JP3240219B2 - 超音波センサ - Google Patents
超音波センサInfo
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- piezoelectric film
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- electrode
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超音波センサに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】典型的な先行技術は特開昭６１−２２０
５９６に開示されている。この先行技術では、半導体基
板に圧電膜を片持ち梁形式で形成し、その圧電体膜の厚
み方向の両表面の全面に一対の各電極を形成している。
５９６に開示されている。この先行技術では、半導体基
板に圧電膜を片持ち梁形式で形成し、その圧電体膜の厚
み方向の両表面の全面に一対の各電極を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような先行技術で
は、上述のように圧電体膜の厚み方向の両表面に全面に
わたって電極が形成されているので、感度が低いという
問題がある。圧電体膜には、その基端部付近で大きな応
力が作用し、その基端部付近での発生電圧が大きい。そ
れにも拘わらず前述のように半導体膜の厚み方向の両表
面の全面にわたって電極が形成されるので、これらの両
電極から導出される出力電圧がいわば平均化されてしま
い、その出力電圧が低くなり、したがって感度が低い。
は、上述のように圧電体膜の厚み方向の両表面に全面に
わたって電極が形成されているので、感度が低いという
問題がある。圧電体膜には、その基端部付近で大きな応
力が作用し、その基端部付近での発生電圧が大きい。そ
れにも拘わらず前述のように半導体膜の厚み方向の両表
面の全面にわたって電極が形成されるので、これらの両
電極から導出される出力電圧がいわば平均化されてしま
い、その出力電圧が低くなり、したがって感度が低い。
【０００４】本発明の主な目的は、感度を向上した超音
波センサを提供することである。
波センサを提供することである。
【０００５】またこのような先行技術では、誘導ノイズ
およびポップコーンノイズなどを減らすことが望まれ、
これによって高品質の超音波センサを製造することがで
きる。
およびポップコーンノイズなどを減らすことが望まれ、
これによって高品質の超音波センサを製造することがで
きる。
【０００６】本発明の他の目的は、ノイズの混入を低減
するようにした超音波センサを提供することである。
するようにした超音波センサを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電体膜を片
持ち梁形式で支持体に支持し、圧電体膜の基端部付近を
含む厚み方向の両表面に一対の各電極を形成した超音波
センサにおいて、少なくともいずれか一方の電極は、前
記基端部付近にのみ形成されることを特徴とする超音波
センサである。
持ち梁形式で支持体に支持し、圧電体膜の基端部付近を
含む厚み方向の両表面に一対の各電極を形成した超音波
センサにおいて、少なくともいずれか一方の電極は、前
記基端部付近にのみ形成されることを特徴とする超音波
センサである。
【０００８】また本発明は、圧電体膜を片持ち梁形式で
半導体基板に支持し、圧電体膜の基端部付近を含む厚み
方向の両表面に一対の各電極を形成した超音波センサに
おいて、前記半導体基板上に、前記電極に接続されかつ
ノイズを減らす回路を形成したことを特徴とする超音波
センサである。
半導体基板に支持し、圧電体膜の基端部付近を含む厚み
方向の両表面に一対の各電極を形成した超音波センサに
おいて、前記半導体基板上に、前記電極に接続されかつ
ノイズを減らす回路を形成したことを特徴とする超音波
センサである。
【０００９】
【作用】本発明に従えば、圧電体膜の厚み方向の両表面
に形成される一対の各電極のうち、少なくともいずれか
一方の電極は、圧電体の半導体基板などのような支持体
に固定される基端部付近だけに形成されるようにし、こ
れによって基端部付近で圧電体膜に作用する大きな応力
