JP3251664B2 - 位置検出装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、油圧シリンダのロッド
などアクチュエータのストローク位置を高精度で検出す
る装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】油圧シリンダのピストンロッドなどのス
トローク位置を検出する装置として、ピストンロッドの
表面に軸方向の一定の間隔で弱磁性部を形成した磁気ス
ケールを構成し、シリンダ側に取り付けた磁気センサの
検出信号がピストンロッドの変位によって正弦波形で変
化することを利用して、変位の増分値から分解能の高い
位置検出を行う相対位置検出型のものが知られており、
本願出願人も特開平４−１３６７１３号公報に高精度の
測定が行えるものを提案している。

【０００３】これら相対位置検出型の位置検出装置では
ストロークの絶対位置を得るためにピストンロッドの最
収縮位置などにリミットスイッチを設け、ピストンロッ
ドの先端がこのリミットスイッチを通過した位置をスト
ロークの基準点としてリセットする。このため、油圧シ
リンダを起動させる毎に最収縮位置まで変位させる必要
があった。

【０００４】このリセット動作を短縮する位置検出装置
として、実開平４−７１１１４号公報に開示されるよう
に、増分値を検出するためのメインスケールと、基準点
を計測するためのサブスケールとをそれぞれ備えて、油
圧シリンダの任意のストローク位置から２つの基準点を
通過させることにより絶対位置を得るものが知られてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の装置では１つのアクチュエータに２つの磁気スケー
ルを配設するために、装置の部品点数が増大してコスト
を上昇させるとともに、メインスケールとサブスケール
の位置関係を保持する必要があるため、ロッドが回転す
るアクチュエータには適用できないという問題があっ
た。

【０００６】そこで本発明は、簡易な構成の磁気スケー
ルにより基準点を容易に検出でき、ロッドが回転するア
クチュエータにも使用可能な位置検出装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】 本発明は、図１におい
て、複数の深さＭ１、Ｍ２、Ｍ３で形成された弱磁性部
をアクチュエータの移動方向の所定のピッチで配設し、
ピッチ数を順次増加させた位置の弱磁性部をそれ以外の
同一深さＭ１の弱磁性部とは異なる同一深さＭ２、若し
くは、Ｍ３に形成した基準点として備える複数の基準点
グループをアクチュエータの移動方向に隣接して配置
し、各基準点グループは他の基準点グループと基準点の
弱磁性部の深さＭ２、Ｍ３、または、基準点以外の弱磁
性部の深さＭ１の少なくともいずれか一方の深さを異な
らせて形成した磁気スケール５１と、前記磁気スケール
５１のピッチに対応して９０°の位相差をもった正弦波
を出力する一対の磁気センサ５２と、これら磁気センサ
５２の出力から相対位置を演算する手段５８と、前記磁
気センサ５２の出力振幅レベルから基準点を検出する手
段５３と、前記基準点の検出信号に基づいて振幅レベル
を判定する手段５４と、前記基準点と直前に検出した基
準点との間隔を算出する手段５５と、前記磁気スケール
の基準点に対応した絶対位置を格納する手段５７と、前
記振幅レベルの判定結果と基準点の間隔とから前記格納
手段５７の絶対位置信号を制御する手段５６と、前記絶
対位置信号制御手段５６が読み出す基準点の絶対位置と
前記算出された相対位置とから絶対位置を演算する手段
５９とを備える。

【０００８】

【作用】したがって、アクチュエータの起動時には、磁
気スケールの弱磁性部を通過する際に磁気センサが出力
する正弦波の振幅レベルと所定の深さの弱磁性部に対応
する振幅レベルとを比較して基準点を検出し、さらに、
算出される相対位置より直前に検出した基準点と現在の
基準点との間隔を演算する。前記基準点の振幅レベル、
基準点の間隔、基準点の間隔の符号に基づくアクチュエ
ータの変位方向をパラメータとして絶対位置を格納する
手段のアドレスを演算し、算出されたアドレスの絶対位
置を現在の基準点の絶対位置としてセットし、以降この
基準点の絶対位置に相対変位量を加算したものを絶対位
置として出力する。

