JP3251211B2 - 半導体受光器 - Google Patents
半導体受光器Info
- Publication number
- JP3251211B2 JP3251211B2 JP22142397A JP22142397A JP3251211B2 JP 3251211 B2 JP3251211 B2 JP 3251211B2 JP 22142397 A JP22142397 A JP 22142397A JP 22142397 A JP22142397 A JP 22142397A JP 3251211 B2 JP3251211 B2 JP 3251211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- light
- mode
- semiconductor
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
- G02B6/2808—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs
- G02B6/2813—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs based on multimode interference effect, i.e. self-imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長多重伝送に対
応可能なフィルター機能を有し、かつ高受光感度特性に
優れた光導波路構造を有する半導体受光器に関する。
応可能なフィルター機能を有し、かつ高受光感度特性に
優れた光導波路構造を有する半導体受光器に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日光ファイバーを用いた光通信技術
は、大容量高速伝送を実現する技術として発展してい
る。この光通信技術を支えるデバイスとして、様々な光
デバイスが開発されており、中でも、伝送信号を直接受
光し電気信号に変換するデバイスである半導体受光器
は、長距離伝送を実現するためのキーデバイスとして現
在盛んに研究・開発が進められている。
は、大容量高速伝送を実現する技術として発展してい
る。この光通信技術を支えるデバイスとして、様々な光
デバイスが開発されており、中でも、伝送信号を直接受
光し電気信号に変換するデバイスである半導体受光器
は、長距離伝送を実現するためのキーデバイスとして現
在盛んに研究・開発が進められている。
【０００３】この半導体受光器には様々な種類がある
が、導波路型の半導体受光器は、半導体レーザーと同様
のパッケージが利用でき、また他の導波型光デバイスや
受動導波路との集積に適すると言う特徴を有している。
が、導波路型の半導体受光器は、半導体レーザーと同様
のパッケージが利用でき、また他の導波型光デバイスや
受動導波路との集積に適すると言う特徴を有している。
【０００４】この導波路型受光器は、効率よく光信号を
受信するという観点から、受光領域はマルチモード導波
路として設計されるのが一般的である。例えば、「アイ
トリプルイー・ジャーナル・オブ・クォンタム・エレク
トロニクス(IEEE Journal ofQuantum Electronics）
Ｖｏｌ．２８ Ｎｏ．１２ １９９２」第２７２８〜２
７３５頁（著者：K.Katoなど）に報告されている導波路
型の半導体受光器も、受光領域はマルチモード導波路で
ある。
受信するという観点から、受光領域はマルチモード導波
路として設計されるのが一般的である。例えば、「アイ
トリプルイー・ジャーナル・オブ・クォンタム・エレク
トロニクス(IEEE Journal ofQuantum Electronics）
Ｖｏｌ．２８ Ｎｏ．１２ １９９２」第２７２８〜２
７３５頁（著者：K.Katoなど）に報告されている導波路
型の半導体受光器も、受光領域はマルチモード導波路で
ある。
【０００５】このように、光信号の受信だけを目的とす
る場合、特にシングルモード導波路から構成する必要は
ない。しかしながら、導波路型半導体受光器に、単なる
信号光受信機能だけではなく、フィルター機能も兼ね備
えさせることが考えられている。すなわち、波長多重伝
送において、受光器の受信感度帯波長よりも長い波長の
信号光が入射してきた時はその波長の光を透過させ、受
信感度帯内の波長の信号光が入ってきた時はその波長の
光を吸収するという波長フィルターとしての機能を兼ね
備えた半導体受光器を構成する場合がある。このよう
に、特定の波長の光を受光し、かつ他の波長の光は透過
させるというフィルター機能を兼ね備えた用途を考えた
場合、透過信号光はシングルモードである必要がある。
る場合、特にシングルモード導波路から構成する必要は
ない。しかしながら、導波路型半導体受光器に、単なる
信号光受信機能だけではなく、フィルター機能も兼ね備
えさせることが考えられている。すなわち、波長多重伝
送において、受光器の受信感度帯波長よりも長い波長の
信号光が入射してきた時はその波長の光を透過させ、受
信感度帯内の波長の信号光が入ってきた時はその波長の
光を吸収するという波長フィルターとしての機能を兼ね
備えた半導体受光器を構成する場合がある。このよう
に、特定の波長の光を受光し、かつ他の波長の光は透過
させるというフィルター機能を兼ね備えた用途を考えた
場合、透過信号光はシングルモードである必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記の通り、効率よく
信号光を受信することを考慮すると、受光領域はマルチ
モードであることが望ましい。しかし、波長多重伝送に
対応可能なフィルター機能を兼ね備えるためにはシング
ルモードである必要がある。このように、導波路型半導
体受光器において、波長多重伝送に対応可能なフィルタ
ー機能を兼ね備えるためシングルモード構造とし、かつ
効率よく受光する光導波路構造とすることは困難であ
る。
信号光を受信することを考慮すると、受光領域はマルチ
モードであることが望ましい。しかし、波長多重伝送に
対応可能なフィルター機能を兼ね備えるためにはシング
ルモードである必要がある。このように、導波路型半導
体受光器において、波長多重伝送に対応可能なフィルタ
ー機能を兼ね備えるためシングルモード構造とし、かつ
効率よく受光する光導波路構造とすることは困難であ
る。
【０００７】そこで本発明の目的は、フィルターとして
