JP3254468B2 - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、集積回路を構成する
半導体素子である電界効果トランジスタおよびその製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より電界効果トランジスタの短チャ
ネル効果を制御し、かつ相互コンダクタンスｇｍを増加
させる構造として、図６に示す半導体装置が提案されて
いる（特願昭６１−２２３７６９号）。図６は、上述し
たプレナー構造であるショットキ接合型の電界効果トラ
ンジスタの構成を示す断面図であり、同図において、６
１はＧａＡｓからなる半絶縁性の基板、６２は基板６１
の主表面にＳｉイオンを注入することで形成されたｎ型
のチャネル領域、６３は基板６１上にチャネル領域６２
とショットキー接合を形成するように形成されたタング
ステンシリコンナイトライド（ＷＳｉＮ）からなるゲー
ト電極である。

【０００３】そして、６４ａ，６４ｂはゲート電極６３
をマスクとしてＳｉイオンをチャネル領域６２より高い
濃度で同程度の深さに注入して形成したｎ型の中間的濃
度層、６５ａ，６５ｂはゲート電極６３とこの両脇に形
成したサイドウォール（図示せず）をマスクとして、Ｓ
ｉイオンを高濃度にかつチャネル領域６２より深く注入
したｎ型の高濃度領域、６６ａ，６６ｂは、ソース領域
を形成する高濃度領域６５ａおよびドレイン領域を形成
する高濃度領域６５ｂそれぞれの上にオーミック接合す
るように形成されたソース電極，ドレイン電極である。

【０００４】また、図７は、ドレイン領域を形成する高
濃度領域とゲート電極の距離が、ソース領域を形成する
高濃度領域のそれより離れている構造を有する、ショッ
トキ接合型の電界効果トランジスタの構成を示す構成図
である。同図において、７１はＧａＡｓからなる半絶縁
性の基板、７２は基板７１の主表面にＳｉイオンを注入
することで形成されたｎ型のチャネル領域、７３は基板
７１上にチャネル領域７２とショットキー接合を形成す
るように形成されたＷＳｉＮからなるゲート電極であ
る。

【０００５】そして、７４ａ，７４ｂは、ゲート電極７
３とこの上に形成された絶縁膜ゲートパターン（図示せ
ず）をマスクとし、図７面で左上方向より斜めにＳｉイ
オンを注入してチャネル領域７２より高濃度に深く形成
されたそれぞれｎ型の高濃度領域からなるソース領域，
ドレイン領域、７５ａ，７５ｂはソース領域を形成する
高濃度領域７４ａおよびドレイン領域を形成する高濃度
領域７４ｂそれぞれの上にオーミック接合するように形
成されたソース電極，ドレイン電極である。この構造で
は、ドレイン領域がゲート端より離れているので、ドレ
イン耐圧に対して有利である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来は以上のように構
成されていたので、素子の微細化に伴いゲート長を短縮
していくと、ソース側とドレイン側の中間的濃度層や高
濃度領域が近づくことになり、ドレインコンダクタンス
が増大するという問題があった。このため、最大発信周
波数を向上させることができず、図６の電界効果トラン
ジスタでは１５０ＧＨｚ、図７の電界効果トランジスタ
では１００ＧＨｚが限度であった。

【０００７】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、ソース抵抗を増大させる
ことなく、ドレインコンダクタンスを低減させることを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明の電界効果トラ
ンジスタは、ショットキ接合されたゲート電極に対し
て、第１の高濃度領域より第２の高濃度領域の方がゲー
ト電極より離れて形成され、第２の高濃度領域側の第２
の中間濃度層はゲート電極より離れて形成され、かつ第
２の高濃度領域が第２の中間濃度層の下にまで配されて
いることを特徴とする。また、ショットキ接合されたゲ
ート電極に対して、第１の高濃度領域より第２の高濃度
領域の方がより離れて形成されていることを特徴とす
る。そして、第２の高濃度領域側の第２の中間濃度層は
ゲート電極より離れて形成されていることを特徴とす
る。