に起因した大きな出力電圧を、導出することができ、前
述の先行技術に関連して述べたように圧電体膜の小さい
応力しか作用しない部分または応力が作用しない部分に
も電極を形成することによる出力電圧のいわば平均化が
防がれ、したがって感度の向上を図ることが可能にな
る。前記一対の電極のうち、いずれか一方だけの電極が
基端部付近にのみ形成されてもよいけれども、２つの電
極がいずれも基端部付近だけに形成されるようにしても
よい。
に形成される一対の各電極のうち、少なくともいずれか
一方の電極は、圧電体の半導体基板などのような支持体
に固定される基端部付近だけに形成されるようにし、こ
れによって基端部付近で圧電体膜に作用する大きな応力
に起因した大きな出力電圧を、導出することができ、前
述の先行技術に関連して述べたように圧電体膜の小さい
応力しか作用しない部分または応力が作用しない部分に
も電極を形成することによる出力電圧のいわば平均化が
防がれ、したがって感度の向上を図ることが可能にな
る。前記一対の電極のうち、いずれか一方だけの電極が
基端部付近にのみ形成されてもよいけれども、２つの電
極がいずれも基端部付近だけに形成されるようにしても
よい。
【００１０】また本発明に従えば、前記電極に、ノイズ
を減らす回路、たとえば電界効果トランジスタを用いた
ソースホロワ回路を設け、これによって両電極間から取
出される信号にノイズが混入することを防ぐことができ
る。前記ソースホロワ回路は、出力インピーダンスを低
減させ、これによって誘導ノイズの混入を防ぐことがで
きる。またこれらの電極は、別途設けたリード線などを
介して前記ノイズを減らす回路に接続される構造とは異
なり、直接に前記回路に接続される構造となるので、ポ
ップコーンノイズなどの混入もまた、防ぐことができ
る。
を減らす回路、たとえば電界効果トランジスタを用いた
ソースホロワ回路を設け、これによって両電極間から取
出される信号にノイズが混入することを防ぐことができ
る。前記ソースホロワ回路は、出力インピーダンスを低
減させ、これによって誘導ノイズの混入を防ぐことがで
きる。またこれらの電極は、別途設けたリード線などを
介して前記ノイズを減らす回路に接続される構造とは異
なり、直接に前記回路に接続される構造となるので、ポ
ップコーンノイズなどの混入もまた、防ぐことができ
る。
【００１１】
【実施例】図１（１）は本発明の一実施例の縦断面図で
あり、図２はその実施例の簡略化した平面図である。超
音波センサ１は、ｐ-形半導体基板２に、圧電体膜３が
幅Ｗ１および長さＬ１の形状で受信超音波によって共振
可能に片持ち梁形式で支持され、その基端部４付近を含
む厚み方向の両表面に一対の各電極５，６が形成され、
これらの電極５，６からの出力は、それらの電極５，６
が直接に接続される電界効果トランジスタ７によって実
現されるソースホロワ回路から導出される。圧電体膜３
の振動する部分の幅Ｗ１は、たとえば数十μｍであり、
振動する部分の長さＬ１は数十〜数百μｍであってもよ
い。一方の電極５は、この長さＬ１のほぼ全長にわたっ
て形成される。この電極５は、たとえばＰｔなどであっ
てもよく、たとえば２０００〜３０００Åである。圧電
体膜３は、たとえばＰｂＴｉＯ3 であってもよく、ある
いはまたＺｎＯ、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、Ａ
ｌＮまたはビニリデンフロライドポリマ（略称ＰＶＤ
Ｆ）などであってもよく、その圧電体膜３の厚みは、た
とえば２μｍである。他方の電極６は、たとえばアルミ
ニウムであり、その厚みはたとえば２０００〜３０００
Åであり、本発明に従えばこの電極６は、圧電体膜３の
基端部４付近にだけ形成される。
あり、図２はその実施例の簡略化した平面図である。超
音波センサ１は、ｐ-形半導体基板２に、圧電体膜３が
幅Ｗ１および長さＬ１の形状で受信超音波によって共振
可能に片持ち梁形式で支持され、その基端部４付近を含
む厚み方向の両表面に一対の各電極５，６が形成され、
これらの電極５，６からの出力は、それらの電極５，６
が直接に接続される電界効果トランジスタ７によって実
現されるソースホロワ回路から導出される。圧電体膜３
の振動する部分の幅Ｗ１は、たとえば数十μｍであり、
