JP3239713B2 - 表面実装形圧電デバイス - Google Patents
表面実装形圧電デバイスInfo
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- JP3239713B2 JP3239713B2 JP25585895A JP25585895A JP3239713B2 JP 3239713 B2 JP3239713 B2 JP 3239713B2 JP 25585895 A JP25585895 A JP 25585895A JP 25585895 A JP25585895 A JP 25585895A JP 3239713 B2 JP3239713 B2 JP 3239713B2
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電デバイスのパ
ッケージ内に温度補償回路を内蔵させた自己温度補償形
の表面実装形圧電デバイスに関する。
ッケージ内に温度補償回路を内蔵させた自己温度補償形
の表面実装形圧電デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】温度補償発振器に圧電デバイス(水晶振
動子)を使用する場合、圧電デバイスの他にサーミスタ
とコンデンサを備えた温度補償回路を設ける必要があ
る。通常図8に示すように水晶振動子Aに負特性サーミ
スタRPとコンデンサCPの並列回路からなる温度補償回
路Bを直列に接続する。図9にこの水晶振動子の温度補
償前,後の温度変化に対する周波数偏差曲線イ,ロを示
す。この温度補償では主に低温側特性が補償される。
動子)を使用する場合、圧電デバイスの他にサーミスタ
とコンデンサを備えた温度補償回路を設ける必要があ
る。通常図8に示すように水晶振動子Aに負特性サーミ
スタRPとコンデンサCPの並列回路からなる温度補償回
路Bを直列に接続する。図9にこの水晶振動子の温度補
償前,後の温度変化に対する周波数偏差曲線イ,ロを示
す。この温度補償では主に低温側特性が補償される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述のとおり、温度補
償発振器は圧電デバイスの他に温度補償回路部分を設け
なければならないため、発振器を小形化することが困難
である。
償発振器は圧電デバイスの他に温度補償回路部分を設け
なければならないため、発振器を小形化することが困難
である。
【0004】本発明は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、その目的とするところは、パッ
ケージの大きさを変更することなく圧電デバイスのパッ
ケージの中に温度補償回路を直接設けた小形で温度補償
を確実になしうる表面実装形圧電デバイスを提供するこ
とにある。
てなされたものであり、その目的とするところは、パッ
ケージの大きさを変更することなく圧電デバイスのパッ
ケージの中に温度補償回路を直接設けた小形で温度補償
を確実になしうる表面実装形圧電デバイスを提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の表面実装形圧電
デバイスは、セラミックス単体ベースに配線を施し、圧
電デバイス本体の枕部又は緩衝部となるように温度補償
用のコンサンサ機能を有するサーミスタを取り付けるこ
とにより、パッケージ内に温度補償部分を内蔵したもの
である。
デバイスは、セラミックス単体ベースに配線を施し、圧
電デバイス本体の枕部又は緩衝部となるように温度補償
用のコンサンサ機能を有するサーミスタを取り付けるこ
とにより、パッケージ内に温度補償部分を内蔵したもの
である。
【0006】または、デバイス素板の一部を薄くしてそ
の両面に振動電極を設けて振動部とし、デバイス素板の
残余の部分に温度補償用のコンサンサ機能を有するサー
ミスタを設けてパッケージに納めたものである。
の両面に振動電極を設けて振動部とし、デバイス素板の
残余の部分に温度補償用のコンサンサ機能を有するサー
ミスタを設けてパッケージに納めたものである。
【0007】
実施の形態1 図1について、まず図(a)に示すように、セラミック
ス単体ベース2の表面ないし表面から側面にメタライズ
配線部111〜113を施すと共に、裏面に配線部111
及び113と接続するように外部端子61及び62を設け
る。
ス単体ベース2の表面ないし表面から側面にメタライズ
配線部111〜113を施すと共に、裏面に配線部111
及び113と接続するように外部端子61及び62を設け
る。
【0008】次に図(b)に示すように、配線部を施し
たベース2の上面に額縁状にアルミナコーティング部7
を施すと共に、ベース右側に配線部112及び113と接
続されるようにコンデンサ機能を含むチップサーミスタ
5Aを半田又は導電性接着剤を用いて取り付ける。