【０００９】一方、この発明の電界効果トランジスタの
製造方法は、第１，第２の高濃度領域を、半導体基板に
ショットキ接合したゲート電極とサイドウォールとをマ
スクとして、この半導体基板主表面の法線に対して角度
を有する斜め方向よりイオン注入することで形成し、第
１，第２の中間濃度層は、ゲート電極をマスクとし、半
導体基板主表面の法線に対して角度を有する斜め方向よ
り、能動層と同一導電型でこの能動層よりは深く第１，
第２の高濃度領域よりは浅くイオン注入して形成するこ
とを特徴とする。

【００１０】なお、第１，第２の高濃度領域を、半導体
基板にショットキ接合したゲート電極とサイドウォール
とをマスクとしてイオン注入することで形成し、このサ
イドウォールのうち第１の高濃度領域側を除去し、残っ
た第２の高濃度領域側のサイドウォールとゲート電極と
をマスクとしてイオン注入し、能動層と同一導電型でこ
の能動層よりは深く第１，第２の高濃度領域よりは浅い
中間濃度層を形成してもよい。

【００１１】また、この発明の電界効果トランジスタの
製造方法は、第１，第２の高濃度領域を、半導体基板に
ショットキ接合したゲート電極とサイドウォールとをマ
スクとして、この半導体基板主表面の法線に対して角度
を有する斜め方向よりイオン注入することで形成するこ
とを特徴とする。

【００１２】そして、この発明の電界効果トランジスタ
の製造方法では、第１，第２の高濃度領域は、半導体基
板にショットキ接合したゲート電極とサイドウォールと
をマスクとしてイオン注入することで形成し、第１，第
２の中間濃度層は、ゲート電極をマスクとして、半導体
基板主表面の法線に対して角度を有する斜め方向より、
能動層と同一導電型でこの能動層よりは深く第１，第２
の高濃度領域よりは浅くイオン注入して、形成すること
を特徴とする。

【００１３】

【作用】ドレイン側となる第２の高濃度領域は、ソース
側の第１の高濃度領域よりゲート電極から離れ、ドレイ
ン側となる第２の中間濃度層はゲート電極より離れて形
成され、ゲート長を短くしても第１と第２の高濃度領域
同士し、および第１と第２の中間濃度層同士の距離がと
れる。また、ドレイン側となる第２の高濃度領域は、ソ
ース側の第１の高濃度領域よりゲート電極から離れて形
成され、ゲート長を短くしてもこれらの間が近づかな
い。そして、ドレイン側となる第２の中間濃度層はゲー
ト電極より離れて形成され、ゲート長を短くしてもこれ
らの間が近づかない。

【００１４】

【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明
する。 実施例１ 図１は、この発明の１実施例である電界効果トランジス
タの製造途中の状態を示す断面図である。同図におい
て、１は半絶縁性のＧａＡｓからなる基板、２は基板１
主面に形成されたＳｉが不純物として導入されている能
動層である。

【００１５】以下、図を参照して製造方法を説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、基板１の主表面に対
し、不純物としてＳｉをイオン化し、例えば３０ｋｅＶ
の加速電圧，１〜５×１０¹²ｃｍ^-2のドーズ量で上方か
ら注入する処理を行い、平面形状が所定のパターンとな
る能動層２を形成する。なお、不純物としてＳｉの代わ
りにＳｅやＳを用いても良い。次に、図１（ｂ）に示す
ように、タングステンシリコンナイトライド（ＷＳｉ
Ｎ）からなるゲート電極材料層３を能動層２との間でシ
ョットキー接合を形成するように堆積する。この堆積
は、たとえば、ＷとＳｉとをターゲットとした窒素ガス
雰囲気中による反応性スパッタリング法により行い、堆
積形成する膜厚は例えば４００ｎｍとする。

【００１６】次いで、図１（ｃ）に示すように、ゲート
電極材料層３上にフォトリソグラフィによりレジストパ
ターン４を形成する。そして、図１（ｄ）に示すよう
に、ゲート電極材料層３をレジストパターン４をマスク
としてエッチングし、その後レジストパターン４を除去
し、幅１００ｎｍ高さ４００ｎｍのゲート電極３ａを形
成する。このゲート電極３ａ形成におけるエッチング
は、ＳＦ6 等のフッ素系ガスを主たる反応ガスとする反
応性イオンエッチングあるいはプラズマエッチングなど
により行い、上から見てレジストパターン４の形状をそ
のまま転写するように加工する。