機能し得るとともに、受光効率のよい半導体受光器を提
供することにある。
機能し得るとともに、受光効率のよい半導体受光器を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、透過光
がシングルモード光である半導体受光器であって、マル
チモード導波路領域を含む光導波路構造を有することに
ある。
がシングルモード光である半導体受光器であって、マル
チモード導波路領域を含む光導波路構造を有することに
ある。
【０００９】前記マルチモード導波路領域は１×１−マ
ルチモード干渉型光導波路である。
ルチモード干渉型光導波路である。
【００１０】前記光導波路構造は、前記マルチモード導
波路領域と、該マルチモード導波路領域の両端部に接続
されている１対のシングルモード導波路領域とからな
る。
波路領域と、該マルチモード導波路領域の両端部に接続
されている１対のシングルモード導波路領域とからな
る。
【００１１】そして，前記マルチモード導波路領域は、
前記シングルモード導波路領域よりも導波路幅が広い。
前記シングルモード導波路領域よりも導波路幅が広い。
【００１２】このような構成とすることにより、透過光
についてはシングルモードを提供してフィルターとして
機能し得るとともに、受光導波路領域がマルチモード導
波路であり受光効率が向上する。
についてはシングルモードを提供してフィルターとして
機能し得るとともに、受光導波路領域がマルチモード導
波路であり受光効率が向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について説明する。
の実施形態について説明する。
【００１４】図１は、本発明の実施形態である導波路型
半導体受光器の概略斜視図である。この導波路型半導体
受光器は、例えば１．３μｍ帯信号光と１．５５μｍ帯
信号光の波長多重信号が入射されたとき、１．３μｍ帯
信号光を受信し、かつ１．５５μｍ帯信号光は透過させ
るフィルター機能を兼ね備えている。そして、この導波
路型半導体受光器は、マルチモード導波路領域１と、そ
の両端に接続されたシングルモード導波路領域２、３と
から構成される。各領域の長さは、マルチモード導波路
領域１が１００μｍ程度、シングルモード導波路領域２
および３がそれぞれ１０μｍ程度、合計で素子長は１２
０μｍ程度となっている。マルチモード導波路領域１は
１×１−ＭＭＩ光導波路として設計されている。図２に
は、図１の１点鎖線Ａ−Ａ’およびＢ−Ｂ’での断面の
層構造を示す。図２（ａ）および（ｂ）に示す断面Ａ−
Ａ’およびＢ−Ｂ’の層構造はほとんど同一であり、異
なっている点は導波路幅だけである。図２（ａ）のマル
チモード導波路領域の導波路幅Ｗ１および図２（ｂ）の
シングルモード導波路領域２の導波路幅Ｗ２は、それぞ
れＷ１＝６μｍ、Ｗ２＝１．５μｍとなっている。
半導体受光器の概略斜視図である。この導波路型半導体
受光器は、例えば１．３μｍ帯信号光と１．５５μｍ帯
信号光の波長多重信号が入射されたとき、１．３μｍ帯
信号光を受信し、かつ１．５５μｍ帯信号光は透過させ
るフィルター機能を兼ね備えている。そして、この導波
路型半導体受光器は、マルチモード導波路領域１と、そ
の両端に接続されたシングルモード導波路領域２、３と
から構成される。各領域の長さは、マルチモード導波路
領域１が１００μｍ程度、シングルモード導波路領域２
および３がそれぞれ１０μｍ程度、合計で素子長は１２
０μｍ程度となっている。マルチモード導波路領域１は
１×１−ＭＭＩ光導波路として設計されている。図２に
は、図１の１点鎖線Ａ−Ａ’およびＢ−Ｂ’での断面の
層構造を示す。図２（ａ）および（ｂ）に示す断面Ａ−
Ａ’およびＢ−Ｂ’の層構造はほとんど同一であり、異
なっている点は導波路幅だけである。図２（ａ）のマル
チモード導波路領域の導波路幅Ｗ１および図２（ｂ）の
シングルモード導波路領域２の導波路幅Ｗ２は、それぞ
れＷ１＝６μｍ、Ｗ２＝１．５μｍとなっている。
【００１５】以下、図３〜７を参照しながら本実施形態
による導波路型半導体受光器の製造方法を説明する。図
３に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板上２３に、ｎ−ＩｎＰ
バッファ層２４と、１．４μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ層２
９と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６とが、ＭＯＶＰＥ法
（有機金属気相成長法）により順番に積層形成されてい
る。各層の層厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層２４が２００
ｎｍ程度、１．４μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ層２９が１０
０ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６が２００ｎｍ程
度である。
による導波路型半導体受光器の製造方法を説明する。図
３に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板上２３に、ｎ−ＩｎＰ
バッファ層２４と、１．４μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ層２
９と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６とが、ＭＯＶＰＥ法
（有機金属気相成長法）により順番に積層形成されてい
る。各層の層厚は、ｎ−ＩｎＰバッファ層２４が２００
ｎｍ程度、１．４μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ層２９が１０
０ｎｍ程度、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６が２００ｎｍ程
度である。
【００１６】次に、図４に示すように、通常のフォトリ
ソグラフィ法により、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６上にエ
ッチング用マスク３１が形成される。その後、反応性イ