たベース2の上面に額縁状にアルミナコーティング部7
を施すと共に、ベース右側に配線部112及び113と接
続されるようにコンデンサ機能を含むチップサーミスタ
5Aを半田又は導電性接着剤を用いて取り付ける。
【0009】そして図(c)に示すように、片持ち支持
となる電極パターンが施された圧電デバイス片3Aをチ
ップサーミスタ5Aが枕部となるように載置して、裏側
振動電極4a(図示省略)の端子部41を配線部111の
端子部111aに導電性接着剤81で固定すると共に、表
側振動電極4bの端子部42を配線部112の端子部11
2aに導電性接着剤82で固定して片持ち支持する。最後
に、この単体ベース上に箱形のキャップ(図示省略)を
被せ、キャップとベース間を樹脂又はガラスで接合して
パッケージを完成させる。
となる電極パターンが施された圧電デバイス片3Aをチ
ップサーミスタ5Aが枕部となるように載置して、裏側
振動電極4a(図示省略)の端子部41を配線部111の
端子部111aに導電性接着剤81で固定すると共に、表
側振動電極4bの端子部42を配線部112の端子部11
2aに導電性接着剤82で固定して片持ち支持する。最後
に、この単体ベース上に箱形のキャップ(図示省略)を
被せ、キャップとベース間を樹脂又はガラスで接合して
パッケージを完成させる。
【0010】以上のように構成されているので、外部端
子61が圧電デバイス片3Aの振動電極41に接続され、
振動電極42が配線部112を介してチップサーミスタ5
Aの一端に接続され、その他端が外部端子62に接続さ
れるので、外部端子61と62の間に圧電デバイス片3A
とチップサーミスタ5Aが直列に接続された温度補償回
路内蔵の圧電デバイスが得られる。
子61が圧電デバイス片3Aの振動電極41に接続され、
振動電極42が配線部112を介してチップサーミスタ5
Aの一端に接続され、その他端が外部端子62に接続さ
れるので、外部端子61と62の間に圧電デバイス片3A
とチップサーミスタ5Aが直列に接続された温度補償回
路内蔵の圧電デバイスが得られる。
【0011】この実施の形態によれば、チップサーミス
タ5Aを圧電デバイス片3Aの落下衝撃用の枕部として
利用しているので、圧電デバイスのパッケージに温度補
償部分を内蔵することが可能となり小形化を実現でき
た。また、チップサーミスタを枕部として圧電デバイス
単体と同一のパッケージに納めるため、圧電デバイスの
温度変化をより精度良く感知することが可能となる。更
に、単板べースを使用するため価格を安価に抑えること
ができた。
タ5Aを圧電デバイス片3Aの落下衝撃用の枕部として
利用しているので、圧電デバイスのパッケージに温度補
償部分を内蔵することが可能となり小形化を実現でき
た。また、チップサーミスタを枕部として圧電デバイス
単体と同一のパッケージに納めるため、圧電デバイスの
温度変化をより精度良く感知することが可能となる。更
に、単板べースを使用するため価格を安価に抑えること
ができた。
【0012】なお、図1では外部端子と配線部が側面接
続となっているが、この接続は図2に示すようにベース
2の左右にスルーホール101,102を設けてスルーホ
ール接続としてもよい。
続となっているが、この接続は図2に示すようにベース
2の左右にスルーホール101,102を設けてスルーホ
ール接続としてもよい。
【0013】また、単板ベース2にメタライズ配線部1
11〜113を図3に示すようなパターンで設ければ、チ
ップサーミスタ5Aと圧電デバイス片3Aとを逆に配置
することが可能となるので、単板ベースの左右の位置関
係を揃えることなくチップサーミスタ及び圧電デバイス
片を装着することができる。
11〜113を図3に示すようなパターンで設ければ、チ
ップサーミスタ5Aと圧電デバイス片3Aとを逆に配置
することが可能となるので、単板ベースの左右の位置関
係を揃えることなくチップサーミスタ及び圧電デバイス
片を装着することができる。
【0014】また、配線部を施した単板ベース2の上に
アルミナコーティング部7を図4(b)に示すようなパ
ターンで設ければ、同図(c)に示すようにコーティン
グ部7が圧電デバイス片3Aの片持ち支持部の位置決め
ができるので、圧電デバイス片の位置決め精度が向上す
る。
アルミナコーティング部7を図4(b)に示すようなパ
ターンで設ければ、同図(c)に示すようにコーティン
グ部7が圧電デバイス片3Aの片持ち支持部の位置決め
ができるので、圧電デバイス片の位置決め精度が向上す
る。
【0015】実施の形態2 図5について、図(a)に示すように、セラミック単板
ベース2の表面ないし側面にメタライズ配線部111,
113を施すとと共に、裏面に配線部111及び113と
接続するように、外部端子61及び62を設ける。
ベース2の表面ないし側面にメタライズ配線部111,
113を施すとと共に、裏面に配線部111及び113と