【００１７】次に、図１（ｅ）に示すように、基板１お
よびゲート電極３ａ上にシリコン酸化膜をプラズマＣＶ
Ｄ法により厚さ４００ｎｍ形成し、サイドウォール材料
層５を形成する。ここで、このサイドウォール材料層５
は、ゲート電極３ａの側面の厚さが３００ｎｍ以上とな
るようにする。次いで、図２（ｆ）に示すように、サイ
ドウォール材料層５をフッ素系ガスを主たる反応ガスと
した反応性イオンエッチングによる異方性エッチングを
施して、サイドウォール５ａを形成し、この上よりＳｉ
のイオン注入を行い、高濃度領域６ａ，６ｂを形成す
る。

【００１８】ここでは、ゲート電極３ａとサイドウォー
ル５ａをマスクとし、Ｓｉイオンを加速電圧５０〜３０
０ｋｅＶで、打ち込み角度を基板１主表面の法線に対し
て２１度と傾け、１０¹³〜１０¹⁵ｃｍ^-2の高濃度に注入
する。これにより、高濃度領域６ａは、サイドウォール
５ａの幅だけゲート電極３ａより離れ、かつ能動層２よ
り深く形成される。そして高濃度領域６ｂは、ゲート電
極３ａから高濃度領域６ａより約１５０ｎｍ離れたとこ
ろに、能動層２より深く形成されることになる。

【００１９】次いで、サイドウォール５ａを例えば弗酸
を用いたウエットエッチングで除去し、図２（ｇ）に示
すように、打ち込み角度を傾けて、Ｓｉのイオン注入を
行い、中間濃度層７ａ，７ｂおよびチャネル層２ａを形
成する。ここでは、ゲート電極３ａをマスクとし、Ｓｉ
イオンを例えば加速電圧３０ｋｅＶで、打ち込み角度を
基板１主表面の法線に対して２１度と傾け、１０¹²〜１
０¹⁴ｃｍ^-2程度の濃度に注入し、チャネル層２ａ（能動
層２）より若干深く形成する。これにより、中間濃度層
７ｂは、ゲート電極３ａより約１５０ｎｍ離れたところ
から形成される。なお、この中間濃度層７ａ，７ｂの不
純物濃度は、チャネル層２ａの不純物濃度以上となって
いればよい。

【００２０】次に、図２（ｈ）に示すように、ＷＳｉＮ
からなる活性化熱処理キャップ層８を堆積形成し、この
後、イオン注入により形成したチャネル層２ａ，中間濃
度層７ａ，７ｂおよび高濃度領域６ａ，６ｂの活性化処
理を行う。この活性化処理は、ランプアニールにより行
い、８００〜１０００℃で０．１〜２秒行う。次いで、
ＳＦ₆ などのフッ素系ガスを主たる反応ガスとしたＥＣ
Ｒプラズマエッチングにより、活性化熱処理キャップ層
８を除去し、図２（ｉ）に示すように、ソース領域とな
る高濃度領域６ａ上にＡｕＧｅＮｉからなるソース電極
９ａ、およびドレイン領域となる高濃度領域６ｂ上にＡ
ｕＧｅＮｉからなるドレイン電極９ｂをそれぞれオーミ
ック接合するように形成する。

【００２１】以上説明したように、この実施例１のショ
ットキー接合型の電界効果トランジスタでは、ソース領
域となる高濃度領域６ａより、ドレイン領域となる高濃
度領域６ｂの方がゲート電極３ａから離れており、加え
て、ドレイン領域側の中間濃度層７ｂがゲート電極３ａ
より離れて形成されている。このため、この実施例１に
よれば、ゲート長を短縮しても、ソース抵抗を増大させ
ることなく、ドレインコンダクタンスを低減でき、加え
て、ドレイン耐圧が向上する。

【００２２】図３は、電界効果トランジスタの製造途中
の状態を示す断面図である。以下、この電界効果トラン
ジスタの製造について説明する。ここでは、サイドウォ
ール５ａを形成するところまでは、上記実施例１と同様
であるので、説明は省略する。なお図中同一符号は図
１，２と同様である。この電界効果トランジスタでは、
サイドウォール５ａを形成した後、図３（ａ）に示すよ
うに、実施例１とは異なり、基板１に対して真上より垂
直にＳｉイオンを注入し、高濃度領域３６ａ，３６ｂを
形成する。