振動する部分の長さＬ１は数十〜数百μｍであってもよ
い。一方の電極５は、この長さＬ１のほぼ全長にわたっ
て形成される。この電極５は、たとえばＰｔなどであっ
てもよく、たとえば２０００〜３０００Åである。圧電
体膜３は、たとえばＰｂＴｉＯ3 であってもよく、ある
いはまたＺｎＯ、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、Ａ
ｌＮまたはビニリデンフロライドポリマ（略称ＰＶＤ
Ｆ）などであってもよく、その圧電体膜３の厚みは、た
とえば２μｍである。他方の電極６は、たとえばアルミ
ニウムであり、その厚みはたとえば２０００〜３０００
Åであり、本発明に従えばこの電極６は、圧電体膜３の
基端部４付近にだけ形成される。
【００１２】電極５が形成されるＳｉＯ2膜８は、たと
えば５０００Åの厚みを有し、半導体基板２上に形成さ
れる。ＳｉＯ2膜８に代えて、Ｂを高濃度ドープしたＳ
ｉなどであってもよい。
えば５０００Åの厚みを有し、半導体基板２上に形成さ
れる。ＳｉＯ2膜８に代えて、Ｂを高濃度ドープしたＳ
ｉなどであってもよい。
【００１３】図１（２）は、片持ち梁形式で半導体基板
２に支持されている圧電体膜３の長さ方向（図１（１）
および図２の左右方向）に沿う各位置における超音波受
信時の出力電圧分布を示す。圧電体膜３に作用する共振
時の応力、したがって圧電電圧出力は、基端部４付近で
大きく、遊端部９付近ではごく小さい。本発明では、電
極６は、基端部４付近で、長さＬ２（図２参照）にわた
ってのみ形成され、したがってこの圧電体膜３の出力電
圧が大きい領域での出力を得ることができる。したがっ
て感度の向上を図ることができる。Ｌ２／Ｌ１は、たと
えば２０〜３０％であってもよい。
２に支持されている圧電体膜３の長さ方向（図１（１）
および図２の左右方向）に沿う各位置における超音波受
信時の出力電圧分布を示す。圧電体膜３に作用する共振
時の応力、したがって圧電電圧出力は、基端部４付近で
大きく、遊端部９付近ではごく小さい。本発明では、電
極６は、基端部４付近で、長さＬ２（図２参照）にわた
ってのみ形成され、したがってこの圧電体膜３の出力電
圧が大きい領域での出力を得ることができる。したがっ
て感度の向上を図ることができる。Ｌ２／Ｌ１は、たと
えば２０〜３０％であってもよい。
【００１４】図３は、図１および図２に示される超音波
センサの等価的な電気回路図である。電極６は電界効果
トランジスタ７のゲート１０に接続され、ソース電極１
１から、出力信号が導出される。半導体基板２には、抵
抗１２が形成され、ソース１１に接続されて接地されて
もよい。電極５は接地される。こうして電界効果トラン
ジスタ７を用いるソースホロワ回路が実現される。ドレ
イン１３は電源に接続される。ソース１１の出力インピ
ーダンスは、たとえば数ｋΩ程度に低くすることが可能
であり、これによって誘導ノイズの出力信号への混入を
防ぐことができる。また電極５，６が電界効果トランジ
スタ７の抵抗１２およびゲート１０に直接に接続される
ことによって、リード線などを用いたときに混入するお
それのあるポップコーンノイズを防ぐことができる。こ
うしてノイズの混入を防ぎ、Ｓ／Ｎの良好な超音波検出
信号を得ることができる。抵抗１２は、図解の便宜のた
めに描いた抵抗であり、電界効果トランジスタ７のソー
ス１１に電極５を形成することによって、その抵抗１２
が同時に形成されてもよく、また外部より抵抗器をつな
いでもよい。参照符３１，３２は、端子を示す。
センサの等価的な電気回路図である。電極６は電界効果
トランジスタ７のゲート１０に接続され、ソース電極１
１から、出力信号が導出される。半導体基板２には、抵
抗１２が形成され、ソース１１に接続されて接地されて
もよい。電極５は接地される。こうして電界効果トラン
ジスタ７を用いるソースホロワ回路が実現される。ドレ
イン１３は電源に接続される。ソース１１の出力インピ
ーダンスは、たとえば数ｋΩ程度に低くすることが可能
であり、これによって誘導ノイズの出力信号への混入を
防ぐことができる。また電極５，６が電界効果トランジ
スタ７の抵抗１２およびゲート１０に直接に接続される
ことによって、リード線などを用いたときに混入するお
それのあるポップコーンノイズを防ぐことができる。こ