接続するように、外部端子61及び62を設ける。
【0016】次に、図(b)に示すように、配線部を施
したベース2の上面に額縁状にアルミナコーティング部
7を施すと共に、右側配線部113の先端部113aの上
に、上下面に端子を有するコンデンサ機能を含むチップ
サーミスタ5Bを半田又は導電性接着剤を用いて取り付
ける。
したベース2の上面に額縁状にアルミナコーティング部
7を施すと共に、右側配線部113の先端部113aの上
に、上下面に端子を有するコンデンサ機能を含むチップ
サーミスタ5Bを半田又は導電性接着剤を用いて取り付
ける。
【0017】そして図(c)に示すように、両持ち支持
となる電極パターンが施された圧電デバイス片3Bを配
線部111の端子部111aとチップサーミスタ5Bの上
面に載置して、表側振動電極4aの端子41及び裏側振
動電極4bの端子42を配線部の端子部111a及びチッ
プサーミスタ5Bの上面側端子52に導電性接着剤81及
び82で固定し、両持ち支持する。最後に、この単板ベ
ース上に箱形のキャップを被せてベースと接合してパッ
ケージを完成させる。なお、外部端子と配線部との側面
接続はスルーホール接続としてもよい。
となる電極パターンが施された圧電デバイス片3Bを配
線部111の端子部111aとチップサーミスタ5Bの上
面に載置して、表側振動電極4aの端子41及び裏側振
動電極4bの端子42を配線部の端子部111a及びチッ
プサーミスタ5Bの上面側端子52に導電性接着剤81及
び82で固定し、両持ち支持する。最後に、この単板ベ
ース上に箱形のキャップを被せてベースと接合してパッ
ケージを完成させる。なお、外部端子と配線部との側面
接続はスルーホール接続としてもよい。
【0018】この実施の形態によれば、実施の形態1と
同等の効果を奏する。なお、チップサーミスタ5Bがセ
ラミック単体ベース2と圧電デバイス片3B間の緩衝材
の役目も果すため、両持ち支持でも熱膨張係数の差によ
って生ずる歪応力の発生を抑制することができる。
同等の効果を奏する。なお、チップサーミスタ5Bがセ
ラミック単体ベース2と圧電デバイス片3B間の緩衝材
の役目も果すため、両持ち支持でも熱膨張係数の差によ
って生ずる歪応力の発生を抑制することができる。
【0019】実施の形態3 図6について、まず、図に示すように、水晶等のデバイ
ス素板1の部分12をエッチング等によって薄板化して
振動部3Cとし、薄板化されない右側部分13の上部に
コンデンサ機能を含む薄膜サーミスタ5Cを直接成膜さ
せ、更に振動部3Cの下面及び素板左側部分11の下面
にかけて振動電極4a及びそのリード端子41を一体に
設けると共に、振動部3Cの上面及び素板右側部分13
の上面に振動電極4bと前記薄膜サーミスタ5Cが直列
となるように振動電極4bのリード端子42及び薄膜サ
ーミスタ5Cのリード端子51,52を設ける。最後にこ
のデバイス素板をパッケージに納めて完成させる。
ス素板1の部分12をエッチング等によって薄板化して
振動部3Cとし、薄板化されない右側部分13の上部に
コンデンサ機能を含む薄膜サーミスタ5Cを直接成膜さ
せ、更に振動部3Cの下面及び素板左側部分11の下面
にかけて振動電極4a及びそのリード端子41を一体に
設けると共に、振動部3Cの上面及び素板右側部分13
の上面に振動電極4bと前記薄膜サーミスタ5Cが直列
となるように振動電極4bのリード端子42及び薄膜サ
ーミスタ5Cのリード端子51,52を設ける。最後にこ
のデバイス素板をパッケージに納めて完成させる。
【0020】以上のように構成したので、リード端子4
1,52間に振動部(圧電デバイス片)3cと薄膜サーミ
スタ5Cが直列に接続された温度補償回路内蔵の圧電デ
バイスが得られる。
1,52間に振動部(圧電デバイス片)3cと薄膜サーミ
スタ5Cが直列に接続された温度補償回路内蔵の圧電デ
バイスが得られる。
【0021】この実施の形態によれば、薄膜サーミスタ
5Cをデバイス素板に直接成膜しているので、小形のパ
ッケージに温度補償部分を内蔵することが可能となると
共に、同じパッケージに納まっているので、圧電デバイ
スの温度変化により精度良く感知することができる。
5Cをデバイス素板に直接成膜しているので、小形のパ
ッケージに温度補償部分を内蔵することが可能となると
共に、同じパッケージに納まっているので、圧電デバイ
スの温度変化により精度良く感知することができる。
【0022】実施の形態4 図7について、まず、図示のように、セラミック単体ベ
ース2表面ないし表面から裏面にかけてメタライズ配線
部111〜113を施す。次に配線部112と113に接続
されるように単体ベース2上にコンサンサ機能を含む薄
膜サーミスタ5Cを直接成膜させる。そして、片持ち支
持となる電極パターンが施された圧電デバイス片3A
(図示省略)を薄膜サーミスタを枕部として図1と同様
に設け、キャップを被せてパッケージを完成させる。こ