オンエッチング法（ＲＩＥ法）により、図５に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６と、１．４μｍ組成Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層２９と、ｎ−ＩｎＰバッファ層２４とが、
部分的に（マスク３１が形成されていない部分のみ）除
去され、メサ構造が形成される。
ソグラフィ法により、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６上にエ
ッチング用マスク３１が形成される。その後、反応性イ
オンエッチング法（ＲＩＥ法）により、図５に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６と、１．４μｍ組成Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層２９と、ｎ−ＩｎＰバッファ層２４とが、
部分的に（マスク３１が形成されていない部分のみ）除
去され、メサ構造が形成される。
【００１７】次に、通常の熱ＣＶＤ法でＳｉＯ2膜が全
面に形成された後に、通常のフォトリソグラフィ法によ
り、図６に示すように、メサ周囲に選択的結晶成長法に
よる埋め込み層形成のためのＳｉＯ2マスク３２が形成
される。その後、ＭＯＶＰＥ法により、図７に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２７およびｐ−ＩｎＧａＡｓ
キャップ層２８が形成される。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２
７は２μｍ程度、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層２８は２
００ｎｍ程度の厚さである。
面に形成された後に、通常のフォトリソグラフィ法によ
り、図６に示すように、メサ周囲に選択的結晶成長法に
よる埋め込み層形成のためのＳｉＯ2マスク３２が形成
される。その後、ＭＯＶＰＥ法により、図７に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２７およびｐ−ＩｎＧａＡｓ
キャップ層２８が形成される。ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２
７は２μｍ程度、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層２８は２
００ｎｍ程度の厚さである。
【００１８】そして、図示しないが、素子裏面に研磨が
施され、裏面電極および表面電極が通常のスパッタリン
グ法により形成され、素子劈開後の両端面に通常の無反
射（ＡＲ）コーティングが施され、半導体素子の製造が
完了する。以上が、本実施形態の導波路型半導体受光器
の製造方法の一例である。
施され、裏面電極および表面電極が通常のスパッタリン
グ法により形成され、素子劈開後の両端面に通常の無反
射（ＡＲ）コーティングが施され、半導体素子の製造が
完了する。以上が、本実施形態の導波路型半導体受光器
の製造方法の一例である。
【００１９】このような半導体導波路型受光器の特性に
ついて次に説明する。本実施形態による半導体導波路型
受光器は、図１に示すようにマルチモード導波路領域１
を含んだ構造となっている。本実施形態のマルチモード
導波路領域は、ＭＭＩ（Multimode Interferenece）理
論によって、１×１動作するように設計されている。
ついて次に説明する。本実施形態による半導体導波路型
受光器は、図１に示すようにマルチモード導波路領域１
を含んだ構造となっている。本実施形態のマルチモード
導波路領域は、ＭＭＩ（Multimode Interferenece）理
論によって、１×１動作するように設計されている。
【００２０】通常のシングルモード導波路を適用した半
導体受光器においては、透過光をシングルモード光とし
て透過させるために、その導波路幅は全域にわたって
１．５μｍ程度に制約されている。すなわち、導波路が
全長にわたって本実施形態のシングルモード導波路領域
２の導波路幅Ｗ２と同程度の幅で形成されている必要が
ある。
導体受光器においては、透過光をシングルモード光とし
て透過させるために、その導波路幅は全域にわたって
１．５μｍ程度に制約されている。すなわち、導波路が
全長にわたって本実施形態のシングルモード導波路領域
２の導波路幅Ｗ２と同程度の幅で形成されている必要が
ある。
【００２１】しかしながら本実施形態の導波路型半導体
受光器では、前述の通り１×１−ＭＭＩ光導波路を用い
ているので、光導波路幅が従来の３倍以上の６μｍであ
っても、透過光に関してはシングルモード光（基本モー
ド光）として透過させることが可能である。本実施形態
の導波路型半導体受光器は、このＭＭＩの原理を用いる
ことにより、主受光導波路領域は高受光感度特性に優れ
るマルチモード導波路で構成しながらも、透過光はシン
グルモード光として透過し得る。このため、本実施形態
の導波路型半導体受光器は、波長多重伝送に適したフィ
ルター機能も兼ね備えた受光器として動作させることが
可能となる。
受光器では、前述の通り１×１−ＭＭＩ光導波路を用い
ているので、光導波路幅が従来の３倍以上の６μｍであ
っても、透過光に関してはシングルモード光（基本モー
ド光）として透過させることが可能である。本実施形態
の導波路型半導体受光器は、このＭＭＩの原理を用いる
ことにより、主受光導波路領域は高受光感度特性に優れ
るマルチモード導波路で構成しながらも、透過光はシン
グルモード光として透過し得る。このため、本実施形態
の導波路型半導体受光器は、波長多重伝送に適したフィ
ルター機能も兼ね備えた受光器として動作させることが
可能となる。
【００２２】また本素子のＴＥ偏光、ＴＭ偏光の両偏光
に対する光の閉じ込めは極めて強いため、偏光無依存の
受信感度特性が容易に得られる。またこのように構造が
比較的単純であるため、集積光デバイスにも適した構造
である。
に対する光の閉じ込めは極めて強いため、偏光無依存の
受信感度特性が容易に得られる。またこのように構造が
比較的単純であるため、集積光デバイスにも適した構造
である。
【００２３】なお、本実施形態は単純な埋め込み構造の
導波路型半導体受光器であるが、本発明はこれに限定さ
れるわけではなく、他の層構造に対しても適用可能であ
る。また、受光器の感度波長帯を１．３μｍ帯とした
が、もちろんこれに限るわけではなく、可視光帯域であ