【００２３】次いで、図３（ｂ）に示すように、高濃度
領域３６ａ側のサイドウォール５ａが露出するように、
フォトリソグラフィによりレジストパターン３１を形成
する。次いで、このレジストパターン３１をマスクとし
て、弗酸（Ｈ₂Ｏ:ＨＦ＝１０：１）により高濃度領域３
６ａ側のサイドウォール５ａをエッチング除去し、レジ
ストパターン３１を除去する。そして、図３（ｃ）に示
すように、この上より垂直にＳｉイオンを注入し、中間
濃度層３７およびチャネル層３２ａを形成する。この中
間濃度層３７はチャネル層３２ａより深く形成し、不純
物濃度はチャネル層３２ａ以上とする。

【００２４】次いで、上記実施例１と同様に、イオン注
入により形成したチャネル層３２ａ，中間濃度層３７お
よび高濃度領域３６ａ，３６ｂの活性化処理を行い、図
３（ｄ）に示すように、ソース領域となる高濃度領域３
６ａ上にＡｕＧｅＮｉからなるソース電極９ａ、および
ドレイン領域となる高濃度領域３６ｂ上にＡｕＧｅＮｉ
からなるドレイン電極９ｂをそれぞれオーミック接合す
るように形成する。

【００２５】以上説明したように、図３のショットキー
接合型の電界効果トランジスタでは、ソース領域となる
高濃度領域３６ａより、ドレイン領域となる高濃度領域
３６ｂの方がゲート電極３ａから離れており、加えて、
ドレイン領域側には中間濃度層を形成していない。この
ため、図３の電界効果トランジスタによれば、上記実施
例１と同様に、ソース抵抗を増大させることなく、ドレ
インコンダクタンスを低減でき、加えて、ドレイン耐圧
が向上する。

【００２６】実施例２． 図４は、この発明の第２の実施例である電界効果トラン
ジスタの製造途中の状態を示す断面図である。以下、こ
の実施例２の電界効果トランジスタの製造について説明
する。この実施例２では、高濃度領域６ａ，６ｂを形成
するところまでは上記実施例１と同様であり、ここでは
その説明を省略する。なお図中同一符号は図１，２と同
様である。実施例１と同様に、高濃度領域６ａ，６ｂを
形成した後、サイドウォール５ａを同様に除去し、図４
（ａ）に示すように、実施例１とは異なりＳｉイオンを
真上より基板１に対して垂直に注入して、中間濃度層４
７ａ，４７ｂおよびチャネル層４２ｂを形成する。

【００２７】次いで、上記実施例１と同様に、イオン注
入により形成したチャネル層４２ｂ，中間濃度層４７
ａ，４７ｂおよび高濃度領域６ａ，６ｂの活性化処理を
行う。そして、図４（ｂ）に示すように、ソース領域と
なる高濃度領域６ａ上にＡｕＧｅＮｉからなるソース電
極９ａ、およびドレイン領域となる高濃度領域６ｂ上に
ＡｕＧｅＮｉからなるドレイン電極９ｂをそれぞれオー
ミック接合するように形成する。

【００２８】この実施例２では、中間濃度層４７ｂがゲ
ート電極３ａに接するように形成されているので、上記
実施例１ほどはゲート耐圧は向上しないが、他のＦＥＴ
特性をあまり犠牲にすることなく、ドレインコンダクタ
ンスを低減させることができる。

【００２９】実施例３． 図５は、この発明の第３の実施例である電界効果トラン
ジスタの製造途中の状態を示す断面図である。以下、こ
の実施例３の電界効果トランジスタの製造について説明
する。この実施例においては、高濃度領域３６ａ，３６
ｂを形成するところまでは、上記実施例と同様であるの
で、説明は省略する。なお図中同一符号は図１，２と同
様である。高濃度領域３６ａ，３６ｂを形成した後、サ
イドウォール５ａを除去し、図５（ａ）に示すように、
ゲート電極３ａをマスクとして、基板１の法線に対して
２１度の角度よりＳｉイオンを注入し、中間濃度層５７
ａ，５７ｂおよびチャネル層５２ｂを形成する。