うしてノイズの混入を防ぎ、Ｓ／Ｎの良好な超音波検出
信号を得ることができる。抵抗１２は、図解の便宜のた
めに描いた抵抗であり、電界効果トランジスタ７のソー
ス１１に電極５を形成することによって、その抵抗１２
が同時に形成されてもよく、また外部より抵抗器をつな
いでもよい。参照符３１，３２は、端子を示す。
【００１５】図４〜図６を参照して、超音波センサ１の
製造手順を述べる。まず図４（１）を参照して、ｐ-形
シリコン半導体基板２上には、エピタキシャル形成され
たｎ-形Ｓｉ層１４が形成されており、その上にさらに
ＳｉＯ2 層３５が形成される。これを用いて、図４（１
ａ）に示されるように、フォトリソグラフィとイオン注
入の手法により、素子分離の役割を持つｐ領域３３，３
４を形成し、さらにその上にＳｉＯ2 層１５を形成す
る。次に図４（２）に示されるように、ＳｉＯ2 層１５
に、ホトリソグラフィの手法で電界効果トランジスタ７
のソース１１およびドレイン１３に対応した穴１６，１
７を形成し、不純物を拡散してｎ+ 形領域１８，１９を
深く形成する。
製造手順を述べる。まず図４（１）を参照して、ｐ-形
シリコン半導体基板２上には、エピタキシャル形成され
たｎ-形Ｓｉ層１４が形成されており、その上にさらに
ＳｉＯ2 層３５が形成される。これを用いて、図４（１
ａ）に示されるように、フォトリソグラフィとイオン注
入の手法により、素子分離の役割を持つｐ領域３３，３
４を形成し、さらにその上にＳｉＯ2 層１５を形成す
る。次に図４（２）に示されるように、ＳｉＯ2 層１５
に、ホトリソグラフィの手法で電界効果トランジスタ７
のソース１１およびドレイン１３に対応した穴１６，１
７を形成し、不純物を拡散してｎ+ 形領域１８，１９を
深く形成する。
【００１６】そこで次に図４（３）に示されるようにホ
トレジスト膜２０を形成し、電界効果トランジスタ７の
ゲート電極１０に対応した穴２１を、ＳｉＯ2 層１５に
形成し、イオン注入を浅く行い、こうして図４（４）に
示されるようにｐ+ 領域２２を形成する。
トレジスト膜２０を形成し、電界効果トランジスタ７の
ゲート電極１０に対応した穴２１を、ＳｉＯ2 層１５に
形成し、イオン注入を浅く行い、こうして図４（４）に
示されるようにｐ+ 領域２２を形成する。
【００１７】次に図５（１）を参照して、電界効果トラ
ンジスタ７の領域付近から、図２に示される幅Ｗ１×長
さＬ１にわたる電極５を形成する。この電極５を形成す
るにあたっては、まず、その電極５の材料となるＰｔ
を、スパッタリングまたは電子ビーム蒸着などの手法
で、全面にわたって形成し、次にホトリソグラフィおよ
びエッチングの手法で、電極５を選択的に形成してパタ
ーニングする。この電極５は、接地される。ＳｉＯ2 層
１５は、振動する部分では、参照符８で示してある。
ンジスタ７の領域付近から、図２に示される幅Ｗ１×長
さＬ１にわたる電極５を形成する。この電極５を形成す
るにあたっては、まず、その電極５の材料となるＰｔ
を、スパッタリングまたは電子ビーム蒸着などの手法
で、全面にわたって形成し、次にホトリソグラフィおよ
びエッチングの手法で、電極５を選択的に形成してパタ
ーニングする。この電極５は、接地される。ＳｉＯ2 層
１５は、振動する部分では、参照符８で示してある。
【００１８】そこで図５（２）に示されるように電極５
上に、ＰｂＴｉＯ3 である圧電体膜３を選択的に形成す
る。このとき領域１９および２２上には、参照符２３，
２４で示されるＳｉＯ2から成る自然酸化膜が形成され
る。
上に、ＰｂＴｉＯ3 である圧電体膜３を選択的に形成す
る。このとき領域１９および２２上には、参照符２３，
２４で示されるＳｉＯ2から成る自然酸化膜が形成され
る。
【００１９】さらに引続いて図５（３）に示されるよう
に、電極５の圧電体膜３から突出している部分付近にＳ
ｉＯ2層２５を選択的に形成し、その後、図５（４）に
示されるように、酸化膜２４にホトリソグラフィ／エッ
チングの手法で穴をあけて、アルミニウムの電極６，２
６を形成する。電極２６は、電界効果トランジスタ７の
ドレインである領域１９に接続される。
に、電極５の圧電体膜３から突出している部分付近にＳ
ｉＯ2層２５を選択的に形成し、その後、図５（４）に
示されるように、酸化膜２４にホトリソグラフィ／エッ