【０００９】

【実施例】図２〜３に本発明の実施例を示す。

【００１０】図２において、１は図示しない油圧シリン
ダを構成する磁性材料（強磁性部）で形成されたピスト
ンロッドで、このピストンロッド１の表面には軸方向に
所定のピッチＰをもって深さＭ₁〜Ｍ₃の弱磁性部３を形
成し、これにより磁気スケール２を構成する。

【００１１】この弱磁性部３の幅はピッチＰの半分であ
るＰ／２を備え、磁気スケール２の弱磁性部３と強磁性
部４はともにＰ／２の幅を備えてピッチＰで配設され
る。

【００１２】磁気スケール２の所定の位置の弱磁性部３
には基準点ｈ１〜ｈ８が設けられて、基準点ｈ１〜ｈ４
の弱磁性部３は深さＭ２に形成され、基準点ｈ５〜ｈ８
の弱磁性部３の深さはＭ３に形成される一方、基準点ｈ
１〜ｈ８以外の弱磁性部３の深さはＭ１に形成される。
即ち、基準点ｈ１〜ｈ４は一方の基準点グループであ
り、同様に、基準点ｈ５〜ｈ８は他方の基準点グループ
である。互いの基準点グループは、隣接した基準点ｈ
４、ｈ５がある。また、基準点（ｈ１〜ｈ４）および基
準点（ｈ５〜ｈ８）の基準点グループは、互に他の基準
点グループとは、基準点の深さがＭ２、Ｍ３と異なって
いる。なお、これら弱磁性部３の深さはＭ１＜Ｍ２＜Ｍ
３の関係を満たしている。

【００１３】基準点ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４の間隔はそ
れぞれ、４Ｐ、３Ｐ、２Ｐの間隔を備え、同様にして基
準点ｈ５、ｈ６、ｈ７、ｈ８の間隔はそれぞれ２Ｐ、３
Ｐ、４Ｐを備えて基準点ｈ４、ｈ５との間はピッチＰを
備えて配設される。即ち、一方の基準点グループの基準
点ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４の間隔は、基準点ｈ４から順
次ピッチ数を増加させた位置に位置する。同様に、他方
の基準点グループの基準点ｈ５、ｈ６、ｈ７、ｈ８の間
隔は、基準点ｈ５から順次ピッチ数を増加させた位置に
位置する。

【００１４】図示しない油圧シリンダの一端にはピスト
ンロッド１の変位に伴って磁気スケール２の１ピッチを
１周期とし、互いに９０゜の位相差を備えた２相の正弦
波を出力する一対の磁気センサ５が備えられる。

【００１５】磁気センサ５からの２相の出力信号はＡ、
Ｂは、図３に示すようにマイクロコンピュータなどで構
成されるコントローラ７に入力されて、これに基づいて
ピストンロッド１のストロークの相対位置が演算され
る。この相対位置の演算は、例えば、磁気センサ５の
Ａ、Ｂ相それぞれのピーク値に基づいて求めた正規化係
数に基づいて１／２Ｐ単位の位置と、各ピッチ間を所定
数に分割した位置を求め、これらを合算することでスト
ロークの相対位置が求められる。

【００１６】磁気センサ５の出力信号Ａ、Ｂはサンプル
ホールド回路ＳＨＡ、ＳＨＢ、及びアナログ・デジタル
コンバータＡＤＣを介してコントローラ７の中央演算処
理部ＣＰＵに入力される。

【００１７】コンパレータＣＡ、ＣＢはＣＰＵにおいて
演算された磁気センサ５の出力信号Ａ、Ｂの各ピッチに
おける最大値と最小値との中央値である振央レベルを基
準値として出力信号Ａ、Ｂと比較して、振央レベルより
も大きいときにＨレベル、小さいときにＬレベルの信号
を出力する。なお、ＤＡＣＡ、ＤＡＣＢはＣＰＵで演算
された各振央レベルをアナログ変換するデジタル・アナ
ログコンバータである。

【００１８】コンパレータＣＺは磁気センサ５の出力信
号Ｂから基準点ｈ１〜ｈ８を判定するもので、デジタル
・アナログコンバータＤＡＣＺからの基準点制定レベル
と出力信号Ｂとを比較して、出力信号Ｂが基準点判定レ
ベルより大きいときにＨレベル、小さいときにＬレベル
の信号を出カする。

