よびこの位置におけるエネルギー強度を参照して描画パ
ターンデータの修正が自動的に実行される。そして、こ
の修正された描画パターンデータに基づいてマスク作成
部５００により図示しないマスク基板上に描画パターン
が形成されマスクが作成される。
【００３２】このように本実施の形態では、本発明の電
子ビーム露光データの検証方法、すなわち、描画パター
ンの陰陽反転パターンを形成し、この陰陽反転パターン
を複数の参照図形に分割したのち、複数の参照図形各々
の特定の位置（参照点）に蓄積されるエネルギー強度を
算出し、各参照点毎にエネルギー強度が予め定めた閾値
を越えているか否かを判断し、エネルギー強度が閾値を
越えている修正参照点の位置を検出するようにしたの
で、高価な電子ビーム露光装置や走査電子顕微鏡を使用
することなく、更に多くの人手を要することなく、露光
データ（描画パターンデータ）の診断を自動的、かつ迅
速に行うことができる。従って、この診断結果を基に近
接効果補正の条件（露光量の変更，パターン幅の変更な
どの設計変更）を見直すことにより、補正残りの発生を
未然に防止することができる。
子ビーム露光データの検証方法、すなわち、描画パター
ンの陰陽反転パターンを形成し、この陰陽反転パターン
を複数の参照図形に分割したのち、複数の参照図形各々
の特定の位置（参照点）に蓄積されるエネルギー強度を
算出し、各参照点毎にエネルギー強度が予め定めた閾値
を越えているか否かを判断し、エネルギー強度が閾値を
越えている修正参照点の位置を検出するようにしたの
で、高価な電子ビーム露光装置や走査電子顕微鏡を使用
することなく、更に多くの人手を要することなく、露光
データ（描画パターンデータ）の診断を自動的、かつ迅
速に行うことができる。従って、この診断結果を基に近
接効果補正の条件（露光量の変更，パターン幅の変更な
どの設計変更）を見直すことにより、補正残りの発生を
未然に防止することができる。
【００３３】また、本実施の形態の電子ビーム露光デー
タ作成装置２では、この電子ビーム露光データの検証方
法を適用し、その結果に基づき描画パターンデータを修
正するようにしたので、補正残りの発生を防止できる描
画パターンデータを精度良く、かつ迅速に作成すること
ができる。
タ作成装置２では、この電子ビーム露光データの検証方
法を適用し、その結果に基づき描画パターンデータを修
正するようにしたので、補正残りの発生を防止できる描
画パターンデータを精度良く、かつ迅速に作成すること
ができる。
【００３４】更に、本実施の形態のマスク作成装置１で
は、この電子ビーム露光データ作成装置２で作成された
描画パターンデータを用いて電子ビームによりマスクパ
ターンを形成するようにしたので、所望のパターンのマ
スクを効率良く作成することができる。
は、この電子ビーム露光データ作成装置２で作成された
描画パターンデータを用いて電子ビームによりマスクパ
ターンを形成するようにしたので、所望のパターンのマ
スクを効率良く作成することができる。
【００３５】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、その均等の範囲で種々変形可能である。例えば、上
記実施の形態では描画パターンの陰陽反転パターンを矩
形状に分割するようにしたが、その形状は任意であり、
その他三角形等でもよく、またその基準点も各図形の重
心位置に限定するものではない。また、上記実施の形態
では、電子ビーム露光データ作成装置２において、描画
パターンデータの修正を自動的に行うものとして説明し
たが、この要件は必須のものではなく、診断結果を得た
のちの処置は任意である。なお、本発明は、電子ビーム
リソグラフィ技術におけるウェハ露光用のマスク作成工
程およびマスク（レチクル）露光用のマスク作成工程い
ずれにも適用可能である。
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、その均等の範囲で種々変形可能である。例えば、上
記実施の形態では描画パターンの陰陽反転パターンを矩
形状に分割するようにしたが、その形状は任意であり、
その他三角形等でもよく、またその基準点も各図形の重
心位置に限定するものではない。また、上記実施の形態
では、電子ビーム露光データ作成装置２において、描画
パターンデータの修正を自動的に行うものとして説明し
たが、この要件は必須のものではなく、診断結果を得た
のちの処置は任意である。なお、本発明は、電子ビーム
リソグラフィ技術におけるウェハ露光用のマスク作成工
程およびマスク（レチクル）露光用のマスク作成工程い
ずれにも適用可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る電子ビ
ーム露光データの検証方法によれば、描画パターンデー
タに基づく描画パターンの陰陽反転パターンを形成し、
この陰陽反転パターンを複数の参照図形に分割したの
ち、複数の参照図形各々の特定の位置（参照点）に蓄積
されるエネルギー強度を算出し、各参照点毎にエネルギ
ー強度が予め定めた所定の値を越えているか否かを判断
し、エネルギー強度が所定の値を越えている参照点の位
置を検出するようにしたので、高価な電子ビーム露光装
置や走査電子顕微鏡を使用することなく、更に多くの人
手を要することなく、露光データの診断を自動的、かつ
迅速に行うことができ、よって、この診断結果を基に描
画パターンデータの修正を行うことにより、近接効果補
正での補正残りの発生を未然に防止することができると
いう効果を奏する。
ーム露光データの検証方法によれば、描画パターンデー
タに基づく描画パターンの陰陽反転パターンを形成し、
この陰陽反転パターンを複数の参照図形に分割したの
ち、複数の参照図形各々の特定の位置（参照点）に蓄積
されるエネルギー強度を算出し、各参照点毎にエネルギ
ー強度が予め定めた所定の値を越えているか否かを判断
し、エネルギー強度が所定の値を越えている参照点の位
置を検出するようにしたので、高価な電子ビーム露光装
置や走査電子顕微鏡を使用することなく、更に多くの人
手を要することなく、露光データの診断を自動的、かつ
迅速に行うことができ、よって、この診断結果を基に描
画パターンデータの修正を行うことにより、近接効果補
正での補正残りの発生を未然に防止することができると
いう効果を奏する。
【００３７】また、本発明に係る電子ビーム露光データ
作成装置によれば、本発明の電子ビーム露光データの検
証方法を適用し、その結果に基づき描画パターンデータ
を修正するようにしたので、補正残りの発生を防止でき
る描画パターンデータを精度良く、かつ迅速に作成する