っても良いし、近赤外光帯であっても、本発明は適用可
能である。
導波路型半導体受光器であるが、本発明はこれに限定さ
れるわけではなく、他の層構造に対しても適用可能であ
る。また、受光器の感度波長帯を１．３μｍ帯とした
が、もちろんこれに限るわけではなく、可視光帯域であ
っても良いし、近赤外光帯であっても、本発明は適用可
能である。
【００２４】製造方法として、本実施形態では結晶成長
法にＭＯＶＰＥ法が、メサ形成方法にＲＩＥ法がそれぞ
れ採用されているが、もちろんこれに限定されるわけで
はなく、結晶成長方法には、例えばＭＢＥ法を用いるこ
とも可能であり、また、メサ形成方法に、ウェットエッ
チング法を用いても構わない。
法にＭＯＶＰＥ法が、メサ形成方法にＲＩＥ法がそれぞ
れ採用されているが、もちろんこれに限定されるわけで
はなく、結晶成長方法には、例えばＭＢＥ法を用いるこ
とも可能であり、また、メサ形成方法に、ウェットエッ
チング法を用いても構わない。
【００２５】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明による半
導体受光器は、主受光導波路領域がマルチモード導波路
から構成されているため、高受光感度特性を達成でき
る。しかも、マルチモード導波路領域が１×１−ＭＭＩ
光導波路で構成されているため、透過光に関してはシン
グルモード光として透過させることができ、波長多重伝
送に適用できるフィルターとして使用可能である。
導体受光器は、主受光導波路領域がマルチモード導波路
から構成されているため、高受光感度特性を達成でき
る。しかも、マルチモード導波路領域が１×１−ＭＭＩ
光導波路で構成されているため、透過光に関してはシン
グルモード光として透過させることができ、波長多重伝
送に適用できるフィルターとして使用可能である。
【図１】本発明の実施形態である半導体受光器の概略斜
視図である。
視図である。
【図２】図１に示す半導体受光器の断面図である。
【図３】図１に示す半導体受光器の第１の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図４】図１に示す半導体受光器の第２の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図５】図１に示す半導体受光器の第３の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図６】図１に示す半導体受光器の第４の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図７】図１に示す半導体受光器の第５の製造工程の説
明図である。
明図である。
１ マルチモード導波路領域 ２ シングルモード導波路領域 ３ シングルモード導波路領域 ２３ ｎ−ＩｎＰ基板 ２４ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ２６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２７ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 ２８ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ２９ １．４μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ層 ３１ エッチング用マスク ３２ ＳｉＯ2マスク Ｗ１ マルチモード導波路領域 Ｗ２ シングルモード導波路領域の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−57457（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−167096（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−120555（ＪＰ，Ａ) ８ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｕｆ ｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔ ｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ（ＥＣ10’97）ＰＤ ５−１〜ＰＤ５−４ ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ ｕａｎｔｕｍ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓ，ＶＯＬ．28（12）（1992），ｐｐ. 2728−2735 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗ ａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＶＯ Ｌ．13（４）（1995），ｐ．615−627 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 H01L 31/10
Claims (4)
- 【請求項１】 透過光がシングルモード光である半導体
受光器であって、マルチモード導波路領域を含む光導波
路構造を有し、前記マルチモード導波路領域が１×１−
マルチモード干渉型光導波路であることを特徴とする半
導体受光器。 - 【請求項２】 シングルモード光導波路に１×１−マ
ルチモード干渉型光導波路が接続された半導体受光器で
あって、前記マルチモード干渉型光導波路は、受信感度
帯波長よりも長い波長の信号光の入射に対しシングルモ
ードで透過させ、受信感度帯域内の波長の信号光の入射
に対し吸収することを特徴とする半導体受光器。 - 【請求項３】 前記光導波路構造が、前記マルチモード
導波路領域と、該マルチモード導波路領域の両端部に接
続されている１対のシングルモード導波路領域とからな
る請求項１または２に記載の半導体受光器。 - 【請求項４】 前記マルチモード導波路領域が、前記シ
ングルモード導波路領域よりも導波路幅が広い請求項３
に記載の半導体受光器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22142397A JP3251211B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | 半導体受光器 |