【００１９】この基準点の判定はコンパレータＣＡの出
力が変化したとき、すなわち出力信号Ａが振央レベルを
通過したときに割り込み処理が発生し、後述するソフト
ウェアにより基準点の判定が行われる。

【００２０】メモリＲＡＭには磁気センサ５の出力信号
Ａ、Ｂの各ピッチごとのピーク値が格納されるととも
に、各基準点における絶対位置情報も格納される。な
お、このメモリＲＡＭはバッテリでバックアップされて
おり、装置の電源が遮断されても記憶内容が保持され
る。

【００２１】ここで、図４を参照して基準点の判定方法
について説明する。

【００２２】ピストンロッド１が変位すると磁気センサ
５の出力信号Ａ、Ｂはそれぞれ図４に示すsigＡ、sigＢ
のように９０゜の位相差をもつ正弦波として出力され、
出力信号Ａ、Ｂは深さＭ₁の弱磁性部３を通過する際に
は振幅レベルlev1を、深さＭ₂、Ｍ₃の基準点である弱磁
性部３を通過する際には振幅レベルlev2、lev3をそれぞ
れ出力する。したがって、基準点ｈ₁〜ｈ₄における振幅
レベルはlev2となり、基準点ｈ₅〜ｈ₈における振幅レベ
ルはlev3となる。

【００２３】各基準点は出力信号Ａが振央レベルcenＡ
となったときに検出するが、出力信号Ｂが基準点判定レ
ベルbasＺ以下であることを条件としているため、基準
点以外の弱磁性部３を通過する際の振央レベルcenＡを
除外することができる。

【００２４】あらかじめ設定された基準点判定レベルba
sＺは、出力信号Ｂの振央レベルcenＢと前記出力信号Ｂ
の振幅レベルから次式のように設定することができる。

【００２５】 ｂａｓＺ＝ｃｅｎＢ−（ｌｅｖ１＋ｌｅｖ２）／２ 出力信号Ａが振央レベルcenＡとなったときに出力信号
ＢがbasＺ以下であれば基準点であることが判定され
る。

【００２６】さらに、磁気スケール２の基準点は２種類
の深さＭ₂、Ｍ₃を備えているから、検出した出力信号Ｂ
と（lev2＋lev3）／2とを比較して、出力信号Ｂが（lev
2＋lev3）／2より大きければ深さＭ₃の基準点であり、
小さければ深さＭ₂の基準点であると判定することがで
きる。なお、相対位置の演算は詳述はしないが、ピッチ
Ｐごとに相対位置の演算が行われ、出力信号Ａが振央レ
ベルcenＡとなったときの出力信号Ｂのすべての振幅レ
ベルlev1〜lev3について行われる。

【００２７】次に、コントローラ７における基準点を判
定した以降の処理を図５のフローチャートを参照しなが
ら説明する。なお、図５は装置の電源を再投入してから
基準点の絶対位置がセットされるまでの流れを示す。

【００２８】まず、図示しない制御手段によってピスト
ンロッド１を任意の方向に駆動させ、Ｓ１で前記出力信
号Ａが振央レベルcenＡかつ出力信号ＢがbasＺ以下であ
るかの判定により第１の基準点の判定を行う。

【００２９】第１の基準点が検出されると、Ｓ２ではそ
のときのストローク位置、すなわち、相対位置をＸ
₁に、出力信号Ｂの振幅レベルをＡ₁にそれぞれ保持す
る。さらにピストンロッド１を駆動させて、Ｓ３ではＳ
１と同様にして第２の基準点を判定する。Ｓ３で第２の
基準点が判定されると、Ｓ４ではＳ２と同様にして、そ
のときの相対位置をＸ₂に、出力信号Ｂの振幅レベルを
Ａ₂に保持し、Ｓ５において検出された第１及び第２の
基準点の距離Ｌを演算する。