の場合、配線部111,113の単体ベース2の下面に現
れている部分が外部端子となる。
ース2表面ないし表面から裏面にかけてメタライズ配線
部111〜113を施す。次に配線部112と113に接続
されるように単体ベース2上にコンサンサ機能を含む薄
膜サーミスタ5Cを直接成膜させる。そして、片持ち支
持となる電極パターンが施された圧電デバイス片3A
(図示省略)を薄膜サーミスタを枕部として図1と同様
に設け、キャップを被せてパッケージを完成させる。こ
の場合、配線部111,113の単体ベース2の下面に現
れている部分が外部端子となる。
【0023】この実施の形態によれば、薄膜サーミスタ
を単体ベースに成膜しているので、実施の形態3同様の
効果が得られる。
を単体ベースに成膜しているので、実施の形態3同様の
効果が得られる。
【0024】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
ので、次に記載する効果を奏する。
【0025】(1)片持ち支持の圧電デバイスはチップ
サーミスタ(コンサンサ機能も含む)を枕部として利用
するため、圧電デバイス単体と同等な容積で温度補償部
分を含んだ小形のデバイスを実現できる。
サーミスタ(コンサンサ機能も含む)を枕部として利用
するため、圧電デバイス単体と同等な容積で温度補償部
分を含んだ小形のデバイスを実現できる。
【0026】(2)両持ち支持の圧電デバイスはチップ
サーミスタを緩衝材として利用しているため、デバイス
片とセラミックスの熱膨張係数の差によって生じる歪み
応力の影響を受けにくい。
サーミスタを緩衝材として利用しているため、デバイス
片とセラミックスの熱膨張係数の差によって生じる歪み
応力の影響を受けにくい。
【0027】(3)ベース上のどちらのサイドにも圧電
デバイス片を固定できるためにベースの方向性を規定す
る必要がない。
デバイス片を固定できるためにベースの方向性を規定す
る必要がない。
【0028】(4)ベース上のアルミナコーティングを
ストッパーとして利用することにより圧電デバイス片の
位置決め精度向上が見込める。
ストッパーとして利用することにより圧電デバイス片の
位置決め精度向上が見込める。
【0029】(5)圧電デバイス片と温度補償部(チッ
プサーミスタ)を同一のパッケージに収納したため、よ
り精度良くデバイス片の温度を感知することが可能とな
る。
プサーミスタ)を同一のパッケージに収納したため、よ
り精度良くデバイス片の温度を感知することが可能とな
る。
【0030】(6)温度補償部と振動部を1枚のデバイ
ス素板上に設けることによって小形のデバイスを実現で
きる。
ス素板上に設けることによって小形のデバイスを実現で
きる。
【0031】(7)パッケージベース上にサーミスタを
直接成膜させることによって従来のパッケージに温度補
償部を設けることが可能となる。
直接成膜させることによって従来のパッケージに温度補
償部を設けることが可能となる。
【図1】実施の形態1にかかる片持ち支持方式のデバイ
スの要部構造説明図。
スの要部構造説明図。
【図2】スルーホールによる配線部と外部端子との接続
例を示すメタライズ後のベース構造説明図。
例を示すメタライズ後のベース構造説明図。
【図3】ベースの方向を規定する必要のない場合の配線
部メタライズ後のベース構造説明図。
部メタライズ後のベース構造説明図。
【図4】アルミナコーティングで圧電デバイスを位置決
めした場合のデバイスの要部構造説明図。
めした場合のデバイスの要部構造説明図。
【図5】実施の形態2にかかる両持ち支持方式のデバイ
スの要部構造説明図。
スの要部構造説明図。
【図6】実施の形態3にかかるデバイス素板に薄膜サー
ミスタを成膜したデバイスの要部構造説明図。
ミスタを成膜したデバイスの要部構造説明図。
【図7】実施の形態4にかかる単体ベースに薄膜サーミ
スタを成膜したデバイスの要部構造説明図。
スタを成膜したデバイスの要部構造説明図。
【図8】水晶振動子の温度補償回路。
【図9】温度補償前後の周波数偏差曲線図。
1…デバイス素板 2…セラミック単体ベース 3A,3B…圧電デバイス片 3C…振動部(圧電デバイス片) 4…振動電極 5…チップサーミスタ 6…外部端子 7…アルミナコーティング部 8…導電性接着剤 9…圧電デバイス固定部 10…スルーホール 11…メタライズ配線部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−3609(JP,A) 特開 平7−38333(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 5/32 H01L 41/09 H03H 9/02 H03H 9/19
Claims (6)
- 【請求項1】 単体ベースに配線部を施し片持ち支持の
圧電デバイス片を取り付けてパッケージに納めた表面実