チングの手法で穴をあけて、アルミニウムの電極６，２
６を形成する。電極２６は、電界効果トランジスタ７の
ドレインである領域１９に接続される。
【００２０】次に図６に示されるように、環境安定化を
図るためのパシベーション層２７を選択的に形成した
後、ｐ- 形半導体基板２の異方性エッチングを行い、図
７に示されるモノリシック超音波センサ１が完成する。
エッチング液は、（ａ）エチレンジアミン、ピロカテコ
ールおよび水の混合液（略称ＥＰＷ）、（ｂ）ＫＯＨま
たは（ｃ）ヒドラジンなどであってもよく、これらのエ
ッチング液は、半導体基板２の面方位（１００）等に対
するエッチング速度が、（１１１）面に対して、著しく
大きいという性質を有しており、こうして凹字状の開口
部２８が、四角錐台または四角錐状に形成され、この開
口部２８の内面は、（１１１）面である。
図るためのパシベーション層２７を選択的に形成した
後、ｐ- 形半導体基板２の異方性エッチングを行い、図
７に示されるモノリシック超音波センサ１が完成する。
エッチング液は、（ａ）エチレンジアミン、ピロカテコ
ールおよび水の混合液（略称ＥＰＷ）、（ｂ）ＫＯＨま
たは（ｃ）ヒドラジンなどであってもよく、これらのエ
ッチング液は、半導体基板２の面方位（１００）等に対
するエッチング速度が、（１１１）面に対して、著しく
大きいという性質を有しており、こうして凹字状の開口
部２８が、四角錐台または四角錐状に形成され、この開
口部２８の内面は、（１１１）面である。
【００２１】図８は、本発明の他の実施例の簡略化した
平面図である。１つの半導体基板２上に、前述の超音波
センサ１と同様な構成を有する複数の超音波センサ１ａ
〜１ｄが形成され、個別的に対応して電界効果トランジ
スタ７ａ〜７ｄが形成されて超音波受信出力がソースホ
ロワで導出され、個別的なスイッチング動作を行うゲー
ト回路２９ａ〜２９ｄを経て処理回路３０に与えられ
る。このような複数の超音波センサ１ａ〜１ｄを配置し
てアレイを構成することによって、指向性を向上するこ
とができる。処理回路３０に与えられるゲート２９ａ〜
２９ｄを介する各信号を遅延させ、それらの各遅延時間
ΔＴａ〜ΔＴｄを、受信される超音波の位相が一致する
ようにずらして設定して導出し、それらのゲート２９ａ
〜２９ｄの出力を加算して、感度の向上を図ることがで
きるようになる。こうして複数の各超音波センサ１ａ〜
１ｄの出力を選択的に遅延させて電子的に走査してフェ
イズドアレイを構成し、感度の向上をさらに一層図るこ
とができる。
平面図である。１つの半導体基板２上に、前述の超音波
センサ１と同様な構成を有する複数の超音波センサ１ａ
〜１ｄが形成され、個別的に対応して電界効果トランジ
スタ７ａ〜７ｄが形成されて超音波受信出力がソースホ
ロワで導出され、個別的なスイッチング動作を行うゲー
ト回路２９ａ〜２９ｄを経て処理回路３０に与えられ
る。このような複数の超音波センサ１ａ〜１ｄを配置し
てアレイを構成することによって、指向性を向上するこ
とができる。処理回路３０に与えられるゲート２９ａ〜
２９ｄを介する各信号を遅延させ、それらの各遅延時間
ΔＴａ〜ΔＴｄを、受信される超音波の位相が一致する
ようにずらして設定して導出し、それらのゲート２９ａ
〜２９ｄの出力を加算して、感度の向上を図ることがで
きるようになる。こうして複数の各超音波センサ１ａ〜
１ｄの出力を選択的に遅延させて電子的に走査してフェ
イズドアレイを構成し、感度の向上をさらに一層図るこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、片持ち梁
形式の圧電体膜の厚み方向の両表面に形成される一対の
各電極のうち、少なくともいずれか一方の電極を、基端
部付近にのみ形成することによって、その圧電体膜の基
端部付近における大きな出力電圧をそのまま導出するこ
とができ、感度の向上を図ることができる。
形式の圧電体膜の厚み方向の両表面に形成される一対の
各電極のうち、少なくともいずれか一方の電極を、基端
部付近にのみ形成することによって、その圧電体膜の基
端部付近における大きな出力電圧をそのまま導出するこ
とができ、感度の向上を図ることができる。
【００２３】さらに本発明によれば、半導体膜は半導体
基板上に支持され、この半導体基板上にノイズを減らす