【００３０】Ｓ６では前記演算した距離Ｌの絶対値と弱
磁性部３のピッチＰとを比較して、距離ＬがピッチＰよ
り大きければＳ８の処理へ進む一方、小さければＳ７の
処理を経由して再び第２の基準点の検出を行う。距離Ｌ
がピッチＰ未満となる場合は、ピストンロッド１の伸縮
によって磁気センサ５が第１の基準点を２回通過した状
態であり、正確に絶対位置を設定できないため，Ｓ７に
おいて最新の基準点の相対位置及び振幅レベルを第１の
基準点のデータとしてＸ₁、Ａ₁に転送するとともに、Ｓ
３の処理に戻る。

【００３１】一方、Ｓ６の判定で距離ＬがピッチＰより
大きければ、Ｓ８で第２の基準点での振幅レベルＡ２が
１ｅｖ２であるかを判定する。すなわち、基準点ｈ１〜
ｈ４は一方の基準点グループを構成し、基準点ｈ１〜ｈ
４は他方の基準点グループを構成する。そして、検出し
た第２の基準点がｈ１〜ｈ４またはｈ５〜ｈ８のいずれ
のグループに属するかを判定する。

【００３２】このＳ９の判定でＹＥＳ、すなわち、第２
の基準点は基準点ｈ₁〜ｈ₄のいずれかであると判定され
てＳ１０の処理へ進む一方、ＮＯの場合には第２の基準
点は基準点ｈ₅〜ｈ₈のいずれかであると判定されてＳ９
の処理へ進む。

【００３３】Ｓ９及びＳ１０では基準点の距離Ｌの正負
よりストロークの方向を判定し、距離Ｌが正であればＳ
１１、１３へ、負であればＳ１２、１４へそれぞれ進
む。

【００３４】Ｓ１１〜１４はそれぞれ分類された基準点
のグループと、ピストンロッド１の変位方向、現在の基
準点における振幅レベルとから、所定の変換係数base１
〜４をそれぞれ与えられ、現在の基準点（前記第２の基
準点）と以前の基準点（前記第１の基準点）の距離Ｌに
所定の変換定数ｍを乗じたものに変換係数base１〜４を
加算したものが、現在の基準点の絶対位置を格納するメ
モリＲＡＭのアドレスＡＤとして得られる。なお、変換
定数ｍは基準点間の距離ＬをメモリＲＡＭのアドレスに
変換するための定数である。

【００３５】ここで、メモリＲＡＭの内容は、図６のメ
モリマップに示すように出力信号Ｂの振幅レベル、スト
ロークの方向、変換係数base１〜４、基準点の距離（Ｐ
〜４Ｐ）の順位で基準点ｈ₁〜ｈ₈の絶対位置が格納され
ている。なお、このメモリマップにおいて同一の基準点
の絶対位置が異なるアドレスに重複して格納されるが、
各アドレスの重複する基準点の絶対位置は必ずしも等し
くなく、これは、ピストンロッド１の変位方向によって
基準点の検出位置（出力信号Ａが振央レベルcenＡと等
しくなる位置）が微妙にずれるためである。したがっ
て、各基準点ｈ₁〜ｈ₈の絶対位置はピストンロッド１の
変位方向ごとにアドレスを変えて正確な絶対位置を格納
する。

【００３６】Ｓ１５ではＳ１１〜１４で得られたアドレ
スＡＤに基づいて格納された絶対位置を読み出し、Ｓ１
６で現在の基準点におけるメモリＲＡＭから読み出され
た絶対位置をセットするとともに、以降算出される相対
位置を加算することで絶対位置を出力することが可能と
なり、さらにコントローラ７からは絶対位置セット完了
信号が出力され、図示しない油圧シリンダの制御手段は
ピストンロッド１に所望の駆動を行うことができる。

【００３７】したがって、装置の休止中にピストンロッ
ド１が油漏れなどにより変位しても、任意の基準点を２
箇所通過すれば自動的に絶対位置を設定することが可能
となり、起動時のストローク量を低減して稼働までの時
間を短縮することができ、一つの磁気スケール２に弱磁
性部３の深さを複数で構成して基準点を所定の深さに設
定するとともに、弱磁性部３の深さが同一の基準点同士
の間隔を順次ずらして配設したため、１組の磁気スケー
ルと磁気センサにより構成することが可能となって、部
品点数を増大させることなく絶対値型の高精度な位置検
出装置を構成することが可能となり、所定のピッチＰで
配設した弱磁性部３をピストンロッド１の全周に配設す
ることによってピストンロッド１の回転を許容すること
ができる。