装形圧電デバイスにおいて、 温度補償用のコンデンサ機能を含むチップサーミスタを
圧電デバイス片の枕部として取り付け、パッケージの中
に温度補償部分を内蔵したことを特徴とする表面実装形
圧電デバイス。 - 【請求項2】 配線部の配線パターンを、チップサーミ
スタをベース長手方向の左右どちら側に配置してもその
反対側に圧電デバイス片を固定することができるように
したことを特徴とする請求項1記載の表面実装形圧電デ
バイス。 - 【請求項3】 単体ベースに配線部を施し片持ち支持の
圧電デバイス片を取り付けてパッケージに納めた表面実
装形圧電デバイスにおいて、 温度補償用のコンデンサ機能を含む薄膜サーミスタを圧
電デバイス片の枕部として直接ベース上に成膜し、圧電
デバイス単体と同等の大きさのパッケージの内に温度補
償部分を内蔵したことを特徴とする表面実装形圧電デバ
イス。 - 【請求項4】 単体ベースに配線部を施し両持ち支持の
圧電デバイス片を取り付けてパッケージに納めた表面実
装形圧電デバイスにおいて、 温度補償用のコンデンサ機能を含むチップサーミスタを
圧電デバイス片の緩衝部として取り付け、パッケージの
中に温度補償部分を内蔵したことを特徴とする表面実装
形圧電デバイス。 - 【請求項5】 デバイス素板の一部を薄くしてその両面
に振動電極を設けて振動部とし、デバイス素板の残余の
部分に温度補償用のコンデンサ機能を含むサーミスタを
設け、パッケージに納めたことを特徴とする表面実装形
圧電デバイス。 - 【請求項6】 サーミスタが、直接デバイス素板上に成
膜した薄膜サーミスタであることを特徴とする請求項5
記載の表面実装形圧電デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25585895A JP3239713B2 (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 表面実装形圧電デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25585895A JP3239713B2 (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 表面実装形圧電デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0998023A JPH0998023A (ja) | 1997-04-08 |
JP3239713B2 true JP3239713B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=17284568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25585895A Expired - Fee Related JP3239713B2 (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 表面実装形圧電デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3239713B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5893900B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-03-23 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶振動子及び基板シート |
JP2014107778A (ja) | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Seiko Epson Corp | 振動デバイス、電子機器及び移動体 |
JP6543888B2 (ja) | 2013-05-13 | 2019-07-17 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
WO2023127884A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 京セラ株式会社 | 圧電振動素子及び圧電デバイス |
-
1995
- 1995-10-03 JP JP25585895A patent/JP3239713B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0998023A (ja) | 1997-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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