【００３０】次いで、上記実施例１と同様に、イオン注
入により形成したチャネル層５２ｂ，中間濃度層５７
ａ，５７ｂおよび高濃度領域３６ａ，３６ｂの活性化処
理を行う。そして、図５（ｂ）に示すように、ソース領
域となる高濃度領域３６ａ上にＡｕＧｅＮｉからなるソ
ース電極９ａ、およびドレイン領域となる高濃度領域３
６ｂ上にＡｕＧｅＮｉからなるドレイン電極９ｂをそれ
ぞれオーミック接合するように形成する。

【００３１】この実施例３では、高濃度領域３６ａ，３
６ｂそれぞれとゲート電極３ａとの距離が同じであり、
ドレイン領域となる高濃度領域３６ｂがゲート電極３ａ
よりあまり離れていないので、上記実施例１ほどはゲー
ト耐圧は向上しないが、実施例２と同様に、他のＦＥＴ
特性をあまり犠牲にすることなく、ドレインコンダクタ
ンスを低減させることができる。ところで、上記実施例
では、ソース領域側よりも、ドレイン側に形成する不純
物が導入される層・領域をゲート電極より離して形成す
るようにしていることを特徴としているが、あまり離し
すぎると電界効果トランジスタとして動作しなくなる。
この離す距離は、電界効果トランジスタとして動作する
範囲である。

【００３２】なお、上記実施例では、基板材料としてＧ
ａＡｓを用いるようにしているがこれに限るものではな
く、ＩｎＰなど他の化合物半導体からなる半絶縁性材料
を用いても良い。また、上記実施例では、ゲート電極と
してＷＳｉＮを用いているが、これに限るものではな
く、ＷＳｉ，ＷＮ，ＷＡｌや他の高融点金属またはそれ
らのシリサイド，ナイトライド，窒素を含むシリサイド
であっても良い。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ショットキ接合型の電界効果トランジスタにおい
て、ソース抵抗を増大させることなく、ドレインコンダ
クタンスを低減させることができるという効果がある。
このため、従来では１５０ＧＨｚが限度であった最大発
信周波数を、２００ＧＨｚまで上げることが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の１実施例である電界効果トランジス
タの製造途中の状態を示す断面図である。