【００３８】一方、メモリＲＡＭの所定のアドレスに各
基準点ｈ₁〜ｈ₈の絶対位置を再設定するには、ピストン
ロッド１を図１に示す最収縮位置まで変位させ、このと
きの相対位置をゼロにセットした後に、図７に示すフロ
ーチャートにしたがって自動的に絶対位置を設定するこ
とができる。

【００３９】図７において、Ｓ２１で第１の基準点を検
出した後は、前記図５のフローチャートと同様にして、
第２の基準点を検出してから基準点間の距離Ｌを求め
（Ｓ２２〜２６）、磁気センサ５の出力信号Ｂの振幅レ
ベルとストローク方向に応じて（Ｓ２８〜３０）現在の
基準点に対応するメモリＲＡＭのアドレスＡＤをＳ３１
〜３４で得る。なお、Ｓ２１〜３４は前記図５のフロー
チャートにおけるＳ１〜１４と同一である。

【００４０】Ｓ３５では得られたＲＡＭのアドレスＡＤ
に現在の基準点における相対位置Ｘ₂を絶対位置として
記憶させ、次の基準点の絶対位置を設定するために、現
在の基準点の相対位置Ｘ₂、振幅レベルＡ₂をそれぞれ前
記第１の基準点としてのＸ₁、Ａ₁にそれぞれ代入すると
ともにＳ２３へ戻り、最収縮位置から最伸長位置までの
間を往復させて上記処理を行う。

【００４１】ピストンロッド１の最収縮位置で相対位置
をゼロにセットするため、検出した基準点の相対位置は
絶対位置と等価となり、上記処理を行うことにより容易
かつ正確に各基準点の絶対位置を設定することができ
る。

【００４２】図８は他の実施例を示し、前記第１の実施
例における基準点を９カ所とし、隣接する基準点ｈ５、
ｈ６を同一の深さＭ３の弱磁性部３で構成し、さらに基
準点ｈ４〜ｈ６の間隔をそれぞれ最小単位であるピッチ
Ｐで等間隔に配設したものであり、その他の構成は前記
第１の実施例と同様である。即ち、一方の基準点グルー
プには基準点ｈ１〜ｈ４があり、他方の基準点グループ
には基準点ｈ５〜ｈ９がある。そして、基準点ｈ１〜ｈ
９以外の弱磁性部は深さＭ１に形成されている。この実
施例においても、各基準点グループの基準点の深さは、
互に他の基準点グループの基準点と深さがＭ２、Ｍ３と
異なっている。

【００４３】これら等間隔のピッチＰで配設された基準
点ｈ₄〜ｈ₆の識別は、直前に検出した基準点の振幅レベ
ルより前記図５のフローチャートに従って容易に識別す
ることができる。

【００４４】図９はさらに他の実施例を示し、基準点ｈ
１〜ｈ８の深さをすべて同一のＭ３とする一方、基準点
ｈ１〜ｈ４間の相対位置検出用の弱磁性部３を深さＭ１
で形成し、基準点ｈ５〜ｈ８間の相対位置検出用の弱磁
性部３を深さＭ２で形成したものであり、その他の構成
は上記第１の実施例と同様である。即ち、一方の基準点
グループの基準点ｈ１〜ｈ４と他方の基準点グループの
基準点ｈ５〜ｈ８の弱磁性部の深さを全て同一のＭ３に
形成している。また、基準点ｈ１〜ｈ８以外の弱磁性部
３の深さを、一方の基準点グループにおいては深さＭ１
で形成し、他方の基準点グループにおいては深さＭ２で
形成して、両基準点グループでは互に他の基準点グルー
プと異ならせている。

【００４５】同一深さの基準点の識別を基準点の間に配
設された相対位置検出用の弱磁性部３の深さを変え、相
対位置を検出する振幅レベルによって行ってもよい。

【００４６】なお、上記実施例において、任意の２カ所
の基準点を検出した時点で、現在のストローク位置をＲ
ＡＭに格納された絶対位置に置き換えたが、この置き換
えは複数回行ってもよく、例えば、電源再投入時に現在
位置をＲＡＭに格納された絶対位置に置き換えた後、基
準点の間隔を常時演算するとともに、各基準点で演算さ
れたストロークの絶対位置とＲＡＭの格納値とを比較し
て、演算されたストローク量の絶対位置が異なっている
場合などにＲＡＭに格納された絶対位置を読み出して置
き換えてもよい。