ことができるという効果を奏する。
作成装置によれば、本発明の電子ビーム露光データの検
証方法を適用し、その結果に基づき描画パターンデータ
を修正するようにしたので、補正残りの発生を防止でき
る描画パターンデータを精度良く、かつ迅速に作成する
ことができるという効果を奏する。
【００３８】更に、本発明に係るマスク作成装置によれ
ば、本発明の電子ビーム露光データ作成装置で作成され
た描画パターンデータを用いてマスクパターンを形成す
るようにしたので、所望のパターンのマスクを効率良く
作成することができるという効果を奏する。
ば、本発明の電子ビーム露光データ作成装置で作成され
た描画パターンデータを用いてマスクパターンを形成す
るようにしたので、所望のパターンのマスクを効率良く
作成することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態に係るマスク作成装置の
概念的構成を表すブロック図である。
概念的構成を表すブロック図である。
【図２】図１のマスク作成装置の作用を説明するための
流れ図である。
流れ図である。
【図３】図１のマスク作成装置の作用を説明するために
描画パターンの一例を表す平面図である。
描画パターンの一例を表す平面図である。
【図４】図３の描画パターンの陰陽反転パターンを表す
平面図である。
平面図である。
【図５】近接効果補正における補正残りの発生を説明す
るためのエネルギー強度の分布図である。
るためのエネルギー強度の分布図である。
【図６】補正残りが発生したパターンの一例を表す平面
図である。
図である。
１…マスク作成装置，２…電子ビーム露光データ作成装
置、１００…描画パターンデータ入力部、１０１…描画
パターン、１０２…陰陽反転パターン、２００…描画パ
ターンデータ評価部、２０１…陰陽反転手段、２０２…
分割手段、２０３…エネルギー強度算出手段、３００…
表示部、４００…修正部、５００…マスク作成部
置、１００…描画パターンデータ入力部、１０１…描画
パターン、１０２…陰陽反転パターン、２００…描画パ
ターンデータ評価部、２０１…陰陽反転手段、２０２…
分割手段、２０３…エネルギー強度算出手段、３００…
表示部、４００…修正部、５００…マスク作成部
Claims (4)
- 【請求項１】 電子ビーム露光に用いる描画パターンデ
ータの当該描画パターンの陰陽反転パターンを形成する
陰陽反転工程と、 前記陰陽反転パターンを複数の参照図形に分割する分割
工程と、 前記複数の参照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点
を設定し、前記描画パターン形成のための電子ビーム露
光により各参照点に蓄積されるエネルギー強度を算出す
るエネルギー強度算出工程と、 各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか
否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を越えている
修正参照点の位置を検出する修正参照点検出工程とを含
むことを特徴とする電子ビーム露光データの検証方法。 - 【請求項２】 前記基準図形を矩形とすると共に、各参
照図形の参照点を矩形の重心位置とすることを特徴とす
る請求項１記載の電子ビーム露光データの検証方法。 - 【請求項３】 電子ビーム露光に用いる描画パターンデ
ータを入力するための描画パターンデータ入力手段と、 この描画パターンデータ入力手段から入力された描画パ
ターンデータの当該描画パターンの陰陽反転パターンを
形成する陰陽反転手段と、 この陰陽反転手段により形成された陰陽反転パターンを
複数の参照図形に分割する分割手段と、 前記複数の参照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点
を設定し、前記描画パターン形成のための電子ビーム露
光により各参照点に蓄積されるエネルギー強度を算出す
るエネルギー強度算出手段と、 各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか
否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を越えている
修正参照点の位置を検出する修正参照点検出手段と、 検出された修正参照点の位置およびエネルギー強度に基
づき描画パターンデータを修正する修正手段とを備えた
ことを特徴とする電子ビーム露光データ作成装置。 - 【請求項４】 電子ビーム露光に用いる描画パターンデ
ータを入力するための描画パターンデータ入力手段と、 この描画パターンデータ入力手段から入力された描画パ
ターンデータの当該描画パターンの陰陽反転パターンを
形成する陰陽反転手段と、 この陰陽反転手段により形成された陰陽反転パターンを
複数の参照図形に分割する分割手段と、 前記複数の参照図形各々の特定の位置にそれぞれ参照点
を設定し、前記描画パターン形成のための電子ビーム露
光により各参照点に蓄積されるエネルギー強度を算出す
るエネルギー強度算出手段と、 各参照点毎にエネルギー強度が所定の値を越えているか
否かを判断し、エネルギー強度が所定の値を越えている
修正参照点の位置を検出する修正参照点検出手段と、 検出された修正参照点の位置およびエネルギー強度に基
づき描画パターンデータを修正する修正手段と、 この修正手段により修正された描画パターンデータに基
づいて電子ビームによってマスク基板上に描画パターン
を形成することによりマスクを作成するマスク作成手段
とを備えたことを特徴とするマスク作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16162897A JPH118187A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 電子ビーム露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16162897A JPH118187A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 電子ビーム露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118187A true JPH118187A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15738807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16162897A Pending JPH118187A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 電子ビーム露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118187A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220748A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 露光データ作成方法、露光データ作成装置、露光データ検証方法、露光データ検証装置、及びプログラム |