【図２】図１の続きを示す、この発明の１実施例である
電界効果トランジスタの製造途中の状態を示す断面図で
ある。

【図３】電界効果トランジスタの製造途中の状態を示す
断面図である。

【図４】この発明の第２の実施例である電界効果トラン
ジスタの製造途中の状態を示す断面図である。

【図５】この発明の第３の実施例である電界効果トラン
ジスタの製造途中の状態を示す断面図である。

【図６】プレナー構造であるショットキ接合型の電界効
果トランジスタの構成を示す断面図である。

【図７】ドレイン領域を形成する高濃度領域とゲート電
極の距離がソース領域を形成する高濃度領域のそれより
離れている構造を有するショットキ接合型の電界効果ト
ランジスタの構成を示す構成図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 能動層 ２ａ チャネル ３ ゲート電極材料層 ３ａ ゲート電極 ４ レジストパターン ５ サイドウォール材料層 ６ａ，６ｂ 高濃度領域 ７ａ，７ｂ 中間濃度層 ８ 活性化熱処理キャップ層 ９ａ ソース電極 ９ｂ ドレイン電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−105929（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−191532（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−48429（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−271540（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−33938（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−14244（ＪＰ，Ａ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の主表面に形成された能動層
   と、 この能動層上にショットキー接合して形成されたゲート
   電極と、 前記能動層の両側の半導体基板主表面に形成され、前記
   能動層と同一導電型でこの能動層より深く形成された第
   １および第２の高濃度領域と、 これら第１，第２の高濃度領域と能動層との間に、第
   １，第２の高濃度領域および能動層とにそれぞれ連接し
   て形成され、前記能動層と同一導電型で、前記能動層よ
   り深く、前記第１，第２の高濃度領域より浅く形成され
   た第１および第２の中間濃度層と を有し、 前記第１および第２の中間濃度層は、前記能動層以上で
   かつ第１および第２の高濃度領域以下の不純物濃度を有
   し、 前記第１の中間濃度層が前記ゲート電極から離れて形成
   され、 前記第２の高濃度領域より第１の高濃度領域の方が前記
   ゲート電極から離れて形成され、かつ前記第２の高濃度
   領域が前記第２の中間濃度層の下にまで配されているこ
   とを特徴とする電界効果トランジスタ。
2. 【請求項２】 半導体基板の主表面に形成された能動層
   と、 この能動層上にショットキー接合して形成されたゲート
   電極と、 前記能動層の両側の半導体基板主表面に形成され、前記
   能動層と同一導電型でこの能動層より深く形成された第
   １および第２の高濃度領域と、これら第１，第２の高濃度領域と能動層との間に、第
   １，第２の高濃度領域および能動層とにそれぞれ連接し
   て形成され、前記能動層と同一導電型で、前記能動層よ
   り深く、前記第１，第２の高濃度領域より浅く形成され
   た第１および第２の 中間濃度層とを有し、 前記第１および第２の中間濃度層は、前記能動層以上で
   かつ第１，第２の高濃度領域以下の不純物濃度を有し、 前記第２の高濃度領域より第１の高濃度領域の方が前記
   ゲート電極から離れて形成され、かつ前記第２の高濃度
   領域が前記第２の中間濃度層の下にまで配され ている こ
   とを特徴とする電界効果トランジスタ。
3. 【請求項３】 半導体基板にイオン注入を行い能動層を
   形成する工程と、 前記能動層上にショットキー接合するようにゲート電極
   を形成する工程と、 前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程
   と、 前記ゲート電極とサイドウォールとをマスクとして前記
   半導体基板主表面にこの面の法線に対して角度を有する
   斜め方向よりイオン注入し、前記能動層と同一導電型で
   これより高濃度の第１の高濃度領域と第２の高濃度領域
   とを第１の高濃度領域より第２の高濃度領域の方が前記
   ゲート電極より離れた状態に形成する工程と、 前記サイドウォールを除去する工程と、 前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体基板主表面
   の法線に対して角度を有する斜め方向よりイオン注入し
   て、第１および第２の中間濃度層を、前記能動層と同一
   導電型でこの能動層よりは深く前記第１，第２の高濃度
   領域よりは浅く、かつ、前記ゲート電極に対して前記第
   ２の高濃度領域と同じ側に形成する第２の中間濃度層の
   方は前記ゲート電極より離れた状態に形成する工程と を
   有することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方
   法。
4. 【請求項４】 半導体基板にイオン注入を行い能動層を
   形成する工程と、 前記能動層上にショットキー接合するようにゲート電極
   を形成する工程と、 前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程
   と、 前記ゲート電極とサイドウォールとをマスクとして、前
   記半導体基板主表面に、この面の法線に対して角度を有
   する斜め方向よりイオン注入して、前記能動層と同一導
   電型でこれより高濃度の第１の高濃度領域と第２の高濃
   度領域とを第１の高濃度領域より第２の高濃度領域の方
   が前記ゲート電極より離れた状態に形成する工程と、 前記サイドウォールを除去する工程と、 前記ゲート電極をマスクとして前記半導体基板主表面に
   イオン注入し、前記能動層と同一導電型でこの能動層よ
   りは深く前記第１，第２の高濃度領域よりは浅く、第１
   および第２の中間濃度層を形成する工程と を有すること
   を特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
5. 【請求項５】 半導体基板にイオン注入を行い能動層を
   形成する工程と、 前記能動層上にショットキー接合するようにゲート電極
   を形成する工程と、 前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程
   と、 前記ゲート電極とサイドウォールとをマスクとして前記
   半導体基板主表面にイオン注入し、前記能動層と同一導
   電型でこれより高濃度の第１の高濃度領域と第２の高濃
   度領域とを形成する工程と、 前記サイドウォールを除去する工程と、 前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体基板主表面
   の法線に対して角度を有する斜め方向よりイオン注入し
   て、第１および第２の中間濃度層を、前記能動層と同一
   導電型でこの能動層よりは深く前記第１，第２の高濃度
   領域よりは浅く、かつ、前記ゲート電極に対して前記第
   ２の高濃度領域と同じ側に形成する第２の中間濃度層の
   方は前記ゲート電極より離れた状態に形成する工程と を
   有することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方
   法。