【００４７】また、ピストンロッド１が最収縮位置また
は最伸長位置で衝突するのを防止するため、これらスト
ロークエンド近傍の基準点を通過するのを検出し、この
検出信号に基づいて図示しない警報装置を駆動すること
ができる。

【００４８】また、上記実施例において弱磁性部３の深
さをＭ₁〜Ｍ₃の３通りとしたが、さらに多数の深さに分
類してもよい。

【００４９】

【発明の効果】 以上のように本発明によれば、アクチ
ュエータが休止中に変位しても、任意の基準点を２箇所
通過すれば自動的に絶対位置を設定することが可能とな
り、起動時のストローク量を低減して稼働までの時間を
短縮することができ、１つの磁気スケールに弱磁性部の
深さを複数で構成し、ピッチ数を順次増加させた位置の
弱磁性部をそれ以外の同一深さの弱磁性部とは異なる同
一深さに形成した基準点として備える複数の基準点グル
ープをアクチュエータの移動方向に隣接して配置し、各
基準点グループは他の基準点グループと基準点の弱磁性
部または基準点以外の弱磁性部の少なくともいずれか一
方の深さを異ならせて形成したため、より少ないストロ
ークで絶対位置を検出することが可能となって、部品点
数を増大させることなく絶対値型の位置検出装置を構成
することが可能となり、所定の間隔で配設した弱磁性部
をアクチュエータのロッドなどの全周に配設することに
よってロッドの回転を許容しながら位置計測を行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のクレーム対応図である。

【図２】本発明の実施例を示す磁気スケールの拡大図で
ある。

【図３】コントローラのブロック図である。

【図４】各ピッチにおける磁気センサの出力信号の変化
を示す図である。

【図５】制御の一例を示すフローチャートである。

【図６】メモリの内容を示す図である。

【図７】制御の一例を示すフローチャートである。

【図８】他の実施例を示す磁気スケールの説明図であ
る。

【図９】さらに他の実施例を示す磁気スケールの説明図
である。

【符号の説明】

１ ピストンロッド ２ 磁気スケール ３ 弱磁性部 ４ 強磁性部 ５ 磁気センサ ７ コントローラ ５１ 磁気スケール ５２ 磁気センサ ５３ 基準点検出手段 ５４ 振幅レベル判定手段 ５５ 基準点間隔演算手段 ５６ 絶対位置信号制御手段 ５７ 絶対位置格納手段 ５８ 相対位置演算手段 ５９ 位置信号演算手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−203656（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−173716（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01D 5/00 - 5/62 G01B 7/00 - 7/32 G01P 1/00 - 3/80

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の深さで形成された弱磁性部をアク
   チュエータの移動方向の所定のピッチで配設し、ピッチ
   数を順次増加させた位置の弱磁性部をそれ以外の同一深
   さの弱磁性部とは異なる同一深さに形成した基準点とし
   て備える複数の基準点グループをアクチュエータの移動
   方向に隣接して配置し、各基準点グループは他の基準点
   グループと基準点の弱磁性部または基準点以外の弱磁性
   部の少なくともいずれか一方の深さを異ならせて形成し
   た磁気スケールと、 前記磁気スケールのピッチに対応して９０゜の位相差を
   もった正弦波を出力する一対の磁気センサと、 これら磁気センサの出力から相対位置を演算する手段
   と、 前記磁気センサの出力振幅レベルから基準点を検出する
   手段と、 前記基準点の検出信号に基づいて振幅レベルを判定する
   手段と、 前記基準点と直前に検出した基準点との間隔を算出する
   手段と、 前記磁気スケールの基準点に対応した絶対位置を格納す
   る手段と、 前記振幅レベルの判定結果と基準点の間隔とから前記格
   納手段の絶対位置信号を制御する手段と、 前記絶対位置信号制御手段が読み出す基準点の絶対位置
   と前記算出された相対位置とから絶対位置を演算する手
   段とを備えたことを特徴とする位置検出装置。