| US09/135,527 US6661960B2 (en) | 1997-08-18 | 1998-08-18 | Semiconductor waveguide photodetector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22142397A JP3251211B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | 半導体受光器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164655A JPH1164655A (ja) | 1999-03-05 |
| JP3251211B2 true JP3251211B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=16766518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22142397A Expired - Fee Related JP3251211B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | 半導体受光器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6661960B2 (ja) |
| JP (1) | JP3251211B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7054516B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-05-30 | Russell Childs | Integrated optical device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4656459B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2011-03-23 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体光機能装置および半導体光機能素子 |
| US7221452B2 (en) * | 2002-08-07 | 2007-05-22 | Coherent, Inc. | Tunable optical filter, optical apparatus for use therewith and method utilizing same |
| AU2003293539A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Waveguide-to-semiconductor device coupler |
| US7454111B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-11-18 | Nec Corporation | Optical device of waveguide type and its production method |
| KR20050025384A (ko) * | 2003-09-06 | 2005-03-14 | 한국전자통신연구원 | 도파로형 광 검출기 |
| EP1840607B1 (en) * | 2005-01-20 | 2013-11-06 | Fujitsu Ltd. | Optical waveguide device and semiconductor device |
| JP4962279B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2012-06-27 | 富士通株式会社 | 半導体素子、半導体光集積素子及び光伝送装置 |
| JP6391451B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-09-19 | 富士通株式会社 | 光機能素子、光受信装置及び光送信装置 |
| JP6514904B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2019-05-15 | 富士通株式会社 | 光半導体素子 |
| JP6691470B2 (ja) * | 2016-11-24 | 2020-04-28 | 日本電信電話株式会社 | 光検出器 |
| US11378750B2 (en) | 2020-01-17 | 2022-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Germanium photodetector embedded in a multi-mode interferometer |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1525492A (en) | 1974-09-20 | 1978-09-20 | Max Planck Gesellschaft | Self imaging system using a waveguide |
| US4689797A (en) * | 1985-08-19 | 1987-08-25 | Gte Laboratories Incorporated | High power single spatial mode semiconductor laser |
| US5480722A (en) * | 1992-07-03 | 1996-01-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Ultraviolet ray absorbent glass and method for preparing the same |
| JPH06235833A (ja) | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Nikon Corp | 光導波路 |
| DE69429448T2 (de) * | 1993-11-12 | 2002-07-25 | British Telecommunications P.L.C., London | Optisches filter |