| WO2018230476A1 (ja) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
| JP2019003170A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16162897A patent/JPH118187A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220748A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 露光データ作成方法、露光データ作成装置、露光データ検証方法、露光データ検証装置、及びプログラム |
| US7707540B2 (en) | 2006-02-14 | 2010-04-27 | Fujitsu Microelectronics Limited | Exposure data generation method and device, exposure data verification method and device and storage medium |
| WO2018230476A1 (ja) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
| JP2019003170A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
| JP2019114295A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-07-11 | 大日本印刷株式会社 | 図形パターンの形状推定装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5241185A (en) | Proximity correction method for e-beam lithography | |
| US9671686B2 (en) | Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom | |
| US8316698B2 (en) | Determining a repairing form of a defect at or close to an edge of a substrate of a photo mask | |
| KR100279034B1 (ko) | 전자빔 리소그래피를 위한 선량 수정 근접효과 보상기술 | |
| KR20090025162A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
| KR20180035178A (ko) | 전자 빔 장치 및 전자 빔의 위치 이탈 보정 방법 | |
| US10796882B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
| WO2014208202A1 (ja) | パターン形状評価装置及び方法 | |
| JP4581000B2 (ja) | 電子線描画システムおよびその制御方法 | |
| US20110286685A1 (en) | Image formation method and image formation device | |
| JP5864424B2 (ja) | 描画用電子ビームの最適照射量を求めるための方法及び描画装置 | |
| JPH118187A (ja) | 電子ビーム露光データの検証方法および電子ビーム露光データ作成装置並びにマスク作成装置 | |
| JP3874629B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| US11740550B2 (en) | Method of performing optical proximity correction and method of manufacturing lithographic mask by using the same | |
| WO2013073694A1 (ja) | パターンを描画する方法及び装置 | |
| US7420710B2 (en) | Optical proximity correction in raster scan printing based on grayscale manipulation of the bitmap | |
| JP2003149784A (ja) | パターンデータ検証装置、パターンデータ検証方法、プログラム及び記録媒体 | |
| JP2008311311A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP3257915B2 (ja) | パタ−ン描画装置 | |
| JP2020184582A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP2781941B2 (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JP4082970B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP4357499B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光用マスクパターンの矩形／格子データ変換方法及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH05226235A (ja) | 電子ビ−ム描画のデ−タ変換方法 | |
| US20020028012A1 (en) | Instrument and method for metrology |