回路を、前記電極に接続して形成し、これによって誘導
ノイズおよびポップコーンノイズなどの各種のノイズの
混入を防ぐことができる。
基板上に支持され、この半導体基板上にノイズを減らす
回路を、前記電極に接続して形成し、これによって誘導
ノイズおよびポップコーンノイズなどの各種のノイズの
混入を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例の超音波センサ１と発生電圧
の分布とを示す図である。
の分布とを示す図である。
【図２】図１に示される超音波センサ１の簡略化した平
面図である。
面図である。
【図３】超音波センサ１の簡略化した電気回路図であ
る。
る。
【図４】超音波センサ１の製造工程の一部を示す断面図
である。
である。
【図５】超音波センサ１の製造工程の他の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図６】超音波センサ１の製造工程を説明するための完
成された状態を示す断面図である。
成された状態を示す断面図である。
【図７】超音波センサ１の斜視図である。
【図８】本発明の他の実施例の簡略化した平面図であ
る。
る。
１ 超音波センサ ２ ｐ-形シリコン半導体基板 ３ 圧電体膜 ４ 基端部 ５，６ 電極 ７ 電界効果トランジスタ ８ ＳｉＯ2層 ９ 遊端部 １０ ゲート １１ ソース １２ 抵抗 １３ ドレイン ２８ 開口部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01S 7/52 H01L 41/00 H04R 17/00
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電体膜を片持ち梁形式で支持体に支持
し、圧電体膜の基端部付近を含む厚み方向の両表面に一
対の各電極を形成した超音波センサにおいて、 少なくともいずれか一方の電極は、前記基端部付近にの
み形成されることを特徴とする超音波センサ。 - 【請求項２】 圧電体膜を片持ち梁形式で半導体基板に
支持し、圧電体膜の基端部付近を含む厚み方向の両表面
に一対の各電極を形成した超音波センサにおいて、 前記半導体基板上に、前記電極に接続されかつノイズを
減らす回路を形成したことを特徴とする超音波センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20619693A JP3240219B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 超音波センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20619693A JP3240219B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 超音波センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0755919A JPH0755919A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3240219B2 true JP3240219B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=16519391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20619693A Expired - Fee Related JP3240219B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 超音波センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240219B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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1993
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