| US5712937A (en) * | 1994-12-01 | 1998-01-27 | Asawa; Charles K. | Optical waveguide including singlemode waveguide channels coupled to a multimode fiber |
| SE507445C2 (sv) * | 1996-03-22 | 1998-06-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Optiskt element |
| JP3244114B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2002-01-07 | 日本電気株式会社 | 半導体光アンプ |
-
1997
- 1997-08-18 JP JP22142397A patent/JP3251211B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-18 US US09/135,527 patent/US6661960B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ８ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｕｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ（ＥＣ１０’９７）ＰＤ５−１〜ＰＤ５−４ |
| ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＶＯＬ．２８（１２）（１９９２），ｐｐ．２７２８−２７３５ |
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＶＯＬ．１３（４）（１９９５），ｐ．６１５−６２７ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7054516B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-05-30 | Russell Childs | Integrated optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6661960B2 (en) | 2003-12-09 |
| US20010021299A1 (en) | 2001-09-13 |
| JPH1164655A (ja) | 1999-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2982619B2 (ja) | 半導体光導波路集積型受光素子 | |
| EP0898348B1 (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| JP3244116B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| EP0469793A2 (en) | Monolithic integrated optical amplifier and photodetector | |
| JP3251211B2 (ja) | 半導体受光器 | |
| JPS60145685A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP3244115B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| JP2003533896A (ja) | 複数の非対称導波路を有する光子集積検出器 | |
| US5796883A (en) | Optical integrated circuit and method for fabricating the same | |
| JP3284994B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
| JPH08111559A (ja) | 半導体発受光素子及び装置 | |
| US20040145025A1 (en) | Semiconductor photodetecting device and method for fabricating the same | |
| JP3084417B2 (ja) | 光結合デバイス | |
| JP2003207665A (ja) | 光導波路 | |
| Van Roijen et al. | Over 15 dB gain from a monolithically integrated optical switch with an amplifier | |
| JP3404985B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH0832102A (ja) | フォトディテクタ | |
| JP3116912B2 (ja) | 半導体光集積素子及びそれを用いた光通信用モジュール並びに光通信システムとその製造方法 | |
| JPH08234148A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3278591B2 (ja) | 光導波路 | |
| Keyvaninia et al. | Novel concept for heterogeneously integrated high-speed III-V photodetector on silicon nitride waveguide | |
| JP2833615B2 (ja) | 光半導体集積素子 | |
| JPH07142699A (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
| JP3275993B2 (ja) | 半導体光素子接合部の製造方法 | |
| JPH06268316A (ja) | 半導体光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111116 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |